JPH06184737A - 凝集塊ビームの発生方法と装置 - Google Patents

凝集塊ビームの発生方法と装置

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JPH06184737A JP5179856A JP17985693A JPH06184737A JP H06184737 A JPH06184737 A JP H06184737A JP 5179856 A JP5179856 A JP 5179856A JP 17985693 A JP17985693 A JP 17985693A JP H06184737 A JPH06184737 A JP H06184737A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 可能な被覆速度を数桁上昇できかつ基板表面
上への凝集塊衝突の期待される有利な作用を実現できる
ような、凝集塊の強力なビームを発生させる方法及び装
置を提供する。 【構成】 蒸気をるつぼ９からノズル１０を通って膨張
させることにより、高沸点物質８の約１０００個程度の
原子を含む凝集塊のビームを発生させるために、るつぼ
９のノズル１０が約３°ないし３０°の範囲内の開口角
を備え数ｍｍないし数十ｍｍの長さの発散形出口部分を
有し、約０．２ｍｍないし約１．０ｍｍの範囲の一番狭
いノズル内法の場合にノズル前室内の蒸気圧が少なくと
も２００ｈＰａに調節される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は高沸点材料の数百ない
し数千個の原子から成る凝集塊の強力なビームを発生さ
せるための方法及び装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】特にイオン化されかつ電気的に加速され
た凝集塊を含む原子凝集塊のビームの利用は、薄膜の析
出のためにこの技術分野でかなり前から研究されている
（タカギ（T. Takagi ）、ヤマダ（I. Yamada ）、クノ
イ（M. Kunoi）、コビヤマ（S.Kobiyama ）の論文、
「イオン源についての第２回国際会議議事録」ウィー
ン、１９７２年、第７９０〜７９６ページ及びドイツ連
邦共和国特許出願公告第2547552 号明細書参照）。
【０００３】個々の原子から成るビームに比べて凝集塊
ビームは、比較的高いマスフロー密度を特に加速されイ
オン化された凝集塊によって供給し、また衝突の運動エ
ネルギーが適当な場合には基板温度が低いときでも基板
との特に密接な結合をもたらすことが期待される。
【０００４】ドイツ連邦共和国特許出願公告第2547522
号明細書から、被覆しようとする材料が高真空中でノズ
ル開口を除いて閉じられたるつぼに入れて加熱され、そ
して蒸発させられ、ノズルからの噴出の際に断熱膨張に
基づき冷却され、原子凝集塊となるように凝縮されるよ
うな蒸着装置が知られている。ドイツ連邦共和国特許第
2628366 号又は同第3502902 号明細書には、その際約１
０-2ｈＰａないし数ｈＰａのノズル前圧がるつぼ内で用
いられることが記載されている。
【０００５】しかしながら相応の市販もされている設備
により発生させられるビームの最近の研究により、これ
らのビームは実際上約２５個以上の原子を含む凝集塊の
検出限界を超える割合を含まないことが明らかとなった
（ブラウン（W.L. Brown）、ジャロルド（M.S. Jarrol
d）、マクイーチャン（R.L. McEachern）、ソスノフス
キー（M. Sosnowski）、タカオカ（G. Takaoka）、ウス
イ（H. Usui ）、ヤマダ（I. Yamada ）の論文、「ニュ
ークレア インストルーメンツ アンド メソッズ イ
ン フィジックス リサーチ（Nuclear Instruments an
d Methods in Physics Research ）」第Ｂ５９／６０
巻、１９９１年、第１８２〜１８９ページ及びターナ
（D. Turner ）、シャンクス（H. Shanks ）の論文、
「ジャーナル オブ アプライド フィジックス（Jour
nal of Applied Physics）」第７０巻、１９９１年、第
５３８５〜５４００ページ参照）。従ってこの種のビー
ムのイオン化及び加速の析出層に対する効果はイオン化
された個々の原子だけに由来するにすぎないであろう。
このことは、達成された被覆速度が毎秒０．１ｎｍの層
厚の範囲内にあるにすぎず、従って従来の分子線エピタ
キシーにより達成可能な被覆速度に相応する、という事
実と一致している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】この発明の課題は、可
能な被覆速度を数桁上昇できかつ基板表面上への凝集塊
衝突の期待される有利な作用を実現できるような、凝集
塊の強力なビームを発生させる方法及び装置を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】方法についてのこの課題
はこの発明に基づき、凝集させようとする物質の蒸気を
加熱したるつぼから一つ又は複数のノズルを通って膨張
させることにより、高沸点物質の約１０００個程度の原
子を有する凝集塊のビームを発生させる方法において、
ノズル又は複数のノズルのうちの少なくとも一つが約３
°ないし３０°の範囲の開口角を備え数ｍｍないし数十
ｍｍの長さの発散形の出口部分を有し、約０．２ｍｍな
いし約１．０ｍｍの範囲の一番狭いノズル内法の場合に
ノズル前室内の蒸気圧が少なくとも約２００ｈＰａに調
節されることにより解決される。
【０００８】その際ノズル前圧はノズル喉が狭いほどま
たノズルの開口角が大きいほど一層高く選ぶべきであ
る。ノズル前圧、最も狭いノズル内法及び開口角の逆数
から成る積は高沸点材料の場合に少なくとも約２０ｈＰ
ａ・ｍｍ／°とすべきである。
【０００９】この値の調節のためには常に従来技術に基
づき通常用いられるより明らかに高いるつぼ温度が必要
である。従って温度の４乗で増加する熱放散損もまた特
にノズル領域で著しく増大する。他方ではるつぼ材料を
介しての温度補償は、数少ない十分に高融点のるつぼ材
料の比較的悪い熱伝導率のゆえに困難であるので、側面
のるつぼ壁からノズル喉の範囲へのかなりの温度低下が
生じるおそれがある。
【００１０】この種の温度勾配は、最も狭いノズル断面
への到達前にノズル内壁での蒸気の早すぎる部分的な凝
縮を招くおそれがある。例えばビーム材料としての多く
の金属とノズル材料としての黒鉛との場合に起こるよう
に、融解ビーム材料がノズル材料を濡らさないときに
は、ノズル内壁に沈積する蒸気がｍｍ域以内の半径を有
する小さい滴を形成し、この滴は蒸気密度が比較的高い
場合に蒸気によりノズルから運び出される（グスパン
（J. Gspann ）の論文、「ニュークレア インストルー
メンツ アンド メソッズ（Nuclear Instruments and
Methods ）」第Ｂ３７／３８巻、１９８９年、第７７５
〜７７８ページ参照）。基板上へのこの種の滴の沈積は
成長する層の均一性を破壊して層を使用不能にする。
【００１１】従ってこの発明に基づく方法の有利な構成
では融解材料により濡らされるノズル材料が選ばれる。
例えば亜鉛蒸気の膨張のためのタンタル製ノズルによ
り、黒鉛製ノズルによるより著しく少ない滴形成が観察
された。
【００１２】この発明に基づく方法の別の有利な構成の
場合には、ノズル領域が蒸発する材料の表面温度以上で
ある温度に常に保持される。るつぼ底は同様にヒートシ
ンクであるので、このことは例えばるつぼの適当な充填
高さにより達成することができる。
【００１３】装置についての課題はこの発明に基づき、
ノズルの出口部分が貫通孔付きキャップによりるつぼを
囲む加熱要素又はその一部と結合され、加熱要素の上縁
がるつぼと同じ電位に置かれることにより達成される。
装置は加熱要素自体がノズルの出口部分と結合されるよ
うに構成することもできる。
【００１４】この発明に基づく装置の別の構成では、ノ
ズルの出口部分が場合によっては全長にわたり前記加熱
要素を囲む貫通孔付きキャップと結合される。この構成
はヒータ上縁の電位がどこもノズルの電位と等しくない
ときに選択される。ノズル喉の範囲のための放射シール
ドとしての作用のほかに、キャップはこの場合に凝集塊
