JPS61279668A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61279668A JPS61279668A JP12192185A JP12192185A JPS61279668A JP S61279668 A JPS61279668 A JP S61279668A JP 12192185 A JP12192185 A JP 12192185A JP 12192185 A JP12192185 A JP 12192185A JP S61279668 A JPS61279668 A JP S61279668A
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- Japan
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- crucible
- vapor
- mentioned
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- small holes
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は、蒸着により基板上に薄膜を形成する装置、
特にるつぼの上蓋に設けられた蒸気噴出用の小孔の目詰
まりを防止できる薄膜形成装置に関するものである。
特にるつぼの上蓋に設けられた蒸気噴出用の小孔の目詰
まりを防止できる薄膜形成装置に関するものである。
[従来の技術]
第3図および第4図(a)、(b)は例えば特開昭54
−!9542号公報に示されている従来の薄膜形成装置
を示すもので、図中、(1)は真空槽、(2)は真空排
気口、(3)は真空排気口バルブ、(4)は蒸着物質、
(5)はこの蒸着物質(4)を入れるるつぼ・(5a)
はこのるつぼ(5)の上蓋、 (5b)はるつぼ本体、
(5C)はるつぼ上蓋(5a)に設けられた蒸気噴出用
の小孔で、上記るつぼ上蓋(5a)とるつぼ本体(5b
)とは、るつぼ(5)の加工および蒸着物質(4)の補
充を容易にするために分離可能となってい “る、また
、(ill)はるつぼ支持台、(7)はるつぼ(5)を
加熱するために電子を放出する電子ボンバード用フィラ
メント、(8)はるつぼ(5)および電 :子ボンバー
ド用フィラメント(7)からの熱放射を遮ぎるるつぼ熱
シールド板、(9)はるつぼ支持台 ゛(6)が載置固
定される絶縁物、 (10)はるつぼ熱シ 一ルド板(
8)を支える絶縁物、(11)はクラスター 1をイオ
ン化するために電子を放出するイオン化 :;ト フィラメント、 (12)はイオン化フィラメント(1
1) iから電子を引出す電子引出グリッド、(13
)はイオ ・フ化フィラメント(11)からの熱放射
を遮ざるイオ 、。
−!9542号公報に示されている従来の薄膜形成装置
を示すもので、図中、(1)は真空槽、(2)は真空排
気口、(3)は真空排気口バルブ、(4)は蒸着物質、
(5)はこの蒸着物質(4)を入れるるつぼ・(5a)
はこのるつぼ(5)の上蓋、 (5b)はるつぼ本体、
(5C)はるつぼ上蓋(5a)に設けられた蒸気噴出用
の小孔で、上記るつぼ上蓋(5a)とるつぼ本体(5b
)とは、るつぼ(5)の加工および蒸着物質(4)の補
充を容易にするために分離可能となってい “る、また
、(ill)はるつぼ支持台、(7)はるつぼ(5)を
加熱するために電子を放出する電子ボンバード用フィラ
メント、(8)はるつぼ(5)および電 :子ボンバー
ド用フィラメント(7)からの熱放射を遮ぎるるつぼ熱
シールド板、(9)はるつぼ支持台 ゛(6)が載置固
定される絶縁物、 (10)はるつぼ熱シ 一ルド板(
8)を支える絶縁物、(11)はクラスター 1をイオ
ン化するために電子を放出するイオン化 :;ト フィラメント、 (12)はイオン化フィラメント(1
1) iから電子を引出す電子引出グリッド、(13
)はイオ ・フ化フィラメント(11)からの熱放射
を遮ざるイオ 、。
ン化熱シールド板、 (14)はイオン化熱シールド
L1板(13)を支えるイオン化熱シールド板絶縁物。
L1板(13)を支えるイオン化熱シールド板絶縁物。
(15)はイオン化フイラメン) (11)から電子弓
1出グリッド(12)で引出された電子、(1G)j士
力■速電極、(17)は加速電極を支える加速電極絶縁
物、(18N±るつぼ(5)から噴出した蒸着物j!t
(4)の中性クラスター、(18)をイオン化電子(1
5)によりイオンされた蒸着物質(4)のイオン化クラ
スター、(20)は中性クラスター(1B)とイオン化
クラスター(19)を含むクラスタービーム、(21)
はクラスタービーム(20)を遮ぎるシャッター、 (
22)はシャッター(21)を支持回転させるシャッタ
ー支持棒、 (23)は真空槽(1)をシャッター支持
棒(22)が貫通するシャッター支持棒シール部、 (
24)は基板、 (25)は基板ホルダー、 (2B)
は基板ホルダーシール部である。
1出グリッド(12)で引出された電子、(1G)j士
力■速電極、(17)は加速電極を支える加速電極絶縁
物、(18N±るつぼ(5)から噴出した蒸着物j!t
(4)の中性クラスター、(18)をイオン化電子(1
5)によりイオンされた蒸着物質(4)のイオン化クラ
スター、(20)は中性クラスター(1B)とイオン化
クラスター(19)を含むクラスタービーム、(21)
はクラスタービーム(20)を遮ぎるシャッター、 (
22)はシャッター(21)を支持回転させるシャッタ
ー支持棒、 (23)は真空槽(1)をシャッター支持
棒(22)が貫通するシャッター支持棒シール部、 (
24)は基板、 (25)は基板ホルダー、 (2B)
は基板ホルダーシール部である。
従来の薄膜形成装置は上記のように構成され、まず真空
槽(1)の真空排気口(2)から真空排気口バルブ(3
)を介して真空排気された高真空領域内で、蒸着物質(
0を入れたるつぼ(5)の電子ボンバード用フィラメン
トから出た電子を、電子衝撃により蒸着物質(4)のる
つぼ(5)内の蒸°気圧が数Torrになる温度に加熱
する0次し1で、るつCl上蓋(5a)に設けられた小
孔(5C)から、高真空領域内へ蒸着物!(4)の蒸気
を噴出し、このとき断熱膨張による過冷却状態によって
クラスタービーム(20)が発生する。このクラスター
ビーム(20)にイオン化フィラメント(11)から電
子引出グリッド(12)により引出されたイオン化電子
(15)を衝突させることにより、クラスターをイオン
化させイオン化クラスター(18)を形成させる。一部
のクラスターはイオン化電子(15)と衝突せず、中性
クラスター(18)としてるつぼ(5)からの噴出速度
で基板(24)へ蒸着される。イオン化クラスター(1
8)は、電子引出グリッド(12)及びイオン化熱シー
ルド板(13)と加速電極(16)の間に、前者が正、
後者が負となるよう電位差を与え、加速されて基板(2
4)に上着される。シャッター(21)は、クラスター
ビーム(20)を制御する開閉装置であり、基板(24
)に必要な厚さの薄膜を形成する。
槽(1)の真空排気口(2)から真空排気口バルブ(3
)を介して真空排気された高真空領域内で、蒸着物質(
0を入れたるつぼ(5)の電子ボンバード用フィラメン
トから出た電子を、電子衝撃により蒸着物質(4)のる
つぼ(5)内の蒸°気圧が数Torrになる温度に加熱
する0次し1で、るつCl上蓋(5a)に設けられた小
孔(5C)から、高真空領域内へ蒸着物!(4)の蒸気
を噴出し、このとき断熱膨張による過冷却状態によって
クラスタービーム(20)が発生する。このクラスター
ビーム(20)にイオン化フィラメント(11)から電
子引出グリッド(12)により引出されたイオン化電子
(15)を衝突させることにより、クラスターをイオン
化させイオン化クラスター(18)を形成させる。一部
のクラスターはイオン化電子(15)と衝突せず、中性
クラスター(18)としてるつぼ(5)からの噴出速度
で基板(24)へ蒸着される。イオン化クラスター(1
8)は、電子引出グリッド(12)及びイオン化熱シー
ルド板(13)と加速電極(16)の間に、前者が正、
後者が負となるよう電位差を与え、加速されて基板(2
4)に上着される。シャッター(21)は、クラスター
ビーム(20)を制御する開閉装置であり、基板(24
)に必要な厚さの薄膜を形成する。
[発明が解決しようとする問題点]
上記のような従来の薄膜形成装置では、第4図(a)、
(b)に示すように、るつぼ(5)が深さh′、半径r
の円筒状に形成されているため、電子ボンバード用フィ
ラメント(7)とるつぼ(5)外周面との間隔をkとす
ると、電子ボンバード用フィラメント(7)から最も遠
くなるるつぼ上M (5a)の中心までの距離はR2と
なって充分に加熱されなくなり、この付近に設けられた
小孔(5G)に蒸気化した蒸着物質(4)が凝縮して小
孔(5C)を塞ぎ、蒸着を噴出しなくなるという問題点
があった。
(b)に示すように、るつぼ(5)が深さh′、半径r
の円筒状に形成されているため、電子ボンバード用フィ
ラメント(7)とるつぼ(5)外周面との間隔をkとす
ると、電子ボンバード用フィラメント(7)から最も遠
くなるるつぼ上M (5a)の中心までの距離はR2と
なって充分に加熱されなくなり、この付近に設けられた
小孔(5G)に蒸気化した蒸着物質(4)が凝縮して小
孔(5C)を塞ぎ、蒸着を噴出しなくなるという問題点
があった。
この発明はかかる問題点を解決するためになされたもの
で、るつぼ上蓋を均一に加熱してるつぼ上蓋に設けた小
孔を塞ぐことなく蒸着物質の蒸気を正常に噴射すること
ができる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
で、るつぼ上蓋を均一に加熱してるつぼ上蓋に設けた小
孔を塞ぐことなく蒸着物質の蒸気を正常に噴射すること
ができる薄膜形成装置を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段1
この発明に係る薄膜形成装置は、るつぼの上蓋を、平面
細長状とするようにしたものである。
細長状とするようにしたものである。
[作用]
この発明においては、るつぼの上蓋を平面細長形状とし
ているので、電子ボンバード用フィラメントとから遠く
離れる部位がなくなってるつぼの上蓋各部が均一に加熱
され、蒸着物質の蒸気を噴出させるために上蓋に設けた
小孔が凝縮物質で塞がれるおそれがない。
ているので、電子ボンバード用フィラメントとから遠く
離れる部位がなくなってるつぼの上蓋各部が均一に加熱
され、蒸着物質の蒸気を噴出させるために上蓋に設けた
小孔が凝縮物質で塞がれるおそれがない。
[実施例]
第1図(a)、(b)および第2図はこの発明の一実施
例を示すもので、図中、第3図および第4図(a) 、
(b)と同一符号は同−又は相当部分を示す。
例を示すもので、図中、第3図および第4図(a) 、
(b)と同一符号は同−又は相当部分を示す。
この実施例では、るつぼ上fl(5a)の平面形状が、
るつぼ本体(5b)と同じ長方形状をなしており、その
寸法は1幅a、長さb (b)a)となっている。
るつぼ本体(5b)と同じ長方形状をなしており、その
寸法は1幅a、長さb (b)a)となっている。
上記のように構成された薄膜形成装置においては、るつ
ぼ上蓋(5a)の平面形状を細長形状としているので、
′逝子ボンバード用フィラメント(7)から最も遠く離
れるるつぼ上蓋(5a)の中央部までの距R1を短くす
ることができる。
ぼ上蓋(5a)の平面形状を細長形状としているので、
′逝子ボンバード用フィラメント(7)から最も遠く離
れるるつぼ上蓋(5a)の中央部までの距R1を短くす
ることができる。
すなわち、第1図に示するつぼ(5)の深さをh、るつ
ぼ(5)の外面から電子ボンバード用フィラメント(7
)までの距離をkとし、このるつぼ(5)の容積が第4
図に示す従来のるつぼ(5)と同一であるとすると、v
qるつぼ(5)の水平断面積Sも相互に等しくなる。こ
のため。
ぼ(5)の外面から電子ボンバード用フィラメント(7
)までの距離をkとし、このるつぼ(5)の容積が第4
図に示す従来のるつぼ(5)と同一であるとすると、v
qるつぼ(5)の水平断面積Sも相互に等しくなる。こ
のため。
5=aXb=−r2
が得られる。
これらから、幅aと長さbとの比率を与えると、rとa
/ 2との比率が求められ、この関係は第2図のよう
になる。第2図からも明らかなように、従来の円筒形状
のものに比較し、細長形状のものでは、幅aと長さbと
の比を大きくするほど、るつぼ上蓋(5a)の中央部か
ら電子ボンバード用フィラメント(7)までの距離R1
が短くなる。
/ 2との比率が求められ、この関係は第2図のよう
になる。第2図からも明らかなように、従来の円筒形状
のものに比較し、細長形状のものでは、幅aと長さbと
の比を大きくするほど、るつぼ上蓋(5a)の中央部か
ら電子ボンバード用フィラメント(7)までの距離R1
が短くなる。
しかして、同一容積でも千面側長形状とすることにより
、るつぼ上!(5a)を均一に加熱でき、るつぼ上蓋(
5a)に設けた小孔(5c)が凝縮物質で塞がれるおれ
がなくなる。
、るつぼ上!(5a)を均一に加熱でき、るつぼ上蓋(
5a)に設けた小孔(5c)が凝縮物質で塞がれるおれ
がなくなる。
なお上記実施例では、るつぼ上蓋(5a)の平面形状を
長方形としたものを示したが、楕円形、小判形等能の細
長形状でも同様の効果が得られる。
長方形としたものを示したが、楕円形、小判形等能の細
長形状でも同様の効果が得られる。
し発明の効果]
この発明は以上説明したとおり、るつぼの上蓋を、平面
細長形状としているので、上蓋各部が電 ′子ボン
バード用フィラメントにより均一に加熱され、上蓋に設
けた小孔が蒸着物質の凝縮物質により塞がれるおそれが
全くない、このため安定した蒸気噴出動作が得られ、均
一な薄膜を得ることができる等の効果がある。
細長形状としているので、上蓋各部が電 ′子ボン
バード用フィラメントにより均一に加熱され、上蓋に設
けた小孔が蒸着物質の凝縮物質により塞がれるおそれが
全くない、このため安定した蒸気噴出動作が得られ、均
一な薄膜を得ることができる等の効果がある。
第1図(a)はこの発明の一実施例を示するつぼの断面
図、同図(b)は同図(a)の平面図、第2図はるつぼ
上蓋の横長化に対するるつぼ上蓋中央部 ・の電子ボ
ンバード用フィラメントからの距離の変化を示すグラフ
、第3図は従来の薄膜形成装置を示す全体構成図、第4
図(a)は従来のるつぼを示 □す第1図(a)相当
図、同図(b)はその平面図で第1図(b)相当図であ
る。 図において、 (1)は真空槽、 (0は蒸着物質、(5)はるつ
ぼ、 (5a)はるつGz上蓋。 (5b)はるつぼ本体、 (5C)は小孔、(7)は
電子ボンバード用フィラメント、(24)は基板。 なお、各図中、同一符号は同−又を士相当部分を示す・
図、同図(b)は同図(a)の平面図、第2図はるつぼ
上蓋の横長化に対するるつぼ上蓋中央部 ・の電子ボ
ンバード用フィラメントからの距離の変化を示すグラフ
、第3図は従来の薄膜形成装置を示す全体構成図、第4
図(a)は従来のるつぼを示 □す第1図(a)相当
図、同図(b)はその平面図で第1図(b)相当図であ
る。 図において、 (1)は真空槽、 (0は蒸着物質、(5)はるつ
ぼ、 (5a)はるつGz上蓋。 (5b)はるつぼ本体、 (5C)は小孔、(7)は
電子ボンバード用フィラメント、(24)は基板。 なお、各図中、同一符号は同−又を士相当部分を示す・
Claims (1)
- 上蓋に小孔を有するるつぼを、その外周部に配した電子
ボンバード用フィラメントにより加熱してるつぼ内の蒸
着物質を蒸気化し、この蒸気を上記上蓋の小孔から高真
空領域内に噴射して基板上に蒸着させるものにおいて、
蒸気るつぼの上蓋を、平面細長形状としたことを特徴と
する薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12192185A JPS61279668A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12192185A JPS61279668A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61279668A true JPS61279668A (ja) | 1986-12-10 |
Family
ID=14823207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12192185A Pending JPS61279668A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61279668A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152265A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Hitachi Ltd | 高指向性蒸着装置 |
US5099791A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cluster beam thin film deposition apparatus with thermionic electron control |
US6478876B1 (en) * | 1999-05-26 | 2002-11-12 | Masaji Asamoto | Apparatus for coating a body by using ion plating |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12192185A patent/JPS61279668A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01152265A (ja) * | 1987-12-10 | 1989-06-14 | Hitachi Ltd | 高指向性蒸着装置 |
US5099791A (en) * | 1989-09-08 | 1992-03-31 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Cluster beam thin film deposition apparatus with thermionic electron control |
US6478876B1 (en) * | 1999-05-26 | 2002-11-12 | Masaji Asamoto | Apparatus for coating a body by using ion plating |
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