JPS58161764A - ホウ素の真空蒸着法 - Google Patents

ホウ素の真空蒸着法

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Publication number
JPS58161764A
JPS58161764A JP4243282A JP4243282A JPS58161764A JP S58161764 A JPS58161764 A JP S58161764A JP 4243282 A JP4243282 A JP 4243282A JP 4243282 A JP4243282 A JP 4243282A JP S58161764 A JPS58161764 A JP S58161764A
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JP
Japan
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boron
vapor
vapor deposition
base plate
plasma
Prior art date
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Application number
JP4243282A
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English (en)
Inventor
Kazutoshi Nagai
一敏 長井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
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Publication date
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Publication of JPS58161764A publication Critical patent/JPS58161764A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/503—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using dc or ac discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/28—Deposition of only one other non-metal element

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は低い温度でＢを蒸着する蒸着法に関するもので
ある。
従来Ｂの蒸着には、箔１図に示すような電子線蒸着法、
＠２図に示すようなりＢ　ｒ＠の高溢熱分解沫尋が用い
られている。
＠１図においてｌはるつぼ、２は蒸着母材となるべきＢ
の塊、８は電子銃、会は加速された電子線、６はＢの蒸
気、６は基板、フは蒸着膜、８は真空客器である。この
図に示す方法は、真空＊＊８の中で、るつはｌに入れた
Ｂの塊８に対して、その近傍に設けた電子銃８によって
加ＩＭ１１子線条を照射する。これでＢ＃１２は高温に
加熱され、蒸気６となって飛散し、基板６０表面に蒸着
膜７となって堆積する。
ところで、Ｂは元秦蒸発しにくい物質であって実用上蒸
着膜形成に必１’な蒸気圧（／Ｘ１Ｏ−ａＴｏｒｒ）を
得るにはｔ　ｌ　７　ｏｏＫにまで加熱しなければなら
ない。したがって、上記の方法においては、加熱に大電
力を要するほか、強熱された母材やるつぼからの輻射熱
によって基板や装置が悪影Ｗｔ−うけるなどの欠点があ
った。
また、＠Ｊ！！！！！において１１は基板であるＴａ線
、１ｓはＴｉ＠を通電加熱するためのＷＬ電源装置１８
はノズル、１４は真空ｖ！Ｉ！＃である。この方法にお
いては、まず真空容器１４を充分排気した後、電源装置
１２によってＴ　ａ　ＩＭｌｌに通醸し、Ｔ　ａ紳表面
を／　ｌｌ００〜／６０００にの温度に保つ。この状態
のところにノズル１８を通じてＨ３とＢＢ　ｒ＠の混合
ガスを吹き込めば、Ｔａ＃１ｉｌｌの表面において、 なる反応が進行し、ＴＩ線液面にＢが蒸着される。
しかしながらこの方決は、基板全面をｌダＯＯ〜Ｉｔ０
００にという高温に保つ必−があるために広い面積に蒸
着することが困■で、量産にも適さないなどの欠点を有
している。
本発明はこれらの欠点を＃失するために、水素プラズマ
中にへｐゲン化ホウ素ガスを吹き込んで、プラズマの反
応活性を利用して低温でＢの蒸着を行なうことを特徴と
している。
以下、本発明；を第３図に示す実施列に基づいて詳細に
説明する。第３図において１１１は真空容器、１１１は
Ｈ１導入用ノズル、１１８は＾ｐゲン化ホウ素ガス導入
用ノズル、１１４は対向する二枚のｌｔ！ｄｐ、１１５
はＨ雪の放電プラズマ、ｌ１６は基板、１１７はＢの蒸
着膜である。
この方法においては、まず真空容器１１１にノズル１１
ｇを辿してＨ，を／ＴｏｒｒＮ／Ｘ１０−’間に／ｇ０
０ＶＩＭ度の電圧を印加してＨｌの放電プラズマ１１Ｂ
を形成する。この吠紗のところにノス４１１８を通して
ハｐゲン化ホウ素ガスを導入すれば、水素プラズマ中の
Ｈ７リーラジカルとの間で次の反応が進行する。
ＢＸ、＋ｊＨ−−→Ｂ＋３ＨＸ この式でＸはへロゲン元素を表現するものとする。
この反応で生じたＢが基＆１１６の上に堆積し、Ｂ蒸着
膜１１７が形成される。この蒸着法においては基板１１
６ｒｔ加熱する会費はない。
なお、Ｈ８圧力が／Ｔｏｒｒの範囲を逸脱する場合には
、プラズマが安定に形成されないために蒸着が進行しな
い。
以上説明したように、本発明は、低温でＢの蒸着膜を形
成するものであるから、加熱ｍ力の節約、輻射熱による
基板、装置への息影響の防止などの利点を有する。
【図面の簡単な説明】
１８７図は従来の電子＠蒸着法の説明図、給２図は従来
の両温熱分解法の説明図、＠３ｖ！Ｊは本発明による蒸
着法の卿明図である。 １１１・・・・・・真空界器、１１ｇ・・・・・・Ｈ３
導入用ノズル、１１８・・・・・・ハロゲン化ホウ素ガ
ス導入用ノズル、１１４・・・・・・電極、１１６・・
・・・・水素プラス！、１１６・・・・・・基板、１１
７・・・・・・Ｂの蒸着膜。 出細人　日本電信ＷｌｖＪ公社 第１図 第２図 刺ト ↑

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ｌ　真空容器にＨｌを／　Ｔｏｒｒ　〜／　Ｘ　／　０
    −４　Ｔｏｒｒ導入し、これ七電気的に励起して放電プ
    ラズマを生ぜしめ、このプラズマ中にハロゲン化ホウ素
    の蒸気を吹き込んでＢを還元し、これを基板上に堆積せ
    しめることを特徴とするホウ素の蒸着法。
JP4243282A 1982-03-17 1982-03-17 ホウ素の真空蒸着法 Pending JPS58161764A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144402A (ja) * 1984-08-08 1986-03-04 ティーディーケイ株式会社 耐摩耗層および電子部品
JPS6144401A (ja) * 1984-08-08 1986-03-04 ティーディーケイ株式会社 耐摩耗層および電子部品
CN103964454A (zh) * 2014-05-20 2014-08-06 方治文 高纯硼-11的制备方法
CN108220922A (zh) * 2016-12-15 2018-06-29 东京毅力科创株式会社 成膜方法、硼膜以及成膜装置

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6144402A (ja) * 1984-08-08 1986-03-04 ティーディーケイ株式会社 耐摩耗層および電子部品
JPS6144401A (ja) * 1984-08-08 1986-03-04 ティーディーケイ株式会社 耐摩耗層および電子部品
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