を含みノズル開口から放出されるビームをヒータから熱
的に放出される電子に対し遮蔽する。ノズルに対する電
位差に基づき電子は自由な原子又は凝集塊をイオン化す
るのに十分なエネルギーを得ることができる。生じるプ
ラズマは強力な凝集塊ビームの発生に対して有害である
と思われる。
【００１５】最後にこの発明に基づく装置の別の構成で
は、キャップを経てノズルへそしてるつぼを通る直接通
電により加熱を行うこともできる。
【００１６】ノズルの断面は円形でなくともよい。有効
な喉内法としてこの場合には断面の最も狭い内法を用い
ることができる（亜鉛凝集塊ビームが既に正方形断面の
ノズルにより発生させられている）。円形でないノズル
断面はノズル加工の際に特に非常に小さい開口角を有す
るノズルの場合に利点を提供する。
【００１７】この発明に基づく装置の特に有利な構成で
は、ノズルを通って流れる蒸気に十分な膨張空間を提供
するために、ノズル開口と後置されたビーム絞りとの間
にノズルの発散性出口部分の長さの約３倍の比較的大き
い距離が設定される。ビーム絞りの孔は、ノズルの開口
角により幾何学的に決定されるビーム円錐が絞りの位置
で許すような広さに選ぶことができる。絞りの過度の被
覆を防止するか又は減少させるために、絞りは場合によ
っては別個に加熱することもできる。
【００１８】
【実施例】次にこの発明に基づく凝集塊ビーム発生装置
の複数の実施例を示す図面により、この発明を詳細に説
明する。
【００１９】高真空室中には薄膜析出のために強力な凝
集塊ビームを発生させるための図１に示された設備が設
けられる。設備は凝集塊ビーム発生のための装置１、可
動な基板保持体上に設けられた基板２、及び円錐形ビー
ム絞り４を備え冷却されたターゲット面３を備える。基
板の前では別のビーム絞り５及びビームシャッタ６をビ
ーム中へ送り込むことができる。絞り５を含む基板保持
装置は、放射凝集塊のサイズ及び速度を測定できる飛行
時間形質量分析計７により置き替えることができる。凝
集塊のイオン化及び加速のための従来技術による装置を
用いることができるが、図１には示されていない。
【００２０】蒸発させようとする材料８はこの場合には
黒鉛から成るるつぼ９の中に入れられ、るつぼは黒鉛又
は高融点金属例えばタンタルから成りねじ止め可能なノ
ズル１０により閉鎖される。ヒータ１１はこの場合には
加熱電流を通す二重の黒鉛コイルから成る。コイルの上
縁の電位はこの場合には大地電位に等しいるつぼの電位
に設定できる。同様に黒鉛から成り孔の開いたキャップ
１２がヒータ上に載せられ、熱的及び電気的にノズル１
０の出口部分への結合を形成するが、この結合では電位
が同じであるゆえに電流は生じない。
【００２１】キャップ１２と共に加熱装置１１は、高融
点の放射シールド並びに水冷の外被の多層の装置により
囲まれている。図１ではこの装置は著しく簡略化して放
射シールド２２として示されている。このシールド２２
の上側部分は約８０°〜１５０°の開口角を備えて円錐
状に開いている。ノズル１０の開口と円錐形絞り４の入
口孔との間には約９０ｍｍ（少なくとも約２０ｍｍ）の
距離が設定される。ノズル１０を通って膨張する蒸気の
主な量は冷却された面３、４上に沈積する。
【００２２】ビーム絞り４の孔はノズル１０の開口角に
より幾何学的に決定されるビーム円錐を通過させるよう
に選ばれている。
【００２３】図２は、飛行時間形質量分析計７により記
録された亜鉛凝集塊ビームの飛行時間信号を示す。約２
μｓ間の凝集塊の電子衝撃イオン化は、電子層１３とタ
ーゲット１４との間の経路上を種々の凝集塊速度に基づ
き時間的にばらばらに走る凝集塊団パルスをもたらし
た。加速経路１５で電気的に加速されなければ上側の飛
行時間信号が生じ、この信号から約１ｋｍ／ｓの平均の
凝集塊速度を計算でき、他方では負の加速電圧は凝集塊
をより速く（中央の信号）、また正の加速電圧はより遅
く（下側の信号）ターゲットへぶつからせる。信号移動
から計算された平均のクラスタサイズは中央の曲線から
下側の曲線へフランクリン当たり２３４０個から４４８
０個の原子へ上昇している。なぜならばるつぼ温度従っ
てノズル前圧が測定中に増したからである。
【００２４】図３には、ノズル開口から３００ｍｍの距
