CN100513629C - 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法 - Google Patents

薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN100513629C
CN100513629C CNB021249237A CN02124923A CN100513629C CN 100513629 C CN100513629 C CN 100513629C CN B021249237 A CNB021249237 A CN B021249237A CN 02124923 A CN02124923 A CN 02124923A CN 100513629 C CN100513629 C CN 100513629C
Authority
CN
China
Prior art keywords
crucible
molecular beam
heat
evaporating materials
conducting medium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021249237A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1393575A (zh
Inventor
水上时雄
斋藤建勇
城户淳二
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Choshu Industry Co Ltd
Original Assignee
VIEETECH JAPAN CO Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by VIEETECH JAPAN CO Ltd filed Critical VIEETECH JAPAN CO Ltd
Publication of CN1393575A publication Critical patent/CN1393575A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100513629C publication Critical patent/CN100513629C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06—Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/066—Heating of the material to be evaporated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/54—Organic compounds
    • C30B29/58—Macromolecular compounds

Abstract

本发明提供一种薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，通过加热蒸发材料(5)、使该蒸发材料(5)熔融后蒸发，产生用于在固体表面上生长薄膜的蒸发分子。该分子束源装置具有装有蒸发材料(5)的坩埚(1)和加热装在该坩埚(1)中的上述蒸发材料(5)的加热单元，把由热和化学稳定且比上述蒸发材料(5)的导热率高的热解氮化硼(PBN)组成的导热介质与上述蒸发材料(5)一起装在上述坩埚(1)中。

