DE4225169C2 - Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von AgglomeratstrahlenInfo
- Publication number
- DE4225169C2 DE4225169C2 DE4225169A DE4225169A DE4225169C2 DE 4225169 C2 DE4225169 C2 DE 4225169C2 DE 4225169 A DE4225169 A DE 4225169A DE 4225169 A DE4225169 A DE 4225169A DE 4225169 C2 DE4225169 C2 DE 4225169C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- nozzle
- crucible
- nozzles
- outlet part
- jet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
- B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/221—Ion beam deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/243—Crucibles for source material
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Nozzles (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Erzeugung
intensiver Strahlen von Agglomeraten aus einigen Hundert bis zu mehreren
Tausend Atomen von hochsiedenden Werkstoffen.
Die Verwendung von Strahlen von Atomagglomeraten, insbesondere mit
ionisierten und elektrisch beschleunigten Agglomeraten wird zur Abscheidung
dünner Schichten in der Technik seit geraumer Zeit angestrebt (T. Takagi,
I.Yamada, M. Kunoi, S. Kobiyama, Proceedings of the Second International
Conference on Ion Sources, Wien 1972, Seiten 790-796; DP-AS 25 47 552).
Im Vergleich zu Strahlen aus Einzelatomen versprechen Agglomeratstrahlen
höhere Massenstromdichten, insbesondere auch von beschleunigten ionisierten
Agglomeraten, zu liefern und bei geeigneter kinetischer Energie des Aufpralls
auch bei niedriger Substrattemperatur zu besonders inniger Verbindung mit dem
Substrat zu führen.
Aus der DP-AS 25 47 522 ist eine Aufdampfeinrichtung bekannt, bei der der
aufzubringende Werkstoff im Hochvakuum in einem Tiegel, der bis auf eine
Düsenöffnung geschlossen ist, erhitzt und verdampft wird, um beim Ausstoß aus
der Düse aufgrund adiabatischer Expansion abzukühlen und zu Atomagglo
meraten zu kondensieren. Aus DP-PS 26 28 366, Zeile 35, oder DP-PS 3502902,
Zeile 45, ist zu entnehmen, daß dabei ein Düsenvordruck von etwa 10-2 hPA bis zu
einigen hPa im Tiegel verwendet wird.
Durch neuere Untersuchungen der mit entsprechenden, auch kommerziell
erhältlichen Anlagen erzeugten Strahlen ist jedoch klar gezeigt worden, daß
diese Strahlen praktisch keinen über der Nachweisgrenze liegenden Anteil von
Agglomeraten mit mehr als etwa 25 Atomen enthalten. (W.L. Brown, M.F.
Jarrold, R.L. McEachern, M. Sosnowski, G. Takaoka, H. Usui, I. Yamada, Nuclear
Instruments and Methods in Physics Research, Band B59/60, 1991 Seiten 182-189,
insbesondere Seite 188, 4. Kapitel, Satz 1; D. Turner, H. Shanks, Journal of
Applied Physics, Band 70, 1991, Seiten 5385 bis 5400, insbesondere Seite 5399,
Spalte 2, Absatz 1). Die Wirkungen von Ionisierung und Beschleunigung solcher
Strahlen auf die abgeschiedene Schicht dürften daher nur von ionisierten
Einzelatomen herrühren. Das ist auch mit der Tatsache im Einklang, daß die
erzielten Beschichtungsraten nur im Bereich von 0,1 nm Schichtdicke pro Sekunde
liegen und damit den auch mit konventioneller Molekularstrahlepitaxie
erreichbaren Beschichtungsraten entsprechen.
Der Erfindung liegt demgegenüber die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und
ein Verfahren zur Erzeugung intensiver Strahlen von Agglomeraten anzugeben,
mit denen die möglichen Beschichtungsraten um Größenordnungen gesteigert
und die erwarteten günstigen Wirkungen des Agglomerataufpralls auf die
Substratoberfläche realisiert werden können.
Die Lösung dieser Aufgabe besteht erfindungsgemäß darin, den Tiegel zum
Verdampfen des Werkstoffes mit einer oder mehreren Düsen auszurüsten, deren
Länge einige bis zu einige zehn mm und deren Öffnungswinkel etwa 30 bis zu
etwa 30° betragen, und bei engsten Düsenweiten im Bereich von 0,2 bis 1,0 mm
den Düsenvordruck im Tiegel auf wenigstens etwa 200 hPa einzustellen.
Dabei ist der Düsenvordruck umso höher zu wählen, je enger die Düsenkehle und
je größer der Öffnungswinkel der Düse sind. Das Produkt aus Düsenvordruck,
engster Düsenweite und reziprokem Öffnungswinkel sollte bei hochsiedenden
Werkstoffen wenigstens etwa 20 Hektopascal mal Millimeter pro Grad betragen.
Es ist zwar bereits eine Anordnung mit elektronenstrahlbeheiztem Effusions
tiegel, divergenten Düsen und Dampfdrücken im Tiegel von bis zu 66 hPa ange
geben worden (US-Patent 4812326, Spalte 6, Zeilen 4 bis 37), es fehlen in dieser
Schrift jedoch jegliche Angaben über tatsächlich gemessene Agglomeratgrößen
oder erzielte Strahlintensitäten. Die als einziges Ergebnis vorgelegten Winkelver
teilungen der auf die Strahlachse normierten, relativen Beschichtungsraten (Fig.
9 des genannten US-Patents) zeigen vielmehr eine wesentlich größere Divergenz
der Strahlen als der Divergenz der verwendeten Düsen entspricht. Das deutet auf
Strahlen ohne schwere Agglomerate hin, da diese einer seitlichen Nachexpansion
des Dampfes nach dem Düsenaustritt nicht folgen könnten.
Zur Einstellung hoher Dampfdrücke sind regelmäßig deutlich höhere Tiegel
temperaturen erforderlich als nach dem bisherigen Stande der Technik üblich.
Daher sind auch die mit der vierten Potenz der Temperatur zunehmenden
Verluste durch Wärmeabstrahlung insbesondere im Düsenbereich erheblich
vergrößert. Andererseits ist der Temperaturausgleich über das Tiegelmaterial
wegen der relativ schlechten Wärmeleitfähigkeit der wenigen genügend hoch
schmelzenden Tiegelmaterialien erschwert, so daß sich ein beträchtlicher
Temperaturabfall von den seitlichen Tiegelwänden zum Bereich der Düsenkehle
einstellen kann.
Ein solcher Temperaturgradient kann zur vorzeitigen partiellen Kondensation
des Dampfes an der Düseninnenwand vor Erreichen des engsten Düsenquer
schnitts führen. Wenn der geschmolzene Werkstoff das Düsenmaterial nicht
benetzt, wie es z. B. bei vielen Metallen als Werkstoff und Graphit als Düsen
material der Fall ist, bildet der an der Düseninnenwand sich niederschlagende
Dampf kleine Tröpfchen mit Radien bis in den Millimeterbereich, die bei höheren
Dampfdichten vom Dampf aus der Düse ausgetragen werden (J. Gespann, Nuclear
Instruments and Methods, Band B37/38, 1989, Seiten 775 bis 778). Der Nieder
schlag solcher Tröpfchen auf dem Substrat zerstört die Homogenität der sich
bildenden Schicht und macht sie unbrauchbar.
Die bei der Anordnung nach US-Patent 4 812 326 verwendeten Düsenkappen
haben den gleichen Durchmesser wie der jeweilige Tiegel. Dadurch ist die
Endfläche der Düsenkappe groß, entsprechend groß sind auch die thermischen
Abstrahlungsverluste. Die bei dieser Anordnung verwendete Elektronenstrahl
heizung der Seitenflächen von Tiegel und Düsenkappe kann jedoch nicht auf die
Düsenendfläche ausgedehnt werden, und wird von dieser auch möglichst fern
gehalten, da andernfalls der Austrittsbereich des Strahls von energetischen Elek
tronen getroffen würde. Ohnehin wird bei der zur Erzeugung von Agglomerat
strahlen erforderlichen hohen Stromdichte des Dampfes durch die verwendete
Elektronenstrahlheizung unvermeidlich ein dichtes Plasma vor der Austrittsfläche
des Dampfstrahls erzeugt, das etwa gebildete Agglomerate wieder zerstört.
