JPH05319981A - 分子線エピタキシー用セル - Google Patents
分子線エピタキシー用セルInfo
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- JPH05319981A JPH05319981A JP15135092A JP15135092A JPH05319981A JP H05319981 A JPH05319981 A JP H05319981A JP 15135092 A JP15135092 A JP 15135092A JP 15135092 A JP15135092 A JP 15135092A JP H05319981 A JPH05319981 A JP H05319981A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 るつぼ内に収容された元素が一様に温めら
れ、成長中において特性の良い成長層を再現性良く得る
ことができる分子線エピタキシー用セルを得る。 【構成】 るつぼ２内に外径の小さいるつぼ３を入れて
るつぼを２重構造とし、蒸発すべき元素（Ｇａ）５を中
央部に入れ、２重構造となったるつぼ間にＧａ融液４を
満たし、外側よりヒータ６で加熱蒸発する構造とする。 【効果】 結晶欠陥が少なく、良好な結晶性を有する結
晶層を再現性良く成長することができる。
れ、成長中において特性の良い成長層を再現性良く得る
ことができる分子線エピタキシー用セルを得る。 【構成】 るつぼ２内に外径の小さいるつぼ３を入れて
るつぼを２重構造とし、蒸発すべき元素（Ｇａ）５を中
央部に入れ、２重構造となったるつぼ間にＧａ融液４を
満たし、外側よりヒータ６で加熱蒸発する構造とする。 【効果】 結晶欠陥が少なく、良好な結晶性を有する結
晶層を再現性良く成長することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体デバイスに用い
られる化合物半導体の結晶成長に利用される分子線エピ
タキシー用セルに関し、特に内部に上記化合物半導体の
成分元素を収容し、該元素を加熱によって蒸発させる分
子線エピタキシー用セルに関するものである。
られる化合物半導体の結晶成長に利用される分子線エピ
タキシー用セルに関し、特に内部に上記化合物半導体の
成分元素を収容し、該元素を加熱によって蒸発させる分
子線エピタキシー用セルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より分子線エピタキシー法を用いた
化合物半導体の結晶成長工程では、各成分元素毎にＰＢ
Ｎ（パイロリティック・ボロン・ナイトライド）等で作
られた複数のるつぼを備えたセルが使用され、るつぼの
中に、例えばＧａ，Ａｌ等のIII 族元素とＡｓ等のＶ族
元素を入れ、超高真空中で各元素が収容されたそれぞれ
のるつぼを適当な温度に加熱して制御し、各成分元素の
蒸発量の比率を一定に保ちながら基板上に所定の元素組
成からなる結晶層を成長させることが一般に行われてい
る。
化合物半導体の結晶成長工程では、各成分元素毎にＰＢ
Ｎ（パイロリティック・ボロン・ナイトライド）等で作
られた複数のるつぼを備えたセルが使用され、るつぼの
中に、例えばＧａ，Ａｌ等のIII 族元素とＡｓ等のＶ族
元素を入れ、超高真空中で各元素が収容されたそれぞれ
のるつぼを適当な温度に加熱して制御し、各成分元素の
蒸発量の比率を一定に保ちながら基板上に所定の元素組
成からなる結晶層を成長させることが一般に行われてい
る。
【０００３】図４は従来の分子線エピタキシー用セルの
構造を示す概略断面図であり、図において、１はタンタ
ルを用い２重構造に形成された放熱防止筒、２はＰＢＮ
で作られたるつぼ、５は蒸発源としてのＧａ、６はタン
グステン線で作られた加熱用ヒータ、７はるつぼ２の底
部近傍に配置され、るつぼ２の温度を検出するための熱
電対、８はるつぼ２から蒸発してきた元素を一時的にせ
き止めるシャッタ、９はるつぼ２の上端開口部を放熱防
止筒１に保持するためのキャップである。また１３は上
記るつぼ２の蒸発用開口部である。
構造を示す概略断面図であり、図において、１はタンタ
ルを用い２重構造に形成された放熱防止筒、２はＰＢＮ