離を置いてスリット絞り５の後方を通過させたシリコン
ウェーハ上に析出された亜鉛層の測定層厚が示されてい
る。ウェーハの移動速度は層がそれぞれ１０秒で析出さ
れるように選ばれた。従って図３から約０．１μｍ／ｓ
の平均被覆速度が推論され、この被覆速度は従来の技術
に相応する設備の場合に通常得られる速度より約３桁大
きい。
【００２５】図４には、加熱要素がノズル１０の出口部
分と直接結合され加熱コイルのスリットが加熱要素１１
のキャップ部分で初めて終わるような、この発明に基づ
く装置の一実施例が示されている。それによりこのキャ
ップ部分も電流により貫流され加熱される。図示の有利
な実施例ではキャップ部分のスリットは、ノズル喉の範
囲から放射がるつぼ軸線に対し平行に漏れ出るおそれが
ないようにるつぼ軸線に対し傾けて導かれる。
【００２６】図５には、加熱要素の上縁の電位がどこも
るつぼの電位と等しくない場合のための、この発明に基
づく装置の一実施例が示されている。この場合にはヒー
タはノズル１０の出口部分に接触する貫通孔付きキャッ
プ１６により囲まれ、キャップ１６は加熱要素の軸方向
全長にわたり延びることができる。この発明に基づく装
置のこの構成は、例えばるつぼ加熱が特に電子衝撃を介
して行われ、従って大きい電圧がこの場合には電子エミ
ッタとして働く加熱コイルとつるぼとの間に印加される
ときにも用いられる。キャップの下側部分の温度上昇を
低減するために、電子エミッタ１７の電位に置かれた反
射カバー１８を用いることができる。
【００２７】複数のノズルを備える装置の場合には中心
のビーム方向を相互に傾けることができ、それによりビ
ーム方向は例えば扇形に広がって延びるか又は強度向上
のために一つの焦点で交差する。この種のノズル装置に
より同時に基板上への凝集塊の種々の衝突角度を実現す
ることができ、それによりパターン縁により覆い隠され
た場合に利点が生じる。三角形断面を備え流れ方向が集
中する四つのノズルにより実現される装置の一例が図６
に示されている。ノズルはノズル喉から深くなっていく
切欠き１９として僅かに円錐形の芯部２０に切り込ま
れ、この芯部２０上に滑らかなテーパ付きカバー２１が
押しはめられる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明に基づく凝集塊ビーム発生装置の一実
施例の構成配置図。
【図２】この発明により得られた亜鉛凝集塊ビームの飛
行時間信号線図。
【図３】図１に示す装置の基板上に蒸着された亜鉛層の
一例の厚さ分布線図。
【図４】凝集塊ビーム発生装置の異なる実施例の側面
図。
【図５】凝集塊ビーム発生装置の異なる実施例の断面
図。
【図６】凝集塊ビーム発生装置の異なる実施例の部分破
断部を含む斜視図。
【符号の説明】
３ 面 ４ ビーム絞り ８ 高沸点物質 ９ るつぼ １０、１９ ノズル １１、１７ 加熱要素 １２、１６ キャップ

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 凝集させようとする物質の蒸気を加熱し
    たるつぼから一つ又は複数のノズルを通って膨張させる
    ことにより、高沸点物質の約１０００個程度の原子を含
    む凝集塊のビームを発生させる方法において、ノズル又
    は複数のノズルのうちの少なくとも一つが約３°ないし
    ３０°の範囲の開口角を備え数ｍｍないし数十ｍｍの長
    さの発散形の出口部分を有し、約０．２ｍｍないし約
    １．０ｍｍの範囲の一番狭いノズル内法の場合にノズル
    前室内の蒸気圧が少なくとも約２００ｈＰａに調節され
    ることを特徴とする凝集塊ビームの発生方法。
  2. 【請求項２】 ノズル前圧、ノズル内法及び開口角の逆
    数から成る積が少なくとも２０ｈＰａ・ｍｍ／°の値に
    調節されることを特徴とする請求項１記載の方法。
  3. 【請求項３】 それぞれ蒸発させようとする融解材料に
    より濡らされるノズル材料が選択されることを特徴とす
    る請求項１又は２記載の方法。
  4. 【請求項４】 るつぼの充填高さは蒸発している表面の
    温度が常にノズル喉の温度以下であるように選ばれるこ
