JP2020143356A - スパッタリング装置及びスパッタリング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】基板面内全面に亘って同等の膜厚で薄膜を成膜できるスパッタリング装置を提供する。【解決手段】真空成膜室10内に、並設されるターゲット31a〜31hと、各ターゲット間に所定の周波数で夫々交流電力を供給する複数個の交流電源E1〜E4とを更に有し、基板Swを各ターゲットに対向配置し、基板表面に薄膜を成膜するスパッタリング装置SMは、基板の両外縁部Sa,Sbが夫々対向するターゲットを第1ターゲット群Tg1のターゲット、両外縁部より内方に位置するターゲットを第2ターゲット群Tg2のターゲットとし、第1ターゲット群の各ターゲットは、互いに隣接しない第2ターゲット群のターゲットの中から選択されたものと対をなし、対をなす第1ターゲット群のターゲットと第2ターゲット群のターゲットとの間に電力供給する第1交流電源は、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を制御する。【選択図】図1
Description
本発明は、真空成膜室を備え、この真空成膜室内に、一方向に沿って所定間隔で並設される複数個(6個以上)のターゲットと、並設される各ターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数で交流電力を夫々供給する複数個の交流電源とを更に有し、これらのターゲットを並設した領域より小さい面積の基板を各ターゲットに対向配置し、基板表面に所定の薄膜を成膜するスパッタリング装置及びスパッタリング方法に関する。
上記種のスパッタリング装置は例えば特許文献1で知られている。このものでは、基板表面での膜厚分布が波打つように(例えば、同一の周期で膜厚の厚い部分と薄い部分とが繰り返すように)不均一になることを防止するため、互い隣接しない2枚のターゲットを対とし、対をなすターゲット間に交流電源を供給するようにしている。
ここで、対をなすターゲット間に交流電源を供給して各ターゲットをスパッタリングする場合、ターゲット間で電位が交互に切り換わる。このため、上記従来例のように互いに隣接しない2枚のターゲットを対としていても、基板のターゲット並設方向両端領域では、基板中央領域に比べて電界強度が下がることでプラズマが拡がり難くなって、基板中央領域に比べてスパッタリング粒子の供給が不足する。このため、基板のターゲット並設方向両端領域における膜厚が局所的に薄くなるという所謂膜だれが生じるという問題がある。
そこで、特許文献1(特に図4(b))に図示されたように、ターゲット並設方向両端に位置する2枚のターゲットを対とし、この対をなすターゲットに供給する電力を、それ以外のものより高くすることが考えられる。然し、このような方式を採用すると、プラズマが拡がりすぎて基板やその表面に成膜した薄膜がダメージを受けるという不具合が生じる。このような場合、ターゲットと基板との間のTS間距離を長く設定すればよいが、これでは、装置の大型化を招来するなどの別の問題が生じてしまう。
本発明は、以上の点に鑑み、プラズマによるダメージを可及的に抑制しながら、基板面内全面に亘って同等の膜厚で所定の薄膜を成膜できるスパッタリング装置及びスパッタリング方法を提供することをその課題とする。
上記課題を解決するために、真空成膜室を備え、この真空成膜室内に、一方向に沿って所定間隔で並設される6個以上のターゲットと、並設される各ターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数で電力を夫々供給する複数個の交流電源とを更に有し、これらのターゲットを並設した領域より小さい面積の基板を各ターゲットに対向配置し、基板表面に所定の薄膜を成膜する本発明のスパッタリング装置は、基板のターゲット並設方向の両外縁部が夫々対向するターゲット及び当該ターゲットより並設方向外方に位置するターゲットを第1ターゲット群のターゲット、両外縁部より内方に位置するターゲットを第2ターゲット群のターゲットとし、第1ターゲット群の各ターゲットは、互いに隣接しない第2ターゲット群のターゲットの中から選択されたものと対をなし、対をなす第1ターゲット群のターゲットと第2ターゲット群のターゲットとの間に電力供給する第1交流電源は、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を制御することを特徴とする。