で作られたるつぼ、５は蒸発源としてのＧａ、６はタン
グステン線で作られた加熱用ヒータ、７はるつぼ２の底
部近傍に配置され、るつぼ２の温度を検出するための熱
電対、８はるつぼ２から蒸発してきた元素を一時的にせ
き止めるシャッタ、９はるつぼ２の上端開口部を放熱防
止筒１に保持するためのキャップである。また１３は上
記るつぼ２の蒸発用開口部である。
【０００４】次に、上記セルを用いて基板上にＧａＡｓ
結晶を成長させる工程について説明する。るつぼ２の周
囲に配置された加熱用ヒータ６によりるつぼ２は加熱さ
れ、該るつぼ２底部近傍に配置された熱電対７によって
温度を検出しつつ、所望の温度に調節される。そして、
るつぼ２内に収納されたＧａ５は加熱によって空気との
界面において次第に蒸発しはじめるが、蒸発した元素を
シャッタ８によって一時的にせき止められる。また図示
しない他の成分元素（ここではＡｓ）を収容したセルも
同様の構造からなり、るつぼ内に収容された元素（Ａ
ｓ）は加熱によって蒸発し、蒸発した元素（Ａｓ）を図
示しないシャッタによりせき止められる。
結晶を成長させる工程について説明する。るつぼ２の周
囲に配置された加熱用ヒータ６によりるつぼ２は加熱さ
れ、該るつぼ２底部近傍に配置された熱電対７によって
温度を検出しつつ、所望の温度に調節される。そして、
るつぼ２内に収納されたＧａ５は加熱によって空気との
界面において次第に蒸発しはじめるが、蒸発した元素を
シャッタ８によって一時的にせき止められる。また図示
しない他の成分元素（ここではＡｓ）を収容したセルも
同様の構造からなり、るつぼ内に収容された元素（Ａ
ｓ）は加熱によって蒸発し、蒸発した元素（Ａｓ）を図
示しないシャッタによりせき止められる。
【０００５】次に各成分元素が収容されたセルの上方に
結晶成長が起こる状態に加熱された基板（図示せず）を
配置し、結晶成長に必要なその他の条件を設定してシャ
ッタ８及びその他の成分元素（Ａｓ）を収容したセルの
シャッタを開け、基板に向けて各成分元素を蒸発させて
基板上にＧａＡｓを成長させる。
結晶成長が起こる状態に加熱された基板（図示せず）を
配置し、結晶成長に必要なその他の条件を設定してシャ
ッタ８及びその他の成分元素（Ａｓ）を収容したセルの
シャッタを開け、基板に向けて各成分元素を蒸発させて
基板上にＧａＡｓを成長させる。
【０００６】ところで、上記分子線エピタキシー用セル
を用いた結晶成長工程において、るつぼ２内に収納され
た元素は成長回数を増すにつれて次第に消費されてその
液面が低下していくが、上記加熱用ヒータ６は、蒸発し
た元素がるつぼ２の先端開口部に液滴となって付着する
のを防止するために、蒸発用開口部１３にいくに従って
温度が高くなるような温度プロファイルとなっている。
このため従来より成長回数の増加とともに、蒸発源の液
面における温度低下により蒸発する元素が減少し、成長
速度が遅くなり、成長する結晶の結晶組成が次第に変化
するというような問題点を発生していた。
を用いた結晶成長工程において、るつぼ２内に収納され
た元素は成長回数を増すにつれて次第に消費されてその
液面が低下していくが、上記加熱用ヒータ６は、蒸発し
た元素がるつぼ２の先端開口部に液滴となって付着する
のを防止するために、蒸発用開口部１３にいくに従って
温度が高くなるような温度プロファイルとなっている。
このため従来より成長回数の増加とともに、蒸発源の液
面における温度低下により蒸発する元素が減少し、成長
速度が遅くなり、成長する結晶の結晶組成が次第に変化
するというような問題点を発生していた。
【０００７】そこで、元素が多量に収容できるように上
記るつぼ２の容量を大きくし、成長回数の増加にともな
う成長速度の低下を防止しようとした場合、収納した元
素溶液全体に温度分布が生じるようになり、特にるつぼ
先端開口部は放熱が大きくその結果、るつぼの先端開口
部の温度が他の部分より低くなって、一旦蒸発した元素
の一部がるつぼの先端開口部付近に液滴となって付着
し、この付着した元素液滴の再蒸発によって結晶層にオ
ーバルディフェクトと呼ばれる結晶欠陥を発生すること
があった。また、るつぼ内に収納された多量の元素を一
様な温度に保つことができないことから、蒸発速度に変
