JPS5842770A - 蒸発源からの蒸気流を阻止する装置 - Google Patents
蒸発源からの蒸気流を阻止する装置Info
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- JPS5842770A JPS5842770A JP14092581A JP14092581A JPS5842770A JP S5842770 A JPS5842770 A JP S5842770A JP 14092581 A JP14092581 A JP 14092581A JP 14092581 A JP14092581 A JP 14092581A JP S5842770 A JPS5842770 A JP S5842770A
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- Japan
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- slit
- light beam
- vapor
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/52—Means for observation of the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、蒸着装置における蒸発源からの蒸気が光ビー
ム導入窓等に付着するのを防止するため蒸気流を阻止す
る装置に関する。
ム導入窓等に付着するのを防止するため蒸気流を阻止す
る装置に関する。
一般に、真空蒸着、イオンシレーティング、電子ビーム
蒸着、ス・やツタ蒸着等の装置において、蒸発源からの
蒸発物質は単に基板方向のみに進行するのではなく、全
方向に飛散する。従って、蒸発源を観察するためにベル
ジャに設けた窓等にも当然蒸発物質が飛来してガラス等
の窓材に付着するので、観察が妨害されることになる。
蒸着、ス・やツタ蒸着等の装置において、蒸発源からの
蒸発物質は単に基板方向のみに進行するのではなく、全
方向に飛散する。従って、蒸発源を観察するためにベル
ジャに設けた窓等にも当然蒸発物質が飛来してガラス等
の窓材に付着するので、観察が妨害されることになる。
特に、窓を通してレーザー光や太陽光等の光ビームを導
入し、そのエネルギーによって蒸着材料を蒸発させる場
合、蒸発した物質が窓材に付着し、その膜厚の増加１従
って、そこでの光エネルギーの吸収、反射、偏光等が起
こるため、蒸発源への到達エネルギーが減少し、このよ
うなことから光ビーム蒸着は実際上、極めて困難であっ
た。
入し、そのエネルギーによって蒸着材料を蒸発させる場
合、蒸発した物質が窓材に付着し、その膜厚の増加１従
って、そこでの光エネルギーの吸収、反射、偏光等が起
こるため、蒸発源への到達エネルギーが減少し、このよ
うなことから光ビーム蒸着は実際上、極めて困難であっ
た。
本発明は、上記従来技術の問題を解決するために、導入
光ビームを集光するレンズの焦点もしくはその近傍に光
ビームが通過するスリットを設けるとともに、このスリ
ットと窓との間で気体の流ｎを発生させ、この気体の流
ｎによって、前記スリットを通って窓方向に入射する蒸
気流を阻止するようにした、蒸発源からの蒸気流を阻止
する装置を提供するものである。以下、図面により実施
例を詳細に説明する。
光ビームを集光するレンズの焦点もしくはその近傍に光
ビームが通過するスリットを設けるとともに、このスリ
ットと窓との間で気体の流ｎを発生させ、この気体の流
ｎによって、前記スリットを通って窓方向に入射する蒸
気流を阻止するようにした、蒸発源からの蒸気流を阻止
する装置を提供するものである。以下、図面により実施
例を詳細に説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示したもので、１は内部
を蒸着室とするベルツヤ、２は供給機３から連続的もし
くは断続的に送り出される蒸着材料、４はその表面に蒸
着膜を形成する基板、５はレーザー発振器で、電源６を
備え、淳続またはパルス状にレーザ光７を発射する。８
はレーザー光７を集光するレンズ、９はレーザー光７を
蒸着室に導入する窓、１０はレンズ８の焦点もしくはそ
の近傍に配置したスリット、１１はスリット１０と窓９
との間に設けたがス導入口、１２は洩れたレーザービー
ムを吸収するビームストッパーである。
を蒸着室とするベルツヤ、２は供給機３から連続的もし
くは断続的に送り出される蒸着材料、４はその表面に蒸
着膜を形成する基板、５はレーザー発振器で、電源６を
備え、淳続またはパルス状にレーザ光７を発射する。８
はレーザー光７を集光するレンズ、９はレーザー光７を
蒸着室に導入する窓、１０はレンズ８の焦点もしくはそ