また、上記課題を解決するために、真空成膜室内に、6個以上のターゲットを一方向に沿って所定間隔で並設し、これらのターゲットを並設した領域より小さい面積の基板を各ターゲットに対向配置し、並設される各ターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数で夫々電力を供給して、各ターゲットをスパッタリングすることで基板表面に所定の薄膜を成膜する本発明のスパッタリング方法は、基板のターゲット並設方向の両外縁部が夫々対向するターゲット及び当該ターゲットより並設方向外方に位置するターゲットを第1ターゲット群のターゲット、両外縁部より内方に位置するターゲットを第2ターゲット群のターゲットとし、第1ターゲット群の各ターゲットの対をなすターゲットを、互いに隣接しない第2ターゲット群のターゲットの中から選択し、第1交流電源によって対をなす第1ターゲット群のターゲットと第2ターゲット群のターゲットとの間に交流電力を供給する際、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を制御する工程を含むことを特徴とする。
本発明によれば、第1ターゲット群のターゲットの各々は、第2ターゲット群の中から選択されるターゲットと対をなす構成を採用したため、基板やその表面に成膜した薄膜にダメージを与える程、プラズマが拡がることを可及的に抑制することができる。そして、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を変えることで、基板のターゲット並設方向両端領域へのスパッタリング粒子の供給を局所的に増加させることができるため、所謂膜だれの発生も抑制することができる。その結果、本発明は、プラズマによるダメージを可及的に抑制しながら、基板面内全面に亘って同等の膜厚で所定の薄膜を成膜できる。
また、本発明においては、前記第2ターゲット群の前記ターゲット間に電力供給する前記交流電源を第2交流電源とし、第2交流電源から対をなすターゲット間に供給する電力を定常電力とし、第1交流電源は、定常電力よりより高い電力を供給することが好ましい。これにより、所謂膜だれの発生を防止しつつ基板面内全面に亘って同等の膜厚で確実に成膜することができる。
以下、図面を参照して、基板Swを矩形のガラス基板とし、基板Swの一方の面に所定の薄膜を成膜するものを例に本発明の実施形態のスパッタリング装置について説明する。以下においては、各ターゲットから基板Swに向かう方向を上とし、ターゲットの並設方向を左右方向とし上、下、左、右といった方向を示す用語は、図1を基準とする。
図1を参照して、SMは、所謂マルチカソード方式のスパッタリング装置である。スパッタリング装置SMは、真空成膜室10を画成する真空チャンバ1を備え、真空チャンバ1には、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプなどの真空排気手段Pが接続され、真空成膜室10を所定圧力(真空度)に真空排気できるようにしている。真空チャンバ1にはまた、アルゴン等の希ガスからなるスパッタガス(酸素等の反応ガスを含む場合もある)を真空成膜室10に導入するガス導入手段2が設けられている。ガス導入手段2は、真空チャンバ1の側壁に取付けられたガス管21を有し、ガス管21はマスフローコントローラ22を介してガス源23に連通している。そして、真空成膜室10内の下部にカソード電極Cが設けられている。
カソード電極Cは、左右方向に等間隔で並設される少なくとも6枚(本実施形態では8枚)のターゲット31a〜31hと、各ターゲット31a〜31hの下方空間に夫々設けられる磁石ユニット4とを備える。各ターゲット31a〜31hは、IGZO、ITO、Al合金、Moなど、基板Sw表面に成膜しようとする薄膜の組成に応じて公知の方法で同一形状(本実施形態では、平面視矩形の略直方体)に作製されている。この場合、各ターゲット31a〜31hを並設した領域が基板Swより一回り大きい面積となるように、並設すべきターゲット31a〜31hの枚数が設定される。本実施形態では、ターゲット31a〜31hを並設した領域に同心に基板Swを対向配置したとき、基板Swの左右方向の両端(両外縁部)Sa,Sb直下に左右方向両端のターゲット31a,31hの中心が位置するようにしている(図1参照)。なお、特に図示して説明しないが、所謂膜だれの発生をより確実に抑制することを考慮して、両端のターゲット31a,31hの更に外側に、後述する第1ターゲット群Tg1のターゲットとして更に1枚のターゲットが夫々配置されるように、並設すべきターゲットの枚数を設定することができる。
