JPS6251735U - - Google Patents

Info

Publication number
JPS6251735U
JPS6251735U JP14137285U JP14137285U JPS6251735U JP S6251735 U JPS6251735 U JP S6251735U JP 14137285 U JP14137285 U JP 14137285U JP 14137285 U JP14137285 U JP 14137285U JP S6251735 U JPS6251735 U JP S6251735U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
crucible
thin film
ionization section
forming apparatus
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP14137285U
Other languages
English (en)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP14137285U priority Critical patent/JPS6251735U/ja
Publication of JPS6251735U publication Critical patent/JPS6251735U/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Description

【図面の簡単な説明】
第1図はこの考案の一実施例による薄膜形成装
置における蒸着物質を溶解するるつぼの加熱手段
およびクラスタのイオン化手段等を示す断面図、
第2図は従来の薄膜形成装置の全体構成を示す断
面図である。 図において、4は蒸着物質、5はるつぼ、11
はイオン化フイラメント、12は電子引出グリツ
ド、15はイオン化電子、16は加速電極、19
はイオン化クラスタ、20はクラスタビーム、2
4は基板、27は小孔、28は隔壁筒。なお、各
図中同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高真空領域内にるつぼとイオン化部と加速電極
    と薄膜を蒸着する基板とを配設し、上記るつぼお
    よびイオン化部と上記加速電極との間に、前者が
    正、後者が負となるような加速電圧が印化され、
    上記るつぼ内の蒸着物質が加熱によつて蒸発し、
    上記るつぼに設けられた小孔より高真空中に噴射
    して断熱膨張による過冷却状態になつたクラスタ
    に対して上記イオン化部においてクラスタイオン
    を発生させ、このクラスタイオンを加速して上記
    基板に薄膜を蒸着させる薄膜形成装置において、
    上記るつぼと上記イオン化部のグリツドとが隔壁
    筒によつて結合された一体構造に形成されている
    ことを特徴とする薄膜形成装置。
JP14137285U 1985-09-18 1985-09-18 Pending JPS6251735U (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14137285U JPS6251735U (ja) 1985-09-18 1985-09-18

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14137285U JPS6251735U (ja) 1985-09-18 1985-09-18

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6251735U true JPS6251735U (ja) 1987-03-31

Family

ID=31049089

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14137285U Pending JPS6251735U (ja) 1985-09-18 1985-09-18

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6251735U (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS6251735U (ja)
JPS6365067A (ja) 薄膜形成法
JPS6389964U (ja)
JPS62114057U (ja)
JPS63216967A (ja) 薄膜形成装置
JP2637948B2 (ja) ビームプラズマ型イオン銃
JPS63115063U (ja)
JPH0342034Y2 (ja)
JPH0322063U (ja)
JPS6410066U (ja)
JPS62182970U (ja)
JPH0722843Y2 (ja) プラズマスパッタ型負イオン源
JPS587704B2 (ja) イオンプレ−テイングホウ
JPS61187373U (ja)
JPH0414185B2 (ja)
JPS5974659U (ja) イオン注入装置のイオン発生装置
JPS62157968U (ja)
JPS6251736U (ja)
JPH0174261U (ja)
JPH0379153U (ja)
JPS61279115A (ja) 薄膜形成装置
JPH03177567A (ja) 真空蒸着装置
JPH03158458A (ja) クラスターイオンビーム装置
JPS62160454U (ja)
JPS6453751U (ja)