JPH0722843Y2 - プラズマスパッタ型負イオン源 - Google Patents
プラズマスパッタ型負イオン源Info
- Publication number
- JPH0722843Y2 JPH0722843Y2 JP1989105695U JP10569589U JPH0722843Y2 JP H0722843 Y2 JPH0722843 Y2 JP H0722843Y2 JP 1989105695 U JP1989105695 U JP 1989105695U JP 10569589 U JP10569589 U JP 10569589U JP H0722843 Y2 JPH0722843 Y2 JP H0722843Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cesium
- container
- ion source
- plasma
- negative ion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】 （産業上の利用分野） この考案はプラズマスパッタ型負イオン源に関する。
（従来の技術） 周知のようにこの種プラズマスパッタ型負イオン源は、
図に示すような構成のものが使用されている。同図にお
いて、１は負イオンとして引出される元素を供給するス
パッタ・ターゲット、２はセシウム蒸気を供給するセシ
ウム・リザーバー、３はスパッタ・ターゲット１をスパ
ッタするプラズマを作るフィラメントである。
図に示すような構成のものが使用されている。同図にお
いて、１は負イオンとして引出される元素を供給するス
パッタ・ターゲット、２はセシウム蒸気を供給するセシ
ウム・リザーバー、３はスパッタ・ターゲット１をスパ
ッタするプラズマを作るフィラメントである。
５はスパッタ・ターゲット１、フィラメント３その他を
収納する容器（真空チェンバー）、６は発生したプラズ
マを閉じ込める磁場を構成する永久磁石、７はスパッタ
・ターゲット１と容器５との間を絶縁する絶縁物、８は
スパッタ・ターゲット１を支持し、冷却を行なう冷却
軸、９は引出電極10と容器５との間を絶縁する絶縁リン
グである。
収納する容器（真空チェンバー）、６は発生したプラズ
マを閉じ込める磁場を構成する永久磁石、７はスパッタ
・ターゲット１と容器５との間を絶縁する絶縁物、８は
スパッタ・ターゲット１を支持し、冷却を行なう冷却
軸、９は引出電極10と容器５との間を絶縁する絶縁リン
グである。
11はプラズマとするアルゴン、キセノン等の希ガスを容
器５内に導入する導入口、12は真空ポンプに通ずる通路
である。
器５内に導入する導入口、12は真空ポンプに通ずる通路
である。
導入口11から容器５内に導入された希ガスは、フィラメ
ント３によりイオン化され、プラズマとなる。このプラ
ズマのうち、イオンは、スパッタ・ターゲット１と容器
５との間に印加された電場により加速され、スパッタ・
ターゲット１をスパッタする。
ント３によりイオン化され、プラズマとなる。このプラ
ズマのうち、イオンは、スパッタ・ターゲット１と容器
５との間に印加された電場により加速され、スパッタ・
ターゲット１をスパッタする。
セシウム・リザーバー２で生成されたセシウム蒸気のう
ち、一部はイオン化し、プラズマ中に取り込まれ、一部
はスパッタ・ターゲット１の表面に付着する。
ち、一部はイオン化し、プラズマ中に取り込まれ、一部
はスパッタ・ターゲット１の表面に付着する。
イオンによりスパッタされたスパッタ粒子には、スパッ
タ・ターゲット１の表面に付着したセシウムより電子が
供給され、負イオンが生成する。この負イオンは、容器
５と引出電極10との間に生成されている電場により、図
中の矢印13の方向に引出される。
タ・ターゲット１の表面に付着したセシウムより電子が
供給され、負イオンが生成する。この負イオンは、容器
５と引出電極10との間に生成されている電場により、図
中の矢印13の方向に引出される。
（考案が解決しようとする課題） ところでこのような構成の負イオン源によると、負イオ
ンを大量に生成するためには、スパッタ・ターゲット１
の表面に付着させるセシウムの量を最適に保つ必要があ
る。
ンを大量に生成するためには、スパッタ・ターゲット１
の表面に付着させるセシウムの量を最適に保つ必要があ
る。
そのために容器５内に大量にセシウムを導入する必要が
あり、したがってその消費量は必然的に多くなる。また
導入されたすべてのセシウムがプラズマに取り込まれた
り、スパッタ・ターゲット１の表面に付着するものでは
ないので、使用されなかったセシウムの容器５の下部に
たまる量が結果的に多くなる。
あり、したがってその消費量は必然的に多くなる。また
導入されたすべてのセシウムがプラズマに取り込まれた
り、スパッタ・ターゲット１の表面に付着するものでは
ないので、使用されなかったセシウムの容器５の下部に
たまる量が結果的に多くなる。
この考案は、負イオンの生成に使用されないで容器の下
部にたまったセシウムの再利用を図ることにより、セシ
ウムの消費を抑制し、しかも大電流の負イオンを生成す
ることを目的とする。
部にたまったセシウムの再利用を図ることにより、セシ
ウムの消費を抑制し、しかも大電流の負イオンを生成す
ることを目的とする。
（課題を解決するための手段） この考案は、容器の下部に加熱源を設け、下部にたまっ
たセシウムを加熱するようにしたしたことを特徴とす
る。
たセシウムを加熱するようにしたしたことを特徴とす
る。
（作用） 容器の下部にたまったセシウムは加熱源によって加熱さ
れ、再度蒸発されてセシウム蒸気となる。このセシウム
蒸気がスパッタ・ターゲットに付着することによって、
負イオンの生成に干与するようになる。
れ、再度蒸発されてセシウム蒸気となる。このセシウム
蒸気がスパッタ・ターゲットに付着することによって、
負イオンの生成に干与するようになる。
（実施例） この考案の実施例を図によって説明すると、この考案に
したがい、容器５の下部に加熱源14を設置する。加熱源
14としては、たとえばシーズヒータなどが好適である。
したがい、容器５の下部に加熱源14を設置する。加熱源
14としては、たとえばシーズヒータなどが好適である。
セシウム・リザーバー２から供給されたセシウム蒸気の
一部がイオン化してプラズマ中に取り込まれ、一部がス
パッタ・ターゲット１の表面に付着することは前述し
た。
一部がイオン化してプラズマ中に取り込まれ、一部がス
パッタ・ターゲット１の表面に付着することは前述し
た。
しかしその他のセシウム蒸気は容器５の下部にたまる。
従来ではこの下部で冷却されるのであるが、図の構成の
ように加熱源14を設置しておくと、この加熱源14によっ
て下部にたまったセシウムは加熱され、再度蒸発されて
セシウム蒸気となる。
従来ではこの下部で冷却されるのであるが、図の構成の
ように加熱源14を設置しておくと、この加熱源14によっ
て下部にたまったセシウムは加熱され、再度蒸発されて
セシウム蒸気となる。
このセシウム蒸気が上昇してスパッタ・ターゲット１の
表面に付着するようになり、その結果負イオンの生成に
干与するようになる。
表面に付着するようになり、その結果負イオンの生成に
干与するようになる。
以上のようにして従来では導入されたセシウム蒸気の一
部分のみが、スパッタ・ターゲット１に付着していたの
に対し、加熱源14を設けることによってセシウムの使用
効率を高めることができるようになる。
部分のみが、スパッタ・ターゲット１に付着していたの
に対し、加熱源14を設けることによってセシウムの使用
効率を高めることができるようになる。
換言すればセシウムの消費量を、従来構成よりも減少さ
せることができるとともに、セシウムの消費量を少なく
して負イオンビーム量を増大させることができるように
なる。
せることができるとともに、セシウムの消費量を少なく
して負イオンビーム量を増大させることができるように
なる。
またセシウム・リザーバー２を容器５の外側に設けたの
で、セシウムの補充にあたって、イオン源そのものを解
体することを必要とせず、その補充が可能となる。
で、セシウムの補充にあたって、イオン源そのものを解
体することを必要とせず、その補充が可能となる。
（考案の効果） 以上詳述したようにこの考案によれば、負イオンの生成
に使用されないで容器の下部にたまったセシウムの再利
用を可能としたので、負イオンの生成に必要なセシウム
の消費量が低減でき、かつ負イオンビーム量の増大化が
可能となるとともに、セシウムの補充がイオン源そのも
のを解体することなく簡単に実施できるといった効果を
奏する。
に使用されないで容器の下部にたまったセシウムの再利
用を可能としたので、負イオンの生成に必要なセシウム
の消費量が低減でき、かつ負イオンビーム量の増大化が
可能となるとともに、セシウムの補充がイオン源そのも
のを解体することなく簡単に実施できるといった効果を
奏する。
第１図はこの考案の実施例を示す断面図である。 １…スパッタ・ターゲット、２…セシウム・リザーバ
ー、３…フィラメント、５…容器、14…加熱源、
ー、３…フィラメント、５…容器、14…加熱源、
Claims (1)
- 【請求項１】負イオンとして引出される元素を供給する
スパッタ・ターゲットおよび前記スパッタ・ターゲット
をスパッタするプラズマを生成するフィラメントを容器
内に設けるとともに、セシウム蒸気を供給するセシウム
・リザーバーを備えてなるプラズマスパッタ型負イオン
源において、 前記容器の外側に前記セシウム・リザーバーを設けると
ともに、前記セシウム・リザーバーより供給されるセシ
ウムのうち、負イオンの生成に使用されないで、前記容
器の下部にたまるセシウムを蒸発させるように加熱する
加熱源を、前記容器の下部に設けてなるプラズマスパッ
タ型負イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989105695U JPH0722843Y2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1989105695U JPH0722843Y2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0344855U JPH0344855U (ja) | 1991-04-25 |
| JPH0722843Y2 true JPH0722843Y2 (ja) | 1995-05-24 |
Family
ID=31654456
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1989105695U Expired - Fee Related JPH0722843Y2 (ja) | 1989-09-08 | 1989-09-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0722843Y2 (ja) |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5236240B2 (ja) * | 1972-06-08 | 1977-09-14 | ||
| JPS5842149A (ja) * | 1981-09-04 | 1983-03-11 | Jeol Ltd | セシウムイオン源 |
| JPS5971235A (ja) * | 1982-10-15 | 1984-04-21 | Hitachi Ltd | イオン源 |
-
1989
- 1989-09-08 JP JP1989105695U patent/JPH0722843Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0344855U (ja) | 1991-04-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |