JPH01225769A - 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源 - Google Patents

有機化合物蒸着薄膜の蒸着源

Info

Publication number
JPH01225769A
JPH01225769A JP5045688A JP5045688A JPH01225769A JP H01225769 A JPH01225769 A JP H01225769A JP 5045688 A JP5045688 A JP 5045688A JP 5045688 A JP5045688 A JP 5045688A JP H01225769 A JPH01225769 A JP H01225769A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
organic compound
crucible
vapor
evaporation
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5045688A
Other languages
English (en)
Inventor
Atsuhiro Inoue
井上 敦央
Mariko Ishino
石野 真理子
Hiroshi Taniguchi
浩 谷口
Yoshiro Akagi
与志郎 赤木
Yoshiharu Nakajima
義晴 中嶋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP5045688A priority Critical patent/JPH01225769A/ja
Publication of JPH01225769A publication Critical patent/JPH01225769A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、真空蒸着法により有機化合物薄膜を形成する
際に使用される蒸発方法に関するものである。
〈従来の技術〉 有機化合物の薄膜化の方法、特に膜厚0.1μm程度の
薄膜を均一に作成する方法としては、従来から特殊な用
途にではあるが溶液塗布法が用いられてきた。又、他に
特殊な方法として、プラズマ法がある。プラズマ法は例
えば、有機化合物上ツマ−を低真空アルゴンガスのグロ
ー放電領域を通過させることによってプラズマ化・ごし
め、プラズマ中に配置した基板表面に前記有機物上ツマ
−を重合させるものである。
しかし、これらの方法は原料の種類が極めて限定される
こと、又、プラズマ法に関して言えばプラズマ発生のた
めのガス導入に伴う不純物混入、プラズマ発生条件の制
御性、原料加熱温度とプラズマ温度との大きな相異によ
る原料分解等の問題がある。特に近年研究の活発な機能
性有機材料、機能性高分子材料は適当な溶媒がなかった
り、分解によって機能が損なわれたりするので、これら
の従来法は適用しえない。
そこで、より汎用的で膜厚の制御性を良くする方法とし
ては、真空蒸着法が主として用いられるようになってい
る。通常の蒸着法に加えてイオンクラスタビーム法、あ
るいはイオン照射真空f5Bう特徴を有しており、薄膜
形成を効果的に行うことを意図したものである。
一般に真空蒸着法においては、原材料の蒸発が安定に制
御性良く行えることが良質の薄膜を作製するのに必要な
条件の1つである。有機化合物材料では無機材料よりも
蒸発に要するエネルギーが比較的少ないという利点を持
つ反面、蒸発温度と分解温度が接近してい之り、昇華性
であったりするものが多く、又、熱伝導率が小さいなど
の要因を持つため蒸発速度を開開することは容易でない
従来使用されている抵抗加熱による蒸発方法は、ルツボ
内に試料を入れ、ルツボを加熱してルツボ−試料間及び
試料自体の熱伝導により原料全体を加熱する方法である
。このため、一般に熱伝導の悪い有機化合物材料では、
原料全体か均一に加熱されず、局所的な分解、或いはル
ツボ壁面に直接接触した原料からのみ蒸発が起こり、長
時間にわたって安定な蒸発速度を維持することが困難で
ある。
このような問題を解決するための蒸発方法として電子ビ
ーム7、Ill eA法、ドラム表面に原料を供給し蒸
発させる方法、或いはフラッシュ蒸発させる方法か試み
られているが、いずれも適用できる材料が限定されてお
り、汎用性に欠ける。その他、比較的汎用性の有る方法
として、蒸発用の原料中に加熱用微粒子を分散させ、該
加熱用微粒子に容器の外部から高周波電力を供給して発
熱させ、発熱した微粒子により原料を均一に71I′I
熱し、蒸発させる方法が有る。しかしこの方法では抵抗
加熱による蒸発方法とちがって高周波電源等の比1咬的
大がかりな装置が必要であり、また多大な電力を必要と
する。更には消費される高周波電力と原料温度その関係
が変化する等、再現性の困矯点は原理土耕は囃い。
〈発明が解決しようとする課題〉 ゛これまで述べたように有機化合物の薄膜化の方法とし
て、作製条件及び膜厚の制御性の而での有利さから真空
蒸着法が応用されつつあるが、有機化合物材料の熱伝導
率が低いため蒸発源として長時間にわたフ安定に動作し
、かつ簡便なものは存在しないのが現状である。
本発明はこのような点に鑑みて、創案されたものであり
、有機化合物材料を均一に加熱でき、長時間にわたって
安定に蒸発速度を維持できる蒸発漁を提供することを目
的とする。
〈課題を解決するための手段〉 本発明は上述する課題を解決し、上記目的を達成するた
めになされたもので、真空蒸着によシ有様化合物薄膜を
形成する際、ルツボ中に入れて加熱蒸発される蒸着源は