Der erfindungsgemäßen Lösung der obengenannten Aufgabe der Erzeugung
intensiver Strahlen von Agglomeraten dient dagegen eine Vorrichtung, die
dadurch gekennzeichnet ist, daß der Tiegel durch thermische Strahlung beheizt
wird und der Auslaßteil der Düse (10) mittels eines durchbohrten Deckels (12)
direkt mit dem den Tiegel umgebenden, gegebenenfalls aus verschiedenen,
getrennt steuerbaren Teilen bestehenden Heizelement (11) verbunden ist. Dazu
muß sich die Oberkante des Heizelementes auf dem gleichen elektrischen
Potential befinden wie die Düse. Die vom Heizer aufgrund seiner hohen
Temperatur neben der thermischen Abstrahlung auch emittierten Elektronen
erfahren daher keine Beschleunigung, die sie zu lonisierung der Teilchen des
Dampfstrahls, und damit zur Plasmaerzeugung, befähigen würde. Die
Vorrichtung kann auch so gestaltet sein, daß das Heizelement selbst mit dem
Auslaßteil der Düse (10) verbunden ist (Fig. 4).
In einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird
der Auslaßteil der Düse mit einer durchbohrten Kappe verbunden, die das be
sagte Heizelement umgibt, gegebenenfalls in voller Länge. Diese Ausführungs
form wird gewählt, wenn das elektrische Potential der Heizeroberkante nicht
überall gleich dem der Düse ist und erlaubt auch eine Elektronenstrahlbeheizung
des Tiegels. Neben ihrer Funktion als Strahlungsabschirmung für den Bereich der
Düsenkehle schirmt die Kappe (16) in diesem Fall auch den aus der
Düsenmündung austretenden Strahl mit Agglomeraten gegenüber den aus dem
Heizer thermisch emittierten Elektronen ab. Aufgrund der Potentialdifferenz zur
Düse können solche Elektronen genügend Energie gewinnen, um freie Atome
oder Agglomerate zu ionisieren. Das sich bildende Plasma scheint für die
Erzeugung eines intensiven Agglomeratstrahls abträglich zu sein.
Schließlich kann in einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen
Vorrichtung die Heizung auch durch direkten Stromfluß über die Kappe zur Düse
und durch den Tiegel erfolgen.
Der Querschnitt der Düse oder der Düsen kann von der Kreisform abweichen. Als
wirksame Kehlweite ist in diesem Falle die engste Weite des Querschnitts
einzusetzen. (Zink-Agglomeratstrahlen sind bereits mit einer Düse von quadra
tischem Querschnitt erzeugt worden.) Nichtkreisförmige Düsenquerschnitte
können Vorteile bei der Düsenfertigung bieten, insbesondere bei Düsen mit sehr
kleinen Öffnungswinkeln.
In einer bevorzugten Ausführung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird ein
Düsenmaterial gewählt, das vom geschmolzenen Werkstoff benetzt wird. Zum
Beispiel wurde mit einer Tantaldüse zur Expansion von Zinkdampf eine wesent
lich geringere Tröpfchenbildung beobachtet als mit Düsen aus Graphit.
In einer bevorzugten Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
wird zwischen Düsenmündung und nachfolgender Strahlblende (4) ein relativ
großer Abstand von etwa der dreifachen Länge des divergenten Auslaßteiles der
Düse eingestellt, um dem durch die Düse strömenden Dampf genügend Expan
sionsraum zu bieten. Die Öffnung der Strahlblende (4) kann so weit gewählt
werden, wie der durch den Öffnungswinkel der Düse (10) geometrisch bestimmte
Strahlkegel am Ort der Blende (4) erlaubt. Die Blende (4) kann gegebenenfalls
auch getrennt beheizt werden, um eine zu starke Bedeckung der Blende zu
verhindern oder rückgängig zu machen.
Der Lösung der erfindungsgemäßen Aufgabe dient ebenfalls ein Verfahren, bei
dem bei einem Öffnungswinkel R des divergenten Düsenauslaßteils (10) im
Bereich von etwa 3° bis 30° und engsten Düsenweiten W im Bereich von etwa 0,2
mm bis 1 mm der Dampfdruck p im Tiegel (9) auf wenigstens 200 Hektopascal und
das Produkt aus p, W, und 1/R auf wenigstens 20 Hektopascal mal Millimeter pro
Grad eingestellt wird.
Bei einer weiteren bevorzugten Ausführung des erfindungsgemäßen Verfahrens
wird der Düsenbereich stets auf einer Temperatur gehalten, die oberhalb der
Temperatur der Oberfläche des verdampfenden Werkstoffes liegt. Da der Tiegel
boden ebenfalls eine Wärmesenke darstellt, ist das z. B. durch eine geeignete
Füllhöhe des Tiegels zu erreichen.
Die Erfindung wird im folgenden anhand eines Ausführungsbeispiels sowie
verschiedener Ausführungsformen der erfindungsgemäßen Vorrichtung näher
erläutert. Es zeigt:
Fig. 1 schematisch die Agglomeratstrahlerzeugung in einer Beschichtungs
anlage, wobei die Ausführungsform der mit dem Heizelement über einen
durchbohrten Deckel verbundenen Düse dargestellt ist,
Fig. 2 Flugzeitsignale von Zink-Agglomeratstrahlen,
Fig. 3 die Dicke der abgeschiedenen Zinkschicht auf einem hinter einer
Schlitzblende (5) bewegten Substrat,.
Fig. 4 die Ausführungsform mit an die Düse herangeführtem Heizelement,
Fig. 5 die Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung mit einer das
Heizelement umgebenden Kappe,
Fig. 6 eine Anordnung von vier Düsen mit dreieckigem Querschnitt, deren
Achsen aufeinander zu laufen.
In einer Hochvakuumkammer befindet sich die in Fig. 1 dargestellte Anlage zur
Erzeugung intensiver Agglomeratstrahlen für die Dünnschichtabscheidung. Die
Anlage umfaßt die Vorrichtung zur Erzeugung der Agglomeratstrahlen (1), ein
auf einem beweglichen Substrathalter befindliches Substrat (2) sowie eine
gekühlte Auffängerfläche (3) mit einer kegelförmigen Strahlblende (4). Vor dem
Substrat kann eine weitere Strahlblende (5) sowie ein Strahlschließer (6) in den
Strahl gebracht werden. Die Substrathaltevorrichtung samt der Blende (5) kann
durch ein Flugzeitmassenspektrometer (7) ersetzt werden, mit dem die Größe
und die Geschwindigkeit der Strahlagglomerate bestimmt werden können. Eine
Vorrichtung nach dem Stande der Technik zur lonisierung und Beschleunigung
der Agglomerate ist einsetzbar, aber in Fig. 1 nicht dargestellt.
Der zu verdampfende Werkstoff (8) wird in den im vorliegenden Fall aus Graphit
bestehenden Tiegel (9) eingebracht, der mit der aufschraubbaren Düse (10) aus
Graphit oder hochschmelzendem Metall, z. B. Tantal, verschlossen wird. Der
Heizer (11) besteht im beschriebenen Fall aus einer doppelgängigen
Graphitwendel, die vom Heizstrom durchflossen wird. Das elektrische Potential
der Oberkante der Wendel läßt sich auf das elektrische Potential des Tiegels, das
im vorliegenden Fall gleich dem Erdpotential ist, einstellen. Ein durchbohrter
Deckel (12), ebenfalls aus Graphit, wird auf den Heizer aufgelegt und stellt
thermisch und elektrisch eine Verbindung zum Auslaßteil der Düse (10) her, die
wegen der Gleichheit des elektrischen Potentials aber stromlos bleibt.
Die Heizvorrichtung (11) mit Deckel (12) ist umgeben von einer mehrlagigen
Anordnung von hochschmelzenden Strahlungsschilden sowie einem
wassergekühlten Außenmantel. In Fig. 1 ist diese Anordnung stark vereinfacht
als Strahlungsschild (22) dargestellt. Der obere Teil dieses Schildes (22) öffnet sich
kegelartig mit einem Öffnungswinkel von etwa 80° bis 150°. Zwischen der
Mündung der Düse (10) und der Eingangsöffnung der Kegelblende (4) wird ein
Abstand von etwa 90 mm, wenigstens aber etwa 20 mm, eingestellt. Die
Hauptmenge des durch die Düse (10) expandierenden Dampfes schlägt sich auf
den gekühlten Flächen (3) und (4) nieder.