化をきたし、得られる結晶層の結晶組織が依然として変
化するという問題点を発生していた。
記るつぼ２の容量を大きくし、成長回数の増加にともな
う成長速度の低下を防止しようとした場合、収納した元
素溶液全体に温度分布が生じるようになり、特にるつぼ
先端開口部は放熱が大きくその結果、るつぼの先端開口
部の温度が他の部分より低くなって、一旦蒸発した元素
の一部がるつぼの先端開口部付近に液滴となって付着
し、この付着した元素液滴の再蒸発によって結晶層にオ
ーバルディフェクトと呼ばれる結晶欠陥を発生すること
があった。また、るつぼ内に収納された多量の元素を一
様な温度に保つことができないことから、蒸発速度に変
化をきたし、得られる結晶層の結晶組織が依然として変
化するという問題点を発生していた。
【０００８】また、何らかの理由で加熱用ヒータ６の温
度制御が不安定になった場合、るつぼ内の元素溶液に温
度変動が生じて蒸発速度に変化をきたし、このため、や
はり得られる結晶層の結晶組織が変化するという問題点
を発生していた。
度制御が不安定になった場合、るつぼ内の元素溶液に温
度変動が生じて蒸発速度に変化をきたし、このため、や
はり得られる結晶層の結晶組織が変化するという問題点
を発生していた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】従来の分子線エピタキ
シー用セルは以上のように構成されており、成長回数の
増加に伴い成長速度が低下して結晶組成が変化したり、
これを防止するために、るつぼを大きくした場合には、
元素溶液の温度分布の不均一により、結晶欠陥が生じた
り、また、加熱用ヒータの温度変動によって蒸発速度が
変化するため、均一な組成を有する結晶が得られないと
いう問題点があった。
シー用セルは以上のように構成されており、成長回数の
増加に伴い成長速度が低下して結晶組成が変化したり、
これを防止するために、るつぼを大きくした場合には、
元素溶液の温度分布の不均一により、結晶欠陥が生じた
り、また、加熱用ヒータの温度変動によって蒸発速度が
変化するため、均一な組成を有する結晶が得られないと
いう問題点があった。
【００１０】この発明は上記ような問題点を解消するた
めになされたもので、成長回数を増するに従って減少し
た元素量の変化に伴って生じる成長速度の変化や、加熱
用ヒータの温度変動等に起因する元素溶液の温度分布の
不均一による結晶欠陥，組成変化等をなくし、再現性の
良い結晶成長を行うことができる分子線エピタキシー用
セルを提供することを目的とする。
めになされたもので、成長回数を増するに従って減少し
た元素量の変化に伴って生じる成長速度の変化や、加熱
用ヒータの温度変動等に起因する元素溶液の温度分布の
不均一による結晶欠陥，組成変化等をなくし、再現性の
良い結晶成長を行うことができる分子線エピタキシー用
セルを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】この発明にかかる分子線
エピタキシー用セルは、るつぼを２重構造とし、るつぼ
間の空間に融液を満たし、かつ内側のるつぼ中に蒸発源
となる蒸発すべき元素を入れるようにしたものである。
エピタキシー用セルは、るつぼを２重構造とし、るつぼ
間の空間に融液を満たし、かつ内側のるつぼ中に蒸発源
となる蒸発すべき元素を入れるようにしたものである。
【００１２】また、るつぼ内周に、るつぼ底部において
るつぼ内と連通する仕切板を設け、かつ、上記仕切板に
より、蒸発源となる元素を２層に分割し、該蒸発源とな
る元素を上記仕切板より内側より蒸発させる構造とした
ものである。
るつぼ内と連通する仕切板を設け、かつ、上記仕切板に
より、蒸発源となる元素を２層に分割し、該蒸発源とな
る元素を上記仕切板より内側より蒸発させる構造とした
ものである。
【００１３】
【作用】この発明においては、るつぼを２重構成として
２つのるつぼ間の空間に融液を満たし、内部のるつぼに
蒸発すべき元素を入れるようにしたから、加熱用ヒータ
ーの温度傾斜による蒸発源の液面での温度のゆらぎは外
側の融液によって緩和され、蒸発すべき材料元素の温度
が安定し、結晶の成長速度の変化が少なくなり、その結
果、成長層の結晶組成の変化も少なくでき、再現性の向
