JPS61279115A - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
- Publication number
- JPS61279115A JPS61279115A JP12198285A JP12198285A JPS61279115A JP S61279115 A JPS61279115 A JP S61279115A JP 12198285 A JP12198285 A JP 12198285A JP 12198285 A JP12198285 A JP 12198285A JP S61279115 A JPS61279115 A JP S61279115A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crucible
- vapor
- thin film
- substance
- film forming
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- Pending
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、基板に薄膜を付着させる薄膜形成装置に関す
るものである。
るものである。
第２図は例えば特開昭５４−９５９２号公報に示された
従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、図において、
１は真空槽、２は蒸着物質蒸気発生用るつぼ、３は該る
つぼ２に収容された蒸着物質、４は該蒸着物質３を加熱
するための電子ボンバード用フィラメント、５は絶縁ブ
ッシング、６は」二記電子ボンバード用フイラメン１−
４を加熱するための電力を供給する電源、７はイオン化
部、８は加速電極、９は物質蒸気のクラスターイオンビ
ーム、１０は基板である。
従来の薄膜形成装置を示す断面図であり、図において、
１は真空槽、２は蒸着物質蒸気発生用るつぼ、３は該る
つぼ２に収容された蒸着物質、４は該蒸着物質３を加熱
するための電子ボンバード用フィラメント、５は絶縁ブ
ッシング、６は」二記電子ボンバード用フイラメン１−
４を加熱するための電力を供給する電源、７はイオン化
部、８は加速電極、９は物質蒸気のクラスターイオンビ
ーム、１０は基板である。
次に動作について説明する。
真空槽１内の高真空領域で、絶縁ブッシング５を介して
設置された電源６から電子ボンバード用フィラメンｌ−
４に電力を供給し、該電子ボンバード用フィラメント４
からの輻射熱、又は該フィラメント４から放出される熱
電子をるつぼ２に衝突させることによって、該るつぼ２
内の蒸着物質３杉 を加熱し蒸≠せしめる。るつぼ２内の蒸着物質３の蒸気
圧が数Ｔｏｒｒ程度になると、蒸着物質３はるつぼ２に
設げられた小孔から高直空領域へ噴出する。このとき蒸
着物質３ばるつぼ２と真空槽１との圧力差により断熱膨
張し過冷却状態となりクラスタービーム９を発生ずる。
設置された電源６から電子ボンバード用フィラメンｌ−
４に電力を供給し、該電子ボンバード用フィラメント４
からの輻射熱、又は該フィラメント４から放出される熱
電子をるつぼ２に衝突させることによって、該るつぼ２
内の蒸着物質３杉 を加熱し蒸≠せしめる。るつぼ２内の蒸着物質３の蒸気
圧が数Ｔｏｒｒ程度になると、蒸着物質３はるつぼ２に
設げられた小孔から高直空領域へ噴出する。このとき蒸
着物質３ばるつぼ２と真空槽１との圧力差により断熱膨
張し過冷却状態となりクラスタービーム９を発生ずる。
該クラスクービーＪ・９ばイオン化部７で電子照射によ
りイオン化されてクラスクーイオンビームとなり、加速
電極８により加速されてイオン化されていない中性クラ
スターと共に、基板１０に射突し、該基板１０上に薄膜
を形成させる。
りイオン化されてクラスクーイオンビームとなり、加速
電極８により加速されてイオン化されていない中性クラ
スターと共に、基板１０に射突し、該基板１０上に薄膜
を形成させる。
従来の薄膜形成装置は以−にのように構成されているが
、るつぼ内の蒸着物質の量が少なくなると、るつぼ内に
温度分布を生じるために安定した蒸着が難しくなるとい
う欠点があった。その理由は、るつぼ内に生じた温度分
布の如何にかかわらず、電子ボンバード用フィラメント
により、るつぼ各部が一様に加熱されるためである。
、るつぼ内の蒸着物質の量が少なくなると、るつぼ内に
温度分布を生じるために安定した蒸着が難しくなるとい
う欠点があった。その理由は、るつぼ内に生じた温度分
布の如何にかかわらず、電子ボンバード用フィラメント
により、るつぼ各部が一様に加熱されるためである。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、るつぼ内の蒸着物質の母の如何に関わらず、
安定した蒸着が可能な薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
たもので、るつぼ内の蒸着物質の母の如何に関わらず、
安定した蒸着が可能な薄膜形成装置を提供することを目
的とする。
この発明に係る薄膜形成装置は、るつぼにス・１して各
々異なる位置関係にある電子ボンバード用フィラメント
の各線ごとに別電源を設けたものである。
々異なる位置関係にある電子ボンバード用フィラメント
の各線ごとに別電源を設けたものである。
この発明においては、電子ボンバー１゛用フイラメント
の各線ごとに設けた電源により、各々のフィラメンＩ・
に対応するるつぼ内の蒸着物質の各箇所にお（）る加熱
具合をｉｉＩ？ａ整でき、る一つぼ内の蒸着物質の量の
如何にかかわらず安定した芸者が行える。
の各線ごとに設けた電源により、各々のフィラメンＩ・
に対応するるつぼ内の蒸着物質の各箇所にお（）る加熱
具合をｉｉＩ？ａ整でき、る一つぼ内の蒸着物質の量の
如何にかかわらず安定した芸者が行える。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図は本発明の一実施例による薄膜形成装置の断面図
を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分を示す。図
において、１），１２．１３は電子ボンバード用フィラ
メン（・４の各線ごとに設けられた電源である。
を示し、図中、第２図と同一符号は同一部分を示す。図
において、１），１２．１３は電子ボンバード用フィラ
メン（・４の各線ごとに設けられた電源である。
次に、動作について説明する。
真空槽１内の高真空領域で、蒸着物質３を入れたるつぼ
２を、該るつぼ２の周囲に設けられた電子ボンバード用
フィラメン１へ４で、るつぼ２内の蒸着物質３の蒸気圧
が数Ｔｏｒｒになる温度に加熱する。本実施例装置にお
ける電子ボンバード用フィラメント４の各線はるつぼ２
に対して各々異なる位置関係に配置されており、該電子
ボンバード用フィラノント４の各線ごとに別電源１）．
１）゜１３が設けられているので、蒸着物質３の減少に
従ってるつぼ２内に発生ずる温度分布に応して加熱具合
の調整が可能であり１、安定した蒸着が行なえる。加熱
された蒸着物質３の蒸気は、るつぼ２に設けられた小孔
より高真空領域内へ噴出し、このとき断熱膨張による過
冷却状態となり、クラスタービーム９を発生ずる。該ク
ラスタービーム９を、イオン化部７で電子照射によりイ
オン化してクラスターイオンビームとし、これをるつぼ
２及びイオン化部７に対して負の電位を持つ加速電極８
によって加速し、基板１０に射突、付着させ、該基板１
０上に薄膜を形成する。
２を、該るつぼ２の周囲に設けられた電子ボンバード用
フィラメン１へ４で、るつぼ２内の蒸着物質３の蒸気圧
が数Ｔｏｒｒになる温度に加熱する。本実施例装置にお
ける電子ボンバード用フィラメント４の各線はるつぼ２
に対して各々異なる位置関係に配置されており、該電子
ボンバード用フィラノント４の各線ごとに別電源１）．
１）゜１３が設けられているので、蒸着物質３の減少に
従ってるつぼ２内に発生ずる温度分布に応して加熱具合
の調整が可能であり１、安定した蒸着が行なえる。加熱
された蒸着物質３の蒸気は、るつぼ２に設けられた小孔
より高真空領域内へ噴出し、このとき断熱膨張による過
冷却状態となり、クラスタービーム９を発生ずる。該ク
ラスタービーム９を、イオン化部７で電子照射によりイ
オン化してクラスターイオンビームとし、これをるつぼ
２及びイオン化部７に対して負の電位を持つ加速電極８
によって加速し、基板１０に射突、付着させ、該基板１
０上に薄膜を形成する。
このような本実施例装置においては、るっぽ］内の蒸着
物質３０減少度に応じてるっぽ１の加熱強度を部分的に
調節できるから、るっぽ１内に蒸着物質３の減少による
温度分布が佳しても、物質蒸気を安定に発生しつづける
ことができる。
物質３０減少度に応じてるっぽ１の加熱強度を部分的に
調節できるから、るっぽ１内に蒸着物質３の減少による
温度分布が佳しても、物質蒸気を安定に発生しつづける
ことができる。
以上のように、本発明によれば、るつぼ加熱用の電子ボ
ンバード用フィラメントの各線ごとに電源を設けたので
、るつぼ内の蒸着物質の減少に従ってるつぼ内に生ずる
温度分布に対応して加熱具合を調整でき、安定した薄膜
形成を行なえる効果がある。
ンバード用フィラメントの各線ごとに電源を設けたので
、るつぼ内の蒸着物質の減少に従ってるつぼ内に生ずる
温度分布に対応して加熱具合を調整でき、安定した薄膜
形成を行なえる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例による薄膜形成装置を示ず断
面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図である
。 ２・・・るつぼ、３・・・蒸着物質、４・・・電子ボン
バード用フィラメント、７・・・イオン化部、８・・・
加速電極、９・・・クラスクーイオンビーム、１ｏ・・
・基板、１）．１２．１３・・・電源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
面図、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図である
。 ２・・・るつぼ、３・・・蒸着物質、４・・・電子ボン
バード用フィラメント、７・・・イオン化部、８・・・
加速電極、９・・・クラスクーイオンビーム、１ｏ・・
・基板、１）．１２．１３・・・電源。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）真空内に蒸着物質の蒸気を噴出して該蒸気の原子
が多数緩く結合したクラスタを発生するるつぼ及びこれ
を加熱する電子ボンバード用フィラメントからなる蒸気
発生手段と、該蒸気発生手段からのクラスタに電子を衝
突させて該クラスタをイオン化させるイオン化部と、上
記イオン化したクラスタイオンを加速して基板に衝突さ
せて薄膜を形成させる加速電極とから成る薄膜形成装置
において、上記蒸気発生手段の電子ボンバード用フィラ
メントの各線ごとに電源を設けたことを特徴とする薄膜
形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12198285A JPS61279115A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12198285A JPS61279115A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61279115A true JPS61279115A (ja) | 1986-12-09 |
Family
ID=14824642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12198285A Pending JPS61279115A (ja) | 1985-06-05 | 1985-06-05 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61279115A (ja) |
-
1985
- 1985-06-05 JP JP12198285A patent/JPS61279115A/ja active Pending
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