JP4713612B2 - 単一坩堝とかかる坩堝を利用した流出(エフュージョン)源 - Google Patents
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Description
本発明の坩堝は、MBE用流出セルでの使用に良く適している。図1を参照し、例えば、米国ミネソタ州、セント・ポールのEPI MBE装置グループによって製造されたもの等、典型的なMBE流出セル10は、一般的に、ヘッド組体11と、組立てフランジと支持体との組体12を備えている。この組立てフランジと支持体との組体12は、MBE流出セル10をMBE成長チャンバー(図示せず)に連結している。この組体12は、さらに、ヘッド組体11を成長チャンバー内の所定の位置に保持している。組立てフランジと支持体との組体12は、所定径の円筒形状の封止フランジ21と、外部に向けられているネジ止めタイプの電力コネクター(接続部)19と、オメガ(商標)タイプの熱電対のコネクター(接続部)20とを含んでおり、これらコネクター(接続部)19、20は、それぞれフランジ21に接続されている。内部に向けられた所定の長さの支持部22は、フランジ21の対向する側に接続されている。電力の導線23及び熱電対のリード線24は、それぞれ、電力コネクター19及び熱電対のコネクター20から、フランジ21を通ってヘッド組体11へ延びている。ヘッド組体11は、中央内部に配置され、フィラメント14とヘッド・シールド15とにより取り囲まれた坩堝13を含んでいる。フィラメント14は、好ましくは、PBN絶縁物を含むタンタルから形成されている。ヘッド・シールド15は、好ましくは、高純度タンタル箔の多数の層から形成されている。帯状の熱電対16は、その基部において坩堝13の外部に接続されている。電力導線(コンダクター)23は、フィラメント14に接続され、そして、熱電対のリード線24は熱電対16へ接続されている。坩堝13は、環状の縁部(リップ)18を備えた所定の径の外側に向いたオリフィス17を備え、これにより、円錐の形状を有している。この坩堝13は、例えばPBNから形成されている。流出セル10は、一体シャッター、一体水冷却システム等の、種々の最適な特徴を含むことが出来る。
本発明の単一坩堝40の一実施例が図3〜7に示される。坩堝40は、一般的に、基部41と、円錐部42とを備えており、この円錐部42は、この円錐部42の一方の端部に配置されかつ坩堝40の外部に開口された第1又は外部オリフィス43を備えている。この基部41と円錐部42は、単一で一体の部品を形成している。坩堝40は、不活性で耐錆の物質から形成されている。好適な物質としては、例えば、ニューハンプシャー州、ハドソンのCVDプロダクツ会社により販売されるパイロサイル(商標)等のPBNである。坩堝40のためのPBNの好適な厚さは、約0.035インチ(0.08センチ)である。坩堝40は、以下に詳細を示す化学的な蒸着工程によって形成される。以下に詳細が述べられる基礎部材41と円錐部材42との間の全境界端は、好ましくは半円状に形成されている。示された実施例の坩堝40は、長さが約5.3インチ(13.4センチ)であり、しかしながら、その長さやその他の寸法は、本発明の基本的な教示内容に合致して変更されるであろう。
上記した坩堝40、90、100、140及び160は化学蒸着により形成される。化学蒸着は、例えば、CVDプロダクト会社により実施されている。この例示された坩堝の形成に好適な物質はPBNである。化学蒸着では、PBNは、気体状の三塩化硼素(ボロン・トリクロライド)、アンモニアそして希釈剤をミリメータ以下(サブ・ミリメータ)の圧力と約1800℃の温度で成長チャンバー内に導入することにより製造される。しかしながら、この方法は、他の化学成分と関連して化学蒸着によって種々の物質を作るのにも使用することが出来る。
Claims (3)
- 取り付けフランジを備えた支持組体と、
前記支持組体に連結された流出組体と、
を備えた分解流出セルであって、
前記流出組体は、
沈着される物質を保持する内部空間の一部を少なくとも形成する硬い壁構造体を備えた単一の熱分解性窒化硼素製の坩堝であって、基部径を有する基部、径を小さくするように前記基部から延びるネック部、径を大きくするように前記ネック部から延びるクラッキング部、出口オリフィス、を備えた坩堝と、
前記坩堝の少なくとも一部を取り囲む加熱器であって、前記坩堝の基部に隣接して配置した第1の加熱部材と、前記坩堝のクラッキング部に隣接して配置した第2の加熱部材とを備え、前記第1の加熱部材が、少なくとも前記基部を第1の温度に加熱するよう構成されており、前記第2の加熱部材が、前記第1の温度よりも高く、前記坩堝のクラッキング部で蒸発する物質を分解するのに十分な第2の温度に前記クラッキング部を加熱するよう構成された加熱器と、
を備えたことを特徴とする分解流出セル。 - 取り付けフランジを備えた支持組体と、
前記支持組体に連結された流出組体と、
を備えた、基板上に沈着される物質を加熱するための流出源であって、
前記流出組体は、前記物質を保持する容器と、容器内の前記物質を加熱するために前記容器の少なくとも一部を加熱する加熱器と、を備えており、
前記容器は、熱分解性窒化硼素製の単一の材料で構成され、内部空間を囲む硬い壁構造体を備えており、当該壁構造体は、基部と、前記基部に設けられ前記基部から延びてネックオリフィスで終る負のドラフト角を有するネック部と、を形成し、前記基部が第1の外周寸法を有し、前記ネックオリフィスが前記第1の外周寸法よりも小さい第2の外周寸法を有していること、
を特徴とする分解流出セル。 - 沈着される物質を保持する内部空間の一部を少なくとも形成する硬い壁構造体を備えた単一の熱分解性窒化硼素製の坩堝であって、
基部径を有する円筒状の基部と、
径を小さくするように前記基部から延びる第1の円錐状のネック部、径を大きくするように前記第1の円錐状のネック部から延びる第2の円錐状のネック部と、
出口オリフィスと、
を備えたことを特徴とする坩堝。
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US6053981A (en) * | 1998-09-15 | 2000-04-25 | Coherent, Inc. | Effusion cell and method of use in molecular beam epitaxy |
US6140624A (en) * | 1999-07-02 | 2000-10-31 | Advanced Ceramics Corporation | Pyrolytic boron nitride radiation heater |
JP2003002778A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | International Manufacturing & Engineering Services Co Ltd | 薄膜堆積用分子線セル |
JP4509433B2 (ja) * | 2001-07-12 | 2010-07-21 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
WO2002103089A2 (en) * | 2002-08-16 | 2002-12-27 | Dca Instruments Oy | Heating of an effusion cell for molecular beam epitaxy |
US20050229856A1 (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-20 | Malik Roger J | Means and method for a liquid metal evaporation source with integral level sensor and external reservoir |
JP4440837B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2010-03-24 | 三星モバイルディスプレイ株式會社 | 蒸発源及びこれを採用した蒸着装置 |
KR100711886B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2007-04-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 무기 증착원 및 이의 가열원 제어방법 |
KR100645689B1 (ko) * | 2005-08-31 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 선형 증착원 |
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FR2894257B1 (fr) * | 2005-12-02 | 2008-02-29 | Riber Sa | Cellule d'effusion haute temperature de grande capacite |
