JP5592192B2 - 圧電体膜とその製造方法、圧電素子および液体吐出装置 - Google Patents
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Description
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。)
請求項1によれば、Mgドープ量を0.090≦b≦0.25の範囲内としているので、圧電性能を大幅に下げることなく、表面モフォロジを向上させることができる。Nbを添加することで圧電性能を向上させることができるが、Nbの添加のみでは、電荷中性の観点から好ましくなく、圧電体膜の表面性の低下が見られた。これはMgを添加することで改善できるが、従来は、電荷補償の観点からMg:Nb=1:2の比率で配合されていた。しかしながら、圧電性能に寄与するのは、Nbのみであり、Mgは結晶性を保つための助剤であることを発見し、本発明においては、適切なMg量を明らかにした。Mg量はNb量の1/2よりも少なく、式(P)において、0.090≦b≦0.25の範囲とすることで、圧電体膜の表面モフォロジを向上させることができる。
−0.2Ts+100<Vs−Vf(V)<−0.2Ts+130・・・(2)
請求項10によれば、圧電定数の高い圧電体膜を製造することができる。
本発明の圧電体膜は、下記一般式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電体膜である。
(δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。)
ペロブスカイト型酸化物(P)のbは、0.090≦b≦0.25である。また、BサイトのNbドープ量:a×(1−b)は0.13以上である。
Aサイトを置換することができる元素としては、Ba、La、Sr、Bi、Li、Na、Ca、Cd、Mg、および、Kからなる群より選ばれた少なくとも1種の元素を挙げることができる。Aサイトを置換する元素の量としては、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内であれば、特に限定されず添加することができる。
上記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物を主成分とする圧電体膜は、非熱平衡プロセスにより成膜することができる。本発明の圧電体膜の好適な成膜方法としては、スパッタ法、プラズマCVD法、MOCVD法、焼成急冷クエンチ法、アニールクエンチ法、及び、溶射急冷法などの気相成長法が挙げられる。中でもスパッタ法が特に好ましい。
−0.2Ts+100<Vs−Vf(V)<−0.2Ts+130・・・(2)、
10≦Vs−Vf(V)≦35・・・(3)
プラズマ空間Pの電位はプラズマ電位Vs(V)となる。通常、基板Bは絶縁体であり、かつ、電気的にアースから絶縁されている。したがって、基板Bはフローティング状態にあり、その電位はフローティング電位Vf(V)となる。ターゲットTと基板Bとの間にあるターゲットの構成元素は、プラズマ空間Pの電位と基板Bの電位との電位差Vs−Vfの加速電圧分の運動エネルギーを持って、成膜中の基板Bに衝突すると考えられる。
図3を参照して、本発明に係る実施形態の圧電素子、及びこれを備えたインクジェット式記録ヘッド(液体吐出装置)の構造について説明する。図3はインクジェット式記録ヘッドの要部断面図である。視認しやすくするため、構成要素の縮尺は実際のものとは適宜異ならせてある。
図4を参照してインクジェット式記録ヘッド3(172M、172K、172C、172Y)を備えたインクジェット記録装置の構成例について説明する。図4は、装置全体図である。
給紙部112は、記録媒体124を処理液付与部114に供給する機構であり、当該給紙部112には、枚葉紙である記録媒体124が積層されている。給紙部112には、給紙トレイ150が設けられ、この給紙トレイ150から記録媒体124が一枚ずつ処理液付与部114に給紙される。
処理液付与部114は、記録媒体124の記録面に処理液を付与する機構である。処理液は、描画部116で付与されるインク中の色材(本例では顔料)を凝集させる色材凝集剤を含んでおり、この処理液とインクとが接触することによって、インクは色材と溶媒との分離が促進される。
描画部116は、描画ドラム(第2の搬送体)170、用紙抑えローラ174、及びインクジェット式記録ヘッド172M,172K,172C,172Yを備えている。
乾燥部118は、色材凝集作用により分離された溶媒に含まれる水分を乾燥させる機構であり、図4に示すように、乾燥ドラム(搬送体)176、及び溶媒乾燥装置178を備えている。
定着部120は、定着ドラム184、ハロゲンヒータ186、定着ローラ188、及びインラインセンサ190で構成される。定着ドラム184の回転により、記録媒体124は記録面が外側を向くようにして搬送され、この記録面に対して、ハロゲンヒータ186による予備加熱と、定着ローラ188による定着処理と、インラインセンサ190による検査が行われる。
