JP2575375B2 - 薄膜形成装置 - Google Patents
薄膜形成装置Info
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- JP2575375B2 JP2575375B2 JP62050209A JP5020987A JP2575375B2 JP 2575375 B2 JP2575375 B2 JP 2575375B2 JP 62050209 A JP62050209 A JP 62050209A JP 5020987 A JP5020987 A JP 5020987A JP 2575375 B2 JP2575375 B2 JP 2575375B2
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- Japan
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- crucible
- cluster
- thin film
- film forming
- forming apparatus
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ この発明は、薄膜形成装置に、特にクラスターイオン
ビーム（ICB）蒸着装置によって薄膜を形成する場合の
蒸気発生部に関するものである。
ビーム（ICB）蒸着装置によって薄膜を形成する場合の
蒸気発生部に関するものである。
［従来の技術］ 第２図は従来のICB蒸着装置の主要部の斜視図であ
り、図において（１）はルツボ、（２）はこのルツボに
格納される蒸着物質、（３）はルツボ（１）の基板（後
述する）側の面に少なくとも１つ設けられたノズル、
（４）はルツボ（１）を取り囲んで配置される加熱用フ
ィラメント、（５）は以上のルツボ（１），蒸着物質
（２），ノズル（３），加熱用フィラメント（４）から
なる蒸気発生部である。（６）はノズルから噴射される
クラスター，（７）はこのクラスター（６）を取り囲み
配置された円筒状のイオン化用フィラメントであり、ク
ラスター（６）の一部をイオン化するために用いられ
る。（８）はイオン化用フィラメント（７）の内部に配
置された円筒状の電子ビーム引出し電極である。（９）
はクラスターイオン化部でありイオン化用フィラメント
（７）及び電子ビーム引出し電極（８）からなる。（1
0）はクラスター（６）の一部がイオン化されたクラス
ターイオン、（11）はクラスター（６）のうちのクラス
ターイオン（10）を電界で加速しそれに運動エネルギー
を付与する加速電極、そして（12）はその表面に薄膜が
形成される基板である。尚、真空槽は図示しない。
り、図において（１）はルツボ、（２）はこのルツボに
格納される蒸着物質、（３）はルツボ（１）の基板（後
述する）側の面に少なくとも１つ設けられたノズル、
（４）はルツボ（１）を取り囲んで配置される加熱用フ
ィラメント、（５）は以上のルツボ（１），蒸着物質
（２），ノズル（３），加熱用フィラメント（４）から
なる蒸気発生部である。（６）はノズルから噴射される
クラスター，（７）はこのクラスター（６）を取り囲み
配置された円筒状のイオン化用フィラメントであり、ク
ラスター（６）の一部をイオン化するために用いられ
る。（８）はイオン化用フィラメント（７）の内部に配
置された円筒状の電子ビーム引出し電極である。（９）
はクラスターイオン化部でありイオン化用フィラメント
（７）及び電子ビーム引出し電極（８）からなる。（1
0）はクラスター（６）の一部がイオン化されたクラス
ターイオン、（11）はクラスター（６）のうちのクラス
ターイオン（10）を電界で加速しそれに運動エネルギー
を付与する加速電極、そして（12）はその表面に薄膜が
形成される基板である。尚、真空槽は図示しない。
従来のICB蒸着装置は上記のように構成され，まず、
真空排気系（図示しない）によって真空槽内が１×10-6
Torr程度に排気される。続いて加熱用フィラメント
（４）は，ルツボ（１）内の蒸気圧が数Torrになる温度
まで加熱されると、蒸着物質（２）が蒸発されノズル
（３）から基板（12）に向けて真空中に噴射される。こ
の噴射された蒸気はノズル（３）を通過する際に断熱膨
張によって加速冷却されて凝縮し、クラスター（６）と
呼ばれる塊状原子集団が形成される。次に電子ビーム引
出し電極（８）によってイオン化用フィラメント（７）
から電子ビームが引き出され又加速される。この電子ビ
ームによってクラスター（６）の一部がイオン化されク
ラスターイオン（10）となり、さらに加速電極（11）に
よって形成される電界によって加速されクラスター
（６）と共に基板（12）に衝突し、この基板（12）上に
薄膜が形成される。
真空排気系（図示しない）によって真空槽内が１×10-6
Torr程度に排気される。続いて加熱用フィラメント
（４）は，ルツボ（１）内の蒸気圧が数Torrになる温度
まで加熱されると、蒸着物質（２）が蒸発されノズル
（３）から基板（12）に向けて真空中に噴射される。こ
の噴射された蒸気はノズル（３）を通過する際に断熱膨
張によって加速冷却されて凝縮し、クラスター（６）と
呼ばれる塊状原子集団が形成される。次に電子ビーム引
出し電極（８）によってイオン化用フィラメント（７）
から電子ビームが引き出され又加速される。この電子ビ
ームによってクラスター（６）の一部がイオン化されク
ラスターイオン（10）となり、さらに加速電極（11）に
よって形成される電界によって加速されクラスター
（６）と共に基板（12）に衝突し、この基板（12）上に
薄膜が形成される。
［発明が解決しようとする問題点］ 上記のような従来のICB蒸着装置では、ルツボ（１）