Description

薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法
技术领域
本发明涉及通过加热蒸发材料熔融该蒸发材料来产生用于在固体表面上生成薄膜的蒸发分子的薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法，特别涉及最适合热导热率低的有机电致发光材料等蒸发的分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法。
背景技术
被称为分子束外延装置的薄膜沉积装置，在高真空中可减压的真空舱内放置半导体晶片等基片，在加到所需要的温度的同时，将Kunudsen等分子射线源装置朝向该基片的薄膜生成片放置，通过加热该分子射线源装置的坩埚内的蒸发材料使其熔融、蒸发，使由此产生的蒸发分子入射到上述基片的薄膜生成面上，使薄膜外延生长在该表面上，形成蒸发材料的膜。
在这样的薄膜沉积装置中使用的分子束源装置是在由热、化学稳定性高的例如PBN(热解的氮化硼)等组成的坩埚中装入蒸发材料，用设置在坩埚外侧的电加热器加热该蒸发材料，借此熔融该蒸发材料，使其产生蒸发分子。
近年来在显示和光通讯等领域，有机电致发光元件(有机EL元件)的研究开发正在进行，该有机EL元件是用具有EL发光能的有机低分子或有机高分子材料形成的发光层的元件，作为自身发光型的元件其特性倍受关注。例如其基本的构造以下述方式形成：在霍尔注入电极上形成三苯基双胺(TPD)等霍尔传送材料膜，在该膜上层叠铝羟基喹啉络合物(Alq3)等萤光物质作为发光层，再形成Mg、Li、Cs等功函数小的金属电极作为电子注入电极。
形成上述那样的有机EL的各层使用上述那样的薄膜沉积装置形成。可是，特别是用于形成有机EL膜的有机EL材料融点低、并且导热率也低。因此在准备用上述那样的分子束源装置加热蒸发时，虽然在靠近被加热器加热的坩埚的周壁的周围部分上能得到蒸发所必需的温度，但在坩埚的中央部温度却变得极低，变成不满足蒸发温度的状态。
在这样的状态下，装在坩埚中的材料中仅在靠近坩埚的周壁的周围部分被蒸发，而处在坩埚中央部分的蒸发材料因不被蒸发而留下。因此不仅使材料的利用率下降，还因温度不均匀容易引起薄膜的缺陷。
发明内容
本发明是鉴于上述的现有技术中的分子束源装置中的课时而提出的，其目的在于即使对有机EL材料那样的导热率低的蒸发材料也能在坩埚中高效率地进行良好地传热而使坩埚中的温度梯度变小，从而能使蒸发材料有效地蒸发来产生蒸发分子。
为了达到上述目的，本发明在坩埚1中不只装蒸发材料5，还装化学和热稳定并且比该蒸发材料5的热导率高的导热介质4。从而通过上述导热介质4把加热器3的热传到坩埚的内部，使坩埚1的内部的蒸发材料5也能高效率地蒸发。
也就是说，本发明的薄膜沉积用分子束源装置，通过加热蒸发材料5来熔融该蒸发材料5，使蒸发材料5蒸发后，产生用于使薄膜生长在固体表面上的蒸发分子，并具有装有蒸发材料5的坩埚1、加热装在该坩埚1中的上述蒸发材料5的加热手段，将热和化学稳定的且比上述蒸发材料5的导热率高的导热介质4与上述蒸发材料5一起装在上述坩埚1中。
例如，作为导热介质4可以包括热解的氮化硼(PBN)、碳化硅、氮化铝等高导热材料。
在上述那样的薄膜沉积用分子束源装置中，即使在蒸发材料5的导热率低，加热器3的热不能充分传输的情况下，因为导热介质4传送加热器3的热，所以能把热一直传送到坩埚1内部。因坩埚1的周壁附与与中央部的温度差变小而也能容易地使坩埚1内部的蒸发材料蒸发。
另外，因为由热解的氮化硼、碳化硅、氮化铝等高导热材料组成的导热介质4是热和化学稳定的，加热器的加热不会使其蒸发或分解，所以不会混合在发生的蒸发分子中对膜的组成有影响。从而不会防碍目标材料的成膜。
