JPS63115063U - - Google Patents

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JPS63115063U
JPS63115063U JP699287U JP699287U JPS63115063U JP S63115063 U JPS63115063 U JP S63115063U JP 699287 U JP699287 U JP 699287U JP 699287 U JP699287 U JP 699287U JP S63115063 U JPS63115063 U JP S63115063U
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thin film
crucible
vacuum chamber
forming apparatus
vacuum
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの考案の一実施例を示す概略断面図
、第２図は従来の薄膜形成装置を示す断面図であ
る。 図において、１は真空槽、４は蒸着物質、５は
るつぼ、７は電子ボンバード用フイラメント、８
はるつぼ熱シールド板、１１はイオン化用フイラ
メント、１２は電子引出グリツド、１６は加速電
極、２４は基板、３０は真空予備室である。なお
、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す。
補正 昭６２．５．２７ 実用新案登録請求の範囲を次のように補正する
。
【実用新案登録請求の範囲】 蒸着物質を入れたるつぼと、このるつぼ内の蒸
着物質が加熱されて蒸気化され、断熱膨張による
過冷却状態によつて発生されたクラスターをイオ
ン化するイオン化部と、イオン化されたクラスタ
ーを加速させる加速電極と、薄膜を被着させる基
板とを真空槽内に備えた薄膜形成装置において、
前記真空槽と連設してその真空を破らずに前記る
つぼを交換するための真空予備室を設けたことを
特徴とする薄膜形成装置。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 蒸着物質を入れたるつぼと、このるつぼ内の蒸
    着物質が加熱されて蒸気化され、断熱膨張による
    過冷却状態によつて発生されたクラスターをイオ
    ン化するイオン化部と、イオン化されたクラスタ
    ーを加速して基板に付着させ、もつて薄膜を形成
    させる加速電極とを真空槽内に備えた薄膜形成装
    置であつて、前記真空槽と連設してその真空を破
    らずに前記るつぼを交換するための真空予備室を
    設けたことを特徴とする薄膜形成装置。
JP699287U 1987-01-22 1987-01-22 Expired JPH0449173Y2 (ja)

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JPS63115063U true JPS63115063U (ja) 1988-07-25
JPH0449173Y2 JPH0449173Y2 (ja) 1992-11-19

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011134723A (ja) * 2005-02-18 2011-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着装置及びｅｌ素子の作製方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011134723A (ja) * 2005-02-18 2011-07-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 蒸着装置及びｅｌ素子の作製方法
US9093402B2 (en) 2005-02-18 2015-07-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same

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