を交換しようとして、又はそれに蒸着物質（２）を補充
しようとしてルツボ（１）を取り出す際にルツボ（１）
が加熱用フィラメント（４）に囲まれているために水平
方向に取り出すことが難しく、ルツボ（１）の交換又は
蒸着物質（２）の補充を自動化することが出来ないとい
う問題点があった。
を交換しようとして、又はそれに蒸着物質（２）を補充
しようとしてルツボ（１）を取り出す際にルツボ（１）
が加熱用フィラメント（４）に囲まれているために水平
方向に取り出すことが難しく、ルツボ（１）の交換又は
蒸着物質（２）の補充を自動化することが出来ないとい
う問題点があった。
この発明は、このような問題点を解決するためになさ
れたものであり、ルツボを水平方向に取り出すことがで
きる蒸気発生部を備える薄膜形成装置を得ることを目的
とする。
れたものであり、ルツボを水平方向に取り出すことがで
きる蒸気発生部を備える薄膜形成装置を得ることを目的
とする。
［問題点を解決するための手段］ この発明に係る薄膜形成装置は、ルツボはノズルから
噴射される蒸気と直交方向に可動自在に配置され、か
つ、加熱用フィラメントはルツボを介して対向するよう
に配置されると共に、ルツボの可動方向に沿って配置し
たものである。
噴射される蒸気と直交方向に可動自在に配置され、か
つ、加熱用フィラメントはルツボを介して対向するよう
に配置されると共に、ルツボの可動方向に沿って配置し
たものである。
［作用］ この発明においては、蒸気発生部のルツボが水平方向
に取り出せるようにしている。
に取り出せるようにしている。
［実施例］ 第１図（ａ）はこの発明の薄膜形成装置の一実施例の
蒸着発生部の斜視図，第１図（ｂ）は第１図（ａ）の変
形例の斜視図，第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図
（ｂ）のそれぞれ平面図であり、（１）及び（３）は従
来例と全く同一であり、（4A）はこの発明の加熱用フィ
ラメントであり、波形に成型されている。蒸着発生部
（5A）はルツボ（１），蒸着物質（２）［図示しな
い］，ノズル（３），及び加熱用フィラメント（4A）か
ら構成される。他の構成ついては第２図に示される従来
例と全く同様である。
蒸着発生部の斜視図，第１図（ｂ）は第１図（ａ）の変
形例の斜視図，第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図
（ｂ）のそれぞれ平面図であり、（１）及び（３）は従
来例と全く同一であり、（4A）はこの発明の加熱用フィ
ラメントであり、波形に成型されている。蒸着発生部
（5A）はルツボ（１），蒸着物質（２）［図示しな
い］，ノズル（３），及び加熱用フィラメント（4A）か
ら構成される。他の構成ついては第２図に示される従来
例と全く同様である。
上記のように構成された薄膜形成装置においては、第
１図（ａ）で示されるように図の縦方向に波形をしてい
る加熱用フィラメント（4A）がルツボ（１）の円筒曲面
に対向した平行２平面内に配置される。第１図（ｂ）は
この発明の変形例であり、図の横方向に波形をした加熱
用フィラメント（4A）がルツボ（１）の円筒曲面に対向
した平行２平面内に配置される。従来例と同様にしてル
ツボ（１）が加熱用フィラメント（4A）によって加熱さ
れ蒸着物質（２）が蒸発する。この蒸着物質（２）が蒸
気発生部（5A）からノズル（３）を通じて噴射されると
同時にクラスター（図示しない）を経てクラスターイオ
ン化部（図示しない）でクラスターイオン（図示しな
い）として生成される。このクラスターイオンが加速電
極（図示しない）でクラスターと共に加速されて薄膜が
基板（図示しない）に形成される。ここで、ルツボ
（１）の交換又はその蒸着物質を補充する場合にはルツ
ボ（１）を加熱用フィラメント（4A）に対して平行にそ
して水平方向に移動させて取り出す。
１図（ａ）で示されるように図の縦方向に波形をしてい
る加熱用フィラメント（4A）がルツボ（１）の円筒曲面
に対向した平行２平面内に配置される。第１図（ｂ）は
この発明の変形例であり、図の横方向に波形をした加熱
用フィラメント（4A）がルツボ（１）の円筒曲面に対向
した平行２平面内に配置される。従来例と同様にしてル
ツボ（１）が加熱用フィラメント（4A）によって加熱さ
れ蒸着物質（２）が蒸発する。この蒸着物質（２）が蒸
気発生部（5A）からノズル（３）を通じて噴射されると
同時にクラスター（図示しない）を経てクラスターイオ
ン化部（図示しない）でクラスターイオン（図示しな
い）として生成される。このクラスターイオンが加速電
極（図示しない）でクラスターと共に加速されて薄膜が
基板（図示しない）に形成される。ここで、ルツボ
（１）の交換又はその蒸着物質を補充する場合にはルツ
ボ（１）を加熱用フィラメント（4A）に対して平行にそ
して水平方向に移動させて取り出す。
［発明の効果］ この発明は以上説明したとおり、ルツボはノズルから
噴射される蒸気と直交方向に可動自在に配置され、か
つ、加熱用フィラメントはルツボを介して対向するよう
に配置されると共に、ルツボの可動方向に沿って配置し
たので、ルツボの交換又はその蒸着物質の補充が容易に
なり、自動化できるという効果を奏する。
噴射される蒸気と直交方向に可動自在に配置され、か
つ、加熱用フィラメントはルツボを介して対向するよう
に配置されると共に、ルツボの可動方向に沿って配置し
たので、ルツボの交換又はその蒸着物質の補充が容易に
なり、自動化できるという効果を奏する。
第１図（ａ）はこの発明の薄膜形成装置の一実施例の蒸
気発生部の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の変形
例の斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図
