TWI550118B - Magnetron sputtering device, magnetron sputtering device control method and film forming method - Google Patents

Magnetron sputtering device, magnetron sputtering device control method and film forming method Download PDF

Info

Publication number
TWI550118B
TWI550118B TW101104080A TW101104080A TWI550118B TW I550118 B TWI550118 B TW I550118B TW 101104080 A TW101104080 A TW 101104080A TW 101104080 A TW101104080 A TW 101104080A TW I550118 B TWI550118 B TW I550118B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
target
target object
power source
adjacent
magnetron sputtering
Prior art date
Application number
TW101104080A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201243085A (en
Inventor
Tokuo Yoshida
Original Assignee
Sharp Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Kk filed Critical Sharp Kk
Publication of TW201243085A publication Critical patent/TW201243085A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI550118B publication Critical patent/TWI550118B/zh

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
    • C23C14/352—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering using more than one target
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
    • H01J37/3405—Magnetron sputtering
    • H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
    • H01J37/3444—Associated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
    • H01J37/3464—Operating strategies

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Description

磁控濺鍍裝置、磁控濺鍍裝置之控制方法及成膜方法
本發明係關於一種磁控濺射裝置、磁控濺射裝置之控制方法以及膜形成方法。
眾人皆知：濺射法係於基板表面形成薄膜之方法之一。而且已廣為知曉：濺射法係膜形成技術所不可缺少之乾式加工技術。濺射法係一種於真空容器內引入氬氣等稀有氣體，將直流(DC)電或高頻(RF、AC)電供給含目標物之陰極，使產生輝光放電而形成膜之方法。
上述濺射法中有一種方法係磁控濺射法。在該磁控濺射法下，於電氣接地的反應室內將磁鐵配置於目標物背面，藉此使目標物表面附近之電漿密度增加，而能夠高速地形成膜。如此之濺射法，係針對例如構成液晶顯示面板等的玻璃基板般面積較大之處理基板形成規定薄膜之製程中使用。
例如，如顯示習知磁控濺射裝置之要部之一例的放大剖視圖即圖8、俯視圖即圖9所示，專利文獻1中公開了具有平行於處理對象即基板111配置的複數第一目標物101和複數第二目標物102的磁控濺射裝置100。
如圖9所示，複數第一目標物101相互平行配置且其一端彼此相互連接在一起，藉此整體形成為梳齒狀；複數第二目標物102也同樣，相互平行配置且其一端彼此相互連接在一起，藉此整體形成為梳齒狀。而且，第一目標物101 和第二目標物102交替排列配置，使得第一目標物101和第二目標物102的各個梳齒咬合。一高頻電源103與複數第一目標物101相連接。另有一高頻電源104與複數第二目標物102相連接。
如圖8所示，就第一目標物101和第二目標物102而言，相位錯開180°的高頻電流分別通至該各第一和第二目標物101、102，藉此在相鄰一組之第一和第二目標物101、102彼此之間，係陽極電極和陰極電極一邊交替切換，一邊產生輝光放電。是以，反應室內形成電漿氣氛，利用濺射於基板110之表面形成薄膜111。
專利文獻2所公開之濺射裝置具備：配置於真空反應室內的複數目標物、直流電源和高頻電源、設置於高頻電源和目標物之間的阻抗匹配電路、設置於直流電源和目標物之間的開關單元以及與高頻電源相連接的移相器。自高頻電源斷續輸出的高頻電流經阻抗匹配電路通至各目標物，且自直流電源斷續輸出的直流電流與上述高頻電流重疊。是以，於大型基板上均勻且效率良好地形成介質膜。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本公開特許公報特開2003-96561號公報
[專利文獻2]日本公開特許公報特開平11-92925號公報
然而，就上述專利文獻1所公開之磁控濺射裝置而言， 因為通至複數第一目標物整體之高頻電流的相位與通至複數第二目標物整體之高頻電流的相位錯開180°，所以具有以下可能性，即，通至由第一和第二目標物構成之組的高頻電流，在相鄰各組彼此之間相互干涉，電漿狀態不穩定。
另一方面，就上述專利文獻2所公開之濺射裝置而言，為使電漿狀態穩定化，需要設置複數高頻電源，並且需要對複數高頻電源中之各高頻電源分別設置移相器、直流電源以及控制直流電源的開關單元等結構，其裝置結構非常複雜是難以避免的。
本發明正是鑑於上述各點而完成者，其目的在於：既能夠避免裝置結構的複雜化，又能夠謀求電漿狀態的穩定化。
為達成上述目的，本發明所關係磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，是處理對象之基板與該目標物部相向配置。於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組。上述交流電源與上述各組中的上述第一目標物和上述第二目標物相連接；該磁控濺射裝置具備：對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源輸出的各電壓之相位差加以控制的控制部。將上述交流電源與上述組中的上述第一目 標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制。