また、各ターゲット31a〜31hの下面には、スパッタリングによる成膜中、ターゲット31a〜31hを冷却するバッキングプレート32a〜32hがインジウムやスズなどのボンディング材(図示せず)を介して接合されている。各ターゲット31a〜31hは、バッキングプレート32a〜32hを介して、単一の支持板33で互いに電気的に絶縁した状態で夫々支持されている。
真空チャンバ1外には、交流電源E1〜E4が設けられ、8枚のターゲット31a〜31hのうち2枚を対とし、各対のターゲット31a〜31hの間に所定周波数(例えば、1kHz〜100kHz)の交流電力が供給できるようになっている。交流電源E1〜E4としては、図2に示すように、例えばバイポーラ型のものが利用でき、直流電力供給源DCを備える。直流電力供給源DCからの出力ライン間には、4個のスイッチングトランジスタS1〜S4からなるブリッジ回路Bcが設けられ、ブリッジ回路Bcからの出力Ea,Ebが各対をなすターゲット31a〜31hに夫々接続されている。そして、図示省略のドライバー回路により、ブリッジ回路Bcの各スイッチングトランジスタS1〜S4のオン、オフを制御することで、各対をなすターゲット31a〜31hにバイポーラパルス状に電力が夫々供給される。
各磁石ユニット4は、各ターゲット31a〜31hに平行に設けられた磁性材料製の支持板(ヨーク)41を有する。支持板41には、その中央部で線状に配置される中央磁石42と、支持板41の外周に沿って配置される周辺磁石43とが上側の極性をかえて設けられ、各ターゲット31a〜31hの上方空間に釣り合った閉ループのトンネル状の磁場が形成されるようになっている。磁石ユニット4はまた、モータやエアーシリンダ等の駆動手段5の駆動軸51に夫々一体に連結され、平行かつ等速で磁石ユニット4を一体に左右方向に所定のストロークで往復動できるようにしている。上記スパッタリング装置SMは、マイクロコンピュータやシーケンサ等を備える図示省略の制御手段を有し、制御手段が、例えば各交流電源E1〜E4、駆動手段5、マスフローコントローラ22や真空排気手段Pの作動を統括制御するようになっている。以下に、上記スパッタリング装置SMを用いた本実施形態のスパッタリングによる成膜方法を説明する。
真空成膜室10内の上部に、各ターゲット31a〜31hを並設した領域に同心に基板Swをセットする。そして、真空排気手段Pにより真空成膜室10を真空引きし、真空成膜室10の圧力が所定値(例えば、10−5Pa)に達すると、ガス導入手段2を介してスパッタガスを所定流量で導入し、各交流電源E1〜E4により各対をなすターゲット31a〜31h間に所定の周波数で夫々交流電力を供給する。これにより、上記周波数で対をなすターゲット31a〜31hがアノード、カソードに交互に切り換わり、基板Swと各ターゲット31a〜31hとの間の空間にプラズマが形成され、プラズマで電離されたスパッタガスのイオンにより各ターゲット31a〜31hがスパッタリングされて、各ターゲット31a〜31hの表面からターゲット31a〜31hを構成するスパッタ粒子が基板Swに向かって飛散されて、基板Sw表面に所定の薄膜が成膜される。
ところで、上記の如く、対をなすターゲット31a〜31h間に各交流電源E1〜E4から夫々電力を供給して各ターゲット31a〜31hをスパッタリングするとき、基板Swやその表面に成膜した薄膜がダメージを受けることなく、しかも、基板Swの両端領域Sa,Sbにて所謂膜だれの発生を防止して基板Sw全面に亘って略均等な膜厚分布で成膜できるようにする必要がある。本実施形態では、基板Swの左右方向の両端Sa,Sbが夫々対向するターゲット31a,31hを第1ターゲット群Tg1のターゲット、両ターゲット31a,31hより内方に位置するターゲット31b〜31gを第2ターゲット群Tg2のターゲットとし、第1ターゲット群Tg1の各ターゲット31a,31hは、互いに隣接しない第2ターゲット群Tg2の中から選択されたターゲット31e,31dと夫々対をなすようにした。そして、交流電源E1〜E4の中から選択される2個を第1交流電源E1,E4とし、各対のターゲット31a,31eと31d,31hに、第1交流電源E1,E4からの出力Ea,Ebを夫々接続することとした。なお、第2ターゲット群Tg2の残りのターゲット31b,31c,31f,31gもまた、互いに隣接しないもので対をなすようにし、残りの第2交流電源E2,E3からの出力Ea,Ebを夫々接続することが好ましいが、得ようとする膜厚分布によっては、互いに隣接するもの同士を接続することも可能である。
