JP7335495B2 - スパッタリング装置 - Google Patents
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Description
また、アンテナを用いてスパッタリング用のプラズマを生成しているので、ターゲットの裏に磁石を設ける必要がない。そのためターゲットの裏に磁石を設けてターゲット表面に磁界を形成するものに比べて、ターゲットを一様に消費することができ、ターゲットの使用効率を向上させることができる。またターゲットを一様に消費できることから、基板上により平坦に成膜することができる。
さらに、一対のターゲットの各々に負のバイアス電圧を交互に印加するので、ターゲット表面に蓄積する電荷を周期的に低減することができる。このため、各ターゲット表面における帯電量が安定するため、安定したプラズマ生成とスパッタリングをおこなうことができる。
このようにすれば、一対のターゲットの各々の表面に生成されるプラズマの密度を同程度にでき、スパッタリングによる各ターゲットの消費を同程度にできる。またこれにより、より平坦な膜を成膜することができる。
このようにすれば、一対のターゲットを均等(すなわち偏りなく)に消費することができ、基板上に生成される膜の膜厚をより均一にすることができる。
このようにすれば、導体要素に容量素子を電気的に直列接続しているので、アンテナの合成リアクタンスは、簡単に言えば、誘導性リアクタンスから容量性リアクタンスを引いた形になり、アンテナのインピーダンスを低減させることができる。その結果、アンテナを長くする場合でもそのインピーダンスの増大を抑えることができ、アンテナに高周波電流が流れやすくなり、プラズマを効率良く発生させることができる。これにより、プラズマの密度を上げることができ、成膜速度を上げることもできる。
このようなものであれば、処理室内にアンテナを配置するので、ターゲット表面に生成されるプラズマ密度を向上することができる。
このようなものであれば、アンテナが処理室外に配置されているので、処理室を大気開放することなくアンテナの交換・清掃等することができ、メンテナンス性を向上できる。
本実施形態のスパッタリング装置100は、プラズマPを用いてターゲット3をスパッタリングして基板Wに成膜するものである。ここで、基板Wは、例えば、液晶ディスプレイや有機ELディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ(FPD)用の基板、フレキシブルディスプレイ用のフレキシブル基板等である。
このように構成した本実施形態のスパッタリング装置100によれば、スパッタリングを行うためのターゲットバイアス電源4と、プラズマPを生成するためのアンテナ電源6とを別々に備えているので、アンテナ5に供給する電圧とターゲット3のバイアス電圧との設定を独立して行うことができ、バイアス電圧をプラズマPの生成とは独立してプラズマP中のイオンをターゲット3に引き込んでスパッタさせる程度の低電圧に設定することができる。その結果、低電圧においてターゲット3のスパッタを行うことができるので、ターゲット3から飛び出すスパッタ粒子のエネルギーを小さくでき、基板W上に緻密な膜を形成しやすくなる。
また、アンテナ5を用いてスパッタリング用のプラズマPを生成しているので、ターゲット3の裏に磁石を設ける必要がない。そのためターゲット3の裏に磁石を設けてターゲット表面に磁界を形成するものに比べて、ターゲット3を一様に消費することができ、ターゲット3の使用効率を向上させることができる。またターゲット3を一様に消費できることから、基板W上により平坦に成膜することができる。
さらに、一対のターゲット3の各々に負のバイアス電圧を交互に印加するので、ターゲット3表面に蓄積する電荷を周期的に低減することができる。このため、各ターゲット3表面における帯電量が安定するため、安定したプラズマ生成とスパッタリングをおこなうことができる。
なお、本発明は前記実施形態に限られるものではない。
W ・・・基板
P ・・・プラズマ
S ・・・処理室
3 ・・・ターゲット
4 ・・・ターゲットバイアス電源
5 ・・・アンテナ
6 ・・・アンテナ電源
Claims (7)
- プラズマを用いてターゲットをスパッタリングして基板に成膜するスパッタリング装置であって、
前記基板が配置される処理室と、
前記処理室内に配置された一対のターゲットと、
前記処理室内にプラズマを生成するためのアンテナと、
前記一対のターゲットの各々に負のバイアス電圧を交互に印加するターゲットバイアス電源と、
前記プラズマを生成するための電圧を前記アンテナに印加するアンテナ電源と、
を備え、
前記一対のターゲットが、前記基板の被成膜面に対向するように配置された平板状をなすものであり、
前記基板側から視て、前記アンテナが前記一対のターゲットの間に配置されているスパッタリング装置。 - 前記アンテナが前記一対のターゲットの各々からの距離が等しくなるように配置されている請求項1に記載のスパッタリング装置。
- 前記ターゲットバイアス電源が、前記一対のターゲットの各々に位相が180°ずれた交流電圧を印加する請求項1又は2に記載のスパッタリング装置。
- 前記アンテナ電源が、誘導結合型のプラズマを生成するための交流電圧を前記アンテナに印加する請求項1~3のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記アンテナが、電気的に直列に接続された複数の導体要素と容量素子とから構成されている請求項1~4のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記アンテナが、前記処理室内に配置されている請求項1~5のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
- 前記処理室外からの磁場を前記処理室内に透過させる磁場透過窓を有する、前記処理室を内部に形成する真空容器を備え、
前記アンテナが、前記磁場透過窓に対向するように前記処理室外に配置されている請求項1~5のいずれか1項に記載のスパッタリング装置。
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