定着部120に続いて排出部122が設けられている。排出部122は、排出トレイ192を備えており、この排出トレイ192と定着部120の定着ドラム184との間に、これらに対接するように渡し胴194、搬送ベルト196、張架ローラ198が設けられている。記録媒体124は、渡し胴194により搬送ベルト196に送られ、排出トレイ192に排出される。
次に、実施例を挙げて本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
SOI基板をシリコンRIEエッチングにて加工して作製したダイヤフラム構造上に、スパッタ法により、基板温度350℃にて、50nm厚のTiW膜と150nm厚のIr下部電極とを順次成膜した。この下部電極上に、4μm圧のPZT圧電体膜を成膜した。成膜条件は、以下の通りとした。
ターゲット:
120mmφのPb1.3(Zr0.44Ti0.40Nb0.12Mg0.04)O3焼結体
基板温度:475℃
基板−ターゲット間距離(T−S距離):60mm
成膜圧力:0.3Pa(2.3mTorr)
成膜ガス:Ar/O2=97.5/2.5(モル比)
投入電力:500W
得られた圧電体膜は、基板面に対して非平行方向に延びる多数の柱状体からなる柱状構造であり、X線回折測定(XRD)より、(100)配向のペロブスカイト構造を有していることが確認できた。また、蛍光X線分析(XRF)から、Bサイト中のNb組成およびMg組成はそれぞれ13%、3.5%であった。また、AFM測定から表面ラフネスRaを、非接触段差計WYCOによって測定したウエハの反り量から薄膜にかかる応力を算出した。Raは9nm、膜にかかる引っ張り応力は170MPaであった。リソグラフィ工程によってPZT上に上部電極を形成し、ダイヤフラムの変位量から圧電定数d31を測定したところ、195pm/Vであった。
ターゲットを120mmのPb1.3(Zr0.42Ti0.39Nb0.12Mg0.07)O3焼結体に変更した以外は実施例1と同様の条件で成膜を行なった。
ターゲットを図5に示すターゲットに変更した以外は実施例1と同様の条件で成膜を行なった。結果を図5に示す。
Claims (10)
- 下記式(P)で表されるペロブスカイト型酸化物からなり、
0.090≦b≦0.25を満たし、
Bサイト中のNb比率が、0.13≦a×(1−b)を満たし、
Bサイト中のMgとNbの比率b:(1−b)が、1:3〜1:10であることを特徴とする圧電体膜。
Pb1+δ(ZrxTiy)1−a(MgbNb1−b)aOz ・・・(P)
(なお、δ=0、z=3が望ましいが、ペロブスカイト構造をとり得る範囲内で変更可能である。また、Pbに変えてペロブスカイト構造をとり得る範囲の量で他のAサイト元素に置換することも可能である。) - Bサイト中のNb比率が、0.16≦a×(1−b)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の圧電体膜。
- Bサイト中のZrとTiの比率x:yが45:55〜55:45の範囲内であることを特徴とする請求項1または2に記載の圧電体膜。
- 気相成長法により成膜されたことを特徴とする請求項1から3いずれか1項に記載の圧電体膜。
- 前記気相成長法がスパッタ法であることを特徴とする請求項4に記載の圧電体膜。
- シリコン基板、酸化シリコン基板、及び、SOI基板のいずれかの基板上に請求項1から5いずれか1項に記載の圧電体膜と、前記圧電体膜に対して電界を印加する電極とを備えたことを特徴とする圧電素子。
- 請求項6に記載の圧電素子と、前記圧電素子に一体的にまたは別体として設けられた液体吐出部材を備え、
前記液体吐出部材は、液体が貯留される液体貯留室と、前記液体貯留室から外部に前記液体が吐出される液体吐出口と、を有することを特徴とする液体吐出装置。 - 請求項1から3いずれか1項に記載の圧電体膜の製造方法において、
気相成長法により成膜を行うことを特徴とする圧電体膜の製造方法。 - 前記気相成長法がスパッタ法であることを特徴とする請求項8に記載の圧電体膜の製造方法。
- 成膜する圧電体膜の膜組成に応じた組成のターゲットと、基板と、を離隔配置させ、
成膜温度Ts(℃)と、成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Vs(V)とフローティング電位Vf(V)との差であるVs−Vf(V)とが、下記式(1)及び(2)を充足する成膜条件で成膜を行うことを特徴とする請求項9に記載の圧電体膜の製造方法。
Ts(℃)≧400・・・(1)
−0.2Ts+100<Vs−Vf(V)<−0.2Ts+130・・・(2)
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