US8747554B2 (en) * | 2006-06-20 | 2014-06-10 | Momentive Performance Materials Inc. | Multi-piece ceramic crucible and method for making thereof |
JP2008247673A (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co Ltd | 材料供給装置 |
US20090169781A1 (en) * | 2007-12-31 | 2009-07-02 | Marc Schaepkens | Low thermal conductivity low density pyrolytic boron nitride material, method of making, and articles made therefrom |
FI20085547A0 (fi) * | 2008-06-04 | 2008-06-04 | Dca Instr Oy | Höyrystyslaite, höyrystysupokas sekä menetelmä kalvon kasvattamiseksi substraatin pinnalle |
WO2010019213A2 (en) * | 2008-08-11 | 2010-02-18 | Veeco Instruments Inc. | Vacuum deposition sources having heated effusion orifices |
US8512806B2 (en) | 2008-08-12 | 2013-08-20 | Momentive Performance Materials Inc. | Large volume evaporation source |
US20100282167A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-11-11 | Veeco Instruments Inc. | Linear Deposition Source |
US20100285218A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-11-11 | Veeco Instruments Inc. | Linear Deposition Source |
US20100159132A1 (en) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Veeco Instruments, Inc. | Linear Deposition Source |
US9062369B2 (en) * | 2009-03-25 | 2015-06-23 | Veeco Instruments, Inc. | Deposition of high vapor pressure materials |
DE102016111479A1 (de) * | 2016-06-22 | 2017-12-28 | Kentax GmbH | UHV-Heizelement |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158889A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Fujitsu Ltd | 結晶成長装置 |
JPS6293368A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 蒸発源 |
JPH01153595A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
JPH04274316A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 分子線エピタキシー用セル |
JPH08167575A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Mbe結晶成長装置,及びmbe結晶成長方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1164034A (fr) * | 1956-12-27 | 1958-10-06 | Perfectionnements aux creusets pour le dépôt de couches métallisées | |
US4217855A (en) * | 1974-10-23 | 1980-08-19 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device |
US4646680A (en) * | 1985-12-23 | 1987-03-03 | General Electric Company | Crucible for use in molecular beam epitaxial processing |
JPS6353259A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
US4856457A (en) * | 1987-02-20 | 1989-08-15 | Hughes Aircraft Company | Cluster source for nonvolatile species, having independent temperature control |
US4833319A (en) * | 1987-02-27 | 1989-05-23 | Hughes Aircraft Company | Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters |
US5034604A (en) * | 1989-08-29 | 1991-07-23 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Refractory effusion cell to generate a reproducible, uniform and ultra-pure molecular beam of elemental molecules, utilizing reduced thermal gradient filament construction |
JP2619068B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
US5158750A (en) * | 1990-06-06 | 1992-10-27 | Praxair S.T. Technology, Inc. | Boron nitride crucible |
DE4225169C2 (de) * | 1992-07-30 | 1994-09-22 | Juergen Dipl Phys Dr Gspann | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen |
JP3369643B2 (ja) * | 1993-07-01 | 2003-01-20 | 信越化学工業株式会社 | 熱分解窒化ほう素成形体の製造方法 |
JP2595894B2 (ja) * | 1994-04-26 | 1997-04-02 | 日本電気株式会社 | 水素ラジカル発生装置 |
-
1996
- 1996-08-29 US US08/705,535 patent/US5827371A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6158889A (ja) * | 1984-08-30 | 1986-03-26 | Fujitsu Ltd | 結晶成長装置 |
JPS6293368A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 蒸発源 |
JPH01153595A (ja) * | 1987-12-09 | 1989-06-15 | Nec Corp | 分子線発生装置 |
JPH04274316A (ja) * | 1991-02-28 | 1992-09-30 | Mitsubishi Electric Corp | 分子線エピタキシー用セル |
JPH08167575A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-06-25 | Mitsubishi Electric Corp | Mbe結晶成長装置,及びmbe結晶成長方法 |
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