本發明所關係磁控濺射裝置之控制方法係一種如下磁控濺射裝置之控制方法，該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，處理對象之基板與該目標物部相向配置。於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組。將上述交流電源與上述各組所含上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制。
本發明所關係膜形成方法，係利用磁控濺射裝置於基板上形成膜的膜形成方法。該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，是處理對象之基板與該目標物部相向配置。於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組。將上述交流電源與上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制。
依據本發明，做到了：交流電源與各組中的第一目標物和第二目標物相連接，對自與相鄰組中第一目標物和第二目標物相連接的交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制。因此，能夠抑制施加於相鄰各組間之相鄰第一目標物和第二目標物的電壓相互干涉，而使電漿狀態穩定化。而且，因為不再需要直流電源和控制該直流電源的開關單元等，所以能夠避免裝置結構的複雜化。
以下，參照圖式對本發明實施方式加以詳細說明。此外，本發明並不限於以下實施方式。
《發明第一實施方式》
圖1~圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)係顯示本發明第一實施方式。
圖1係顯示本第一實施方式中磁控濺射裝置1之概略構成的剖視圖。圖2係顯示本第一實施方式中目標物部20的俯視圖。圖3係顯示本第一實施方式中磁鐵部40和基板10之配置關係的俯視圖。圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)係顯示本第一實施方式中電源已得以控制之電壓波形的曲線圖。
如圖1所示，本第一實施方式中之磁控濺射裝置1具備：保持處理對象即基板10的基板保持部11、基板保持部11所保持之基板10與該目標物部20相向配置的目標物部20、向目標物部20供電的交流電源30、配置在目標物部20之與基板10相反之一側即該目標物部20之背面一側的磁鐵部40、 以及收納上述基板保持部11和目標物部20的反應室50。
反應室50是真空反應室，且其側壁51電氣接地。反應室50上連接有圖示省略的真空泵，反應室50內部利用該真空泵減壓。反應室50上設置有氣體供給部(圖示省略)。氣體供給部構成為：向真空狀態的反應室50內引入氬氣，根據需要引入氧氣。
基板10是例如構成液晶顯示面板(未圖示)的玻璃基板等基板。基板10之大小例如係長920mm、寬730mm。基板保持部11在其下表面保持基板10，且具有於該基板10上形成薄膜之際加熱的加熱器(圖示省略)。反應室50內設置有覆蓋基板10下表面之外緣部份的基板覆蓋物(mask)24。
如圖1、圖2所示，目標物部20上複數第一目標物25和第二目標物26交替配置。第一目標物25和第二目標物26例如分別形成為一樣的長方形板狀，且沿著其短邊方向(圖1、圖2中左右方向，後述磁鐵部40的移動方向)以規定間隔配置。因此，第一目標物25的長邊部份和第二目標物26的長邊部份相鄰。
於目標物部20，設置有複數相鄰的由第一目標物25和第二目標物26構成之組21。本實施方式中之目標物部20具有兩組由第一目標物25和第二目標物26構成之組21。亦即，如圖1所示，目標物部20具有由第一目標物25a和第二目標物26b構成之組21和由第一目標物25c和第二目標物26d構成之組21。
第一和第二目標物25、26例如由含IGZO(In-Ga-ZnO4； 銦鎵鋅氧化物)、ITO、Ti、Al、Mo、Cu、IZO、Al合金或Cu合金的材料形成。目標物部20由目標物支撐部22支撐。目標物支撐部22例如由Cu等導電性材料形成。目標物支撐部22設置在絕緣性部件23上。
交流電源30經目標物支撐部22與各組21所含第一和第二目標物25、26分別相連接。如圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)所示，各交流電源30，經目標物支撐部22將頻率相等的交流驅動電壓施加於目標物部20。交流電源30之驅動電壓的頻率在1MHz以下，例如在19kHz~20kHz左右。
磁鐵部40構成為：藉由未圖示之驅動機構沿目標物部20往復移動。如圖1所示，磁鐵部40具有在該磁鐵部40的移動方向(圖1中，左右方向)上以規定間隔配置之複數磁鐵41。
如圖1、圖3所示，各磁鐵41相互同步振盪。其振盪速度例如在15mm/s~30mm/s左右。各磁鐵41的振盪幅度與第一和第二目標物25、26的寬度(亦即，磁鐵部40之移動方向上的寬度)大致相同。另一方面，磁鐵41的寬度比第一和第二目標物25、26的寬度小。磁鐵41的寬度例如是第一和第二目標物25、26寬度的一半左右。
上述磁控濺射裝置1具有對自交流電源30輸出的電壓之相位差加以控制的控制部60。本實施方式中，複數交流電源30共同地與一個控制部60相連接。控制部60，對自與相鄰組21中第一目標物25和第二目標物26相連接的交流電源30分別輸出的各電壓之相位差加以控制。
在此，圖4(a)中之曲線係顯示施加於第一目標物25a之電壓的波形；圖4(b)中之曲線係顯示施加於第二目標物26b之電壓的波形；圖4(c)中之曲線係顯示施加於第一目標物25c之電壓的波形；圖4(d)中之曲線係顯示施加於第二目標物26d之電壓的波形。上述各圖中，橫軸表示時間(t)，縱軸表示電壓(V)。
控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位相互相同(亦即，相位差θ為0)，對該相位差θ加以控制。
亦即，圖1中右側之組21所含第一目標物25c與該圖中左側之組21所含的第二目標物26b相鄰。如圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)所示，施加於第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之頻率相等。而且，施加於第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位相同。交流電源30之投入功率密度在1.0W/cm2~4.0W/cm2左右。