    とを特徴とする請求項１ないし３の一つに記載の方法。
  5. 【請求項５】 ノズル又は複数のノズルのうちの少なく
    とも一つが円ではない断面を有することを特徴とする請
    求項１ないし４の一つに記載の方法。
  6. 【請求項６】 複数のノズルの軸線が特に一つの焦点で
    交差するように相互に傾けられていることを特徴とする
    請求項１ないし５の一つに記載の方法。
  7. 【請求項７】 ノズルの出口部分が貫通孔付きキャップ
    によりるつぼを囲む加熱要素又はその一部と結合され、
    加熱要素の上縁がるつぼと同じ電位に置かれることを特
    徴とする請求項１ないし６の一つに記載の方法を実施す
    るための装置。
  8. 【請求項８】 加熱要素自体の上部がノズル出口部分と
    結合されていることを特徴とする請求項７記載の装置。
  9. 【請求項９】 ノズルの出口部分が、場合によっては全
    面的に加熱要素を囲む貫通孔付きキャップと結合されて
    いることを特徴とする請求項１ないし６の一つに記載の
    方法を実施するための装置。
  10. 【請求項１０】 加熱が前記キャップを経てノズルへそ
    してるつぼを通る直接通電により行われることを特徴と
    する請求項１ないし６の一つに記載の方法を実施するた
    めの装置。
  11. 【請求項１１】 ノズルを通って流れる蒸気が特に冷却
    された面（３）により捕捉されることを特徴とする請求
    項１ないし６の一つに記載の方法を実施するための装
    置。
  12. 【請求項１２】 ノズル開口とビーム絞り（４）の入口
    孔との間に少なくともノズル（１０）の発散形出口部分
    の長さの距離が設定されることを特徴とする請求項１な
    いし６の一つに記載の方法を実施するための装置。
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DE (1) DE4225169C2 (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003502494A (ja) * 1998-11-12 2003-01-21 フレックス プロダクツ インコーポレイテッド 直線開口蒸着装置および被覆方法
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム
JP2008150649A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Tokki Corp 真空蒸着装置
JP2011060865A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Optorun Co Ltd リニア蒸着源とその使用方法、成膜装置並びに成膜方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5820681A (en) * 1995-05-03 1998-10-13 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion cell employing such a crucible
US5827371A (en) * 1995-05-03 1998-10-27 Chorus Corporation Unibody crucible and effusion source employing such a crucible
US5698168A (en) * 1995-11-01 1997-12-16 Chorus Corporation Unibody gas plasma source technology
BE1010351A6 (fr) * 1996-06-13 1998-06-02 Centre Rech Metallurgique Procede et dispositif pour revetir en continu un substrat en mouvement au moyen d'une vapeur metallique.
WO2000046418A1 (de) * 1999-02-05 2000-08-10 Applied Films Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum beschichten von substraten mit einem materialdampf im unterdruck oder vakuum mit einer materialdampfquelle
KR100490537B1 (ko) * 2002-07-23 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 가열용기와 이를 이용한 증착장치
US20050022743A1 (en) * 2003-07-31 2005-02-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Evaporation container and vapor deposition apparatus
EP1752555A1 (de) * 2005-07-28 2007-02-14 Applied Materials GmbH & Co. KG Verdampfervorrichtung
ES1065325Y (es) * 2007-05-03 2007-10-16 Peron Antonio Vilar Baston andador para bebes
DE102010055285A1 (de) * 2010-12-21 2012-06-21 Solarion Ag Photovoltaik Verdampferquelle, Verdampferkammer und Beschichtungsverfahren
KR20120140148A (ko) * 2011-06-20 2012-12-28 엘지이노텍 주식회사 증착 장치 및 박막 형성 방법
DE102013012471A1 (de) * 2013-07-26 2015-01-29 Createc Fischer & Co. Gmbh Verdampfer und Verfahren zur Schichtabscheidung im Vakuum
CN104078626B (zh) * 2014-07-22 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 用于oled材料蒸镀的加热装置
US9783881B2 (en) * 2014-08-12 2017-10-10 National Chung-Shan Institute Of Science And Technology Linear evaporation apparatus for improving uniformity of thin films and utilization of evaporation materials
CN104988463B (zh) * 2015-06-24 2018-11-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种加热源及有机发光二极管的蒸镀机

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6293368A (ja) * 1985-10-17 1987-04-28 Mitsubishi Electric Corp 蒸発源

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR1164034A (fr) * 1956-12-27 1958-10-06 Perfectionnements aux creusets pour le dépôt de couches métallisées
US4217855A (en) * 1974-10-23 1980-08-19 Futaba Denshi Kogyo K.K. Vaporized-metal cluster ion source and ionized-cluster beam deposition device
JPS523583A (en) * 1975-06-27 1977-01-12 Toshinori Takagi Crystal film forming process
DE3502902A1 (de) * 1984-01-31 1985-08-08 Futaba Denshi Kogyo K.K., Mobara, Chiba Ionenstrahl-aufdampfvorrichtung
JPS6353259A (ja) * 1986-08-22 1988-03-07 Mitsubishi Electric Corp 薄膜形成方法
JPH0765166B2 (ja) * 1986-10-15 1995-07-12 ヒユーズ・エアクラフト・カンパニー 揮発性クラスタを使用した薄膜の被着方法および装置
US4856457A (en) * 1987-02-20 1989-08-15 Hughes Aircraft Company Cluster source for nonvolatile species, having independent temperature control
US4833319A (en) * 1987-02-27 1989-05-23 Hughes Aircraft Company Carrier gas cluster source for thermally conditioned clusters
JP2619068B2 (ja) * 1989-09-08 1997-06-11 三菱電機株式会社 薄膜形成装置

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6293368A (ja) * 1985-10-17 1987-04-28 Mitsubishi Electric Corp 蒸発源

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003502494A (ja) * 1998-11-12 2003-01-21 フレックス プロダクツ インコーポレイテッド 直線開口蒸着装置および被覆方法
JP2007046100A (ja) * 2005-08-09 2007-02-22 Sony Corp 蒸着装置、および表示装置の製造システム
JP2008150649A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Tokki Corp 真空蒸着装置
JP2011060865A (ja) * 2009-09-07 2011-03-24 Optorun Co Ltd リニア蒸着源とその使用方法、成膜装置並びに成膜方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR940001944A (ko) 1994-02-16
DE4225169C2 (de) 1994-09-22
DE4225169A1 (de) 1994-02-03
JP2989432B2 (ja) 1999-12-13
US5432341A (en) 1995-07-11

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