の近傍に配置したスリット、１１はスリット１０と窓９
との間に設けたがス導入口、１２は洩れたレーザービー
ムを吸収するビームストッパーである。
次に、本実施例の動作を説明する。レーザー発振器５か
ら発射されたレーザー光７はレンズ８で集光され、その
焦点付近に配置されたスリット１０を通過して蒸着材料
２の先端部に照射される。
ら発射されたレーザー光７はレンズ８で集光され、その
焦点付近に配置されたスリット１０を通過して蒸着材料
２の先端部に照射される。
蒸着材料２の先端部はレーザー光７のエネルギーにより
瞬時に蒸発するが、蒸着材料２が供給機３から順次繰り
出されるので連続的に蒸発が行なわれ、蒸発した物質は
基板４に被着して蒸着膜が得られる。
瞬時に蒸発するが、蒸着材料２が供給機３から順次繰り
出されるので連続的に蒸発が行なわれ、蒸発した物質は
基板４に被着して蒸着膜が得られる。
一方、蒸発した物質は窓９の方向にも飛んで行くが、必
要最小限の隙間、例えばレーザー光７のビーム径とほぼ
同じ径を有するスリット１０によって大部分の蒸発物質
が遮られるとともに、スリット１０を通過しようとする
蒸発物質に対しては、がス導入口１１から導入されたが
スの流れによって通過を阻止し、あるいは進行方向を曲
げるようにして窓への到達を阻止する。
要最小限の隙間、例えばレーザー光７のビーム径とほぼ
同じ径を有するスリット１０によって大部分の蒸発物質
が遮られるとともに、スリット１０を通過しようとする
蒸発物質に対しては、がス導入口１１から導入されたが
スの流れによって通過を阻止し、あるいは進行方向を曲
げるようにして窓への到達を阻止する。
以上のように構成された本実施例では、蒸発した物質が
窓９、少なくともレーザー光７が通過する部分には付着
しないので、導入エネルギーの減少はなく、継続して蒸
着動作を行なうことができる。この光ビームによる蒸着
は、蒸着材料２の先端を瞬時に蒸発させることができる
から、蒸着材料２が合金や化合物であるときに特に有効
で、バルクと極めて近い組成を有する蒸着膜を得ること
ができる。
窓９、少なくともレーザー光７が通過する部分には付着
しないので、導入エネルギーの減少はなく、継続して蒸
着動作を行なうことができる。この光ビームによる蒸着
は、蒸着材料２の先端を瞬時に蒸発させることができる
から、蒸着材料２が合金や化合物であるときに特に有効
で、バルクと極めて近い組成を有する蒸着膜を得ること
ができる。
第２図は、本発明の他の実施例を示したもので、第１図
と同一符号のものは同、−のものを示しており、また、
１０ａ、１０ｂはスリット１０と窓９との間に配置され
た第２および第３のスリットであり、こｎらのスリット
により仕切られた空間Ｖ １ 、 Ｖ ２ 、 Ｖ
Ｂがそ扛ぞれ形成される。１３はがスの排出口である。
と同一符号のものは同、−のものを示しており、また、
１０ａ、１０ｂはスリット１０と窓９との間に配置され
た第２および第３のスリットであり、こｎらのスリット
により仕切られた空間Ｖ １ 、 Ｖ ２ 、 Ｖ
Ｂがそ扛ぞれ形成される。１３はがスの排出口である。
このように構成された本実施例では、スリット１０およ
び１０ａによって蒸発物質の窓方向への通過確率を低下
させるとともに、この部分における気体の流れを分子流
にし、一方、ガス導入口１１から導入したガスを排出口
１３から排出することにより空間ｖ３における気体の流
れを粘性流とし、各スリット１０−１０ ａ ＃ １０
ｂを通過して窓９に入射しようとする蒸発物質の平均
自由工程を短かくして、導入ガス分子または器壁との衝
突割合を多くせしめるものである。このようにして、蒸
発分子の窓９への入射を阻止し、従って窓への付着を防
止することができる。
び１０ａによって蒸発物質の窓方向への通過確率を低下
させるとともに、この部分における気体の流れを分子流
にし、一方、ガス導入口１１から導入したガスを排出口
１３から排出することにより空間ｖ３における気体の流
れを粘性流とし、各スリット１０−１０ ａ ＃ １０
ｂを通過して窓９に入射しようとする蒸発物質の平均
自由工程を短かくして、導入ガス分子または器壁との衝
突割合を多くせしめるものである。このようにして、蒸
発分子の窓９への入射を阻止し、従って窓への付着を防
止することができる。
なお、レーザービームの径が非常に細い場合は、集光レ
ンズの設置は必ずしも必要ではない。
ンズの設置は必ずしも必要ではない。
以上説明したように、本発明によれば、蒸発物質の窓へ
の付着を確実に防止することができるので、導入する光
ビームのエネルギーが蒸発源に安定して供給され、従来
、極めて困難とされていた光ビーム蒸着が可能になり所
要の組成を有する蒸着膜を得ることができる利点がある
。
の付着を確実に防止することができるので、導入する光
ビームのエネルギーが蒸発源に安定して供給され、従来
、極めて困難とされていた光ビーム蒸着が可能になり所
要の組成を有する蒸着膜を得ることができる利点がある
。
第１図は、本発明の一実施例の構成図、第２図は、本発
明の他の実施例の構成図である。 １・・・ベルジャ、２・・・蒸着材料、４・・・基板、
５・・・レーザー発振器、８・・・し：ｙｊ！、９・・
・窓、１０．ｌＯａ 、１０ｂ・・・スリット、１１・
・・ガス導入口、１３・・・ガス排出口。
明の他の実施例の構成図である。 １・・・ベルジャ、２・・・蒸着材料、４・・・基板、
５・・・レーザー発振器、８・・・し：ｙｊ！、９・・
・窓、１０．ｌＯａ 、１０ｂ・・・スリット、１１・
・・ガス導入口、１３・・・ガス排出口。
Claims (3)
- （１） 窓を通して蒸着室内に光ビームを導入し、こ
の導入した光ビームを蒸着材料に照射して蒸発させる蒸
着装置において、前記光ビームを集光するレンズの焦点
またはその近傍に前記光ビームカ；通過するスリットを
設けるとともに、該スリットと前記窓との間に気体の流
れを発生させる手段を設け、前記スリットヲ通って前記
窓方向へ入射しようとする蒸気流を前記気体の流れによ
り阻止することｔ−特徴とする蒸発源からの蒸気流を阻
止する装置。 - （２） 前記スリットは前記光ビームの径とほぼ同じ
径を有することを特徴とする特許請求の範囲第（１）項
記載の蒸発源からの蒸気流を阻止する装置。 - （３） 前記気体の流れを発生させる手°段は、前記
スリットと前記窓との間にさらに複数のスリットを設け
るとともに、蒸発源に最も近いス１Ｊット近傍の気体の
流れを分子流とし、前記窓近傍の気体の流れを粘性流と
するようにガスの導入口および。 排出口を設けたことを特徴とする特許請求の範囲第（０
項記載の蒸発源からの蒸気流を阻止する装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092581A JPS5842770A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 蒸発源からの蒸気流を阻止する装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14092581A JPS5842770A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 蒸発源からの蒸気流を阻止する装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842770A true JPS5842770A (ja) | 1983-03-12 |
Family
ID=15279998
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14092581A Pending JPS5842770A (ja) | 1981-09-09 | 1981-09-09 | 蒸発源からの蒸気流を阻止する装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842770A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02298261A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
| JPH03285325A (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-16 | Photonics:Kk | レーザアニール法を用いた成膜装置 |
| JP2012041615A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザアブレーション装置 |
-
1981
- 1981-09-09 JP JP14092581A patent/JPS5842770A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02298261A (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜蒸着装置 |
| JPH03285325A (ja) * | 1990-03-31 | 1991-12-16 | Photonics:Kk | レーザアニール法を用いた成膜装置 |
| JP2012041615A (ja) * | 2010-08-20 | 2012-03-01 | Hamamatsu Photonics Kk | レーザアブレーション装置 |
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