JPS63216967A

JPS63216967A - 薄膜形成装置

Info

Publication number: JPS63216967A
Application number: JP5020987A
Authority: JP
Inventors: Hiromoto Ito; 弘基伊藤
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1987-03-06
Filing date: 1987-03-06
Publication date: 1988-09-09
Anticipated expiration: 2012-01-22
Also published as: JP2575375B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】し　産業上の利用分野　］この発明は、薄膜形成装置に、特にクラスターイオンビ
ーム（ＩＣＢ）蒸着装置によって薄膜を形成する場合の
蒸気発生部に関するものである。

［従来の技術　］第２図は従来のＩＣＢ蒸着装置の主要部の斜視図であり
、図において（１）はルツボ、（２）はこのルツボに格
納される蒸着物質、（３）はルツボ（１）の基板（後述
する）側の面に少なくとも１つ設けられたノズル、（４
）はルツボ（１）を取り囲んで配置される加熱用フィラ
メント、（５）は以上のルツボ（１）、蒸着物質く２）
、ノズル（３）。

加熱用フィラメント（４）からな葛蒸気発生部である。

（６）はノズルから噴射されるクラスター。

（７）はこのクラスター（６）を取り囲み配置された円
筒状のイオン化用フィラメントであり、クラスター（６
）の一部をイオン化するために用いられる。（８）はイ
オン化用フィラメント（７）の内部に配置された円筒状
の電子ビーム引出し電極である。くっ）はクラスターイ
オン化部でありイオン化用フィラメント（７）及び電子
ビーム引出し電極（８）からなる。（１０）はクラスタ
ー（６）の一部がイオン化されたクラスターイオン、（
１１）はクラスター（６）のうちのクラスターイオン（
１０）を電界で加速しそれに運動エネルギーを付与する
加速電極、そして（１２）はその表面に薄膜が形成され
る基板である。尚、真空槽は図示しない。

従来のＩＣＢ蒸着装置は上記のように構成され、まず、
真空排気系（図示しない）によって真空槽内がＩ　Ｘ　
１０−’Ｔｏ　ｒ　ｒ程度に排気される。

続いて加熱用フィラメント（４）は、ルツボ（１）内の
蒸気圧が数Ｔｏｒｒになる温度まで加熱されると、蒸着
物質（２）が蒸発されノズル（３）から基板（１２）に
向けて真空中に噴射される。この噴射された蒸気はノズ
ル（３）を通過する際に断熱膨張によって加速冷却され
て凝縮し、クラスター（６）と呼ばれる塊状原子集団が
形成される。次にこのクラスター（６）は電子ビーム引
出し電極く８）によってイオン化用フィラメン！−（７
）から電子ビームが引き出され又加速される。この電子
ビームによってクラスター（６）の一部がイオン化され
クラスターイオン（１０）となり、さらに加速電極（１
１）によって形成される電界によって加速されクラスタ
ー〈６）と共に基板（１２）に衝突し、この基板（１２
）上にＦｉ膜が形成される。

［発明が解決しようとする問題点　］上記のような従来のＩＣＢ蒸着装置では、ルツボ（１）
を交換しようとして、又はそれに蒸着物質（２）を補充
しようとしてルツボ（１）を取り出す際にルツボ（１）
が加熱用フィラメント〈４）に囲まれているために水平
方向に取り出すことが難しく、ルツボ（１）の交換又は
蒸着物質（２）の補充を自動化することが出来ないとい
うｒｒｆ１題点があった。

この発明は、このような問題点を解決するためになされ
たものであり、ルツボを水平方向に取り出すことができ
る蒸気発生部を備える薄膜形成装置を得ることを目的と
する。

［問題点を解決するための手段　コこの発明に係る薄膜形成装置は、蒸気発生部に、蒸着物
質が格納されているルツボと離間されそれを挟むような
平行２平面内に配置される加熱用フィラメントを設けた
ものである。

［作用　］この発明においては、蒸気発生部のルツボが水平方向に
取り出せるようにしている。

［実施例　］第１図（ａ）はこの発明の薄膜形成装置の一実施例の蒸
着発生部の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の変形
例の斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図（
ｂ）のそれぞれ平面図であり、（１）及び（３）は従来
例と全く同一であり、（４＾）は、−の今回の加熱ｍフ
ィラメントで・訊ｎ　波間に成型されている。蒸着発生
部（５＾）はルツボ（１）。

蒸着物質（２）［図示しない］、ノズル（３）。

及び加熱用フィラメント（４Ａ）から構成される。

他の構成については第２図に示される従来例と全く同様
である。

上記のように構成された薄膜形成装置においては、第１
図（ａ）で示されるように図の縦方向に波形をしている
加熱用フィラメント（４Ａ）がルツボ（１）の円筒曲面
に対向した平行２平面内に配置される。第１図（ｂ）は
この発明の変形例であり、図の横方向に波形をした加熱
用フィラメン）　（４Ａ＞がルツボ（１）の円筒曲面に
対向した平行２平面内に配置される。従来例と同様にし
てルツボ（１）が加熱用フィラメント（４＾）によって
加熱され蒸着物質（２）が蒸発する。この蒸着物質（２
）が蒸気発生部（５＾）からノズル（３）を通じて噴射
されると同時にクラスター（図示しない）を経てクラス
ターイオン化部（図示しない）でクラスターイオン（図
示しない）として生成される。このクラスターイオンが
加速電ｗｌ（図示しない〉でクラスターと共に加速され
て薄膜が基板（図示しない）に形成される。ここで、ル
ツボ（１）の交換又はその蒸着物質を補充する場合には
ルツボ（１）を加熱用フィラメント（４Ａ）に対して平
行にそして水平方向に移動させて取り出す。

［発明の効果　］この発明は以上説明したとおり、蒸気発生部の加熱用フ
ィラメントを蒸着物質が格納されているルツボと離間さ
せそれを挟むような平行２平面内に配置するように構成
したので、ルツボの交換又はその蒸着物質の補充が容易
になり、自動化できるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ＞はこの発明の薄膜形成装置の一実施例の蒸
気発生部の斜視図、第１図（ｂ）は第１図（ａ＞の変形
例の斜視図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）及び第１図（
ｂ）のそれぞれ平面図である。第２図は従来のＩＣＢ蒸
着装置の主要部の斜視図である。図において、（１）はルツボ、（２）は蒸着物質、（３
）ノズル、（４）及び（４Ａ）は加熱用フィラメント、
（５）及び（５Ａ）は蒸気発生部、（６）はクラスター
、（７）はイオン化用フィラメント、（８）は電子ビー
ム引出し電極、くっ）はクラスターイオン化部、（１０
）はクラスターイオン、（１１）は加速電極、（１２）
は基板である。なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims

【特許請求の範囲】

（１）真空槽内に設けられ、蒸気発生部、この蒸気発生
部に備えられたルツボ内の蒸着物質が加熱され蒸気と成
り更にそれが前記ノズルから噴出されると同時に加速冷
却されて生成されたクラスターをクラスターイオンに変
換するクラスターイオン化部、このクラスターイオン化
部からの前記クラスターイオンを前記クラスターと共に
加速する加速電極、この加速電極で加速された前記クラ
スター及び前記クラスターイオンが衝突してその表面に
薄膜が形成される基板から成る薄膜形成装置であって、前記蒸気発生部に、前記蒸着物質が格納されている前記
ルツボと離間されそれを挟むような平行２平面内に配置
され、前記ルツボを加熱するための加熱用フィラメント
を備えたことを特徴とする薄膜形成装置。
（２）加熱用フィラメントはルツボの円筒曲面に対向す
る平行２平面内に配置されることを特徴とする特許請求
の範囲第１項記載の薄膜形成装置。
（３）ルツボはその表面に少なくとも１つノズルが形成
されることを特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２
項記載の薄膜形成装置。