使輝光放電產生在第一目標物25a和第二目標物26b之間，且使輝光放電產生在第一目標物25c和第二目標物26d之間。是以，於反應室50內形成電漿氣氛，利用濺射在基板10之表面形成薄膜。
-控制方法和膜形成方法-
接著，對上述磁控濺射裝置1之控制方法和膜形成方法加以說明。
利用上述磁控濺射裝置1於基板10上形成膜之情形下，首先，將玻璃基板即基板10搬入反應室50內，由基板保持 部11保持它。接著，利用真空泵(未圖示)將反應室50內部減壓，且利用基板保持部11的加熱器(圖示省略)對基板10加熱。另一方面，目標物25、26例如由含IGZO(In-Ga-ZnO4；銦鎵鋅氧化物)、ITO、Ti、Al、Mo、Cu、IZO、Al合金或Cu合金的材料形成。
接著，一邊維持高真空，一邊利用氣體供給部(未圖示)向反應室50內引入氬氣，以及根據需要引入氧氣。接著，從交流電源30施加規定的交流電壓，向目標物部20供電，且使磁鐵部40振盪，藉此開始形成膜。例如將磁鐵部40之振盪速度設在15mm/s~30mm/s左右。
由控制部60對自交流電源30輸出的電壓加以控制。亦即，由控制部60針對由第一目標物25和第二目標物26構成之各組21分別控制自交流電源30施加於各組21中的第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位差。
對各組21內所含第一目標物25和第二目標物26施加的各電壓之相位相互錯開180°。因此，如圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)中之曲線所示，對於各組21而言，電壓之正與負都是在相同時間點(timing)切換。
控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b之電壓的相位相同即相位差θ為0，對該電壓加以控制。
亦即，相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b上分別施加頻率相等且相位相同的電壓；第一目標物25a和第二目標物26d上，則以相等的頻率、相同的相位施加相位與施 加於上述第一目標物25c和第二目標物26b之電壓的相位錯開180°的電壓。交流電源30之投入功率密度在1.0W/cm2~4.0W/cm2左右。
如此，在第一目標物25a和第二目標物26b之間產生輝光放電，且在第一目標物25c和第二目標物26d之間產生輝光放電。是以，於反應室50內形成電漿氣氛，由該電漿而正離子化之氬被各第一目標物25或第二目標物26吸去。氬離子與各目標物25、26碰撞，目標物25、26之構成粒子被彈起飛出，附著於基板10上。是以，在基板10之表面形成膜。
-第一實施方式之效果-
因此，根據該第一實施方式，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位相同(亦即相位差θ為0)，由控制部60對該相位差θ加以控制。因此，能夠抑制施加於上述第一目標物25c和第二目標物26b的電壓相互干涉。其結果是，能夠使輝光放電可靠地產生在同一組即各組21的第一目標物25和第二目標物26之間，使反應室50內所產生的電漿狀態穩定化。而且，不再需要例如直流電源和控制該直流電源的開關單元等結構，因此能夠避免裝置結構的複雜化。
《發明第二實施方式》
圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)以及圖5(d)係顯示本發明第二實施方式。
圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)以及圖5(d)係顯示本第二實施方 式中電源已得以控制之電壓波形的曲線圖。圖5(a)係顯示施加於第一目標物25a之電壓波形的曲線圖；圖5(b)係顯示施加於第二目標物26b之電壓波形的曲線圖；圖5(c)係顯示施加於第一目標物25c之電壓波形的曲線圖；圖5(d)係顯示施加於第二目標物26d之電壓波形的曲線圖。橫軸表示時間(t)，縱軸表示電壓(V)。
此外，以下各實施方式中，用相同符號表示與圖1~圖4(a)、圖4(b)、圖4(c)以及圖4(d)相同之部份，詳細說明省略。
上述第一實施方式中，為使施加於上述第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位相同，對相位差加以控制。相對於此，本第二實施方式中，係使上述相位之差落在規定範圍內。
亦即，與上述第一實施方式一樣，本第二實施方式之磁控濺射裝置1具備：保持處理對象即基板10的基板保持部11、基板保持部11所保持之基板10與該目標物部20相向而設的目標物部20、向目標物部20供電的交流電源30、配置在目標物部20之與基板10相反之一側即該目標物部20之背面一側的磁鐵部40、以及收納上述基板保持部11和目標物部20的反應室50。
與上述第一實施方式一樣，本第二實施方式中之目標物部20具有：由第一目標物25a和第二目標物26b構成之組21和由第一目標物25c和第二目標物26d構成之組21。第一和第二目標物25、26，例如由含IGZO(In-Ga-ZnO4；銦鎵鋅 氧化物)、ITO、Ti、Al、Mo、Cu、IZO、Al合金或Cu合金的材料形成。
上述磁控濺射裝置1具有：對自交流電源30輸出的電壓之相位差加以控制的控制部60。本實施方式之控制部60，針對由第一目標物25和第二目標物26構成之各組21，控制自各交流電源30施加於各組21中之第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位差。施加於各組21所含的第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位錯開180°。
如圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)以及圖5(d)所示，控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對該相位差θ加以控制。
亦即，如圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)以及圖5(d)所示，控制部60使施加於第一目標物25c的電壓之相位與施加於第二目標物26b的電壓之相位錯開例如-60°。換言之，例如使第一目標物25c和第二目標物26b之相位差θ為-60°。即使如此，亦能夠使電漿狀態更好地穩定化。
-控制方法和膜形成方法-
接著，對本第二實施方式中上述磁控濺射裝置1之控制方法和膜形成方法加以說明。
利用上述磁控濺射裝置1於基板10上形成膜之情形下，首先，將玻璃基板即基板10搬入反應室50內，由基板保持部11保持它。接著，利用真空泵(未圖示)將反應室50內部減壓，且利用基板保持部11的加熱器(圖示省略)對基板10加熱。
接著，一邊維持高真空，一邊利用氣體供給部(未圖示)向反應室50內引入氬氣，以及根據需要引入氧氣。接著，從交流電源30施加規定的交流電壓，向目標物部20供電，且使磁鐵部40例如在15mm/s~30mm/s左右的速度下振盪，藉此開始形成膜。
由控制部60對自交流電源30輸出的電壓加以控制。亦即，由控制部60針對由第一目標物25和第二目標物26構成之各組21分別控制自交流電源30施加於各組21中的第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位差。對各組21所含第一目標物25和第二目標物26施加的各電壓之相位相互錯開180°。
控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之頻率相等且相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對該電壓加以控制。
亦即，相鄰第一目標物25c和第二目標物26b上分別施加頻率相等且相位差θ之錯開範圍在-90°≦θ≦90°內(例如θ=-60°)的電壓。交流電源30之投入功率密度在1.0W/cm2~4.0W/cm2左右。
如此，在第一目標物25a和第二目標物26b之間產生輝光放電，且在第一目標物25c和第二目標物26d之間產生輝光放電。是以，於反應室50內形成電漿氣氛，由該電漿而正離子化之氬被各第一目標物25或第二目標物26吸去。氬離子與各目標物25、26碰撞，目標物25、26之構成粒子被彈起飛出，附著於基板10上。是以，在基板10之表面形成 膜。
-第二實施方式之效果-
因此，根據該第二實施方式，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，由控制部60對該相位差θ加以控制。因此，能夠抑制施加於上述第一目標物25c和第二目標物26b的電壓相互干涉。其結果是，能夠使輝光放電可靠地產生在同一組即各組21的第一目標物25和第二目標物26之間，使反應室50內所產生的電漿狀態穩定化。而且，不再需要例如直流電源和控制該直流電源的開關單元等結構，因此能夠避免裝置結構的複雜化。
亦即，上述相位差θ小於-90°時和大於90°時，輝光放電會產生於非同一組所含之上述第一目標物25c和第二目標物26b之間。其結果是，一組21所含第一目標物25a和第二目標物26b之間所產生的電漿中含有的離子量，係較該組21中之第二目標物26b和另一組21中之第一目標物25c之間所產生的電漿中含有的離子量少。因此，施加於各組21中的目標物25、26上的電壓相互大大地干涉，電漿狀態不穩定。
另一方面，若上述相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，則在一組21所含第一目標物25a和第二目標物26b之間所產生的電漿含有的離子量，係較在該組21中之第二目標物26b和另一組21中之第一目標物25c之間所產生的電漿含有的離子量為多。因此，施加於各組中的目標物25、26的電壓 不會發生很大的干涉，電漿狀態穩定。因此，如上所述，若上述相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，便能夠使電漿狀態更好地穩定化。
《發明第三實施方式》
圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)以及圖6(d)係顯示本發明第三實施方式。
圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)以及圖6(d)係顯示本第三實施方式中電源已得以控制之電壓波形的曲線圖。圖6(a)係顯示施加於第一目標物25a之電壓波形的曲線圖；圖6(b)係顯示施加於第二目標物26b之電壓波形的曲線圖；圖6(c)係顯示施加於第一目標物25c之電壓波形的曲線圖；圖6(d)係顯示施加於第二目標物26d之電壓波形的曲線圖。橫軸表示時間(t)，縱軸表示電壓(V)。
上述第一、第二實施方式中，使施加於各目標物25、26的電壓之頻率在各組21彼此之間都相等。相對於此，本第三實施方式中，使施加於各組21彼此間的電壓之頻率在規定條件下互不相同。
亦即，與上述第一、第二實施方式一樣，本第三實施方式之磁控濺射裝置1具備：保持處理對象即基板10的基板保持部11、基板保持部11所保持之基板10與該目標物部20相向而設的目標物部20、向目標物部20供電的交流電源30、配置在目標物部20之與基板10相反之一側即該目標物部20之背面一側的磁鐵部40、以及收納上述基板保持部11和目標物部20的反應室50。
與上述第一、第二實施方式一樣，本第三實施方式中之目標物部20具有：由第一目標物25a和第二目標物26b構成之組21和由第一目標物25c和第二目標物26d構成之組21。第一和第二目標物25、26例如由含IGZO(In-Ga-ZnO4；銦鎵鋅氧化物)、ITO、Ti、Al、Mo、Cu、IZO、Al合金或Cu合金的材料形成。
上述磁控濺射裝置1具有對自交流電源30輸出的電壓之相位差加以控制的控制部60。本實施方式之控制部60，針對由第一目標物25和第二目標物26構成之各組21，分別控制自各交流電源30施加於各組21中之第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位差。施加於各組21所含第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位錯開180°。
控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對該相位差θ加以控制。
如圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)以及圖6(d)所示，構成為：與相鄰組21中第一目標物25和第二目標物26相連接的交流電源30之一，輸出頻率不是自另一交流電源30輸出的電壓之頻率的整數倍的電壓。
亦即，如圖1和圖5(a)、圖5(b)、圖5(c)以及圖5(d)所示，設施加於一組21中之第一目標物25a和第二目標物26b的電壓之頻率例如為20kHz，另一方面，設施加於另一組21中之第一目標物25c和第二目標物26d的電壓之頻率例如為30kHz。亦即，設另一頻率為一頻率的1.5倍。
-控制方法和膜形成方法-
接著，對本第三實施方式中上述磁控濺射裝置1之控制方法和膜形成方法加以說明。
利用上述磁控濺射裝置1於基板10上形成膜之情形下，首先，將玻璃基板即基板10搬入反應室50內，由基板保持部11保持它。接著，利用真空泵(未圖示)將反應室50內部減壓，且利用基板保持部11的加熱器(圖示省略)對基板10加熱。
接著，一邊維持高真空，一邊利用氣體供給部(未圖示)向反應室50內引入氬氣，以及根據需要引入氧氣。接著，從交流電源30施加規定的交流電壓，向目標物部20供電，且使磁鐵部40在例如15mm/s~30mm/s左右的速度下振盪，藉此開始形成膜。
由控制部60對自交流電源30輸出的電壓加以控制。亦即，由控制部60對由第一目標物25和第二目標物26構成之各組21控制自交流電源30施加於各組21中的第一目標物25和第二目標物26的電壓之相位差。對各組21所含第一目標物25和第二目標物26施加的各電壓之相位相互錯開180°。
控制部60，為使施加於不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b的電壓之頻率相等且相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對該電壓加以控制。交流電源30之投入功率密度在1.0W/cm2~4.0W/cm2左右。
與相鄰組21中第一目標物25和第二目標物26連接的交流電源30之一輸出頻率不是自另一交流電源30輸出的電壓之頻率的整數倍的電壓。例如，如圖1和圖5(a)、圖5(b)、圖 5(c)以及圖5(d)所示，設施加於一組21中之第一目標物25a和第二目標物26b的電壓之頻率例如為20kHz，設施加於另一組21中之第一目標物25c和第二目標物26d的電壓之頻率為其1.5倍的30kHz。
如此，在第一目標物25a和第二目標物26b之間產生輝光放電，且在第一目標物25c和第二目標物26d之間產生輝光放電。是以，於反應室50內形成電漿氣氛，由該電漿而正離子化之氬被各第一目標物25或第二目標物26吸去。氬離子與各目標物25、26碰撞，目標物25、26之構成粒子被彈起飛出，附著於基板10上。是以，在基板10之表面形成膜。
-第三實施方式之效果-
在此，圖7(a)、圖7(b)、圖7(c)以及圖7(d)係顯示比較例中電源已得以控制之電壓波形的曲線圖。圖7(a)係顯示施加於第一目標物25a之電壓波形的曲線圖；圖7(b)係顯示施加於第二目標物26b之電壓波形的曲線圖；圖7(c)係顯示施加於第一目標物25c之電壓波形的曲線圖；圖7(d)係顯示施加於第二目標物26d之電壓波形的曲線圖。橫軸表示時間(t)，縱軸表示電壓(V)。
比較例中，設施加於一組21中之第一目標物25a和第二目標物26b上的電壓之頻率例如為20kHz，設施加於另一組21中之第一目標物25c和第二目標物26d上的電壓之頻率為其2倍，即40kHz。
該比較例中，如圖7(a)、圖7(b)、圖7(c)以及圖7(d)中箭 頭A所示，對不同組21所含且相鄰的第一目標物25c和第二目標物26b施加電壓之極性互不相同的期間A，較長且週期性地出現。該期間A中，因為在同一組所含第一目標物25a和第二目標物26b之間、第一目標物25c和第二目標物26d之間所產生的電漿減少，所以濺射量週期性地大大減少。而且，起因於電漿之不穩定化，形成於基板10之薄膜的質量會下降。以上乃問題之所在。
相對於此，根據本第三實施方式，如圖6(a)、圖6(b)、圖6(c)以及圖6(d)中箭頭B所示，針對上述第一目標物25c和第二目標物26b，能夠使施加電壓的極性互不相同的期間B較短並使其分散。因此，同一組所含目標物即第一目標物25a和第二目標物26b、第一目標物25c和第二目標物26d中，使電漿減少的期間不長且該期間不是週期性地出現，而能夠使該電漿狀態穩定化，提高濺射於基板10之薄膜的質量。而且，不再需要例如直流電源和控制該直流電源的開關單元等結構，因此能夠避免裝置結構的複雜化。
此外，本發明並不限於上述第一至第三第一實施方式，本發明還包括適當組合第一至第三實施方式所獲得的各種結構。
[產業可利用性]
綜上所述，本發明對磁控濺射裝置、磁控濺射裝置之控制方法以及膜形成方法有用。
1‧‧‧磁控濺射裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧基板保持部
20‧‧‧目標物部
21‧‧‧目標物構成之組
22‧‧‧目標物支撐部
23‧‧‧絕緣性部件
24‧‧‧基板覆蓋物(mask)
25‧‧‧第一目標物
25a‧‧‧第一目標物
25c‧‧‧第一目標物
26‧‧‧第二目標物
26b‧‧‧第二目標物
26d‧‧‧第二目標物
30‧‧‧交流電源
40‧‧‧磁鐵部
41‧‧‧磁鐵(magnet)
50‧‧‧反應室
51‧‧‧側壁
60‧‧‧控制部
101‧‧‧第一目標物
102‧‧‧第二目標物
103‧‧‧高頻電源
104‧‧‧高頻電源
110‧‧‧基板
111‧‧‧薄膜
圖1係顯示本第一實施方式中磁控濺射裝置1之概略構成 的剖視圖。
圖2係顯示本第一實施方式中目標物部的俯視圖。
圖3係顯示本第一實施方式中磁鐵部和基板之配置關係的俯視圖。
圖4(a)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖4(b)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖；圖4(c)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖4(d)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖。
圖5(a)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖5(b)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖；圖5(c)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖5(d)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖。
圖6(a)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖6(b)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖；圖6(c)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖6(d)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖。
圖7(a)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖7(b)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖；圖7(c)係顯示施加於第一目標物之電壓波形的曲線圖；圖7(d)係顯示施加於第二目標物之電壓波形的曲線圖。
圖8係顯示習知磁控濺射裝置的主要部份之一例的放大剖視圖。
圖9係顯示習知磁控濺射裝置的主要部份之一例的放大俯視圖。
1‧‧‧磁控濺射裝置
10‧‧‧基板
11‧‧‧基板保持部
20‧‧‧目標物部
21‧‧‧目標物構成之組
22‧‧‧目標物支撐部
23‧‧‧絕緣性部件
24‧‧‧基板覆蓋物(mask)
25‧‧‧第一目標物
25a‧‧‧第一目標物
25c‧‧‧第一目標物
26‧‧‧第二目標物
26b‧‧‧第二目標物
26d‧‧‧第二目標物
30‧‧‧交流電源
40‧‧‧磁鐵部
41‧‧‧磁鐵(magnet)
50‧‧‧反應室
51‧‧‧側壁
60‧‧‧控制部

Claims (8)

  1. 一種磁控濺射裝置，其具備：目標物部、向上述目標物供電的交流電源以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，處理對象之基板與該目標物部相向配置，其特徵在於：於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組；上述交流電源與上述各組所含上述第一目標物和上述第二目標物相連接；該磁控濺射裝置具備：對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制的控制部；上述控制部，為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對上述相位差加以控制；該磁控濺射裝置構成為：與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之一，輸出頻率不是自另一上述交流電源輸出之電壓的頻率的整數倍之電壓。
  2. 一種磁控濺射裝置，其具備：目標物部、向上述目標物供電的交流電源以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，處理對象之基板與該目標物部相向配置，其特徵在於： 於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組；上述交流電源與上述各組所含上述第一目標物和上述第二目標物相連接；該磁控濺射裝置具備：對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制的控制部；與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之頻率相互相等，上述控制部，為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位相同，對上述相位差加以控制。
  3. 如請求項1或2之磁控濺射裝置，其中：一個上述控制部與複數上述交流電源相連接。
  4. 一種磁控濺射裝置之控制方法，該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，處理對象之基板與該目標物部相向配置，於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組，其特徵在於：將上述交流電源與上述各組所含上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標 物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制；為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對上述相位差加以控制；使與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之一，輸出頻率不是自另一上述交流電源輸出之電壓的頻率的整數倍之電壓。
  5. 一種磁控濺射裝置之控制方法，該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，處理對象之基板與該目標物部相向配置，於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組，其特徵在於：將上述交流電源與上述各組所含上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制；使與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之頻率相互相等；為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位相同，對上述相位差加以控制。
  6. 一種利用磁控濺射裝置於基板上形成膜之膜形成方法，該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，是處理對象之基板與該目標物部相向配置，於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構成之組，其特徵在於：將上述交流電源與上述組且上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制，於上述基板之表面形成薄膜；上述控制部，為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位差θ在-90°≦θ≦90°之範圍內，對上述相位差加以控制；使與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之一，輸出頻率不是自另一上述交流電源輸出之電壓的頻率的整數倍之電壓。
  7. 一種利用磁控濺射裝置於基板上形成膜之膜形成方法，該磁控濺射裝置具備：目標物部、向上述目標物部供電的交流電源、以及沿著上述目標物部往復移動的磁鐵部，是處理對象之基板與該目標物部相向配置，於上述目標物部，複數第一目標物和第二目標物交替配置且設置有複數相鄰的由上述第一目標物和上述第二目標物構 成之組，其特徵在於：將上述交流電源與上述組且上述第一目標物和上述第二目標物相連接；對自與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源分別輸出的各電壓之相位差加以控制，於上述基板之表面形成薄膜；使與相鄰上述組中上述第一目標物和上述第二目標物相連接的上述交流電源之頻率相互相等；為使施加於不同的上述組所含且相鄰的上述第一目標物和上述第二目標物的電壓之相位相同，對上述相位差加以控制。
  8. 如請求項6或7之膜形成方法，其中：上述第一目標物及上述第二目標物包括含有In-Ga-ZnO4之材料。
TW101104080A 2011-02-08 2012-02-08 Magnetron sputtering device, magnetron sputtering device control method and film forming method TWI550118B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2011024876 2011-02-08