上が図れる。
２つのるつぼ間の空間に融液を満たし、内部のるつぼに
蒸発すべき元素を入れるようにしたから、加熱用ヒータ
ーの温度傾斜による蒸発源の液面での温度のゆらぎは外
側の融液によって緩和され、蒸発すべき材料元素の温度
が安定し、結晶の成長速度の変化が少なくなり、その結
果、成長層の結晶組成の変化も少なくでき、再現性の向
上が図れる。
【００１４】また、るつぼの一部に仕切板を設け、外側
にも材料元素で満たすことにより、材料元素はるつぼの
内側部分より蒸発し成長成分に供され、加熱用ヒータの
温度変動は仕切板とるつぼとの間の材料元素により緩和
され、蒸発すべき材料元素の温度が安定し、成長速度の
変化が少なくなる。
にも材料元素で満たすことにより、材料元素はるつぼの
内側部分より蒸発し成長成分に供され、加熱用ヒータの
温度変動は仕切板とるつぼとの間の材料元素により緩和
され、蒸発すべき材料元素の温度が安定し、成長速度の
変化が少なくなる。
【００１５】
【実施例】以下、この発明の一実施例による分子線エピ
タキシー用セルを図１の概略断面図に基づいて説明す
る。図において、図３と同一符号は同一または相当部分
を示し、２はＰＢＮ等から作られた第１のるつぼ、３は
第１のるつぼ２の内側に配置された第２のるつぼ、４は
第１のるつぼ２と第２のるつぼ３との間に入れられたＧ
ａの融液、５は蒸発源のＧａ、９は第１のるつぼ１及び
第２のるつぼ３を放熱防止筒１とともに保持するキャッ
プであり、該キャップ９により、るつぼ２，３間に収納
されたＧａの融液４は封止されている。
タキシー用セルを図１の概略断面図に基づいて説明す
る。図において、図３と同一符号は同一または相当部分
を示し、２はＰＢＮ等から作られた第１のるつぼ、３は
第１のるつぼ２の内側に配置された第２のるつぼ、４は
第１のるつぼ２と第２のるつぼ３との間に入れられたＧ
ａの融液、５は蒸発源のＧａ、９は第１のるつぼ１及び
第２のるつぼ３を放熱防止筒１とともに保持するキャッ
プであり、該キャップ９により、るつぼ２，３間に収納
されたＧａの融液４は封止されている。
【００１６】次に、上記セルを用いたＧａＡｓの結晶成
長工程について説明する。第１のるつぼ２と第２のるつ
ぼ３との間の空間はＧａの融液４で満たされており、次
いで第２のるつぼ３の中に蒸発源Ｇａ５が収容される。
そして、るつぼ２，３は加熱用ヒータで所望の温度に昇
温される。
長工程について説明する。第１のるつぼ２と第２のるつ
ぼ３との間の空間はＧａの融液４で満たされており、次
いで第２のるつぼ３の中に蒸発源Ｇａ５が収容される。
そして、るつぼ２，３は加熱用ヒータで所望の温度に昇
温される。
【００１７】ここで、加熱用ヒータ６は、結晶が成長す
る基板（図示しない）へ届く、蒸発したＧａの量を抑制
するため、適当な温度に制御されている。
る基板（図示しない）へ届く、蒸発したＧａの量を抑制
するため、適当な温度に制御されている。
【００１８】次に他の元素（Ａｓ）も同様に必要とする
量が基板方向へ供給されるよう適当な温度に制御されて
いる（図示せず）。
量が基板方向へ供給されるよう適当な温度に制御されて
いる（図示せず）。
【００１９】以下、従来と同様に各元素を収容したセル
の上方に結晶成長が起こるように加熱された基板（図示
せず）を配置し、その他の結晶成長に必要な条件を設定
した後、シャッター８、及び他の元素を収納したセルの
シャッタ（図示せず）を開放し、上記図示しない成長基
板に向けて各成分元素を蒸発させることにより基板表面
にＧａＡｓ結晶が順次成長していく。
の上方に結晶成長が起こるように加熱された基板（図示
せず）を配置し、その他の結晶成長に必要な条件を設定
した後、シャッター８、及び他の元素を収納したセルの
シャッタ（図示せず）を開放し、上記図示しない成長基
板に向けて各成分元素を蒸発させることにより基板表面
にＧａＡｓ結晶が順次成長していく。
【００２０】このように本実施例によれば、第１のるつ
ぼ２の内側に第２のるつぼ３を設置し、第１のるつぼと
第２のるつぼの間にＧａの融液４を入れて、外側よりヒ
ータ６で加熱する構造にすることにより、第２のるつぼ
３の中に入れた蒸発源Ｇａ５の量が成長回数とともに変
化し、その液面が低下しても、第１のるつぼ２と第２の
るつぼ３との間に入れたＧａの融液４により蒸発源Ｇａ
５の液面における温度変化は少なく、従って成長する結
晶の組成等の特性変化も少ない。
ぼ２の内側に第２のるつぼ３を設置し、第１のるつぼと
第２のるつぼの間にＧａの融液４を入れて、外側よりヒ
ータ６で加熱する構造にすることにより、第２のるつぼ
３の中に入れた蒸発源Ｇａ５の量が成長回数とともに変
化し、その液面が低下しても、第１のるつぼ２と第２の
るつぼ３との間に入れたＧａの融液４により蒸発源Ｇａ
５の液面における温度変化は少なく、従って成長する結
晶の組成等の特性変化も少ない。
【００２１】またヒータ６の温度の制御に変動が生じて
も、Ｇａ融液４がるつぼ２と３との間に介在するため、
多少の温度変化はＧａ融液４により吸収される、あるい
は蒸発源Ｇａ５に徐々に伝わるため蒸発源Ｇａ５の液面
での温度変化は少なく、安定した結晶特性を持った成長
層が再現性良く得られる。
も、Ｇａ融液４がるつぼ２と３との間に介在するため、
多少の温度変化はＧａ融液４により吸収される、あるい
は蒸発源Ｇａ５に徐々に伝わるため蒸発源Ｇａ５の液面
での温度変化は少なく、安定した結晶特性を持った成長
層が再現性良く得られる。
【００２２】次に本発明の第２の実施例による分子線エ
ピタキシー用セルを図２に基づいて説明する。上記実施
例では、外径の異なる２つのるつぼの間に、Ｇａ融液４
を入れる構造としたが、この実施例では２つのるつぼを
一体化し、蒸発源Ｇａ５とヒータ６との間に中間室を設
け、当該部分にＧａ融液を入れる構造としたものであり
る。
ピタキシー用セルを図２に基づいて説明する。上記実施
例では、外径の異なる２つのるつぼの間に、Ｇａ融液４
を入れる構造としたが、この実施例では２つのるつぼを
一体化し、蒸発源Ｇａ５とヒータ６との間に中間室を設
け、当該部分にＧａ融液を入れる構造としたものであり
る。
【００２３】図２はるつぼの蒸発用開口部１３近傍の一
部拡大図であり、図に示すように、るつぼ１４は、その
上端開口部分において、外側るつぼ部材１４ｃと内側る
つぼ部材１４ｂとが連続しており、かつ上端開口部分の
一部に、Ｇａ融液４を入れるための開孔１４ａが設けら
れている。この開孔１４ａは、るつぼ１４を放熱防止用
筒１に保持するためのキャップ９により封止されるよう
になっている。
部拡大図であり、図に示すように、るつぼ１４は、その
上端開口部分において、外側るつぼ部材１４ｃと内側る
つぼ部材１４ｂとが連続しており、かつ上端開口部分の
一部に、Ｇａ融液４を入れるための開孔１４ａが設けら
れている。この開孔１４ａは、るつぼ１４を放熱防止用
筒１に保持するためのキャップ９により封止されるよう
になっている。
【００２４】このような構造とすることで、上記実施例
と同様な効果を奏することができ、また２つのるつぼを
一体化することにより、蒸発源元素の取り換え時による
２つのるつぼの設置位置の変化を少なくすることができ
るため結晶成長の再現性及び作業効率の向上も図れる。
と同様な効果を奏することができ、また２つのるつぼを
一体化することにより、蒸発源元素の取り換え時による
２つのるつぼの設置位置の変化を少なくすることができ
るため結晶成長の再現性及び作業効率の向上も図れる。
【００２５】なお、上記第１及び第２の実施例では、る
つぼ２，３間、あるいはるつぼ１４内に蒸発源元素と同
一の元素を融液４として封入するようにしたが、２つの
るつぼ間に高い密閉性でもって融液を封入することがで
きるならば、蒸発源元素以外の物質を用いるようにして
もかまわない。
つぼ２，３間、あるいはるつぼ１４内に蒸発源元素と同
一の元素を融液４として封入するようにしたが、２つの
るつぼ間に高い密閉性でもって融液を封入することがで
きるならば、蒸発源元素以外の物質を用いるようにして
もかまわない。
【００２６】次に本発明の第３の実施例による分子線エ
ピタキシー用セルを図３に基づいて説明する。この実施
例では、るつぼを２重化してその間に融液を封入する代
わりに、るつぼ内周に仕切板を設け、るつぼ底部でるつ
ぼ内と連通させ、るつぼと仕切板との間に蒸発源Ｇａを
温度変化緩衝用の融液として介在させるようにしたもの
である。
ピタキシー用セルを図３に基づいて説明する。この実施
例では、るつぼを２重化してその間に融液を封入する代
わりに、るつぼ内周に仕切板を設け、るつぼ底部でるつ
ぼ内と連通させ、るつぼと仕切板との間に蒸発源Ｇａを
温度変化緩衝用の融液として介在させるようにしたもの
である。
【００２７】すなわち図３に示すように、るつぼ１０の
内周に仕切板１２を設け、かつ当該仕切板１２をるつぼ
１０の底部では開放させてるつぼ１０と連通させ、仕切
板１２とるつぼ１０との間にも蒸発源Ｇａ５を介在させ
た構造としている。
内周に仕切板１２を設け、かつ当該仕切板１２をるつぼ
１０の底部では開放させてるつぼ１０と連通させ、仕切
板１２とるつぼ１０との間にも蒸発源Ｇａ５を介在させ
た構造としている。
【００２８】このような構造のるつぼを使用することに
より、加熱用ヒータ６によって蒸発源Ｇａ５を加熱して
蒸発させた場合、ヒータ６の温度が何らかの理由によっ
て変動した場合においても、仕切板１２とるつぼ外壁１
１との間の蒸発源Ｇａ５が介在しているため、ヒータ６
の温度変動はここで緩和され、仕切板１２内部の蒸発源
Ｇａ５に加熱用ヒータ６の温度変化が直接及ぶことがな
く、るつぼ１０の開口部１３より蒸発していく材料源Ｇ
ａは安定し、再現性良く、結晶性の良い成長層を得るこ
とができる。
より、加熱用ヒータ６によって蒸発源Ｇａ５を加熱して
蒸発させた場合、ヒータ６の温度が何らかの理由によっ
て変動した場合においても、仕切板１２とるつぼ外壁１
１との間の蒸発源Ｇａ５が介在しているため、ヒータ６
の温度変動はここで緩和され、仕切板１２内部の蒸発源
Ｇａ５に加熱用ヒータ６の温度変化が直接及ぶことがな
く、るつぼ１０の開口部１３より蒸発していく材料源Ｇ
ａは安定し、再現性良く、結晶性の良い成長層を得るこ
とができる。
【００２９】
【発明の効果】以上のように、この発明に係る分子線エ
ピタキシー用セルによれば、蒸発源を入れたるつぼを２
重構造にし、蒸発源元素の外側に融液を入れておくこと
により、蒸発源の量が変化しても、蒸発源表面の温度変
化は少なく、従って蒸発源元素を一定温度に保つことが
でき、その結果、成長速度の変化もなくなり安定して結
晶性の良い成長層を得ることができるという効果があ
る。
ピタキシー用セルによれば、蒸発源を入れたるつぼを２
重構造にし、蒸発源元素の外側に融液を入れておくこと
により、蒸発源の量が変化しても、蒸発源表面の温度変
化は少なく、従って蒸発源元素を一定温度に保つことが
でき、その結果、成長速度の変化もなくなり安定して結
晶性の良い成長層を得ることができるという効果があ
る。
【００３０】また、蒸発源を入れたるつぼを２重構造に
し、蒸発源元素の外側に蒸発源から供給される材料元素
を介在させることにより、加熱用ヒータの温度変動を吸
収することができ、蒸発源元素の温度が安定し、その結
果、成長速度の変化もなくなり安定して結晶性の良い成
長層を得ることができるという効果がある。
し、蒸発源元素の外側に蒸発源から供給される材料元素
を介在させることにより、加熱用ヒータの温度変動を吸
収することができ、蒸発源元素の温度が安定し、その結
果、成長速度の変化もなくなり安定して結晶性の良い成
長層を得ることができるという効果がある。
【図１】この発明の第１の実施例による分子線エピタキ
シー用セルの構造を示す概略断面図。
シー用セルの構造を示す概略断面図。
【図２】この発明の第２の実施例による分子線エピタキ
シー用セルのるつぼの構造を示す概略図。
シー用セルのるつぼの構造を示す概略図。
【図３】この発明の第３の実施例を示す分子線エピタキ
シー用セル構造を示す概略断面図。
シー用セル構造を示す概略断面図。
【図４】従来の分子線エピタキシー用セルの構造を示す
概略断面図。
概略断面図。
１ 放熱防止筒 ２ 第１のるつぼ ３ 第２のるつぼ ４ Ｇａ融液 ５ 放熱源Ｇａ ６ 加熱用ヒータ ７ 熱電対 ８ シャッタ ９ キャップ １０ るつぼ １１ るつぼ外壁 １２ 仕切板 １３ 蒸発用開口部 １４ るつぼ １４ａ 開孔 １４ｂ 内側るつぼ部材 １４ｃ 外側るつぼ部材
Claims (3)
- 【請求項１】 化合物半導体を形成するための蒸発源と
なる元素をるつぼ内部に収容し、該元素を加熱によって
