JPH0510423B2 - - Google Patents
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- JPH0510423B2 JPH0510423B2 JP61102152A JP10215286A JPH0510423B2 JP H0510423 B2 JPH0510423 B2 JP H0510423B2 JP 61102152 A JP61102152 A JP 61102152A JP 10215286 A JP10215286 A JP 10215286A JP H0510423 B2 JPH0510423 B2 JP H0510423B2
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- reactive gas
- substrate
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- vacuum chamber
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は化合物薄膜蒸着装置、特にクラスタイ
オンビーム蒸着法により、高品質の化合物薄膜を
形成する蒸着装置に関するものである。
オンビーム蒸着法により、高品質の化合物薄膜を
形成する蒸着装置に関するものである。
[従来の技術]
従来のクラスタイオンビーム蒸着装置として、
(社)電子通信学会電子装置研究会資料:ED79−
44、p.1〜p.8、1979年7月27日、に開示されたも
のがある。第2図はこのような従来のクラスタイ
オンビーム蒸着法による化合物薄膜蒸着装置を模
式的に示す断面説明図である。
(社)電子通信学会電子装置研究会資料:ED79−
44、p.1〜p.8、1979年7月27日、に開示されたも
のがある。第2図はこのような従来のクラスタイ
オンビーム蒸着法による化合物薄膜蒸着装置を模
式的に示す断面説明図である。
図において、1は真空槽10を所定の真空度に
排気して保持する真空排気装置、2は例えば酸素
等の反応性ガスのガスボンベ、3は反応性ガスを
真空槽10に導入するためのリークバルブであ
る。また、4はノズル40を有する密閉型のるつ
ぼで、内部には基板9に蒸着しようとする物質1
1例えば亜鉛等が装填されている。5はるつぼ4
の加熱用フイラメント、6はイオン化用フイラメ
ントである。16は基板9に蒸着しようとする物
質11の蒸気を真空槽9に噴出して、物質11の
クラスタビームを生成する蒸気発生源で、るつぼ
4及びるつぼ加熱用フイラメント5よりなる。1
7はクラスタをイオン化するイオン化手段で、イ
オン化用フイラメント6及びグリツド7よりな
る。
排気して保持する真空排気装置、2は例えば酸素
等の反応性ガスのガスボンベ、3は反応性ガスを
真空槽10に導入するためのリークバルブであ
る。また、4はノズル40を有する密閉型のるつ
ぼで、内部には基板9に蒸着しようとする物質1
1例えば亜鉛等が装填されている。5はるつぼ4
の加熱用フイラメント、6はイオン化用フイラメ
ントである。16は基板9に蒸着しようとする物
質11の蒸気を真空槽9に噴出して、物質11の
クラスタビームを生成する蒸気発生源で、るつぼ
4及びるつぼ加熱用フイラメント5よりなる。1
7はクラスタをイオン化するイオン化手段で、イ
オン化用フイラメント6及びグリツド7よりな
る。
イオン化用フイラメント6は電流により2000℃
位に熱せられ、ここから放出される電子12はグ
リツド7により加速されノズル40より出射して
きたクラスタ14を衝撃してその一部をイオン化
してクラスタイオン13を生成する。8はクラス
タイオン13を加速し、基板9の表面に衝突させ
るイオンの加速電極である。そして、15a及び
15bは熱シールド板である。
位に熱せられ、ここから放出される電子12はグ
リツド7により加速されノズル40より出射して
きたクラスタ14を衝撃してその一部をイオン化
してクラスタイオン13を生成する。8はクラス
タイオン13を加速し、基板9の表面に衝突させ
るイオンの加速電極である。そして、15a及び
15bは熱シールド板である。
次に動作について説明する。真空排気装置1に
より真空槽10内が10-6Torr台の真空度になる
まで排気したのち、リークバルブ3を開いて反応
性ガス(ここでは酸素)を導入する。次いで、ル
ツボ4内の蒸気圧が数Torrになる温度(物質1
0がZnの場合500℃位)まで、るつぼ加熱用フイ
ラメント5の加熱により放出される電子を加速し
てるつぼ4に衝撃することによつて加熱すると、
物質11は蒸気化してノズル40から真空中に噴
射する。
より真空槽10内が10-6Torr台の真空度になる
まで排気したのち、リークバルブ3を開いて反応
性ガス(ここでは酸素)を導入する。次いで、ル
ツボ4内の蒸気圧が数Torrになる温度(物質1
0がZnの場合500℃位)まで、るつぼ加熱用フイ
ラメント5の加熱により放出される電子を加速し
てるつぼ4に衝撃することによつて加熱すると、
物質11は蒸気化してノズル40から真空中に噴
射する。
この噴射した物質蒸気はノズル40を通過する
際に断熱膨脹により凝縮し、クラスタ14と呼ば
れる多数個原子からなる塊状粒子が形成される。
クラスタ14はグリツド7の内側領域が形成する
イオン化室でイオン化用フイラメント6から放出
される電子12との衝突によつてイオン化されて
クラスタイオン13となる。クラスタイオン13
は加速電極8に印加された電圧による電界により
加速をうけて高いエネルギをもつて基板9に衝突
する。なお、イオン化されない残りのクラスタ1
4はそのままの熱エネルギを持つて基板9に衝突
する。
際に断熱膨脹により凝縮し、クラスタ14と呼ば
れる多数個原子からなる塊状粒子が形成される。
クラスタ14はグリツド7の内側領域が形成する
イオン化室でイオン化用フイラメント6から放出
される電子12との衝突によつてイオン化されて
クラスタイオン13となる。クラスタイオン13
は加速電極8に印加された電圧による電界により
加速をうけて高いエネルギをもつて基板9に衝突
する。なお、イオン化されない残りのクラスタ1
4はそのままの熱エネルギを持つて基板9に衝突
する。
この場合、真空槽10内には反応性ガスが拡散
して一様に存在するので、クラスタ14やクラス
タイオン13の基板9への飛行中又は衝突時に、
反応性ガスとの反応が行われ、反応生成物である
目的の化合物(ここでは酸化亜鉛ZnO)が基板9
上に蒸着してその薄膜が形成される。
して一様に存在するので、クラスタ14やクラス
タイオン13の基板9への飛行中又は衝突時に、
反応性ガスとの反応が行われ、反応生成物である
目的の化合物(ここでは酸化亜鉛ZnO)が基板9
上に蒸着してその薄膜が形成される。
[発明が解決しようとする課題]
上述のような従来の化合物薄膜蒸着装置では、
真空槽10内の反応性ガスは常温の分子状態であ
るため活性度が低く、かつ一様に分布しているの
で、クラスタと反応して得られる化合物薄膜の密
度が低いという問題があつた。
真空槽10内の反応性ガスは常温の分子状態であ
るため活性度が低く、かつ一様に分布しているの
で、クラスタと反応して得られる化合物薄膜の密
度が低いという問題があつた。
また、反応性ガスは常温状態で基板9付近に一
様に存在するため、この基板上に局所的な膜の成
分または膜質の制御された薄膜を形成することが
できないという問題があつた。
様に存在するため、この基板上に局所的な膜の成
分または膜質の制御された薄膜を形成することが
できないという問題があつた。
さらに、真空槽10内に導入した反応性ガスの
大部分は排気され、薄膜形成にあずかる反応性ガ
スは非常に少なくなるという問題があつた。
大部分は排気され、薄膜形成にあずかる反応性ガ
スは非常に少なくなるという問題があつた。
本発明は、上述のような問題点を解決するため
になされたもので、高品質の化合物薄膜が形成で
きる蒸着装置を提供することを目的とするもので
ある。
になされたもので、高品質の化合物薄膜が形成で
きる蒸着装置を提供することを目的とするもので
ある。
[課題を解決するための手段]
本発明に係る化合物薄膜蒸着装置は、真空槽内
に配設された基板に蒸着しようとする物質のクラ
スタを発生する蒸気発生源と、このクラスタをイ
オン化するイオン化手段と、このクラスタイオン
を加速する加速電極と、反応ガスを導入するガス
導入手段とからなり、蒸気発生源を構成するるつ
ぼの中心を貫いて形成された管状体を介して反応
性ガスを導入するとともに、この管状体の周囲に
蒸気発生源のノズルを少なくとも2個配設した複
合るつぼを有するものである。
に配設された基板に蒸着しようとする物質のクラ
スタを発生する蒸気発生源と、このクラスタをイ
オン化するイオン化手段と、このクラスタイオン
を加速する加速電極と、反応ガスを導入するガス
導入手段とからなり、蒸気発生源を構成するるつ
ぼの中心を貫いて形成された管状体を介して反応
性ガスを導入するとともに、この管状体の周囲に
蒸気発生源のノズルを少なくとも2個配設した複
合るつぼを有するものである。
[作用]
本発明においては、るつぼの中心を貫いて形成
された管状体のノズルから反応性ガスを導入する
から、各ノズルから噴出するクラスタと反応性ガ
スは、いずれもイオン化手段17の方向へ進行
し、かつ進行中に電子12と衝突してイオン化さ
れる。したがつて、クラスタイオンも反応性ガス
イオンも一様に基板の方向に大きなイオン密度と
指向性を保つて加速され、基板上に化合物を形成
しながら蒸着する。そして、クラスタと反応性ガ
スもるつぼの温度に見合う熱エネルギをもつてビ
ーム状になつて局部的な高密度の分子流の状態を
保ちながら進行し、基板上に化合物として蒸着す
る。
された管状体のノズルから反応性ガスを導入する
から、各ノズルから噴出するクラスタと反応性ガ
スは、いずれもイオン化手段17の方向へ進行
し、かつ進行中に電子12と衝突してイオン化さ
れる。したがつて、クラスタイオンも反応性ガス
イオンも一様に基板の方向に大きなイオン密度と
指向性を保つて加速され、基板上に化合物を形成
しながら蒸着する。そして、クラスタと反応性ガ
スもるつぼの温度に見合う熱エネルギをもつてビ
ーム状になつて局部的な高密度の分子流の状態を
保ちながら進行し、基板上に化合物として蒸着す
る。
[実施例]
以下、本発明の一実施例を図について説明す
る。第1図は本発明の一実施例を模式的に示す説
明図である。図中1〜17及び40は第2図の従
来例で示したものと同一又は相当部分であるの
で、説明を省略する。
る。第1図は本発明の一実施例を模式的に示す説
明図である。図中1〜17及び40は第2図の従
来例で示したものと同一又は相当部分であるの
で、説明を省略する。
図において、4はるつぼであり、41は反応性
ガス43がリークバルブ3を介して送られてくる
配管部分であり、るつぼ4の中心を貫いた状態に
形成されている。42は反応性ガス43が噴出す
るノズル、40はノズル42を囲むように形設さ
れた物質11の蒸気噴出用のるつぼ4のノズルで
ある。ノズル40は少なくとも2個以上がノズル
40に対して対称に設けられている。
ガス43がリークバルブ3を介して送られてくる
配管部分であり、るつぼ4の中心を貫いた状態に
形成されている。42は反応性ガス43が噴出す
るノズル、40はノズル42を囲むように形設さ
れた物質11の蒸気噴出用のるつぼ4のノズルで
ある。ノズル40は少なくとも2個以上がノズル
40に対して対称に設けられている。
つぎに、動作について説明する。真空排気装置
1により、真空槽10内が10-6Torr台の真空度
になるまで排気したのち、るつぼ4を加熱して物
質11の蒸気をノズル40から噴出させクラスタ
14を従来法と同様にして基板9上へ衝突させ
る。一方、配管部分41を経てノズル42吹き出
る反応性ガス43は、るつぼ4からの熱伝導によ
り高温になつており、化学的に活性度が高くなつ
ているが、ノズル42から吹き出た直後、イオン
化手段12の領域でイオン化されてさらに活性度
が高められている。
1により、真空槽10内が10-6Torr台の真空度
になるまで排気したのち、るつぼ4を加熱して物
質11の蒸気をノズル40から噴出させクラスタ
14を従来法と同様にして基板9上へ衝突させ
る。一方、配管部分41を経てノズル42吹き出
る反応性ガス43は、るつぼ4からの熱伝導によ
り高温になつており、化学的に活性度が高くなつ
ているが、ノズル42から吹き出た直後、イオン
化手段12の領域でイオン化されてさらに活性度
が高められている。
イオン化された反応性ガスイオン44は、同様
にイオン化されたクラスタイオン13とともに加
速電極8で形成される電界によつて加速され高い
イオン密度と指向性をもつて基板9の方へ進行
し、基板9上に蒸着する。
にイオン化されたクラスタイオン13とともに加
速電極8で形成される電界によつて加速され高い
イオン密度と指向性をもつて基板9の方へ進行
し、基板9上に蒸着する。
この時、高温で、かつイオン化された反応性ガ
スイオン44は特に化学的な活性度が非常に高い
ので、クラスタ14やクラスタイオン13と効率
よく反応し、基板9上には膜密度が高くなる高品
質の化合物薄膜が、形成される。
スイオン44は特に化学的な活性度が非常に高い
ので、クラスタ14やクラスタイオン13と効率
よく反応し、基板9上には膜密度が高くなる高品
質の化合物薄膜が、形成される。
[発明の効果]
以上のように本発明によれば、反応性ガスを蒸
気発生源のるつぼの中心に設けた配管部分から導
入するようにしてビーム状にして噴出させ、同時
に反応性ガスをるつぼと同様に加熱すること、そ
して、ノズルから噴出直後にイオン化することに
より活性度を高め、さらに反応性ガス及びクラス
タを各ノズルから噴出後直ちにイオン化し反応性
ガスイオン及びクラスタイオンを加速することに
より、基板への反応粒度密度とその指向性を高め
ることができ、膜密度の高い高品質の化合物薄膜
を効率よく形成することができる。
気発生源のるつぼの中心に設けた配管部分から導
入するようにしてビーム状にして噴出させ、同時
に反応性ガスをるつぼと同様に加熱すること、そ
して、ノズルから噴出直後にイオン化することに
より活性度を高め、さらに反応性ガス及びクラス
タを各ノズルから噴出後直ちにイオン化し反応性
ガスイオン及びクラスタイオンを加速することに
より、基板への反応粒度密度とその指向性を高め
ることができ、膜密度の高い高品質の化合物薄膜
を効率よく形成することができる。
第1図は本発明による化合物薄膜蒸着装置の模
式説明図、第2図は従来装置の模式説明図であ
る。 図において、1は真空排気装置、2はガスボン