这样，按照本发明的薄膜沉积用分子束源装置，因为即使导热率低的蒸发材料5也能在坩埚1内加热成均匀的温度分布熔融、蒸发，所以可以以高的材料利用率的方式蒸发后在固体的表面上结晶。从而不仅提高材料的利用率，而且还因蒸发材料5没有温度偏差，而可提高通过结晶生成的膜的品质。
根据本发明的一个方面，提供一种薄膜沉积用分子束源装置，该装置用在真空薄膜沉积中蒸镀装置中，蒸发材料在该蒸发室内被加热到熔融、蒸发，以便产生用于在一固体表面上生长该材料的薄膜的蒸气分子，其特征在于，包括：
一个用于在里面装蒸发材料的坩埚；和
一个用于加热装在该坩埚里面的蒸发材料的加热单元，导热介质与所述蒸发材料一起装入在所述坩埚内，所述导热介质具有高的热稳定的和化学稳定性，其导热率比所述蒸发材料的导热率高。
根据本发明的一个方面，提供一种分子束沉积薄膜的方法，所述方法在真空薄膜沉积中使用，其特征在于，包括下述步骤：
制备成颗粒状的蒸发材料；
将所述蒸发材料与导热材料一起装入一个坩埚内，其中所述导热材料是热稳定的和化学稳定的，且具有比所述蒸发材料的导热率高的导热率；
加热所述坩埚，以便使所述蒸发材料在坩埚内蒸发；和
把在所述坩埚内蒸发的所述蒸发材料蒸镀在一个固体的表面上，以便沉积成薄膜。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的薄膜沉积用分子束源装置的概略侧面图。
图2是例示装在该薄膜沉积用分子束源装置中的坩埚中蒸发材料和导热介质的状态的剖视图。
图3是表示本发明的另一实施方式的薄膜沉积用薄膜沉积用薄膜沉积用分子束源装置的概略纵剖侧视图。
具体实施方式
下面参照附图详细说明本发明的实施方式。
图1示意地表示本发明的一实施方式的薄膜沉积用分子束源装置。如图1所示，在上端设置具有蒸气排出口的坩埚1，在该坩埚1的周围设置用于加热其内部的蒸发材料5的加热器3。坩埚1由热和化学稳定的材料制成，例如由上述那样的PBN制成。图示的坩埚1蒸气排出口2的部分形成中间变细的形状，形成其上端侧形成有顺次变粗的那样的锥形的喇叭状的引流部11。装有后述的导热介质4和蒸发材料5的坩埚1的蒸气排出口2以下的本体部分是圆筒形。
在加热器3的外侧上设置把该加热器3的热向坩埚1侧反射的反射器6，该反射器6和坩埚1等立设在法兰8上，通过该法兰8安装在图中未示出的真空室的下部的入口上，分子束源装置设置在真空室的内侧。
在坩埚1的底面或周围安排测温元件7的测温度点对坩埚1的加热温度进行测定和监视。
另外，挡板10被枢轴支撑在法兰8上，通过该挡板轴10的回转开闭操作的挡板9开闭坩埚1的蒸气排出口2。
隔着挡板9与坩埚1的蒸气排出口2相对置地在挡板的正上面配置保持在基板保持座12上并形成有半导体晶片、ITO等透明导电膜的玻璃基片13。
在这样的薄膜沉积用分子束源装置中，蒸发材料5装在该坩埚1中，颗粒状的导热介质4与上述蒸发材料5一起装在该坩埚1中。该导热介质4是热和化学稳定的，并且比蒸发材料5的导热率高的材料，例如由与坩埚1相同的PBN、碳化硅或氮化铝等高导热材料制作。
该导热介质4以使其密度在坩埚1中均匀地分散装在坩埚1中。在因蒸发材料5的导热率低而容易使靠近坩埚1的周壁附近的部分与中央部分的温差变大时，使导热介质4更密地装入坩埚1中，而在蒸发材料5的导热率不那样低，在靠近坩埚1的周壁附近的部分与中央部分的温差不大时，则使导热介质4比较疏地装在坩埚1中。使装在坩埚1内导热介质4与蒸发材料5容积比，一般在70％：30％左右。
在这样的薄膜沉积用分子束源装置中，利用加热器3加热坩埚1时，经坩埚1加热内部的导热介质4，再经该导热介质4加热蒸发材料5。因为导热介质4的导热率比蒸发材料5的高，所以虽然只通过蒸发材料5热不能传送到坩埚1的中央的情况下，但通过该导热介质4热却能传到坩埚1的中央，使处在该坩埚1的中央的蒸发材料5也被加热熔融和蒸发。因此使装在坩埚1中的蒸发材料5普遍加热、熔融和蒸发。