蒸発させるための分子線エピタキシー用セルにおいて、 外径の異なる２つのるつぼを、それらの間に所定の空間
が確保されるように組合せ、 上記各るつぼ間の空間に融液を満たしたことを特徴とす
る分子線エピタキシー用セル。 - 【請求項２】 請求項１記載の分子線エピタキシー用セ
ルにおいて、 上記２つのるつぼを一体化したことを特徴とする分子線
エピタキシー用セル。 - 【請求項３】 化合物半導体を形成するための蒸発源と
なる元素をるつぼ内部に収容し、該元素を加熱によって
蒸発させるための分子線エピタキシー用セルにおいて、 るつぼ内周に、該るつぼの底部と連通するように仕切板
を設け、 かつ、上記仕切板により、蒸発源となる元素を２層に分
割し、該蒸発源となる元素を上記仕切板より内側より蒸
発させる構造としたことを特徴とする分子線エピタキシ
ー用セル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135092A JPH05319981A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 分子線エピタキシー用セル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15135092A JPH05319981A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 分子線エピタキシー用セル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05319981A true JPH05319981A (ja) | 1993-12-03 |
Family
ID=15516642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15135092A Pending JPH05319981A (ja) | 1992-05-18 | 1992-05-18 | 分子線エピタキシー用セル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05319981A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3151115A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-09-02 | Nippon Kokan K.K., Tokyo | "mit einer ueberzugszusammensetzung versehene stahlbleche mit guter korrosionsbestaendigkeit, anstreichbarkeit und korrosionsbestaendigkeit nach dem aufbringen des ueberzugs" |
| KR20220105780A (ko) | 2021-01-21 | 2022-07-28 | 울산대학교 산학협력단 | 진공 박막 증착용 분자빔 증발원 |
-
1992
- 1992-05-18 JP JP15135092A patent/JPH05319981A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3151115A1 (de) * | 1980-12-24 | 1982-09-02 | Nippon Kokan K.K., Tokyo | "mit einer ueberzugszusammensetzung versehene stahlbleche mit guter korrosionsbestaendigkeit, anstreichbarkeit und korrosionsbestaendigkeit nach dem aufbringen des ueberzugs" |
| KR20220105780A (ko) | 2021-01-21 | 2022-07-28 | 울산대학교 산학협력단 | 진공 박막 증착용 분자빔 증발원 |
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