ベ、3はリークバルブ、4はるつぼ、5はるつぼ
加熱用フイラメント、6はイオン化用フイラメン
ト、7はグリツド、8は加速電極、9は基板、1
0は真空槽、11は物質、12は電子、13はク
ラスタイオン、14はクラスタ、15a,15b
は熱イールド板、16は蒸気発生源、17はグリ
ツド、40はノズル、41は配管部分、42はノ
ズル、43は反応性ガス、44は反応性ガスイオ
ンである。。なお、図中同一符号は同一又は相当
部分を示す。
式説明図、第2図は従来装置の模式説明図であ
る。 図において、1は真空排気装置、2はガスボン
ベ、3はリークバルブ、4はるつぼ、5はるつぼ
加熱用フイラメント、6はイオン化用フイラメン
ト、7はグリツド、8は加速電極、9は基板、1
0は真空槽、11は物質、12は電子、13はク
ラスタイオン、14はクラスタ、15a,15b
は熱イールド板、16は蒸気発生源、17はグリ
ツド、40はノズル、41は配管部分、42はノ
ズル、43は反応性ガス、44は反応性ガスイオ
ンである。。なお、図中同一符号は同一又は相当
部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 所定の真空度に保持される真空槽と、この真
空槽に設けられ基板に蒸着しようとする物質の蒸
気を前記真空槽に噴出して前記物質のクラスタを
生成するるつぼ及びるつぼ加熱用フイラメントか
らなる蒸気発生源と、前記クラスタを電子衝撃に
よりイオン化するイオン化手段と、このイオン化
手段によりイオン化されたイオンを前記基板方向
へ加速する加速電極と、反応性ガスを導入するガ
ス導入手段とを有し、 前記るつぼは、その中心を貫いて形成された管
状体を介して前記反応性ガスが導入される構成を
有するとともに、前記管状体のノズルの周囲に前
記るつぼのノズルを少なくとも2個配設した複合
型のるつぼであることを特徴とする化合物薄膜蒸
着装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10215286A JPS62260053A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10215286A JPS62260053A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62260053A JPS62260053A (ja) | 1987-11-12 |
JPH0510423B2 true JPH0510423B2 (ja) | 1993-02-09 |
Family
ID=14319760
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP10215286A Granted JPS62260053A (ja) | 1986-05-06 | 1986-05-06 | 化合物薄膜蒸着装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62260053A (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5529634A (en) * | 1992-12-28 | 1996-06-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US5582879A (en) * | 1993-11-08 | 1996-12-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Cluster beam deposition method for manufacturing thin film |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5176182A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Butsushitsuhakumakuseiseisochi |
-
1986
- 1986-05-06 JP JP10215286A patent/JPS62260053A/ja active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5176182A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Butsushitsuhakumakuseiseisochi |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS62260053A (ja) | 1987-11-12 |
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