另外，因为导热介质4用与坩埚1同样的PBN等热和化学稳定的材料制作，所以不会因加热器3的加热而熔融和蒸发。因此在坩埚1的蒸发排出口2放射出的蒸发分子中不含有形成导热介质4的分子，不会影响结晶形成的膜的组成。
另外，在蒸发材料5是具有EL发光能的有机低分子或有机高分子材料时，其气化温度比铜等金属低得多，大多在200℃以下。另外，耐热温度也比较低，在上述那样的有机低分子或有机高分子材料的蒸发时，必需加热到其气化温度以上，而在其耐热温度以下。
通过导热介质4加热后气化的蒸发材料5开始从充填在坩埚1中的导热介质4与蒸发材料5的表面蒸发，由于该蒸发面在导热介质4之间产生间隙，在坩埚1的深处的蒸发的蒸气通过该导热介质4的间隙上升，正好变成从充填在坩埚1中的导热介质4的表面蒸发的状态。因为坩埚1内的导热介质4的容是70％左右，所以虽然蒸发材料5蒸发，作为蒸发分子从坩埚1中放射出，在坩埚1内的收纳物的平面改变也不太大，上述的视在蒸发位置不会降低，没有变化。另外，虽然蒸发材料5蒸发后，这些材料作为蒸发分子从坩埚1内放射出，但因在坩埚1内剩有导热介质4，所以热容量的减少也小。
这样，蒸发材料5熔融通过蒸发产生的蒸发材料5的蒸发分子从蒸发排出口放射出。如在打开挡板9的状态下，从蒸汽排出口2放射出的蒸发分子飞向基片3的表面上，在该基板13的表面上凝结沉积成薄膜。
在现有技术的圆筒形的坩埚中，因为蒸发分子的排出口也是圆筒形的，所以因烟囱效应而使在坩埚的中心轴附近的蒸发分子的密度变得很大，从而使基板的中央部与其周边部的膜厚的差变大。
在具有为了改善这些而建议的倒圆锥形的圆锥形的收纳空间的圆锥形坩埚中，由于通过上部扩大的喇叭口使蒸发分子边扩展边放射出，而改变在基片表面上的膜厚不均匀性。但是随着蒸发材料的蒸发的进行，坩埚内的剩余的蒸发材料的容积和其表面积急剧变小。从而使温度控制和蒸发控制等变得非常困难。
与此相反，在图1所示的上述的坩埚1中，蒸发排出口2的部分形成中间变细的形状，由于形成具有其上端部的直径逐渐变大那样的喇叭口的引流部11而在蒸发蒸发材料5时，蒸发分子边如图中用双点划线所示那样扩展，边蒸发。从而使从蒸气排出口2放射出的蒸发分子流在遍及与中心轴线垂直的直径方向上几乎变成均匀，可以在基片13的表面上形成均匀厚度的膜。
并且，因为填充有蒸发材料5和导热介质4的坩埚1的本体部分是圆筒形，而没有圆锥形坩埚那样的缺点。并且如上所述，由于导热介质4与蒸发材料5一起装入在坩埚1中，所以虽然蒸发材料5蒸发后，这些材料作为蒸发分子从坩埚1内放射出，但坩埚1内剩余的收纳物的视在容积，即坩埚1内的收纳物的水平面并无下降，几乎没有变化。并且坩埚1内的收纳物的热容量的变动也很小。从而使蒸发材料5的加热温度的控制和蒸发分子的产生量的控制是非常容易的。
上述的例子是使导热介质4与蒸发材料5分散后每装入在坩埚1中的例子。与此相反，例如如图2所示那样，也可把颗粒状的导热媒体作为芯，在其表面上包覆蒸发材料5，将该包覆后的颗粒装有坩埚1中。这样，用加热器经坩埚1加热蒸发材料5时，因为作为芯的导热介质4也同时被加热，而使坩埚1内部的温度分布均匀，可以不用普遍地加热坩埚内部的蒸发材料，使其熔融蒸发。
下面说明图3所示的本发明另一实施方式的薄膜沉积用分子束源装置，在该分子束源装置上形成在坩埚1的中间变细的蒸气排出口2的前上端上具有内径逐渐变大的那样的喇叭口的引流部11。使该引流部11比上述的图1的实施方式的引流部长，并且使其喇叭状形成得比较平缓。通过这样的引入部11可以使从蒸气排出口放射出的蒸发分子具有指向性，在被限定的方向形成密度均匀的蒸发分子流。借此可以提高在基片上限定的成膜面上的成膜效率，并且可以使薄膜生成均匀。

Claims (17)

1.一种薄膜沉积用分子束源装置，该装置用在真空薄膜沉积中，其中蒸发材料被加热到熔融、蒸发，以便产生用于在一固体表面上生长该材料的薄膜的蒸气分子，其特征在于，包括：
一个用于在里面装蒸发材料的坩埚；和
一个用于加热装在该坩埚里面的蒸发材料的加热单元，导热介质与所述蒸发材料一起装入在所述坩埚内，所述导热介质具有高的热稳定的和化学稳定性，其导热率比所述蒸发材料的导热率高。
2.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述导热介质是由高热导材料组成，至少包括：热解的氮化硼、碳化硅和氮化铝中的一种。
3.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述导热介质成颗粒状。
4.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述导热介质由与所述坩埚材料相同的材料构成。
5.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述导热介质以颗粒状包围在蒸发材料周围。
6.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述装在坩埚中的导热介质是与所述蒸发材料以体积比为70％∶30％的混合物。
7.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述加热单元配置在所述坩埚的周围，以便使加热单元包围所述的坩埚。
8.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述坩埚有一个形成在该坩埚顶部上的喇叭形的引流部分。
9.如权利要求8所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述坩埚的喇叭形的引流部分带有锥度以使在所述坩埚的圆筒形本体的顶部处变窄，而所述喇叭形的引流部分的直径向上逐渐变宽。
10.如权利要求1所述的薄膜沉积用分子束源装置，其特征在于：所述蒸发材料包括有机电致发光材料。
11.一种分子束沉积薄膜的方法，所述方法在真空薄膜沉积中使用，其特征在于，包括下述步骤：
制备成颗粒状的蒸发材料；
将所述蒸发材料与导热材料一起装入一个坩埚内，其中所述导热材料是热稳定的和化学稳定的，且具有比所述蒸发材料的导热率高的导热率；
加热所述坩埚，以便使所述蒸发材料在坩埚内蒸发；和
把在所述坩埚内蒸发的所述蒸发材料蒸镀在一个固体的表面上，以便沉积成薄膜。
12.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述蒸发材料包括有机电致发光材料。
13.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述导热介质形成颗粒状。
14.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述导热介质是由高导热材料组成，至少包括热解的氮化硼，碳化硅和氮化铝中的一种。
15.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述导热介质由与所述坩埚的材料相同的材料组成。
16.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述导热介质以成颗粒状覆盖在蒸发材料的周围。
17.如权利要求11所述的分子束沉积薄膜的方法，其特征在于：所述装在所述坩埚中的导热材料与所述蒸发材料按体积比70％:30％混合。
CNB021249237A 2001-06-26 2002-06-26 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法 Expired - Lifetime CN100513629C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP192261/2001 2001-06-26
JP192261/01 2001-06-26
JP2001192261A JP2003002778A (ja) 2001-06-26 2001-06-26 薄膜堆積用分子線セル

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1393575A CN1393575A (zh) 2003-01-29
CN100513629C true CN100513629C (zh) 2009-07-15

Family

ID=19030738

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021249237A Expired - Lifetime CN100513629C (zh) 2001-06-26 2002-06-26 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20020197418A1 (zh)
JP (1) JP2003002778A (zh)
KR (1) KR100951493B1 (zh)
CN (1) CN100513629C (zh)
HK (1) HK1052728B (zh)
TW (1) TW574408B (zh)

Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW490714B (en) * 1999-12-27 2002-06-11 Semiconductor Energy Lab Film formation apparatus and method for forming a film
US20020011205A1 (en) 2000-05-02 2002-01-31 Shunpei Yamazaki Film-forming apparatus, method of cleaning the same, and method of manufacturing a light-emitting device
US7517551B2 (en) * 2000-05-12 2009-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing a light-emitting device
TWI264473B (en) * 2001-10-26 2006-10-21 Matsushita Electric Works Ltd Vacuum deposition device and vacuum deposition method
SG113448A1 (en) 2002-02-25 2005-08-29 Semiconductor Energy Lab Fabrication system and a fabrication method of a light emitting device
EP1369499A3 (en) 2002-04-15 2004-10-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating light-emitting device and apparatus for manufacturing light-emitting device
TWI336905B (en) * 2002-05-17 2011-02-01 Semiconductor Energy Lab Evaporation method, evaporation device and method of fabricating light emitting device
CN1226448C (zh) * 2002-07-19 2005-11-09 Lg电子株式会社 有机场致发光膜蒸镀用蒸镀源
US20040040504A1 (en) 2002-08-01 2004-03-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Manufacturing apparatus
CN100459220C (zh) 2002-09-20 2009-02-04 株式会社半导体能源研究所 制造系统以及发光元件的制作方法
JP4463492B2 (ja) * 2003-04-10 2010-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 製造装置
JP2007500794A (ja) * 2003-05-16 2007-01-18 エスブイティー アソーシエイツ インコーポレイテッド 薄膜蒸着エバポレーター
KR100623374B1 (ko) 2003-08-18 2006-09-18 엘지전자 주식회사 유기 전계 발광층 증착용 증착원
JP4344631B2 (ja) 2004-03-02 2009-10-14 長州産業株式会社 有機物薄膜堆積用分子線源
US7402779B2 (en) * 2004-07-13 2008-07-22 Lucent Technologies Inc. Effusion cell and method for use in molecular beam deposition
JP5025151B2 (ja) * 2005-03-23 2012-09-12 株式会社半導体エネルギー研究所 蒸着物の作製方法
KR100700497B1 (ko) * 2005-12-21 2007-03-28 삼성에스디아이 주식회사 증착장치
JP2007201348A (ja) * 2006-01-30 2007-08-09 Epiquest:Kk パージセル
CN100376717C (zh) * 2006-02-27 2008-03-26 浙江大学 化学气相沉积过程中的介观尺度温区温度稳定方法
WO2008076350A1 (en) * 2006-12-13 2008-06-26 Universal Display Corporation Improved evaporation process for solid phase materials
DE102007012370A1 (de) 2007-03-14 2008-09-18 Createc Fischer & Co. Gmbh Bedampfungseinrichtung und Bedampfungsverfahren zur Molekularstrahlbedampfung und Molekularstrahlepitaxie
JP5123567B2 (ja) * 2007-05-25 2013-01-23 金子 博之 気化装置、及び、気化装置を備えたプラズマ処理装置
CN101821422B (zh) * 2007-10-09 2012-04-18 松下电器产业株式会社 成膜装置和成膜方法
WO2012133201A1 (ja) * 2011-03-30 2012-10-04 シャープ株式会社 蒸着粒子射出装置、蒸着粒子射出方法および蒸着装置
TWI479039B (zh) * 2011-07-05 2015-04-01 Lextar Electronics Corp 蒸鍍隔離元件及具有蒸鍍隔離元件的蒸鍍裝置
DE102012215708A1 (de) * 2012-09-05 2014-03-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Vorratsbehälter für eine beschichtungsanlage und beschichtungsanlage
CN103556118B (zh) * 2013-10-12 2016-03-02 深圳市华星光电技术有限公司 蒸镀装置
CN104046823A (zh) * 2014-06-13 2014-09-17 上海和辉光电有限公司 梯度金属陶瓷复合材料及其制备方法
CN104947042B (zh) 2015-05-25 2017-09-29 京东方科技集团股份有限公司 一种蒸发装置
JP6488928B2 (ja) * 2015-07-15 2019-03-27 アイシン精機株式会社 蒸着装置
CN108342693A (zh) * 2017-01-23 2018-07-31 南京高光半导体材料有限公司 防止蒸发源坩埚内材料劣化的方法
CN111188013A (zh) * 2018-11-14 2020-05-22 深圳市融光纳米科技有限公司 一种真空蒸发镀膜方法、混合物、制备光学薄膜的方法
CN111455342A (zh) * 2019-01-18 2020-07-28 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 蒸发镀膜设备、蒸发镀膜系统及蒸发镀膜控制方法
KR102265055B1 (ko) * 2019-06-05 2021-06-15 엘지전자 주식회사 증착 장치
CN114524424A (zh) * 2021-12-17 2022-05-24 青海泰丰先行锂能科技有限公司 一种高压实高容量磷酸铁锂正极材料的制备方法
CN116988157B (zh) * 2023-09-26 2023-12-05 山西第三代半导体技术创新中心有限公司 一种降低晶体生长孔洞碳化硅籽晶粘接炉

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63235466A (ja) * 1987-03-24 1988-09-30 Matsushita Electric Ind Co Ltd 蒸着法
JPH01153595A (ja) * 1987-12-09 1989-06-15 Nec Corp 分子線発生装置
JPH01225769A (ja) * 1988-03-02 1989-09-08 Sharp Corp 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源
US5820681A (en) * 1995-05-03 1998-10-13 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible
US5827371A (en) * 1995-05-03 1998-10-27 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion source employing such a crucible
JPH0920587A (ja) * 1995-07-03 1997-01-21 Fujitsu Ltd 分子線源
JPH1025576A (ja) * 1996-04-05 1998-01-27 Dowa Mining Co Ltd Ｃｖｄ成膜法における原料化合物の昇華方法
JPH1027755A (ja) * 1996-07-10 1998-01-27 Mitsubishi Electric Corp 半導体製造装置
JPH1059797A (ja) * 1996-08-13 1998-03-03 Anelva Corp 蒸着装置の蒸着源
JP3738522B2 (ja) * 1997-04-07 2006-01-25 松下電工株式会社 電子ビームによる蒸発方法
KR19990025914A (ko) * 1997-09-19 1999-04-06 이형곤 진공 증착용 증발원
EP1132493A3 (en) * 2000-03-09 2001-09-19 Junji Kido Vapor deposition method of organic compound and refinement method of organic compound

Also Published As

Publication number Publication date
HK1052728A1 (en) 2003-09-26
HK1052728B (zh) 2009-10-30
KR100951493B1 (ko) 2010-04-07
JP2003002778A (ja) 2003-01-08
CN1393575A (zh) 2003-01-29
KR20030004033A (ko) 2003-01-14
TW574408B (en) 2004-02-01
US20020197418A1 (en) 2002-12-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100513629C (zh) 薄膜沉积用分子束源装置和分子束沉积薄膜的方法
TWI420721B (zh) 氣相沈積源及方法
US20090176036A1 (en) Method of organic material vacuum evaporation and apparatus thereof
TW200904998A (en) Deposition source, deposition apparatus, and forming method of organic film
JP5767258B2 (ja) 温度に敏感な材料の気化
JP4041005B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源とそれを使用した薄膜堆積方法
KR20020095096A (ko) 에어리얼 기판 코팅 장치
JP2007224393A (ja) 蒸着源セル、薄膜の製造方法、絞り部材、及び蒸着源加熱ヒータ
JP3756458B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源セル
JP3754380B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源セルと薄膜堆積方法
JP3684343B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源セル
KR20070066232A (ko) 증착장치
JP3616586B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源セル
KR100952313B1 (ko) 원료 공급 유닛과 원료 공급 방법 및 박막 증착 장치
JPH01225769A (ja) 有機化合物蒸着薄膜の蒸着源
JP2013529258A (ja) 側面放出型線状蒸発源、その製造方法及び線状蒸発器
JPH10214787A (ja) Ｓｉ用分子線セルと分子線エピタキシー装置
KR100829736B1 (ko) 진공 증착장치의 가열용기
US7369758B2 (en) Molecular beam source for use in accumulation of organic thin-films
JP3712646B2 (ja) 薄膜堆積用分子線セル
JP3802867B2 (ja) 薄膜堆積用分子線源セル
KR20040103726A (ko) 대면적 유기 전계 발광 소자의 증착 소스 및 증착 방법
TW202035741A (zh) 用以蒸發一材料之蒸發設備及使用蒸發裝置蒸發材料之方法
JP2000017425A (ja) 有機化合物用の容器、及び有機薄膜製造方法
KR100583044B1 (ko) 선형 증착물질 가열장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NONE

Free format text: FORMER OWNER: WETA TECHNOLOGY CORP.; CHUNER MITSUMASA

Effective date: 20040309

Owner name: WETA TECHNOLOGY CORP.

Free format text: FORMER OWNER: AIMIS CORP.

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20040309

Address after: Ibaraki

Applicant after: Japan Microtop Technology Co.,Ltd.

Address before: Kanagawa

Applicant before: INTERNATIONAL MANUFACTURING AND ENGINEERING SERVICES CO.,LTD.

Co-applicant before: Japan Microtop Technology Co.,Ltd.

Co-applicant before: Junji Kido

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: CHOSHU INDUSTRY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: WETA TECHNOLOGY CORP.

Effective date: 20080215

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20080215

Address after: Yamaguchi Japan

Applicant after: CHOSHU INDUSTRY CO.,LTD.

Address before: Ibaraki

Applicant before: Japan Microtop Technology Co.,Ltd.

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
REG Reference to a national code

Ref country code: HK

Ref legal event code: GR

Ref document number: 1052728

Country of ref document: HK

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20090715

CX01 Expiry of patent term