Die Öffnung der Strahlblende (4) ist so gewählt, daß sie den vom Öffnungswinkel
der Düse (10) goemetrisch bestimmten Strahlkegel passieren läßt.
Fig. 2 zeigt Flugzeitsignale von Zink-Agglomeratstrahlen, die mit dem
Flugzeitmassenspektrometer (7) aufgenommen wurden. Elektronenstoßioni
sation der Agglomerate während etwa 2 ps führte zu Agglomerationenpulsen,
die auf der Strecke zwischen Elektronenschicht (13) und Auffänger (14) aufgrund
der unterschiedlichen Agglomeratgeschwindigkeiten zeitlich auseinander liefen.
Ohne elektrische Beschleunigung an der Beschleunigungsstrecke (15) ergab sich
das obere Flugzeitsignal, aus dem sich eine mittlere Agglomeratgeschwindigkeit
von etwa 1 km/s errechnen läßt, während eine negative Beschleunigungsspan
nung die Agglomerationen früher (mittleres Signal), eine positive später (unteres
Signal) am Auffänger eintreffen ließ. Die aus den Signalverschiebungen errech
neten mittleren Clustergrößen steigen von der mittleren zur unteren Kurve von
2340 auf 4480 Atome pro Elementarladung an, weil die Tiegeltemperatur, und
damit der Düsenvordruck, während der Messungen angewachsen waren.
In Fig. 3 ist die gemessene Schichtdicke der Zinkschicht, die auf einem hinter der
Schlitzblende (5) vorbeigezogenen Siliziumwafer in 300 mm Entfernung von der
Düsenmündung abgeschieden wurde, gezeigt. Die Geschwindigkeit der Wafer
verschiebung wurde so gewählt, daß die Schicht in jeweils 10 Sekunden abge
schieden wurde. Aus Fig. 3 folgt daher eine mittlere Beschichtungsrate von
etwa 0,1 µm/s, die etwa um 3 Größenordnungen über den Raten liegt, die bei
den dem bisherigen Stande der Technik entsprechenden Anlagen üblich sind.
In Fig. 4 wird eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung
gezeigt, bei der das Heizelement direkt mit dem Auslaßteil der Düse (10) ver
bunden ist und die Schlitze der Heizwendel erst im Deckelteil des Heizelementes
(11) enden. Dadurch wird auch dieser Deckelteil von Strom durchflossen und
beheizt. In der gezeigten bevorzugten Ausführungsform werden die Schlitze im
Deckelteil so zur Tiegelachse geneigt geführt, daß vom Bereich der Düsenkehle
keine Strahlung parallel zur Tiegelachse entweichen kann.
In Fig. 5 ist eine Ausführungsform der erfindungsgemäßen Vorrichtung für den
Fall gezeigt, daß das elektrische Potential an der Oberkante des Heizelementes
nicht überall gleich dem des Tiegels ist. In diesem Fall ist der Heizer von einer am
Auslaßteil der Düse (10) anliegenden durchbohrten Kappe (16) umgeben, die sich
über die gesamte axiale Länge des Heizelementes erstrecken kann. Diese
Ausführung der erfindungsgemäßen Vorrichtung wird z. B. auch dann eingesetzt,
wenn die Tiegelheizung vorzugsweise über Elektronenstoß erfolgt und daher
große elektrische Spannungen zwischen der oder den in diesem Fall als
Elektronenemitter dienenden Heizwendel(n) und dem Tiegel anliegen. Ein auf
dem Potential des oder der Elektronenemitter(s) (17) liegender Reflektormantel
(18) kann eingesetzt werden, um die Heizung des unteren Teils der Kappe zu
verringern.