有機化合物材料の粉末と、該有機化合物材料粉末中に分
散された高熱伝導性。
材料微粒子とで構成されてなる有機化合物蒸着薄膜の蒸
着源を提供するものである。
〈作 用〉 前述のような工夫を施した場合の熱伝導機構について第
1図及び第2図′t−参照しながら説明する。
第1図の如く、原料1と高い熱伝導率を有する材料から
成る熱伝導用微粒子2との混合物の入ったルツボ3は外
部の熱源4により、原料の蒸発に必要な温度に−まで加
熱される。この時、加熱されたlレツボ3は第2図の如
く、ルツボ3の壁面に接した部分の原料1に熱を伝える
と共に、ルツボ3に接した熱伝導用微粒子2にも熱を伝
える。ざらにルツボ3壁面により加熱された熱伝導用微
粒子2はこれに接する原料lに熱を伝え、一方、前記熱
伝導用微粒子2に接する他の熱伝導用微粒子2′にも熱
を伝える。
このように本発明はルツボ壁−原料、ルツボ−微粒子、
微粒子−微粒子、微粒子−原料及び原料−原料の間の熱
伝導により原料を加熱するわけであるが、原料−原料間
の熱伝導に比べてはるかに効率の良い微粒子−微粒子間
の熱伝導によ、す、ルツボからの熱を原料全体に効率よ
く伝えることができる。lた、微粒子、或いは原料の粒
径が小さくなればなるほど微粒子−微粒子、微粒子−原
料、原料−原料間の熱伝導による熱移動は、それぞれの
接触面積が増大することからより効率的になる。
したがって本発明により外部からルツボに加えられた熱
はルツボ壁面及び熱伝導用微粒子により、ルツボ内の原
料にくまなく均一に伝えられ、原料は均一に加熱される
ことになる。この時、微粒子としては有機化合物原料と
化学度広を起こさないものを選ぶ必要があることは言う
までもない。
〈実施例〉 第1図を用いて本発明を用いた蒸着法について具体的に
述べる。ルツボ3及び加熱源4についてる熱伝導用微粒
子2と、銅フタロシアニン粒末から蒸発用有機化合物材
料1とを重量比50 : 50でよく混合して投入する
。これを加熱源4により加熱して銅フタロシアニンから
なる有機化合物材料1を蒸発させ、Si等の基板(図示
せず)に薄膜を形成する。
ここで、本発明の効果を本発明を用いた場合と用いない
場合の蒸着速度を比較して説明する。使用される真空蒸
着装置の構成は熱伝導用微粒子の有無以外全く同一であ
り、また蒸着条件についても蒸着源温度(500℃)、
基板−蒸着源間距離(50111)等全く同一である。
まず、蒸着初期において本発明を用いた場合の蒸着速度
は本発明を用いない場合(約20 A/m1n)の約2
倍であった。
この結果は本発明の蒸着源では熱効率が良いことを示し
ている。さらに続いて、数時間の連続蒸着の後の蒸着速
度は、本発明の方法を用いない場合4には蒸着初期の約
l/4(約6A/m1n)に低下した〔のに対し、本発
明を用いた場合にはほぼ一定の11であった。この結果
は、本発明が蒸発速度の安定性の面でも良好であること
を示している。
以上、本実施例では蒸着用有機化合物材料として銅フタ
ロシアニン、熱伝導用微粒子として径10〜100μm
の銅の微粒子を用い、)た両者を50:50の重量比に
混合させて説明した。しかじ木・発明が適用できる有機
化合物材料は銅フタロシアニンに限られるものではない
。また熱伝導用微粒子の材質、粒径、形状、或いは蒸着
用有機化合物材料と熱伝導用粒子との混合比が、蒸着用
有機化合物材料の種類、或いは蒸着の目的からくる必要
に応じて、最適なものを選ぶことは言うまでもない。
また、蒸発用有機化合物材料と混合される微粒子として
高熱伝導性材料を用いることにより、加熱源として従来
の如く高周波電力を供給する必要がなくなるため、原料
温度の制菌性が向上する。
〈発明の効果〉 以上述べたように、本発明の蒸着源を用いると、蒸着用
有機化合物材料を均一に加熱することができ、分解もな
く、長時間にわたって安定に蒸発速度を維持することが
できる。従って、この蒸着源を用いた蒸着装置によれば
1 oooi以下の特に薄い薄膜であっても膜厚の再現
性良く4作製することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を説明するための要部断面図
、第2図は第1図の要部拡大図である。 1、蒸発用有機化合物材料  2.2′熱熱伝導機微子
  3.ルツボ  4.加熱源 代理人 弁理士  杉 山 毅 至(他1名)82図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、真空蒸着により有機化合物薄膜を形成する際、ルツ
    ボ中に入れて加熱蒸発される蒸着源は、有機化合物材料
    の粉末と、該有機化合物粉末中に分散された高熱伝導性
    材料微粒子とで構成されてなることを特徴とする有機化
    合物蒸着薄膜の蒸着源。
JP5045688A 1988-03-02 1988-03-02 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源 Pending JPH01225769A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5045688A JPH01225769A (ja) 1988-03-02 1988-03-02 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5045688A JPH01225769A (ja) 1988-03-02 1988-03-02 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01225769A true JPH01225769A (ja) 1989-09-08