各対のターゲット31a,31eと31d,31hに第1交流電源E1,E4から電力供給するのに際しては、第1交流電源E1,E4は、ドライバー回路によりブリッジ回路Bcの各スイッチングトランジスタS1〜S4のオン、オフのタイミングを適宜調整することで、比較的高電力が第1ターゲット群Tg1のターゲット31a,31hに供給されるようにデューティ比を制御している。具体的には、図3に示すように、第1交流電源E1,E4は、第1ターゲット群Tg1のターゲット31a(31h)に55%、第2ターゲット群Tg2のターゲット31e(31d)に45%のデューティ比で電力が供給されるように制御している。ここで、例えば、プラズマを安定させて発生させながら、基板Sw全面に亘って略均等な膜厚分布を得るには、デューティ比が40〜60%の範囲であることが好ましい。一方、第2ターゲット群Tg2における各対のターゲット31b,31fと31c,31gに第2交流電源E2,E3から電力供給するのに際しては、上記従来例のものと同様、図4に示すように同等のデューティ比で電力が供給される。
また、各対のターゲット31a,31eと31d,31hに第1交流電源E1,E4から電力供給するのに際しては、第2交流電源E2,E3によって第2ターゲット群Tg2の各対のターゲット31b,31fと31c,31gに供給する電力を定常電力とし、第1交流電源E1,E4は、定常電力より高い電力を供給するようにしている。この場合、例えば、プラズマを安定させて発生させながら、基板Sw全面に亘って略均等な膜厚分布を得るには、定常電力に対して105〜130%の範囲の高い電力に設定することが好ましい。
以上の実施形態によれば、第1ターゲット群Tg1のターゲット31a,31hの各々は、第2ターゲット群Tg2のターゲット31e,31dとで対をなす構成を採用したため、基板Swやその表面に成膜した薄膜にダメージを与える程、プラズマが拡がることを防止できる。そして、定常電力より高い電力で、更には、第1ターゲット群Tg1のターゲット31a,31hに高電力が供給されるようにデューティ比を制御することで、基板Swの両端領域Sa,Sbへのスパッタリング粒子の供給を局所的に増加させて、所謂膜だれの発生を可及的に抑制しつつ、基板Sw全面に亘って略均等な膜厚分布を得ることが可能になる。
以上の効果を確認するため、図1に示すスパッタリング装置SMを用い、以下の実験を行った。本実験では、基板Swは1500×1850mmのガラス基板とし、真空成膜室10内に並設されるターゲット31a〜31hとして、ITO製で200mm×2300mm×厚さ10mmの平面視略長方形に成形したものを用いた。成膜条件として、ターゲット31a〜31hと基板Swとの間の距離を160mmに設定し、真空成膜室10内の圧力が0.3Paに保持されるように、Arガスを200sccmで導入した。また、第1交流電源E1,E4の供給電力を20kW、第1ターゲット群Tg1の各ターゲット31a,31hに供給する電力のデューティ比を55%(即ち、第1ターゲット群Tg1の各ターゲット31a,31hへの実効電力が11kW)、第2ターゲット群Tg2の各ターゲット31e,31dに供給する電力のデューティ比を45%(即ち、第2ターゲット群Tg2の各ターゲット31e,31dへの実効電力が9kW)、第2交流電源E2,E3の供給電力を18kWに設定した。そして、基板Sw表面に50nmの膜厚でITO膜を成膜した後、膜厚分布を測定した。
これによれば、基板Swの両端領域Sa,Sbと中央領域Scとの膜厚分布の差は±3.7%であり、また、基板Sw面内の左右方向全面に亘る膜厚分布は±1.6%であることが確認された。なお、比較実験として、上記スパッタリング装置SMを用い、全てのターゲット31a〜31hに同一のデューティ比(50%)で同一の電力18kWを供給する点を除いて、上記と同条件で成膜したところ、両端領域Sa,Sbと中央領域Scとの膜厚分布の差は±10.5%であり、基板Sw面内の左右方向全面に亘る膜厚分布は±1.6%であった。以上の結果から、本発明の成膜方法によれば、基板Swの両端領域Sa,Sbと中央領域Scとの間で、膜厚分布の差を小さくすることができ、所謂膜だれの発生を抑制することができることが判る。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明の技術思想の範囲を逸脱しない限り、種々の変形が可能である。上記実施形態では、平面視矩形の略直方体のターゲットを用いるものを例に説明したが、筒状のターゲットの複数個を並設したものにも本発明は適用できる。また、上記実施形態では、各対をなすターゲット31a〜31h間にバイポーラパルス状に電力が夫々供給されるものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、例えば正弦波で電力供給するものにも本発明は適用できる。
更に、上記実施形態では、第2ターゲット群Tg2の各対のターゲット31b,31fと31c,31gに供給する電力を定常電力とし、第1交流電源E1,E4は、定常電力より高い電力を供給するものを例に説明したが、並設するターゲットの枚数によっては(例えば、両端のターゲット31a,31hの更に外方に、第1ターゲット群Tg1のターゲットとして更に1枚のターゲットを夫々配置しているような場合には)、第1及び第2の交流電源E1〜E4から同等の電力を供給するようにしてもよい。また、上記実施形態では、各2枚のターゲットで対をなすものを例に説明したが、これに限定されるものではなく、2枚のターゲットと1枚のターゲットとで、または、2枚ずつのターゲットで対をなすようにし、交流電源E1〜E4から電力供給するようにしてもよい。
SM…スパッタリング装置、Sw…基板、Sa,Sb…基板Swのターゲット並設方向の両外縁部(両端領域)、10…真空成膜室、31a〜31h…ターゲット、Tg1…第1ターゲット群、Tg2…第2ターゲット群、E1〜E4…交流電源。
Claims (4)
- 真空成膜室を備え、この真空成膜室内に、一方向に沿って所定間隔で並設される6個以上のターゲットと、並設される各ターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数で交流電力を夫々供給する複数個の交流電源とを更に有し、これらのターゲットを並設した領域より小さい面積の基板を各ターゲットに対向配置し、基板表面に所定の薄膜を成膜するスパッタリング装置において、
基板のターゲット並設方向の両外縁部が夫々対向するターゲット及び当該ターゲットより並設方向外方に位置するターゲットを第1ターゲット群のターゲット、両外縁部より内方に位置するターゲットを第2ターゲット群のターゲットとし、第1ターゲット群の各ターゲットは、互いに隣接しない第2ターゲット群のターゲットの中から選択されたものと対をなし、
対をなす第1ターゲット群のターゲットと第2ターゲット群のターゲットとの間に電力供給する第1交流電源は、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を制御することを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記第2ターゲット群の前記ターゲット間に電力供給する前記交流電源を第2交流電源とし、第2交流電源から対をなすターゲット間に供給する電力を定常電力とし、第1交流電源は、定常電力よりより高い電力を供給するように構成されることを特徴とする請求項1記載のスパッタリング装置。
- 真空成膜室内に、6個以上のターゲットを一方向に沿って所定間隔で並設し、これらのターゲットを並設した領域より小さい面積の基板を各ターゲットに対向配置し、並設される各ターゲットのうち対をなすターゲット間に所定の周波数で夫々交流電力を供給して、各ターゲットをスパッタリングすることで基板表面に所定の薄膜を成膜するスパッタリング方法において、
基板のターゲット並設方向の両外縁部が夫々対向するターゲット及び当該ターゲットより並設方向外方に位置するターゲットを第1ターゲット群のターゲット、両外縁部より内方に位置するターゲットを第2ターゲット群のターゲットとし、第1ターゲット群の各ターゲットの対をなすターゲットを、互いに隣接しない第2ターゲット群のターゲットの中から選択し、第1交流電源によって対をなす第1ターゲット群のターゲットと第2ターゲット群のターゲットとの間に交流電力を供給する際、比較的高電力が第1ターゲット群のターゲットに供給されるようにデューティ比を制御する工程を含むことを特徴とするスパッタリング方法。 - 前記第2ターゲット群の前記ターゲット間に電力供給する前記交流電源を第2交流電源とし、第2交流電源から対をなすターゲット間に供給する電力を定常電力とし、第1交流電源は、定常電力よりより高い電力を供給することを特徴とする請求項3記載のスパッタリング方法。
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- 2019-03-08 JP JP2019042250A patent/JP2020143356A/ja active Pending
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