JPS6293368A - 蒸発源 - Google Patents

蒸発源

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Publication number
JPS6293368A
JPS6293368A JP23265685A JP23265685A JPS6293368A JP S6293368 A JPS6293368 A JP S6293368A JP 23265685 A JP23265685 A JP 23265685A JP 23265685 A JP23265685 A JP 23265685A JP S6293368 A JPS6293368 A JP S6293368A
Authority
JP
Japan
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nozzle
substrate
vapor
evaporation source
angle
Prior art date
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Pending
Application number
JP23265685A
Other languages
English (en)
Inventor
Takashi Tsukasaki
塚崎 尚
Kenichiro Yamanishi
山西 健一郎
Masashi Yasunaga
安永 政司
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
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Publication of JPS6293368A publication Critical patent/JPS6293368A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24Vacuum evaporation
    • C23C14/243Crucibles for source material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、例えば薄膜魚屑装置t等に用いる蒸発源、
と(にその蒸着効率の向上に関するものである。
〔従来の技術〕
第4図は例えは特開昭fi4−9592号公報に示され
た従来の蒸発源を示す断面図であり、図4こおいて、(
1)はるつぼ、(2)は該るつぼ(1)を加熱するため
の加熱用フィラメン? 、+3)は上記るつぼ(1)の
ふた、(4)は該ふた13)に設けられた円筒ノズル、
(5)は蒸着物質、(6)は該蒸着物質(5)の蒸気、
(7)は該蒸着物質(5)のクラスタ、(8)はクラス
タ(7)より成るクラスタビーム、(9)は基板である
次に動作について説明する。上記構成1こおいて、加熱
用フィラメント(2)に通電して発熱せしめ、該加熱用
フィラメント(2)からの輻射熱により、または該フィ
ラメント(2)から放出される熱電子をるつぼ(1)に
衝突させること、即ち電子衝撃によって、該るつは(1
)を加熱せしめ1、該るつぼ(1)内の蒸着物質(5)
を蒸発させる。そして該るつぼ11)内に発生した蒸着
物質(5)の蒸気(6)の圧力が0.1〜10 Tor
rlこ達すると、該蒸気(6)ハ円筒ノズル(4)から
噴出される。
この際に蒸気(6)は圧力差による断熱膨張1こより凝
縮され、クラスタと呼ばれる数10〜数1000個程度
の電子が緩く結合した塊状原子集団か形成される。この
クラスタ(1)が基板(9)上での薄膜形成に用いられ
る。
第5図は上記のような従来の蒸発源を用い゛C基板−t
1こ形成したA3薄膜の膜厚分布を測だしfコ結果であ
る。
図の横軸は、蒸気の噴出角度をOとして、tanθで基
板上の位置を表わしたものである。なお、これは基板と
ノズルの距離を100mmとした場合の実験値である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
この第5図かられかるように、従来の蒸発源を用いて蒸
着した薄膜は膜厚分布が急峻で、膜厚の均一な領域が狭
いという問題があった。例えは、蒸着中心の膜厚の80
係以辷の膜厚を有する領域は、tanθで0.25、す
なわち1噴出角Oで約14°ソで1C過ぎない。またこ
の領lj+1!今一蒸着に利用した場合の蒸着効率の実
験値Cま約17優であり、従来の蒸発源によると蒸着効
率が低いという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消する1こめになさ
れたもので、蒸着する薄膜の膜厚の均−l、【領域を大
きくできるととも1こ、蒸着効率が高い蒸発源を得るこ
とを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
この発明に係る蒸発源11−ノズルが基板に向って末広
がりの拡大部を有する構造としたものである0 〔作 用〕 この発明1こ旧けるノズルは、噴出する蒸着物質の蒸気
の指向性を高めて、クラスタビームの拡がりをおさえて
、基板の広い範囲一こ均一にクラスタビームを向かわせ
る。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明の一実施例による蒸発源を示す断面図であ
り、図中、紀4図と同一符号は同一部分を示す。図にお
いて、(10a)は基板(9)に向って末広がりのノズ
ル拡大部、(10b)はノズル内部より拡大部(10a
)の細部側に向って縮小するノズル縮小部であり、該ノ
ズル拡大部(10a)およびノズル縮小部(10b)に
より縮小拡大ノズルOQが構成されているO なお、ノズル拡大部(10a)とノズル縮小部(10b
 )の接合部の直径は、(151〜3絹、好ましくは1
〜21とするのが適当である。ノズル拡大部(10a)
の長さは、2〜15II1ml、野望しくは3〜10M
、角度は半角で5°〜30°、好家しくは10”−20
’とするのが適当である。
ノズル縮小部(10b)の長さは、1〜6IIll、好
家しくは2〜4寵、角度は、半角で10Q45°、野猿
しくは20°〜30°とするのが適当である。
次に動作について説明する。
るつぼCI)内で発生した蒸着物質の蒸気(6)は、ノ
ズル縮小部(10b)、ノズル拡大部(10a)を順次
通過(7て、指向性が高められつつなめらかに断熱膨張
する。特にノズル拡大部(10a)は、噴出蒸気の不要
な拡がりを押さえ、基板の広い範囲に均一にクラスタビ
ームを到達させる。このため、基板に蒸着される薄膜と
しては膜厚の均一な領域が広いものが得られる。これに
よりクラスタビームのうち蒸着に有効に利用されるビー
ムの割合が大きくなって。
蒸着効率が向上する。
第2図1才、第1図1こ示した、実施例の蒸発源を用い
て基板よに蒸着したへ9薄膜の膜厚分布を測定した結果
である。これは基板とノズルの距離を100鵡とした場
合の実験値である。この第2図かられかるように、上記
実施例の蒸発源を用いて蒸着した薄膜は、膜IJの均一
な領域が広い。例えば、蒸着中心の膜厚の804以上の
膜厚を有する部分は。
tanθで0.33、噴出角θに換算すると18°以上
にまで達しており、この領域の面積は従来例の約2倍に
拡大されている。また、この領域を蒸着に利用した場合
の蒸着効率の実験値は約33俤であり、従米例のほぼ2
倍の効率が得られた。
fSオ、上記実施例では、縮小拡大ノズル(11のノズ
ル拡大部(10a)、ノズル縮小部(1(lh));j
ともに円錐状であるものを示しノ゛こが、円転放物面状
、あるいCまfloの曲面状であつ−Cも円錐の一部に
頌似しTこ形状であれは、上記実施例と同様の初J宋を
奏する0また、]二記実施f11ではノズル拡大部(1
0a)とノズル縮小部(lllb)は接しているか、第
3図に示すように、ノズル拡大部(1na)とノズル縮
小部(10b)の間に同一径の短い円筒部(1(lc)
を設けて、ノズルの最小内径が精Ifよく維持できるよ
うにした縮小拡大ノズルで、5つでもよい。
また、を記実施例では縮小拡大ノズルを用いた場合を示
し1こが、ノズルの縮小部を省略し、拡大部のみとして
も、拡大部の長さと拡がり角を適当にK1.il uす
ること−こより同様の効果が期待できる。
よ1こ、ha己実施例ではノズルを一個であるものを示
したが、複数個設けたものでもよい。
また、1一記実施例ではクラスタ(7)のイオン化や加
、唄を・% lこ行わ1.Cいものを示しfこか、蒸発
源と基板との量感こイオン化手段、加速手段を設けたク
ラスタ・イオンビーム蒸着に適用しても、上記実施例と
同様の効果を奏する。通常の真空蒸着やイオングレーテ
ィング用の蒸発源にもこの発明は適用できる。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明蕃こよれば基板−こ向って末広
がりの拡大部を有するノズルを用いて蒸発源を構成した
ので、蒸着される薄膜としては膜厚の均一な領域が広い
ものがイυられるという効果がある。また、高い蒸着効
率が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による蒸発源を示す断面図
、第2図はこの発明の一実施例による蒸発源を用いて蒸
着した膜の膜厚分布を示す分布図。 第3図はこの発明の他の実施例による蒸発源の主要部を
示す断面図、第4図は従来の蒸発源を示す断面図、及び
第5図は従来の蒸発源を用いて蒸着した膜の膜厚分布を
示す分布図である。 図において、11)・・・るつぼ、(5)・・・i 着
物w、(6)・・・蒸気、(9)・・・基板、01・・
・ノズル、(10a)・・・拡大部。 (10b)・・・縮小部、(IOc’)・・・筒部。 r、Hお、図中同−祠号は同一、又は相当部分を示ず0

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)基板に蒸着すべき蒸着物質を内部に保持すると共
    に、この蒸着物質を加熱し、蒸気化して、上記蒸着物質
    の蒸気をノズルを通して噴出させるものにおいて、上記
    ノズルは上記基板に向つて末広がりの拡大部を有するこ
    とを特徴とする蒸発源。
  2. (2)ノズルは、内部より拡大部の細部側に向つて縮小
    する縮小部を有する特許請求の範囲第1項記載の蒸発源
  3. (3)拡大部と縮小部とが接する特許請求の範囲第2項
    記載の蒸発源。
  4. (4)拡大部と縮小部の間に同一径の筒部を有する特許
    請求の範囲第2項記載の蒸発源。
  5. (5)ノズルの拡大部は円すい状である特許請求の範囲
    第1項ないし第4項のいずれかに記載の蒸発源。
  6. (6)ノズルの縮小部は円すい状である特許請求の範囲
    第2項ないし第5項のいずれかに記載の蒸発源。
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