JPS62114057U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS62114057U JPS62114057U JP107086U JP107086U JPS62114057U JP S62114057 U JPS62114057 U JP S62114057U JP 107086 U JP107086 U JP 107086U JP 107086 U JP107086 U JP 107086U JP S62114057 U JPS62114057 U JP S62114057U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cluster
- closed crucible
- lid
- substrate
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 5
- 238000000427 thin-film deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 3
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- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 2
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims 3
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
第１図は本考案に係る薄膜蒸着装置の概略構成
図、第２図は第１図に示した密閉型ルツボの概略
構成図、第３図は従来の密閉型ルツボを用いた薄
膜蒸着装置の概略構成図、第４図は第３図に示し
た薄膜蒸着装置の主要部分の斜視図、第５図は従
来の密閉型ルツボの概略図である。 各図中、１は真空槽、２は排気通路、３は真空
用バルブ、４は密閉型ルツボ、４ａはノズル、４
ｂは蓋、４ｃは拡散遮蔽壁、５は蒸発物質、６は
蒸発源加熱用フイラメント、７，１１は熱シール
ド板、８は蒸気発生源、９はイオン化電子放出フ
イラメント、１０は電子引き出し電極、１２はイ
オン化手段、１３は熱電子、１４は加速電極、１
５は中性クラスタ、１６はクラスタ・イオン、１
７はクラスタビーム、１８は基板、１９，２１，
２３，２４は絶縁支持部材、２０はルツボ支持部
材、２２は基板ホルダ、２５は止め具である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示すも
のである。
図、第２図は第１図に示した密閉型ルツボの概略
構成図、第３図は従来の密閉型ルツボを用いた薄
膜蒸着装置の概略構成図、第４図は第３図に示し
た薄膜蒸着装置の主要部分の斜視図、第５図は従
来の密閉型ルツボの概略図である。 各図中、１は真空槽、２は排気通路、３は真空
用バルブ、４は密閉型ルツボ、４ａはノズル、４
ｂは蓋、４ｃは拡散遮蔽壁、５は蒸発物質、６は
蒸発源加熱用フイラメント、７，１１は熱シール
ド板、８は蒸気発生源、９はイオン化電子放出フ
イラメント、１０は電子引き出し電極、１２はイ
オン化手段、１３は熱電子、１４は加速電極、１
５は中性クラスタ、１６はクラスタ・イオン、１
７はクラスタビーム、１８は基板、１９，２１，
２３，２４は絶縁支持部材、２０はルツボ支持部
材、２２は基板ホルダ、２５は止め具である。な
お、各図中同一符号は同一又は相当部分を示すも
のである。
Claims (1)
- 所定の真空度に保持される真空槽と、前記真空
槽内に設けられ、基板に蒸着すべき蒸発物質が充
填されている密閉型ルツボと、前記蒸発物質を溶
融して該蒸発物質の蒸気を噴出させ、多数の原子
が緩く結合したクラスタを発生する蒸気発生源と
、前記密閉型ルツボに一体化して設けられた拡散
遮蔽壁と、前記密閉型ルツボの蓋と、前記蓋を前
記密閉型ルツボに押え付ける止め具と、前記クラ
スタをイオン化してクラスタ・イオンとする熱電
子を放出するイオン化電子放出フイラメントと、
前記クラスタに向けて前記熱電子を放射する電子
引き出し電極と、前記クラスタ・イオンを加速し
、該加速したクラスタ・イオンをイオン化されて
いない中性クラスタとともに基板に衝突させて、
該基板に薄膜を蒸着する加速電極とを備えたこと
を特徴とする薄膜蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP107086U JPH0342033Y2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP107086U JPH0342033Y2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62114057U true JPS62114057U (ja) | 1987-07-20 |
| JPH0342033Y2 JPH0342033Y2 (ja) | 1991-09-03 |
Family
ID=30778631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP107086U Expired JPH0342033Y2 (ja) | 1986-01-10 | 1986-01-10 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0342033Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012057235A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
-
1986
- 1986-01-10 JP JP107086U patent/JPH0342033Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012057235A (ja) * | 2010-09-13 | 2012-03-22 | Hitachi Zosen Corp | 真空蒸着装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0342033Y2 (ja) | 1991-09-03 |
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