（ｂ）のそれぞれ平面図である。第２図は従来のICB蒸
着装置の主要部の斜視図である。 図において、（１）はルツボ、（２）は蒸着物質、
（３）ノズル、（４）及び（4A）は加熱用フィラメン
ト、（５）及び（5A）は蒸気発生部、（６）はクラスタ
ー、（７）はイオン化用フィラメント、（８）は電子ビ
ーム引出し電極、（９）はクラスターイオン化部、（1
0）はクラスターイオン、（11）は加速電極、（12）は
基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
気発生部の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の変形
例の斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図
（ｂ）のそれぞれ平面図である。第２図は従来のICB蒸
着装置の主要部の斜視図である。 図において、（１）はルツボ、（２）は蒸着物質、
（３）ノズル、（４）及び（4A）は加熱用フィラメン
ト、（５）及び（5A）は蒸気発生部、（６）はクラスタ
ー、（７）はイオン化用フィラメント、（８）は電子ビ
ーム引出し電極、（９）はクラスターイオン化部、（1
0）はクラスターイオン、（11）は加速電極、（12）は
基板である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (3)
- 【請求項１】真空槽内に設けられ、蒸気発生部、この蒸
気発生部に備えられたルツボ内の蒸気物質が加熱用フィ
ラメントで加熱され蒸気と成り更にそれがノズルから噴
出されると同時に加速冷却されて生成されたクラスター
をクラスターイオンに変換するクラスターイオン化部、
このクラスターイオン化部からの前記クラスターイオン
を前記クラスタート共に加速する加速電極、その加速電
極で加速された前記クラスター及び前記クラスターイオ
ンが衝突してその表面に薄膜が形成される基板から成る
薄膜形成装置であって、 前記ルツボは前記ノズルから噴射される蒸気と直交方向
に可動自在に配置され、かつ、前記加熱用フィラメント
は前記ルツボを介して対向するように配置されると共
に、前記ルツボの可動方向に沿って配置されたことを特
徴とする薄膜形成装置。 - 【請求項２】加熱用フィラメントはルツボの円筒曲面に
対向する平行２平面内に配置されることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の薄膜形成装置。 - 【請求項３】ルツボはその表面に少なくとも１つノズル
が形成されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ま
たは第２項記載の薄膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050209A JP2575375B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 薄膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62050209A JP2575375B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 薄膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63216967A JPS63216967A (ja) | 1988-09-09 |
| JP2575375B2 true JP2575375B2 (ja) | 1997-01-22 |
Family
ID=12852708
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62050209A Expired - Lifetime JP2575375B2 (ja) | 1987-03-06 | 1987-03-06 | 薄膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2575375B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6629508B2 (en) | 1999-12-10 | 2003-10-07 | Epion Corporation | Ionizer for gas cluster ion beam formation |
| EP1255277B1 (en) * | 2001-05-01 | 2007-09-12 | TEL Epion Inc. | Ionizer for gas cluster ion beam formation |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59197564A (ja) * | 1983-04-21 | 1984-11-09 | Mitsubishi Electric Corp | イオンクラスタ−ビ−ム蒸着装置のルツボ |
| JPS62260051A (ja) * | 1986-05-02 | 1987-11-12 | Hitachi Ltd | 蒸気発生装置 |
-
1987
- 1987-03-06 JP JP62050209A patent/JP2575375B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63216967A (ja) | 1988-09-09 |
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