Family

ID=12859370

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5045688A Pending JPH01225769A (ja) 1988-03-02 1988-03-02 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01225769A (ja)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215905A (ja) * 1991-02-27 1993-08-27 Hoya Corp 撥水性薄膜を有する光学部材及びその製造方法
EP1132493A2 (en) * 2000-03-09 2001-09-12 Junji Kido Vapor deposition method of organic compound and refinement method of organic compound
JP2001323367A (ja) * 2000-03-09 2001-11-22 Junji Kido 有機化合物の蒸着方法、及び有機化合物の精製方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
EP1274136A2 (en) * 2001-07-03 2003-01-08 Eastman Kodak Company Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
KR100434273B1 (ko) * 2001-06-29 2004-06-05 엘지전자 주식회사 유기물질의 정제방법
JP2007500794A (ja) * 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド 薄膜蒸着エバポレーター
JP2007084911A (ja) * 2005-03-23 2007-04-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 金属酸化物の蒸着方法、複合材料層の作製方法及び表示装置の製造方法
JP2008291330A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Ideal Star Inc 気化装置、及び、気化装置を備えたプラズマ処理装置
JP2010062143A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2011034812A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Fujifilm Corp 有機電界発光素子成膜用組成物及び蒸着膜の製造方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05215905A (ja) * 1991-02-27 1993-08-27 Hoya Corp 撥水性薄膜を有する光学部材及びその製造方法
EP1132493A2 (en) * 2000-03-09 2001-09-12 Junji Kido Vapor deposition method of organic compound and refinement method of organic compound
EP1132493A3 (en) * 2000-03-09 2001-09-19 Junji Kido Vapor deposition method of organic compound and refinement method of organic compound
JP2001323367A (ja) * 2000-03-09 2001-11-22 Junji Kido 有機化合物の蒸着方法、及び有機化合物の精製方法
JP2003002778A (ja) * 2001-06-26 2003-01-08 International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd 薄膜堆積用分子線セル
KR100434273B1 (ko) * 2001-06-29 2004-06-05 엘지전자 주식회사 유기물질의 정제방법
JP2003115381A (ja) * 2001-07-03 2003-04-18 Eastman Kodak Co 有機材料の取扱い方法及び有機層の形成方法
EP1274136A2 (en) * 2001-07-03 2003-01-08 Eastman Kodak Company Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
EP1274136A3 (en) * 2001-07-03 2006-12-20 Eastman Kodak Company Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
JP2007500794A (ja) * 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド 薄膜蒸着エバポレーター
JP2007084911A (ja) * 2005-03-23 2007-04-05 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 金属酸化物の蒸着方法、複合材料層の作製方法及び表示装置の製造方法
JP2008291330A (ja) * 2007-05-25 2008-12-04 Ideal Star Inc 気化装置、及び、気化装置を備えたプラズマ処理装置
JP2010062143A (ja) * 2008-08-08 2010-03-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置の作製方法
JP2011034812A (ja) * 2009-07-31 2011-02-17 Fujifilm Corp 有機電界発光素子成膜用組成物及び蒸着膜の製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6331690B1 (en) Process for producing single-wall carbon nanotubes uniform in diameter and laser ablation apparatus used therein
CN100513629C (zh) 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法
JPH01225769A (ja) 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源
JPS5941510B2 (ja) 酸化ベリリウム膜とその形成方法
JPH06330295A (ja) プラズマ製膜装置
US8481128B2 (en) Laser-based method for growing array of carbon nanotubes
KR20010016692A (ko) 레이저 가열에 의한 입자 소결 제어를 이용한 구형의 미세입자 제조방법
EP0029747A1 (en) An apparatus for vacuum deposition and a method for forming a thin film by the use thereof
KR20130138028A (ko) 흑연상 탄소 나노 점의 제조방법
JPS60241214A (ja) アモルフアスシリコン膜の生成法
GB1574677A (en) Method of coating electrically conductive components
JP2570560Y2 (ja) 電子ビーム蒸発源
JPS58161764A (ja) ホウ素の真空蒸着法
JPH0420985B2 (ja)
US20110129671A1 (en) Method of producing quantum confined indium nitride structures
RU2685564C1 (ru) Способ синтеза наночастиц металлов осаждением на пористый углеродный материал
JPS6395200A (ja) 硬質窒化ホウ素膜の製造方法
JPS62235466A (ja) 蒸着物質発生装置
JP3508566B2 (ja) 粉末原材料気化装置およびそれを用いたプラズマmocvd装置
JP2505376B2 (ja) 成膜方法及び装置
RU2532742C1 (ru) Способ получения фуллеренсодержащей пленки на подложке
JPS5853067B2 (ja) 熱陰極放電型イオンプレ−ティング装置
JPH04116155A (ja) 薄膜の形成方法
JPS58100672A (ja) 薄膜形成法及びその装置
JPS54121058A (en) Vapor deposition method of aluminum