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201243085A TW201243085A (en) 2012-11-01
TWI550118B true TWI550118B (zh) 2016-09-21

Family

ID=46638377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW101104080A TWI550118B (zh) 2011-02-08 2012-02-08 Magnetron sputtering device, magnetron sputtering device control method and film forming method

Country Status (6)

Country Link
US (2) US20130313108A1 (zh)
JP (1) JP5328995B2 (zh)
KR (1) KR20130121935A (zh)
CN (1) CN103348038B (zh)
TW (1) TWI550118B (zh)
WO (1) WO2012108150A1 (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5891040B2 (ja) * 2012-01-16 2016-03-22 株式会社アルバック スパッタリング装置、絶縁膜の形成方法
US9114666B2 (en) * 2012-02-22 2015-08-25 Lam Research Corporation Methods and apparatus for controlling plasma in a plasma processing system
JP6058656B2 (ja) * 2012-06-08 2017-01-11 キヤノンアネルバ株式会社 スパッタリング装置およびスパッタリング成膜方法
CN103710674B (zh) * 2013-11-26 2017-10-20 山东希格斯新能源有限责任公司 一种制备cigs薄膜太阳能电池工艺方法
US20200095672A1 (en) * 2017-01-05 2020-03-26 Ulvac, Inc. Deposition method and roll-to-roll deposition apparatus
CN110997973A (zh) * 2017-08-22 2020-04-10 株式会社爱发科 成膜方法
US20190341235A1 (en) * 2018-05-06 2019-11-07 Advanced Energy Industries Inc. Apparatus, system and method to reduce crazing
JP2022061379A (ja) 2020-10-06 2022-04-18 東京エレクトロン株式会社 マグネトロンスパッタ装置及びマグネトロンスパッタ方法
US20220310370A1 (en) * 2021-03-23 2022-09-29 Advanced Energy Industries, Inc. Electrode phasing using control parameters

