JPH04228562A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH04228562A JPH04228562A JP40817590A JP40817590A JPH04228562A JP H04228562 A JPH04228562 A JP H04228562A JP 40817590 A JP40817590 A JP 40817590A JP 40817590 A JP40817590 A JP 40817590A JP H04228562 A JPH04228562 A JP H04228562A
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- JP
- Japan
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- crucible
- vapor deposition
- thin film
- film forming
- deposition material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 25
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 45
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 13
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 abstract 4
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 abstract 3
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 abstract 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は薄膜を形成する薄膜形
成装置、特に高性能の薄膜を形成することができるクラ
スターイオンビーム法（ＩＣＢ法）による薄膜形成装置
に関するものである。
成装置、特に高性能の薄膜を形成することができるクラ
スターイオンビーム法（ＩＣＢ法）による薄膜形成装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は例えば特公昭５４−９５９２号公
報に示された従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、
図において、１は蒸着物質２を収容したるつぼ、３はる
つぼ１の蓋、４は蓋３に設けられた複数のノズルで、透
孔状に形成されている。５はるつぼ１を加熱する加熱用
フィラメントで、るつぼ１の外周に配置され、コイル状
になっている。６はるつぼ１と加熱用フィラメント５を
囲む熱シールド板で、ノズル４に対向するところが開口
し、また、加熱用フィラメント５と同電位になっている
。
報に示された従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、
図において、１は蒸着物質２を収容したるつぼ、３はる
つぼ１の蓋、４は蓋３に設けられた複数のノズルで、透
孔状に形成されている。５はるつぼ１を加熱する加熱用
フィラメントで、るつぼ１の外周に配置され、コイル状
になっている。６はるつぼ１と加熱用フィラメント５を
囲む熱シールド板で、ノズル４に対向するところが開口
し、また、加熱用フィラメント５と同電位になっている
。
【０００３】８は熱シールド板６の図において上方に配
置された円筒形格子状金属のグリッド、９はグリッド８
の外周に配置されたリング状のイオン化フィラメント、
１０はグリッド８に接続されたグリッド電極、１１はグ
リッド電極１０の上方に配置された加速電極、１２は加
速電極１１の上方に配置された被蒸着体である基板、１
３は以上１〜１２を収容すると共に内部を真空に保つ真
空槽である。
置された円筒形格子状金属のグリッド、９はグリッド８
の外周に配置されたリング状のイオン化フィラメント、
１０はグリッド８に接続されたグリッド電極、１１はグ
リッド電極１０の上方に配置された加速電極、１２は加
速電極１１の上方に配置された被蒸着体である基板、１
３は以上１〜１２を収容すると共に内部を真空に保つ真
空槽である。
【０００４】１５は加熱用フィラメント５に電力を供給
する第１の交流電源、１６は加熱用フィラメント５に対
してるつぼ１を正の電位に保つ第１の直流電源、１７は
イオン化フィラメント９に電力を供給する第２の交流電
源、１８はイオン化フィラメント９に対してグリッド８
を正の電位に保つ第２の直流電源、１９はるつぼ１に対
して加速電極１１を負の電位に保つ第３の直流電源であ
る。
する第１の交流電源、１６は加熱用フィラメント５に対
してるつぼ１を正の電位に保つ第１の直流電源、１７は
イオン化フィラメント９に電力を供給する第２の交流電
源、１８はイオン化フィラメント９に対してグリッド８
を正の電位に保つ第２の直流電源、１９はるつぼ１に対
して加速電極１１を負の電位に保つ第３の直流電源であ
る。
【０００５】次に動作について説明する。加熱用フィラ
メント５が第１の交流電源１５により加熱されて熱電子
を放出する。るつぼ１の電位は加熱用フィラメント５に
対して正になっているので、熱電子がるつぼ１に向かっ
て加速され、その側壁１Ａに衝突して加熱する。そのた
め、るつぼ１内の蒸着物質２が加熱されて蒸発し、ノズ
ル４から、図において上方の真空中へ噴出する。このと
き蒸発した蒸着物質２の一部はクラスター化する。
メント５が第１の交流電源１５により加熱されて熱電子
を放出する。るつぼ１の電位は加熱用フィラメント５に
対して正になっているので、熱電子がるつぼ１に向かっ
て加速され、その側壁１Ａに衝突して加熱する。そのた
め、るつぼ１内の蒸着物質２が加熱されて蒸発し、ノズ
ル４から、図において上方の真空中へ噴出する。このと
き蒸発した蒸着物質２の一部はクラスター化する。
【０００６】図３はるつぼ１とこれに収容された蒸着物
質２を示す断面図であり、蒸着物質２への熱の伝導はる
つぼ１の側壁１Ａに接した部分で行なわれる。蒸着物質
２が昇華する材料である場合は、最初に同図（Ａ）のよ
うに蒸着物質２をるつぼ１の側壁１Ａに接するように充
填しておいても、蒸発がある程度進行すると、同図（Ｂ
）のように側壁１Ａに接する部分にある蒸着物質が先に
昇華してしまい、側壁１Ａと蒸着物質２の間に隙間７が
生じる。そのため、残った蒸着物質２への伝熱が悪くな
る。
質２を示す断面図であり、蒸着物質２への熱の伝導はる
つぼ１の側壁１Ａに接した部分で行なわれる。蒸着物質
２が昇華する材料である場合は、最初に同図（Ａ）のよ
うに蒸着物質２をるつぼ１の側壁１Ａに接するように充
填しておいても、蒸発がある程度進行すると、同図（Ｂ
）のように側壁１Ａに接する部分にある蒸着物質が先に
昇華してしまい、側壁１Ａと蒸着物質２の間に隙間７が
生じる。そのため、残った蒸着物質２への伝熱が悪くな
る。
【０００７】図４へ戻り、第２の交流電源１７により加
熱されたイオン化フィラメント９から飛び出した電子が
グリッド８に引き寄せられ、これを通過して蒸着物質２
の蒸気２１に衝突し、蒸気２１は電子がたたき出されて
正電荷を持ったイオンになる。この正イオンが加速電極
１１によって第２図において上向きに加速されて基板１
２へ向かい基板１２上に蒸着して薄膜２２を形成する。
熱されたイオン化フィラメント９から飛び出した電子が
グリッド８に引き寄せられ、これを通過して蒸着物質２
の蒸気２１に衝突し、蒸気２１は電子がたたき出されて
正電荷を持ったイオンになる。この正イオンが加速電極
１１によって第２図において上向きに加速されて基板１
２へ向かい基板１２上に蒸着して薄膜２２を形成する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜形成装置は
以上のように構成されているので、蒸着物質がるつぼと
接触する面積が小さく、したがってるつぼから蒸着物質
への伝熱が悪く、蒸着物質の加熱が不均一になる。特に
、蒸着物質が昇華する材料である場合は、るつぼ側壁と
蒸着物質の間に隙間が生じて伝熱が悪くなり、蒸発効率
が低いなどの問題点があった。この発明は上記のような
問題点を解消するためになされたもので、蒸着物質の蒸
発効率が高い薄膜形成装置を得ることを目的とする。
以上のように構成されているので、蒸着物質がるつぼと
接触する面積が小さく、したがってるつぼから蒸着物質
への伝熱が悪く、蒸着物質の加熱が不均一になる。特に
、蒸着物質が昇華する材料である場合は、るつぼ側壁と
蒸着物質の間に隙間が生じて伝熱が悪くなり、蒸発効率
が低いなどの問題点があった。この発明は上記のような
問題点を解消するためになされたもので、蒸着物質の蒸
発効率が高い薄膜形成装置を得ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】この発明に係る薄膜形成
装置は、るつぼ内に、蒸着物質を収容する孔を複数個設
けたものである。また、るつぼの内壁にフィンを設けた
ものである。
装置は、るつぼ内に、蒸着物質を収容する孔を複数個設
けたものである。また、るつぼの内壁にフィンを設けた
ものである。
【００１０】
【作用】この発明における薄膜形成装置は、蒸着物質と
るつぼの接触面積が大きいので、るつぼから蒸着物質へ
の伝熱が良く、また蒸着物質の加熱が均一化される。
るつぼの接触面積が大きいので、るつぼから蒸着物質へ
の伝熱が良く、また蒸着物質の加熱が均一化される。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置の
るつぼを示す斜視断面図であり、るつぼ以外の全体の構
成および動作は図４の場合と同様であるので説明を省略
する。図１において、１Ａ、３、４も図４の場合と同様
であるので説明を省略する。１は蒸着物質を収容するる
つぼ、２３はるつぼ１内に設けられた孔で上方が開口し
た円筒形のものが複数個設けられている。
する。図１はこの発明の一実施例による薄膜形成装置の
るつぼを示す斜視断面図であり、るつぼ以外の全体の構
成および動作は図４の場合と同様であるので説明を省略
する。図１において、１Ａ、３、４も図４の場合と同様
であるので説明を省略する。１は蒸着物質を収容するる
つぼ、２３はるつぼ１内に設けられた孔で上方が開口し
た円筒形のものが複数個設けられている。
【００１２】次に動作について説明する。各孔２３内へ
、図３（Ｃ）のように蒸着物質２を充填し、るつぼ１の
側壁１Ａから加熱する。熱はるつぼ１の、孔２３が形成
されていない部分１Ｂを通って孔２３に達し、蒸着物質
２を加熱する。蒸着物質２とるつぼ１の接触面積が大き
いので両者間の伝熱が良く、蒸着物質２が均一的に加熱
される。蒸着物質２が昇華する材料である場合は、蒸着
物質の蒸発が進むと蒸着物質２とるつぼ１の間に隙間７
が生じるが、上記接触面積が大きいので、図３（Ｄ）の
ように孔２３の中央部に残る蒸着物質２の量が少ない。 なお、この実施例では孔２３の形状を円筒形にしたが四
角柱状など他の形状にしてもよい。
、図３（Ｃ）のように蒸着物質２を充填し、るつぼ１の
側壁１Ａから加熱する。熱はるつぼ１の、孔２３が形成
されていない部分１Ｂを通って孔２３に達し、蒸着物質
２を加熱する。蒸着物質２とるつぼ１の接触面積が大き
いので両者間の伝熱が良く、蒸着物質２が均一的に加熱
される。蒸着物質２が昇華する材料である場合は、蒸着
物質の蒸発が進むと蒸着物質２とるつぼ１の間に隙間７
が生じるが、上記接触面積が大きいので、図３（Ｄ）の
ように孔２３の中央部に残る蒸着物質２の量が少ない。 なお、この実施例では孔２３の形状を円筒形にしたが四
角柱状など他の形状にしてもよい。
【００１３】図２はこの発明の他の実施例による薄膜形
成装置のるつぼを示す斜視断面図であり、２４は複数の
フィンで、るつぼ１の内壁、すなわち側壁１Ａの内面に
設けられている。この実施例においても、蒸着物質とる
つぼ１の接触面積が大きいので図１に示した実施例と同
様の効果がある。
成装置のるつぼを示す斜視断面図であり、２４は複数の
フィンで、るつぼ１の内壁、すなわち側壁１Ａの内面に
設けられている。この実施例においても、蒸着物質とる
つぼ１の接触面積が大きいので図１に示した実施例と同
様の効果がある。
【００１４】なお、上記実施例では蒸着物質２の蒸気の
イオン化および加速をする機能を備えたものを示したが
、これらの機能を有しない場合でも適用できる。
イオン化および加速をする機能を備えたものを示したが
、これらの機能を有しない場合でも適用できる。
【００１５】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、るつぼ
内に蒸着物質を収容する孔を複数個設けるように構成し
たので、また、るつぼ内にフィンを設けるように構成し
たので、蒸着物質とるつぼの接触面積が大きくなって蒸
着物質への伝熱が良くなり、また蒸着物質の加熱が均一
化され、蒸着物質の蒸発効率が高くなる。
内に蒸着物質を収容する孔を複数個設けるように構成し
たので、また、るつぼ内にフィンを設けるように構成し
たので、蒸着物質とるつぼの接触面積が大きくなって蒸
着物質への伝熱が良くなり、また蒸着物質の加熱が均一
化され、蒸着物質の蒸発効率が高くなる。
【図１】この発明の一実施例による薄膜形成装置のるつ
ぼを示す斜視断面図である。
ぼを示す斜視断面図である。
【図２】この発明の他の実施例による薄膜形成装置のる
つぼを示す斜視断面図である。
つぼを示す斜視断面図である。
【図３】るつぼとこれに収容された蒸着物質を示す断面
図である。
図である。
【図４】従来の薄膜形成装置を示す断面図である。
１ るつぼ
２ 蒸着物質
１２ 基板
２２ 薄膜
Claims (2)
- 【請求項１】 蒸着物質を収容したるつぼを加熱して
上記蒸着物質を蒸気化し、この蒸気化した蒸着物質を被
蒸着体へ蒸着して薄膜を形成する薄膜形成装置において
、上記るつぼ内に、上記蒸着物質を収容する孔を複数個
設けたことを特徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】 蒸着物質を収容したるつぼを加熱して
上記蒸着物質を蒸気化し、この蒸気化した蒸着物質を被
蒸着体へ蒸着して薄膜を形成する薄膜形成装置において
、上記るつぼの内壁にフィンを設けたことを特徴とする
薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40817590A JPH04228562A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP40817590A JPH04228562A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04228562A true JPH04228562A (ja) | 1992-08-18 |
Family
ID=18517667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP40817590A Pending JPH04228562A (ja) | 1990-12-27 | 1990-12-27 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04228562A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100461283B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2004-12-14 | 현대엘씨디주식회사 | 유기전기발광소자 제조장치용 유기물증발보트구조 |
| US7556244B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7828274B2 (en) | 2002-07-23 | 2010-11-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| JP2014231618A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 住友重機械工業株式会社 | 蒸発炉及び蒸発装置 |
| CN105648404A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀坩埚 |
| JP2018127663A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置及び蒸着源 |
| US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
| US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
-
1990
- 1990-12-27 JP JP40817590A patent/JPH04228562A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100461283B1 (ko) * | 2000-12-30 | 2004-12-14 | 현대엘씨디주식회사 | 유기전기발광소자 제조장치용 유기물증발보트구조 |
| US7556244B2 (en) | 2002-07-23 | 2009-07-07 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US7828274B2 (en) | 2002-07-23 | 2010-11-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US9004462B2 (en) | 2002-07-23 | 2015-04-14 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US9469898B2 (en) | 2002-07-23 | 2016-10-18 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US10465286B2 (en) | 2002-07-23 | 2019-11-05 | Entegris, Inc. | Method and apparatus to help promote contact of gas with vaporized material |
| US10895010B2 (en) | 2006-08-31 | 2021-01-19 | Entegris, Inc. | Solid precursor-based delivery of fluid utilizing controlled solids morphology |
| US10385452B2 (en) | 2012-05-31 | 2019-08-20 | Entegris, Inc. | Source reagent-based delivery of fluid with high material flux for batch deposition |
| JP2014231618A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 住友重機械工業株式会社 | 蒸発炉及び蒸発装置 |
| CN105648404A (zh) * | 2016-03-21 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 蒸镀坩埚 |
| JP2018127663A (ja) * | 2017-02-07 | 2018-08-16 | キヤノン株式会社 | 蒸着装置及び蒸着源 |
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