JPS634060A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JPS634060A JPS634060A JP14681586A JP14681586A JPS634060A JP S634060 A JPS634060 A JP S634060A JP 14681586 A JP14681586 A JP 14681586A JP 14681586 A JP14681586 A JP 14681586A JP S634060 A JPS634060 A JP S634060A
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- crucible
- vacuum
- vapor
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- thin film
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- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 abstract description 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 abstract 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、基板に薄膜を蒸着させる薄膜形成装置に関
し、特忙真空槽の外からの操作忙よυ、順次加熱部に送
ることができる複数のるつぼを設けた薄膜形成装置く関
するものである。
し、特忙真空槽の外からの操作忙よυ、順次加熱部に送
ることができる複数のるつぼを設けた薄膜形成装置く関
するものである。
第３図は、例えば特公昭５４−９５９２号公報に示され
た従来の薄膜形成装置を示す断面図であシ、図において
、（１）は真空槽、（２）は真空排気口、（３）は真空
排気ロバルプ、（４）は蒸着物質、（５）は蒸着物質（
４）を入れるるつぼ、（６）はるつぼ支持台、（７）は
るつぼ（５）を加熱するために電子を放出する電子ボン
バード用フィラメント、（８）はるつぼ（５）および電
子ボンバード用フィラメント（７）からの熱放射を遣え
ざるるつぼ熱シールド板、（９）はるつぼ支持台を支え
るるつぼ絶縁物、αＱはるつぼ熱シールド板を支える絶
縁物、αではクラスターをイオン化するために電子を放
出するイオン化フィラメント、（６）はイオン化フィラ
メントαやから電子を引出す電子引出グリッド、（２）
はイオン化フィラメントαηからの熱放射を遮えぎるイ
オン化熱シールド板、α←１イオン化熱シールド板（Ｌ
３’ｒ支えるイオン化熱シールド板絶縁物、（２）はイ
オン化フィラメントＣＬ時から電子引出グリッド（６）
で引出された電子、ＣＩＱは加速電極、ａηは加速電極
を支える加速電極絶縁物、（至）はるつぼ（ト）から噴
出した蒸着物質（４）の中性クラスター、（６）はイオ
ン化電子α５ＫｊＪイオン化された蒸着物質（４）のイ
オン化クラスター、翰は中性クラスターＣＩ＄とイオン
化クラスター（至）を含むクラスタービーム、（ハ）は
クラスタービームを遮えぎるシャッター、（イ）はシャ
ッター？■を支持回転させるシャッター支持棒、翰は真
空槽（１）をシャッター支持棒（イ）が貫通するシャッ
ター支持棒シール部、（ハ）は基板、（ハ）は基板ホル
ダー、（ト）は基板ホルダーシール部、（支）はるつぼ
（５）に設けられた小孔を示す。
た従来の薄膜形成装置を示す断面図であシ、図において
、（１）は真空槽、（２）は真空排気口、（３）は真空
排気ロバルプ、（４）は蒸着物質、（５）は蒸着物質（
４）を入れるるつぼ、（６）はるつぼ支持台、（７）は
るつぼ（５）を加熱するために電子を放出する電子ボン
バード用フィラメント、（８）はるつぼ（５）および電
子ボンバード用フィラメント（７）からの熱放射を遣え
ざるるつぼ熱シールド板、（９）はるつぼ支持台を支え
るるつぼ絶縁物、αＱはるつぼ熱シールド板を支える絶
縁物、αではクラスターをイオン化するために電子を放
出するイオン化フィラメント、（６）はイオン化フィラ
メントαやから電子を引出す電子引出グリッド、（２）
はイオン化フィラメントαηからの熱放射を遮えぎるイ
オン化熱シールド板、α←１イオン化熱シールド板（Ｌ
３’ｒ支えるイオン化熱シールド板絶縁物、（２）はイ
オン化フィラメントＣＬ時から電子引出グリッド（６）
で引出された電子、ＣＩＱは加速電極、ａηは加速電極
を支える加速電極絶縁物、（至）はるつぼ（ト）から噴
出した蒸着物質（４）の中性クラスター、（６）はイオ
ン化電子α５ＫｊＪイオン化された蒸着物質（４）のイ
オン化クラスター、翰は中性クラスターＣＩ＄とイオン
化クラスター（至）を含むクラスタービーム、（ハ）は
クラスタービームを遮えぎるシャッター、（イ）はシャ
ッター？■を支持回転させるシャッター支持棒、翰は真
空槽（１）をシャッター支持棒（イ）が貫通するシャッ
ター支持棒シール部、（ハ）は基板、（ハ）は基板ホル
ダー、（ト）は基板ホルダーシール部、（支）はるつぼ
（５）に設けられた小孔を示す。
次に動作について説明する。真空槽（１）の真空排気口
（２）から真空排気ロバルプ（３）を介して真空排気さ
れた高真空領域内で、蒸着物質（４） ｆｔ入れたるつ
ｔ’！ ＜５） ｔ を子ボンバード用フィラメント（
７）から出た電子の電子衝撃により加熱しるつぼ（５）
内の蒸気圧を数Ｔｏｒｒにする。次いで、るつｔ１！′
（５）に設けられた小孔から高真空領域内へ蒸着物質（
４）の蒸気を噴出し、このとき断熱膨張による過冷却状
態によってクラスタービーム翰が発生する。このクラス
タービーム翰にイオン化フィラメント（ロ）から電子引
出グリッドｏ２により引出されたイオン化電子（１りを
衝突させることにより、クラスターをイオン化させイオ
ン化クラスター（６）を形成させる。−部のクラスター
はイオン化電子ｑつと衝突せず中性クラスターα樽とし
て、るつぼ（５）からの噴出速度で基板（財）へ蒸着さ
れる。イオン化りラスターα■家、電子引出グリッド（
６）及びイオン化熱シールド板（６）と加速電極αすの
間に前者が正後者が負となるよう１１！位差を与え加速
されて、基板（ハ）に蒸着される。シャッターＱηはク
ラスタービーム四を制御する開閉装置であり、基板（ハ
）に必要な厚さの薄膜を形成する。
（２）から真空排気ロバルプ（３）を介して真空排気さ
れた高真空領域内で、蒸着物質（４） ｆｔ入れたるつ
ｔ’！ ＜５） ｔ を子ボンバード用フィラメント（
７）から出た電子の電子衝撃により加熱しるつぼ（５）
内の蒸気圧を数Ｔｏｒｒにする。次いで、るつｔ１！′
（５）に設けられた小孔から高真空領域内へ蒸着物質（
４）の蒸気を噴出し、このとき断熱膨張による過冷却状
態によってクラスタービーム翰が発生する。このクラス
タービーム翰にイオン化フィラメント（ロ）から電子引
出グリッドｏ２により引出されたイオン化電子（１りを
衝突させることにより、クラスターをイオン化させイオ
ン化クラスター（６）を形成させる。−部のクラスター
はイオン化電子ｑつと衝突せず中性クラスターα樽とし
て、るつぼ（５）からの噴出速度で基板（財）へ蒸着さ
れる。イオン化りラスターα■家、電子引出グリッド（
６）及びイオン化熱シールド板（６）と加速電極αすの
間に前者が正後者が負となるよう１１！位差を与え加速
されて、基板（ハ）に蒸着される。シャッターＱηはク
ラスタービーム四を制御する開閉装置であり、基板（ハ
）に必要な厚さの薄膜を形成する。
従来の薄膜形成装置は以上のように構成されているので
、るつぼが１つで内容量が限られている。
、るつぼが１つで内容量が限られている。
そこで、多数の膜や異種の材料を多層に蒸着する場合は
、蒸着材料の補充や蒸着材料の交換のため真空槽を大気
解放しなければならないなどの問題点があった。
、蒸着材料の補充や蒸着材料の交換のため真空槽を大気
解放しなければならないなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためＫなされ
たもので真空を破らずに従来より多くの膜を形成したり
、材料の違う多層膜を蒸着することのできる薄膜形成装
置を得ることを目的とする。
たもので真空を破らずに従来より多くの膜を形成したり
、材料の違う多層膜を蒸着することのできる薄膜形成装
置を得ることを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、るつぼを複数段は真空
槽の外からの操作により、順次るつぼを加熱部に送るよ
うにしたものである。
槽の外からの操作により、順次るつぼを加熱部に送るよ
うにしたものである。
この発明における薄膜形成装置は、複数のるつぼに同じ
材料を入れると、一つのるつぼの時よりも多くの膜が形
成でき、種類の異った材料を入れると多層膜を形成する
ことができる。
材料を入れると、一つのるつぼの時よりも多くの膜が形
成でき、種類の異った材料を入れると多層膜を形成する
ことができる。
以下、この発明の一実施例を図九ついて説明する。第１
図において、（１）は真空槽、（２）は真空排気（８）
はるつぼ熱シールド板、αルはイオン化フィラメント、
（６）は電子引出グリッド、（２）はイオン化熱シール
ド板、α・は加速電極、勾はクラスタービーム、（ハ）
は基板、翰はるつぼ支持棒、四は回転導入フラ図である
。
図において、（１）は真空槽、（２）は真空排気（８）
はるつぼ熱シールド板、αルはイオン化フィラメント、
（６）は電子引出グリッド、（２）はイオン化熱シール
ド板、α・は加速電極、勾はクラスタービーム、（ハ）
は基板、翰はるつぼ支持棒、四は回転導入フラ図である
。
次に動作にりいて説明する。
第１図及び第２図は、動作開始時、るつぼ（５ａ）が加
熱部、つまシるつぼ熱シールド板（８）内に入った状態
である。この状態でるつぼ（５ａ）が加熱され、前述の
従来装置と同じ動作でるつ）！（５ａ）に入っている蒸
着材料を基板（ハ）上に蒸着する。るつぼ（５ａ）内の
蒸着材料が全て蒸発した時、回転ハンドル勾を回転させ
、るつぼ（５ｂ）をるつぼ熱シールド板（８）内に送）
込み、るつぼ（５ｂ）を加熱しるつぼ（５ｂ）内の蒸着
材料を蒸着する。このように順次るつぼを熱シールド板
（８）内に送シ込み、蒸着する。又、るつぼ（５ｍ）、
（５ｂ）、 （５ｃ）、 （５ｄ）にそれぞれ異った
材料を入れ、順次るつぼ熱シールド板（８）内で加熱し
、蒸着することによって基板（ハ）上に異った材料を蒸
着し多層膜を作成する。
熱部、つまシるつぼ熱シールド板（８）内に入った状態
である。この状態でるつぼ（５ａ）が加熱され、前述の
従来装置と同じ動作でるつ）！（５ａ）に入っている蒸
着材料を基板（ハ）上に蒸着する。るつぼ（５ａ）内の
蒸着材料が全て蒸発した時、回転ハンドル勾を回転させ
、るつぼ（５ｂ）をるつぼ熱シールド板（８）内に送）
込み、るつぼ（５ｂ）を加熱しるつぼ（５ｂ）内の蒸着
材料を蒸着する。このように順次るつぼを熱シールド板
（８）内に送シ込み、蒸着する。又、るつぼ（５ｍ）、
（５ｂ）、 （５ｃ）、 （５ｄ）にそれぞれ異った
材料を入れ、順次るつぼ熱シールド板（８）内で加熱し
、蒸着することによって基板（ハ）上に異った材料を蒸
着し多層膜を作成する。
以上のように、この発明によればるつぼを複数設け、真
空槽外からの操作によって加熱部に送るよう構成したの
で、真空を破らず多量の膜の作成や、異った材料忙よる
多層膜の作成が可能となる。
空槽外からの操作によって加熱部に送るよう構成したの
で、真空を破らず多量の膜の作成や、異った材料忙よる
多層膜の作成が可能となる。
第１図はこの発明の一実施例圧よる薄膜形成装置を示す
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるるつぼ部を
上から見た上面図、８３図は４従来（５ｃ）、 （５ａ
）はるつぼ、（７）は電子ボンバード用フィラメント、
（８）はるつぼ熱シールド板、翰はるつぼ支持棒、四は
回転導入フランジ、（ト）は回転ハンドル。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第 ３ 図
断面図、第２図はこの発明の一実施例によるるつぼ部を
上から見た上面図、８３図は４従来（５ｃ）、 （５ａ
）はるつぼ、（７）は電子ボンバード用フィラメント、
（８）はるつぼ熱シールド板、翰はるつぼ支持棒、四は
回転導入フランジ、（ト）は回転ハンドル。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 佐 藤 正 年 第 ３ 図
Claims (1)
- 真空槽内にるつぼ、イオン化部、加速電極及び薄膜を被
着すべき基板を配置し、前記るつぼ及びイオン化部と前
記加速電極との間に前者が正、後者が負となる如く加速
電圧が印加され、加熱部に配置された前記るつぼ内の蒸
着物質は加熱により蒸気化され、前記るつぼに設けられ
た小孔より前記蒸気を高真空中に噴射して、断熱膨張に
よる過冷却状態によつて発生したクラスターに対し、前
記イオン化部でクラスターイオンを発生させ、これを加
速して前記基板に薄膜を付着させる薄膜形成装置におい
て、前記高真空槽外からの操作により、順次前記加熱部
に送られる複数のるつぼを備えた薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14681586A JPS634060A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14681586A JPS634060A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634060A true JPS634060A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15416154
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14681586A Pending JPS634060A (ja) | 1986-06-25 | 1986-06-25 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043088A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | (주)알파플러스 | 진공 증발원의 도가니 가열방법 |
-
1986
- 1986-06-25 JP JP14681586A patent/JPS634060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030043088A (ko) * | 2001-11-27 | 2003-06-02 | (주)알파플러스 | 진공 증발원의 도가니 가열방법 |
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