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192925A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Sanyo Shinku Kogyo Kk スパッタリング装置
JP2003096561A (ja) * 2001-09-25 2003-04-03 Sharp Corp スパッタ装置
WO2008032570A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ulvac, Inc. procédé de formation de film mince et appareil de formation de film mince
WO2010044257A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 株式会社アルバック スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法
WO2010090197A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 シャープ株式会社 透明導電膜形成体及びその製造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101073420B1 (ko) * 2004-06-07 2011-10-17 가부시키가이샤 알박 마그네트론 스퍼터링 방법 및 마그네트론 스퍼터링 장치
JP4922580B2 (ja) * 2005-07-29 2012-04-25 株式会社アルバック スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JP4963023B2 (ja) * 2006-01-11 2012-06-27 株式会社アルバック スパッタリング方法及びスパッタリング装置
DE112008000252T5 (de) * 2007-01-26 2009-12-17 Osaka Vacuum, Ltd. Sputter-Verfahren und Sputter-Vorrichtung
JP5301340B2 (ja) * 2009-04-16 2013-09-25 住友重機械工業株式会社 スパッタリング装置および成膜方法
US20130213798A1 (en) * 2010-10-22 2013-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Magnetron sputtering device, method for controlling magnetron sputtering device, and film forming method

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1192925A (ja) * 1997-09-22 1999-04-06 Sanyo Shinku Kogyo Kk スパッタリング装置
JP2003096561A (ja) * 2001-09-25 2003-04-03 Sharp Corp スパッタ装置
WO2008032570A1 (fr) * 2006-09-14 2008-03-20 Ulvac, Inc. procédé de formation de film mince et appareil de formation de film mince
WO2010044257A1 (ja) * 2008-10-16 2010-04-22 株式会社アルバック スパッタリング装置、薄膜形成方法及び電界効果型トランジスタの製造方法
WO2010090197A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 シャープ株式会社 透明導電膜形成体及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN103348038A (zh) 2013-10-09
JP5328995B2 (ja) 2013-10-30
TW201243085A (en) 2012-11-01
JPWO2012108150A1 (ja) 2014-07-03
US20130313108A1 (en) 2013-11-28
KR20130121935A (ko) 2013-11-06
WO2012108150A1 (ja) 2012-08-16
CN103348038B (zh) 2015-05-20
US20150376775A1 (en) 2015-12-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI550118B (zh) Magnetron sputtering device, magnetron sputtering device control method and film forming method
JP4780972B2 (ja) スパッタリング装置
JP5322234B2 (ja) スパッタリング方法及びスパッタリング装置
JP5286351B2 (ja) マグネトロンスパッタリング装置及びマグネトロンスパッタリング方法
JP5319021B2 (ja) 薄膜形成装置及び薄膜形成方法
JP3269834B2 (ja) スパッタリング装置とスパッタリング方法
KR20090122383A (ko) 스퍼터링 장치 및 스퍼터링 방법
JP5903217B2 (ja) マグネトロンスパッタ電極及びスパッタリング装置
US20160181119A1 (en) Plasma etching method
JP5322235B2 (ja) スパッタリング方法
JP7335495B2 (ja) スパッタリング装置
JPH11158639A (ja) 薄膜形成装置
WO2012053174A1 (ja) マグネトロンスパッタリング装置、マグネトロンスパッタリング装置の制御方法、及び成膜方法
KR20110122456A (ko) 액정표시장치의 제조장치 및 제조방법
JP2007162100A (ja) スパッタリング成膜方法
JPH07243039A (ja) 直流マグネトロン型反応性スパッタ法
JP2732281B2 (ja) 薄膜形成方法
WO2012157202A1 (ja) 薄膜形成方法
JP2012251233A (ja) 成膜装置及び発光装置
JPH11350130A (ja) 薄膜形成装置
JP2002256431A (ja) マグネトロンスパッタ装置
JP3778501B2 (ja) スパッタリング装置およびスパッタリング方法
JPH1192928A (ja) スパッタ方法
JP2020143356A (ja) スパッタリング装置及びスパッタリング方法
JPH05226250A (ja) スパッタリング装置

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees