JPH03287761A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPH03287761A JPH03287761A JP9128590A JP9128590A JPH03287761A JP H03287761 A JPH03287761 A JP H03287761A JP 9128590 A JP9128590 A JP 9128590A JP 9128590 A JP9128590 A JP 9128590A JP H03287761 A JPH03287761 A JP H03287761A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- vapor
- substrate
- nozzle
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は基板上に薄膜を形成する1膜形成装置に関す
るものである。
るものである。
第3図は例えば、特公昭54−9592号公報に示され
た従来7)薄膜形成装置を示す断面図であり、図におい
て、(1)は蒸着物質(2)を収容したるつぼで、その
詳細を第4図の断面図および第5図の平面図に示す、第
4図は第5図のIV−1’v’線に沿った断面図になっ
ている。0)はるつぼ(1)の上部に設けられたノズル
てあり、円板状で複数の小孔(2)が形成されている。
た従来7)薄膜形成装置を示す断面図であり、図におい
て、(1)は蒸着物質(2)を収容したるつぼで、その
詳細を第4図の断面図および第5図の平面図に示す、第
4図は第5図のIV−1’v’線に沿った断面図になっ
ている。0)はるつぼ(1)の上部に設けられたノズル
てあり、円板状で複数の小孔(2)が形成されている。
ぽは加熱装置である電子ボンバード用フィラメントて、
るつぼ(1)の外周に配置され、コイル状になっている
。(6)はるつぼ(1)と;子ポ〉′バード用フィラメ
ント(5)を囲む熱シールド板で、ノズルB)に対向す
るところが開口し、また、電子ボンバード用フィラメン
ト(5)と同電圧になっている。
るつぼ(1)の外周に配置され、コイル状になっている
。(6)はるつぼ(1)と;子ポ〉′バード用フィラメ
ント(5)を囲む熱シールド板で、ノズルB)に対向す
るところが開口し、また、電子ボンバード用フィラメン
ト(5)と同電圧になっている。
S)は熱シールド板(6)の上方に配置された円筒形格
子状金属のグリッド、(9)はグリッド(8)の外周に
配置されたリング状のイオン化フィラメント、(1o)
はグリッド(8)に接続されたグリッド電極、(11)
はグリッド電1 (to)の上方に配置された加速電極
、(12)は加速電極(11)の上方に配置された基板
、(13)は以上(1)〜(12)を収容すると共に内
部を真空に保つ真空槽、(15)は電子ボンバード用フ
ィラメント(51に電力を供給する第1の交流電源、(
16)は電子ボンバード用フィラメント((5)に対し
てるつぼ(1)を正の電位に保つ第1の直流電源、(1
7)はイオン化フィラメント(9)に電力を供給する第
2の交流電源、(18)はイオン化フィラメント(9)
に対してグリッド6を正の電位に保つ第2の直流電源、
(19)はグリッド電極(10)に対して加速電極が1
1)を負の電位に保つ第3の直流電源である。
子状金属のグリッド、(9)はグリッド(8)の外周に
配置されたリング状のイオン化フィラメント、(1o)
はグリッド(8)に接続されたグリッド電極、(11)
はグリッド電1 (to)の上方に配置された加速電極
、(12)は加速電極(11)の上方に配置された基板
、(13)は以上(1)〜(12)を収容すると共に内
部を真空に保つ真空槽、(15)は電子ボンバード用フ
ィラメント(51に電力を供給する第1の交流電源、(
16)は電子ボンバード用フィラメント((5)に対し
てるつぼ(1)を正の電位に保つ第1の直流電源、(1
7)はイオン化フィラメント(9)に電力を供給する第
2の交流電源、(18)はイオン化フィラメント(9)
に対してグリッド6を正の電位に保つ第2の直流電源、
(19)はグリッド電極(10)に対して加速電極が1
1)を負の電位に保つ第3の直流電源である。
次に動作について説明する。電子ボンバード用フィラメ
ント(5)が第1の交流電源(15)により加熱されて
熱電子を放出する。るつぼ(1)の電位は電子ボンバー
ド用フィラメント((5)に対して正になっているので
、熱電子がるつぼ(1)に向かって加速され、その側壁
に衝突して加熱する。そのため、るつぼ(1)内の蒸着
物質(2)が加熱されて蒸発し、ノズル(3)から上方
の真空中へ噴出する。このとき蒸発した蒸着物質(2)
の一部はクラスター化する。
ント(5)が第1の交流電源(15)により加熱されて
熱電子を放出する。るつぼ(1)の電位は電子ボンバー
ド用フィラメント((5)に対して正になっているので
、熱電子がるつぼ(1)に向かって加速され、その側壁
に衝突して加熱する。そのため、るつぼ(1)内の蒸着
物質(2)が加熱されて蒸発し、ノズル(3)から上方
の真空中へ噴出する。このとき蒸発した蒸着物質(2)
の一部はクラスター化する。
一方、第2の交流電源(17)により加熱されたイオン
化フィラメント(9)から飛び出した電子がグリッド(
5)に引き寄せられ、これを通過して蒸着物質(2)の
蒸気(21)に衝突し、蒸気(21)は電子がたたき出
されて正電荷を持ったイオンになる。この正イオンが加
速電極(11)によって第3図において上向きに加速さ
れ基板(12)に向かい、基板(12)上に蒸着して、
蒸着膜(22)を形成する。
化フィラメント(9)から飛び出した電子がグリッド(
5)に引き寄せられ、これを通過して蒸着物質(2)の
蒸気(21)に衝突し、蒸気(21)は電子がたたき出
されて正電荷を持ったイオンになる。この正イオンが加
速電極(11)によって第3図において上向きに加速さ
れ基板(12)に向かい、基板(12)上に蒸着して、
蒸着膜(22)を形成する。
従来の1膜形成装置は以上のように構成されているので
、るつぼが外周から加熱され、るつぼ内の温度分布は周
辺部に比べて中央部が低く、そのため、るつぼの中で溶
融した蒸着物質がノズルに付着して液滴に成長し、蒸気
の噴出力でこの液滴が吹き飛ばされてスピッティングを
発生させるなどの問題点があった。
、るつぼが外周から加熱され、るつぼ内の温度分布は周
辺部に比べて中央部が低く、そのため、るつぼの中で溶
融した蒸着物質がノズルに付着して液滴に成長し、蒸気
の噴出力でこの液滴が吹き飛ばされてスピッティングを
発生させるなどの問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ノズルから噴出する蒸着物質のスピッティン
グの発生を防止して均一に蒸着てきる薄膜形成装置を得
ることを目的とする。
たもので、ノズルから噴出する蒸着物質のスピッティン
グの発生を防止して均一に蒸着てきる薄膜形成装置を得
ることを目的とする。
この発明に係る薄膜形成装置はノズルの中央部の厚さを
その周辺部よりも厚くしたものである。
その周辺部よりも厚くしたものである。
この発明における薄膜形成装置はノズルの中央部の厚さ
が厚いので周辺部に比べて中央部の断熱効果が大きく、
そのため、るつぼ内の温度分布が均一化される。
が厚いので周辺部に比べて中央部の断熱効果が大きく、
そのため、るつぼ内の温度分布が均一化される。
以下、この発明の一実施例を図について説へする。第1
図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置のるつぼを
示す断面図、第2図はその平面図てあり、第1図は第2
図のI−I線に沿った断面図になっている。これらの図
において、(24)はるつぼ(1)の上部に設けられた
ノズルであり、円形で断面が凸形になっていて中央部(
25)が周辺部(26)よりも厚く、また、複数の小孔
(4)が形成されている。その他は第4図、第5図の場
合と同様であり、また、装置全体の構成は第3図の場合
と同様であるのでそれらの説明を省略する。
図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置のるつぼを
示す断面図、第2図はその平面図てあり、第1図は第2
図のI−I線に沿った断面図になっている。これらの図
において、(24)はるつぼ(1)の上部に設けられた
ノズルであり、円形で断面が凸形になっていて中央部(
25)が周辺部(26)よりも厚く、また、複数の小孔
(4)が形成されている。その他は第4図、第5図の場
合と同様であり、また、装置全体の構成は第3図の場合
と同様であるのでそれらの説明を省略する。
次に、動作について説明する。第3図の場合と同様にし
てるつぼ(1)内の蒸着物質(2)が加熱され、蒸気(
21)となって真空中へ噴比し、基板(12)上に蒸着
膜(22)を形成する。この場合、ノズル(24)は中
央部(25)が周辺部(26)より厚さが厚いので、断
熱効果が大きく、従って、中央部(25)が周辺部(2
6)に比べて低温になることなく、るつぼ(1)内の温
度分布が均一になる。そのため、溶融した蒸着物質(2
)がノズル(3)に付着し、これが吹き飛ばされてスピ
ッティングを発生させることはない。
てるつぼ(1)内の蒸着物質(2)が加熱され、蒸気(
21)となって真空中へ噴比し、基板(12)上に蒸着
膜(22)を形成する。この場合、ノズル(24)は中
央部(25)が周辺部(26)より厚さが厚いので、断
熱効果が大きく、従って、中央部(25)が周辺部(2
6)に比べて低温になることなく、るつぼ(1)内の温
度分布が均一になる。そのため、溶融した蒸着物質(2
)がノズル(3)に付着し、これが吹き飛ばされてスピ
ッティングを発生させることはない。
なお、上記実施例では蒸発した蒸着物質(2)をイオン
化し、加速する機能を備えたものを示したが、これらの
機能を備えないものにも適用てきる。また、るつぼ(1
1の加熱を電子ボンバード用フィラメント(5)により
行なったが、例えば、るつぼ(1)の外周に発熱体を設
けて伝熱により加熱する抵抗加熱や、るつぼ(1)の外
周に高周波用コイルを設けて高周波電力を印加する誘導
加熱などの他の加熱手段を用いてもよい。
化し、加速する機能を備えたものを示したが、これらの
機能を備えないものにも適用てきる。また、るつぼ(1
1の加熱を電子ボンバード用フィラメント(5)により
行なったが、例えば、るつぼ(1)の外周に発熱体を設
けて伝熱により加熱する抵抗加熱や、るつぼ(1)の外
周に高周波用コイルを設けて高周波電力を印加する誘導
加熱などの他の加熱手段を用いてもよい。
以上のように、この発明によればノズルの中央部の厚さ
を厚くしたのでその部分の断熱効果が大きくなっていて
るつぼ内の温度分布が均一になり、その結果、蒸着物質
がノズルに付着することなく、スピッティングの発生を
防止でき、従って、均一な蒸着膜を形成できる効果があ
る。
を厚くしたのでその部分の断熱効果が大きくなっていて
るつぼ内の温度分布が均一になり、その結果、蒸着物質
がノズルに付着することなく、スピッティングの発生を
防止でき、従って、均一な蒸着膜を形成できる効果があ
る。
第1図はこの発明の一実施例による薄膜形成装置のるつ
ぼを示す断面図、第2図はその平面図、第3区は従来の
薄膜形成装置を示す断面図、第4図は第3図の薄膜形成
装置のるつぼを示す断面図、赤第5図はその平面図であ
る。 図において、(1)はるつぼ、(2)は蒸着物質、(2
)は小孔、(5)は電子ボンバード用フィラメント、<
12)は基板、(13)は真空槽、(21)は蒸気、(
22)は蒸着膜、(24)はノズル、(25)は中央部
、(26)は周辺部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 1; 3っは゛ 2:、1lP4¥ 4;d\JL 24 : / ’l−+v 25:1′夫郵 26:町轡 第2図
ぼを示す断面図、第2図はその平面図、第3区は従来の
薄膜形成装置を示す断面図、第4図は第3図の薄膜形成
装置のるつぼを示す断面図、赤第5図はその平面図であ
る。 図において、(1)はるつぼ、(2)は蒸着物質、(2
)は小孔、(5)は電子ボンバード用フィラメント、<
12)は基板、(13)は真空槽、(21)は蒸気、(
22)は蒸着膜、(24)はノズル、(25)は中央部
、(26)は周辺部である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 第1図 1; 3っは゛ 2:、1lP4¥ 4;d\JL 24 : / ’l−+v 25:1′夫郵 26:町轡 第2図
Claims (1)
- 蒸着物質を収容したるつぼを、その外周に配置した加
熱装置で加熱することにより、上記蒸着物質を蒸気化し
てその蒸気を上記るつぼに設けられた小孔付板状のノズ
ルから真空領域内に置かれた基板に向かつて噴射し、こ
の基板上に蒸着させるものにおいて、ノズルの中央部の
厚さをその周辺部よりも厚くしたことを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9128590A JPH03287761A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9128590A JPH03287761A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03287761A true JPH03287761A (ja) | 1991-12-18 |
Family
ID=14022193
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9128590A Pending JPH03287761A (ja) | 1990-04-04 | 1990-04-04 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03287761A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6478876B1 (en) * | 1999-05-26 | 2002-11-12 | Masaji Asamoto | Apparatus for coating a body by using ion plating |
JP2004137583A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tohoku Pioneer Corp | 真空蒸着装置 |
KR100480363B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2005-03-30 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 증발 증착 셀 |
CN107686967A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 三星显示有限公司 | 线性蒸发源及包括线性蒸发源的沉积装置 |
-
1990
- 1990-04-04 JP JP9128590A patent/JPH03287761A/ja active Pending
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6478876B1 (en) * | 1999-05-26 | 2002-11-12 | Masaji Asamoto | Apparatus for coating a body by using ion plating |
KR100480363B1 (ko) * | 2002-04-09 | 2005-03-30 | 네오뷰코오롱 주식회사 | 증발 증착 셀 |
JP2004137583A (ja) * | 2002-10-21 | 2004-05-13 | Tohoku Pioneer Corp | 真空蒸着装置 |
CN107686967A (zh) * | 2016-08-05 | 2018-02-13 | 三星显示有限公司 | 线性蒸发源及包括线性蒸发源的沉积装置 |
CN107686967B (zh) * | 2016-08-05 | 2021-08-03 | 三星显示有限公司 | 线性蒸发源及包括线性蒸发源的沉积装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH0598425A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US5656141A (en) | Apparatus for coating substrates | |
US3192892A (en) | Ion bombardment cleaning and coating apparatus | |
JPH03287761A (ja) | 薄膜形成装置 | |
US3526206A (en) | Coating apparatus including electron beam evaporating means | |
JPH04228562A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH04235276A (ja) | 基板をコーティングするための装置 | |
JPH02247374A (ja) | 蒸発源用るつぼ及びそれを用いた薄膜成膜方法 | |
JP2823834B2 (ja) | 蒸着装置におけるるつぼ部機構 | |
JPH03294474A (ja) | 膜形成装置 | |
JPS62122209A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0364454A (ja) | 蒸気発生源用るつぼ | |
JPS61272368A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH01119663A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0578828A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS61279668A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH04120271A (ja) | クラスタイオンビーム発生方法およびクラスタイオンビーム発生装置 | |
JPS648267A (en) | Thin film forming device | |
JPH0416545B2 (ja) | ||
JPH0735569B2 (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPS60183721A (ja) | 薄膜蒸着装置 | |
JPS63282257A (ja) | イオンプレ−ティング装置 | |
JPH02104661A (ja) | 薄膜形成装置 | |
JPH0225424B2 (ja) | ||
JPS61279115A (ja) | 薄膜形成装置 |