Bei Anordnungen mit mehreren Düsen können die mittleren Strahlrichtungen
gegeneinander geneigt sein, so daß sie z. B. entweder fächerartig auseinander
laufen oder aber sich in einem Brennpunkt zum Zweck der Intensitätserhöhung
überschneiden. Durch solche Düsenanordnungen lassen sich gleichzeitig ver
schiedene Auftreffwinkel der Agglomerate auf das Substrat realisieren, wodurch
sich Vorteile bei der Bedeckung von Strukturkanten ergeben können. Ein Beispiel
einer realisierten Anordnung von vier Düsen mit dreieckigem Querschnitt, deren
Strömungsrichtungen aufeinanderzulaufen, ist in Fig. 6 gezeigt. Die Düsen sind
als sich von der Düsenkehle aus vertiefende Kerben (19) in einen leicht konischen
Kernteil (20) eingearbeitet, auf den ein glatter Überwurfkonus (21) aufgepreßt
wird.
Claims (11)
1. Vorrichtung zur Erzeugung eines Strahls von Agglomera
ten mit größenordnungsmäßig 1000 Atomen eines hochsieden
den Stoffes durch Expansion von Dampf des zu agglomerie
renden Stoffes aus einem beheizten Tiegel (9) durch eine
oder mehrere Düsen mit divergentem Auslaßteil (10) von
einigen bis zu einigen zehn Millimetern Länge,
dadurch gekennzeichnet, daß der besagte Auslaßteil der
Düse oder der Düsen mittels eines durchbohrten, gegebe
nenfalls getrennt beheizbaren Deckels (12) mit einem den
Tiegel umgebenden Heizelement (11) verbunden ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß sich die Oberkante des Heizelementes (11) auf dem
gleichen elektrischen Potential befindet wie der Tiegel
(9).
3. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der obere Teil des Heizelementes (11) selbst als Dec
kel ausgebildet und mit dem Düsenauslaßteil (10) verbun
den ist.
4. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Düsenauslaßteil (10) mit einer durchbohrten Kappe
(16) verbunden ist, die, gegebenenfalls allseitig, die
Heizelemente umgibt.
5. Vorrichtung nach den Ansprüchen 1, 3 oder 4, dadurch
gekennzeichnet, daß die Heizung durch direkten Stromfluß
über den Deckel (12) bzw. die Kappe (16) zur Düse und
durch den Tiegel (9) erfolgt.
6. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Düsen, oder wenigstens eine von ihnen, einen von
der Kreisfläche abweichenden Querschnitt besitzen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß die Achsen der Düsen gegeneinander geneigt sind, ins
besondere in der Weise, daß sie sich in einem Brennpunkt
schneiden.
8. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß ein Werkstoff für die Düsen gewählt wird, der von der
Schmelze des zu verdampfenden Materials (8) benetzt wird.
9. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der durch die Düse oder die Düsen strömende Dampf
vorzugsweise von einer Kaltfläche (3) aufgefangen wird,
wobei zwischen Düsenmündung und Eintrittsöffnung der
Strahlblende (4) in der Kaltfläche (3) ein Abstand von
wenigstens etwa der Länge des divergenten Auslaßteils
(10) der Düse eingestellt wird.
10. Verfahren zur Erzeugung eines Agglomeratstrahls mit
tels einer Vorrichtung nach Anspruch 1 mit einem Öff
nungswinkel σ des divergenten Düsenauslaßteils (10) im
Bereich von etwa 3° bis 30° und engsten Düsenweiten W im
Bereich von etwa 0,2 mm bis 1 mm, dadurch gekennzeichnet,
daß der Dampfdruck p im Tiegel (9) auf wenigstens 200
Hektopascal und das Produkt aus p, W und 1/σ auf wenig
stens 20 Hektopascal mal Millimeter pro Grad eingestellt
wird.
11. Verfahren zur Erzeugung eines Agglomeratstrahls nach
Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Füllhöhe im
Tiegel (9) so niedrig gewählt wird, daß die Temperatur
der Oberfläche des verdampfenden Materials (8) auch ohne
Verwendung des Deckels (12) stets unter der der Düsenkeh
le liegt.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4225169A DE4225169C2 (de) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen |
JP5179856A JP2989432B2 (ja) | 1992-07-30 | 1993-06-25 | 凝集ビームの発生装置 |
KR1019930014547A KR940001944A (ko) | 1992-07-30 | 1993-07-29 | 농축 스프레이 발생 방법과 그의 장치 |
US08/099,358 US5432341A (en) | 1992-07-29 | 1993-07-29 | Process and apparatus for producing agglomerate rays |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE4225169A DE4225169C2 (de) | 1992-07-30 | 1992-07-30 | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4225169A1 DE4225169A1 (de) | 1994-02-03 |
DE4225169C2 true DE4225169C2 (de) | 1994-09-22 |
Family
ID=6464452
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4225169A Expired - Fee Related DE4225169C2 (de) | 1992-07-29 | 1992-07-30 | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5432341A (de) |
JP (1) | JP2989432B2 (de) |
KR (1) | KR940001944A (de) |
DE (1) | DE4225169C2 (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5827371A (en) * | 1995-05-03 | 1998-10-27 | Chorus Corporation | Unibody crucible and effusion source employing such a crucible |
US5820681A (en) * | 1995-05-03 | 1998-10-13 | Chorus Corporation | Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible |
US5698168A (en) * | 1995-11-01 | 1997-12-16 | Chorus Corporation | Unibody gas plasma source technology |
BE1010351A6 (fr) * | 1996-06-13 | 1998-06-02 | Centre Rech Metallurgique | Procede et dispositif pour revetir en continu un substrat en mouvement au moyen d'une vapeur metallique. |
US6202591B1 (en) * | 1998-11-12 | 2001-03-20 | Flex Products, Inc. | Linear aperture deposition apparatus and coating process |
AU2522299A (en) * | 1999-02-05 | 2000-08-25 | Applied Films Gmbh & Co. Kg | Device for coating substrates with a vaporized material under low pressure or ina vacuum using a vaporized material source |
KR100490537B1 (ko) * | 2002-07-23 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 가열용기와 이를 이용한 증착장치 |
US20050022743A1 (en) * | 2003-07-31 | 2005-02-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Evaporation container and vapor deposition apparatus |
EP1752555A1 (de) * | 2005-07-28 | 2007-02-14 | Applied Materials GmbH & Co. KG | Verdampfervorrichtung |
JP4894193B2 (ja) * | 2005-08-09 | 2012-03-14 | ソニー株式会社 | 蒸着装置、および表示装置の製造システム |
JP5013591B2 (ja) * | 2006-12-15 | 2012-08-29 | キヤノントッキ株式会社 | 真空蒸着装置 |
ES1065325Y (es) * | 2007-05-03 | 2007-10-16 | Peron Antonio Vilar | Baston andador para bebes |
JP5543159B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2014-07-09 | 株式会社オプトラン | リニア蒸着源とその使用方法、成膜装置並びに成膜方法 |
DE102010055285A1 (de) * | 2010-12-21 | 2012-06-21 | Solarion Ag Photovoltaik | Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren |
KR20120140148A (ko) * | 2011-06-20 | 2012-12-28 | 엘지이노텍 주식회사 | 증착 장치 및 박막 형성 방법 |
DE102013012471A1 (de) * | 2013-07-26 | 2015-01-29 | Createc Fischer & Co. Gmbh | Verdampfer und Verfahren zur Schichtabscheidung im Vakuum |
CN104078626B (zh) * | 2014-07-22 | 2016-07-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 用于oled材料蒸镀的加热装置 |
US9783881B2 (en) * | 2014-08-12 | 2017-10-10 | National Chung-Shan Institute Of Science And Technology | Linear evaporation apparatus for improving uniformity of thin films and utilization of evaporation materials |
CN104988463B (zh) * | 2015-06-24 | 2018-11-06 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种加热源及有机发光二极管的蒸镀机 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR1164034A (fr) * | 1956-12-27 | 1958-10-06 | Perfectionnements aux creusets pour le dépôt de couches métallisées | |
US4217855A (en) * | 1974-10-23 | 1980-08-19 | Futaba Denshi Kogyo K.K. | Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device |
JPS523583A (en) * | 1975-06-27 | 1977-01-12 | Toshinori Takagi | Crystal film forming process |
DE3502902A1 (de) * | 1984-01-31 | 1985-08-08 | Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba | Ionenstrahl-aufdampfvorrichtung |
JPS6293368A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 蒸発源 |
JPS6353259A (ja) * | 1986-08-22 | 1988-03-07 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成方法 |
EP0285625B1 (de) * | 1986-10-15 | 1991-06-26 | Hughes Aircraft Company | Verfahren und anlage zur filmabscheidung unter verwendung leicht flüchtiger cluster |
US4856457A (en) * | 1987-02-20 | 1989-08-15 | Hughes Aircraft Company | Cluster source for nonvolatile species, having independent temperature control |
US4833319A (en) * | 1987-02-27 | 1989-05-23 | Hughes Aircraft Company | Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters |
JP2619068B2 (ja) * | 1989-09-08 | 1997-06-11 | 三菱電機株式会社 | 薄膜形成装置 |
-
1992
- 1992-07-30 DE DE4225169A patent/DE4225169C2/de not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-06-25 JP JP5179856A patent/JP2989432B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-29 US US08/099,358 patent/US5432341A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-07-29 KR KR1019930014547A patent/KR940001944A/ko not_active Application Discontinuation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2989432B2 (ja) | 1999-12-13 |
DE4225169A1 (de) | 1994-02-03 |
KR940001944A (ko) | 1994-02-16 |
US5432341A (en) | 1995-07-11 |
JPH06184737A (ja) | 1994-07-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4225169C2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur Erzeugung von Agglomeratstrahlen | |
DE3885706T2 (de) | Magnetron-Bedampfungssystem zum Ätzen oder Niederschlagen. | |
EP0442163B1 (de) | Verfahren zum Herstellen von ultrafeinen Partikeln und deren Verwendung | |
EP0503748B1 (de) | Verfahren zum Erzeugen von Ionen, insbesondere für ein Massenspektrometer, wie Flugzeitmassenspektrometer, aus thermisch instabilen, nichtflüchtigen grossen Molekülen | |
DE3502902C2 (de) | ||
DE102004036441B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Dosieren von Targetmaterial für die Erzeugung kurzwelliger elektromagnetischer Strahlung | |
DE2547552A1 (de) | Schichtaufdampfeinrichtung und -verfahren | |
DE2805247C2 (de) | Vorrichtung zur Herstellung von Verbindungshalbleiter-Dünnschichten | |
DE2845074A1 (de) | Verfahren zum aetzen eines einer elektrode gegenueberliegenden substrats mit aus einem quellmaterial stammenden negativen ionen und dafuer geeignetes quellmaterial | |
DE102013209447A1 (de) | Röntgenquelle und Verfahren zur Erzeugung von Röntgenstrahlung | |
DE4142103C2 (de) | Vorrichtung zur ionenclusterstrahl-bedampfung | |
DE1922871A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Ionenerzeugung | |
DE68919671T2 (de) | Universelle Kaltkathoden-Ionenerzeugungs- und -beschleunigungsvorrichtung. | |
DE2754191A1 (de) | Verfahren zur energieuebertragung auf ein reaktionsfaehiges material mit einem gehalt an einem feststoffe enthaltenden fliessfaehigen medium mittels einer freibrennenden lichtbogenentladung sowie vorrichtung zum einbringen eines feststoffe enthaltenden fliessfaehigen mediums in eine lichtbogensaeule | |
EP0437890A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von mehrkomponentigen Materialien | |
DE1298381B (de) | Bedampfungseinrichtung zur Herstellung duenner Schichten | |
DE69314770T2 (de) | Reaktives Abscheidungsverfahren mittels ionisiertem Cluster-Strahl | |
DE19600993A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zur anodischen Verdampfung eines Materials mittels einer Vakuumlichtbogenentladung | |
EP0729520B1 (de) | Verfahren zur innenwandbeschichtung von hohlköpern, insbesondere kleiner abmessungen | |
EP0389506B1 (de) | Verfahren zum erzeugen dünner schichten aus hochschmelzendem oder bei hoher temperatur sublimierendem material welches aus unterschiedlichen chemischen verbindungen zusammengesetzt ist auf einem substrat | |
WO2004028219A1 (de) | Flüssigkeitsfalle zum auffangen von flüssigkeiten in einer vakuumeinrichtung | |
DE102019134531A1 (de) | Beschichtungsanordnung und Verfahren | |
DE1521561A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Auftragen duenner Schichten | |
DE102010029689B4 (de) | Elektronenstrahlverdampfer und dazugehöriges Betriebsverfahren | |
DE3801957A1 (de) | Verfahren und einrichtung zur verdampfung mittels bogenentladungsverdampfer |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |