JPH01153595A - 分子線発生装置 - Google Patents

分子線発生装置

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JPH01153595A
JPH01153595A JP62311769A JP31176987A JPH01153595A JP H01153595 A JPH01153595 A JP H01153595A JP 62311769 A JP62311769 A JP 62311769A JP 31176987 A JP31176987 A JP 31176987A JP H01153595 A JPH01153595 A JP H01153595A
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JP
Japan
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crucible
molecular beam
opening
raw material
temperature
Prior art date
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Pending
Application number
JP62311769A
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English (en)
Inventor
Hitoshi Negishi
均 根岸
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体の分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ）
装置、特に分子線発生装置のるつぼの形状に関する。
〔従来の技術〕
第２図に従来の分子線発生装置の断面図を示す。
この図において、るつぼ１２内に充填された分子線原料
１はるつぼ１２がヒータ１３で熱せられることによりる
つぼ１２内から外へ分子線となって蒸発する。１４は熱
雷対である。るつぼ１２の上部は内外２′重構造となっ
ており、外側のるつぼ１２ａが円筒状であるのに対し、
内側のるつぼ１２ｂにはテーパ角が付けてあり開口部に
向けて広くなっている（例えば、Ｕｎｉｔｅｄ　５ｔａ
ｔｅｓ　Ｐａｔｅｎｔ、　ｐａｔｅｎｔ　Ｎｕｍｂｅｒ
：４６４６６８０、ＣＲＵＣＩＢＬＥ　ＦＯＲＵＳＥ　
工Ｎ　ＭＯＬＥＣＵＬＡＲＢＥＡＭ　ＥＰ−ＩＴＡＸＩ
ＡＬ　ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ、Ｉｎｖｅｎｔｅｒ：Ｐａ
ｕｌ　Ａ　Ｍａｋｉ、Ａｃｔ−１ｏｎ　Ｍａｓｓ参照）
。
〔発明が解決しようとする問題点〕
第２図において、分子線原料１１はるつぼ１２がヒータ
１３で熱せられることにより、るつぼから外に分子線と
なって蒸発する。また、円筒状のるつぼ１２ａの中に円
錐状のるつぼ１２ｂが挿入されているために基板上に成
長された膜厚の面内バラツキは少なく、原料チャージ量
も多いが、Ｇａを分子線原料としてチャージした場合に
は円錐状のるつぼ１２ｂが円筒状のるつぼ１２ａの内側
にあるので内側のるつぼ１２ｂの温度が下がって、Ｇａ
の液滴が多量に付着し、その影響で例えば、ＧａＡｓを
基板上に成長させた場合、その表面欠陥は非常に多くな
るという欠７梃がある。
本発明の目的は上記欠点を解消した分子線発生装置を提
供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
従来の分子線発生装置は円筒状のるつぼの中シこ円錐状
のるつぼが入った２重構造をしていたのに対し１本発明
のるつぼは基板上に均一な膜を成長させるために円錐状
に拡径した開口を有し、下部は原料を多量にチャージす
るため円筒状胴部を有するという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は円筒状胴部と、該胴部の肩上に連設して拡径さ
れた開口を形成する円錐部とを一体に備えたるつぼを有
することを特徴とする分子線発生装置である。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の断面図である。図において
、本発明の分子線発生装置に用いるるつぼ２は、有底円
筒状の胴部２ａと、該胴部２ａの肩から立上り、拡径し
た開口を形成する円錐部２ｂとを一体に構成したもので
ある。るつぼ２はその外周がヒータ３でかこまれている
点は従来と同じである。
またるつぼ２内の温度は熱電対４で検知される。
実施例において、分子線原料１はるつぼ２の円錐部２ｂ
の開口を通してるつぼ２内に充填せられる。
本発明の分子線発生装置のるつぼは、るつぼの下部すな
わち原料を充填する胴部２ａが円筒状のために全体が円
錐状のるつぼよりも一度に多量の原料を供給することが
できる。また、胴部２ａ上の円錐部２ｂには成長される
基板の端がるつぼの側面の延長上に位置するようなテー
パ角（例えば５．５°）を付けることにより分子線を基
板上に均一に放出させることができる。また、開口を有
する円錐部２ｂと、円筒状胴部２ａとを連設しているた
め、るつぼ内の温度は全体が均一に保たれる。ＧａＡｓ
を成長した場合、従来の分子線発生装置のるつぼを使用
したときに表面欠陥は従来１００００個／ｄであったも
のが本発明のるつぼを使用してその１／１００の１００
個／ｄに減少し、素子を作る上での歩留りが向上した。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明によれば分子線は均一に放出
され、さらに開口部の温度を均一に保ちまた、多量の原
料を一度に供給できる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は従来の分
子線発生装置の断面図である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）円筒状胴部と、該胴部の肩上に連設して拡径され
    た開口を形成する円錐部とを一体に備えたるつぼを有す
    ることを特徴とする分子線発生装置。
JP62311769A 1987-12-09 1987-12-09 分子線発生装置 Pending JPH01153595A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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