JPS5842149A - セシウムイオン源 - Google Patents
セシウムイオン源Info
- Publication number
- JPS5842149A JPS5842149A JP13926181A JP13926181A JPS5842149A JP S5842149 A JPS5842149 A JP S5842149A JP 13926181 A JP13926181 A JP 13926181A JP 13926181 A JP13926181 A JP 13926181A JP S5842149 A JPS5842149 A JP S5842149A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cesium
- compound
- additive
- tip
- electron beam
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/20—Ion sources; Ion guns using particle beam bombardment, e.g. ionisers
- H01J27/22—Metal ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はイオンマイクロアナライず一等１ζ使用して最
適なセシウムイオン源に関し％４ＩＪＣ取扱−の容易な
セシウムイオン源６ζ関する。
適なセシウムイオン源に関し％４ＩＪＣ取扱−の容易な
セシウムイオン源６ζ関する。
４ｆ７マイクロアナライブー１ζお−で試料表面１と一
次イオンを照射し、該表面より二次的１ζ放出されるイ
オンを分析しているが、この分析精度を向上させるため
１ζは、より多くの二次イオンを試料から放出さするこ
とが望ましい。この二次イオンの放出量を増加させるた
めに一次イオン種として酸素イオンあるいはセシウムイ
オンを利用する 。
次イオンを照射し、該表面より二次的１ζ放出されるイ
オンを分析しているが、この分析精度を向上させるため
１ζは、より多くの二次イオンを試料から放出さするこ
とが望ましい。この二次イオンの放出量を増加させるた
めに一次イオン種として酸素イオンあるいはセシウムイ
オンを利用する 。
と効果があることが知られてｉるが、該酸素イオンは正
イオンを該セシウムイオンは負イオンの放出量を増加さ
せる。従来のセシウムイオン源は金属セシウムを周囲に
ヒーターが巻回された容器−ζ入れて加熱し、蒸発した
セシウムを多孔質の高温１ζ保たれたタングステン製の
電離後１ζ導き、該電離後を通過させることによってセ
シウムをイオン化するよう１ζして−る。又他のセシウ
ムイオン源にお−では、先端１１ｇζ強電界が形成され
たキャビラリ−エミッター易ζ液状のセシウムを供給シ
、該工きツタ−先端において、該強電界−こより液状セ
シウムを蒸発、イオン化するよう一ζして−る。
イオンを該セシウムイオンは負イオンの放出量を増加さ
せる。従来のセシウムイオン源は金属セシウムを周囲に
ヒーターが巻回された容器−ζ入れて加熱し、蒸発した
セシウムを多孔質の高温１ζ保たれたタングステン製の
電離後１ζ導き、該電離後を通過させることによってセ
シウムをイオン化するよう１ζして−る。又他のセシウ
ムイオン源にお−では、先端１１ｇζ強電界が形成され
たキャビラリ−エミッター易ζ液状のセシウムを供給シ
、該工きツタ−先端において、該強電界−こより液状セ
シウムを蒸発、イオン化するよう一ζして−る。
上述したセシウムイオン源は−ずれも金属セシウムを使
用しτ−るが−この金属セシウムは空気−ζ触れると激
しく反応し、甚だ危険な物質である。
用しτ−るが−この金属セシウムは空気−ζ触れると激
しく反応し、甚だ危険な物質である。
従ってその取扱−１仁は十分な注意が必要であると共に
一金属セシウムをイオン源に装填する際６ζは該セシウ
ムが空気に触れｆｉｖｈようｌζするため、イオン源の
構造１ζ特別た工夫が必要と１にり、該構造が複雑とな
らざるを得ない。
一金属セシウムをイオン源に装填する際６ζは該セシウ
ムが空気に触れｆｉｖｈようｌζするため、イオン源の
構造１ζ特別た工夫が必要と１にり、該構造が複雑とな
らざるを得ない。
本発明は上述した点１ζ鑑皐でなされたもので、取扱−
が容易で構造が簡単なセシウムイオン源を提供すること
を目的としている。
が容易で構造が簡単なセシウムイオン源を提供すること
を目的としている。
本発明−ζ基づくセシウムイオン源はセシウム化合物と
、高温下−ζおいて該セシウム化合物と反応して金属セ
シウムを生成する添加物との混合材料管電子ビーム衝撃
−ζよって加熱し、該混合材料を熔融、蒸発させ、生じ
た金属セシウムを電子ビーム衝撃によってイオン化する
ようにして−る。
、高温下−ζおいて該セシウム化合物と反応して金属セ
シウムを生成する添加物との混合材料管電子ビーム衝撃
−ζよって加熱し、該混合材料を熔融、蒸発させ、生じ
た金属セシウムを電子ビーム衝撃によってイオン化する
ようにして−る。
例えばＣｓＭｏ 、 Ｃｍ Ｃ１等のセシウム化合物は
空気中にか−でも極めて安定な物質である。このような
セシウム化合物とある種の添加物を混合し、加熱すると
、該セシウム化合物と添加物とは反応し、金属セシウム
（ＣＢ）が生成される８本発明の特徴はこのような過程
で生成したセシウムをイオン化する点にあり、更儂ζセ
シウム化合物と添加物との混合材料を電子ビームｇζよ
って局所的ｌζ加熱し微小部分から高精度のセシウムイ
オンを一生させる点にある。その結果本発明にか−では
イオン源へは空気中で安定なセシウム化合物を装填する
ことができ、金属セシウムを装填するようにした従来の
セシウムイオン源嘉ζ比し、取扱−が容易で構造も簡単
と’＆ゐ。尚本発明にか叶るセシウム化合物と添加物と
の組合せの一例を次に示す。
空気中にか−でも極めて安定な物質である。このような
セシウム化合物とある種の添加物を混合し、加熱すると
、該セシウム化合物と添加物とは反応し、金属セシウム
（ＣＢ）が生成される８本発明の特徴はこのような過程
で生成したセシウムをイオン化する点にあり、更儂ζセ
シウム化合物と添加物との混合材料を電子ビームｇζよ
って局所的ｌζ加熱し微小部分から高精度のセシウムイ
オンを一生させる点にある。その結果本発明にか−では
イオン源へは空気中で安定なセシウム化合物を装填する
ことができ、金属セシウムを装填するようにした従来の
セシウムイオン源嘉ζ比し、取扱−が容易で構造も簡単
と’＆ゐ。尚本発明にか叶るセシウム化合物と添加物と
の組合せの一例を次に示す。
ＣａＭｏ ＋ Ｔｌ
ＣａＣ１＋ Ｃａ
ＣａｔＣｒ４０ｍ ＋ ８１
ＣＳ工＋Ｗ
以下本発明の実施例を添付図面に基づき詳述する。
第１図にお−で１は正の高電圧が印加される電極であり
、該電極１１ζよ抄棒状の工２ツタ−２が支持されてい
る。該棒状のエヤツタ−２は例えば粉末状のセシウム化
合物ＣＩＩＭＯと同じく粉末状の添加物！１を混合し、
この混合材料を加圧成形して形成される。酋工ぎツタ−
２に接近してイオンの引出し電４ＩＩ５が配置され、該
引出し電極６の下部には加熱電源４から加熱電流が供給
される螺旋状のフィラメント５．更Ｓζは接地電位の陰
極６が配置される。該電極１及びエミッター２には高電
産電源７かも正の高電圧が印加され、又該引・出し電［
！６及びフィラメント５６ζは例えば１００７１！度の
電圧が電ＩＩ８かも印加される。
、該電極１１ζよ抄棒状の工２ツタ−２が支持されてい
る。該棒状のエヤツタ−２は例えば粉末状のセシウム化
合物ＣＩＩＭＯと同じく粉末状の添加物！１を混合し、
この混合材料を加圧成形して形成される。酋工ぎツタ−
２に接近してイオンの引出し電４ＩＩ５が配置され、該
引出し電極６の下部には加熱電源４から加熱電流が供給
される螺旋状のフィラメント５．更Ｓζは接地電位の陰
極６が配置される。該電極１及びエミッター２には高電
産電源７かも正の高電圧が印加され、又該引・出し電［
！６及びフィラメント５６ζは例えば１００７１！度の
電圧が電ＩＩ８かも印加される。
１詠した如き構成のイオン源にか−でフィラメント５か
ら一生した電子は電界が集中しているエヤツタ−２の先
端部に集中的に照射され、該先端部を加熱する。その結
果該先端部にか−でエヤツタ−を構成するセシウム化合
物と添加物の混合材料は熔融し、そして蒸発する。この
遇穆でセシウム化合物と添加物とは反応し、セシウムが
生成される。該生成したセシウムは更１ζ電子ビームに
よって照射されイオン化される。酸セシウムイオンは引
出し電極２Ｓ−ζよって引出され、陰極６Ｉこよって加
速されて、該陰極の開口９からイオンビームとして取り
出される。尚この実施例にか−では該セシウム化合物が
絶縁物であるため、エヤツタ−が電子ビームの照射６ζ
よって帯電しなｈよう該工９ツタ−が導電性を有する種
度までセシウム化合物゛中Ｃζ導電性の添加物を含ませ
る必要がある。
ら一生した電子は電界が集中しているエヤツタ−２の先
端部に集中的に照射され、該先端部を加熱する。その結
果該先端部にか−でエヤツタ−を構成するセシウム化合
物と添加物の混合材料は熔融し、そして蒸発する。この
遇穆でセシウム化合物と添加物とは反応し、セシウムが
生成される。該生成したセシウムは更１ζ電子ビームに
よって照射されイオン化される。酸セシウムイオンは引
出し電極２Ｓ−ζよって引出され、陰極６Ｉこよって加
速されて、該陰極の開口９からイオンビームとして取り
出される。尚この実施例にか−では該セシウム化合物が
絶縁物であるため、エヤツタ−が電子ビームの照射６ζ
よって帯電しなｈよう該工９ツタ−が導電性を有する種
度までセシウム化合物゛中Ｃζ導電性の添加物を含ませ
る必要がある。
第２図は本発明の他の実施例を示しており、図中１１は
タンタルある−はタングステンの如き金属で形成された
容器であり、誼容１８１１の一方の端部１２は細（され
、例えば０．１ｍｍ ＠ ＲｔＤ細孔１６が該端部１２
１ζ穿たれて−る。該容器の端部１２に接近して開口１
４ｔ−有した電１ｉ１５が配置されて−る。該容量ｉｌ
ｌはｉｌｌの電源１６によって高電圧Ｖ、が印加されて
おり、蚊電極１５には第２１Ｆ）１１５ｉ １７１ζよ
って電圧Ｖ、が印加されて−る。該電１ｉ１５の該容器
１１とは反対側には螺旋状のフィラメント１８が配置さ
れており、更１とは発生したイオンを加速するための接
地電位−ζされた加速型１ｉ１９が配置されて−る。該
電極１９にはイオンビームの射出角を制限する絞り板２
ｏが固定されτおり％又絶縁碍子２１ｔ−介してグリッ
ド２２が固定されて−る。該グリッド２２と加速型１１
１９との間１ζは適宜なる電源から数＋ポルト１度の電
圧が印加されてかり、この結果加速電極１９ある−は絞
り板２旧ζイオンが衝突すること−ζよって発生する電
子が前記容！ｉｌｌ、電１ｉ１５へ向うことが阻止され
る。更に該加速型１ｉ１９−ζは碍子２１の内側に導−
性シールドリング２３が配置されており、イオンの衝突
によって加速ｔｉｉ１９．．あるいは絞り板２０かもの
スパッタされた電子が碍子２１ ｊ！付着し、該加速電
極１９とグリッド２２との間の絶縁不良が生じるのを防
止して−る。
タンタルある−はタングステンの如き金属で形成された
容器であり、誼容１８１１の一方の端部１２は細（され
、例えば０．１ｍｍ ＠ ＲｔＤ細孔１６が該端部１２
１ζ穿たれて−る。該容器の端部１２に接近して開口１
４ｔ−有した電１ｉ１５が配置されて−る。該容量ｉｌ
ｌはｉｌｌの電源１６によって高電圧Ｖ、が印加されて
おり、蚊電極１５には第２１Ｆ）１１５ｉ １７１ζよ
って電圧Ｖ、が印加されて−る。該電１ｉ１５の該容器
１１とは反対側には螺旋状のフィラメント１８が配置さ
れており、更１とは発生したイオンを加速するための接
地電位−ζされた加速型１ｉ１９が配置されて−る。該
電極１９にはイオンビームの射出角を制限する絞り板２
ｏが固定されτおり％又絶縁碍子２１ｔ−介してグリッ
ド２２が固定されて−る。該グリッド２２と加速型１１
１９との間１ζは適宜なる電源から数＋ポルト１度の電
圧が印加されてかり、この結果加速電極１９ある−は絞
り板２旧ζイオンが衝突すること−ζよって発生する電
子が前記容！ｉｌｌ、電１ｉ１５へ向うことが阻止され
る。更に該加速型１ｉ１９−ζは碍子２１の内側に導−
性シールドリング２３が配置されており、イオンの衝突
によって加速ｔｉｉ１９．．あるいは絞り板２０かもの
スパッタされた電子が碍子２１ ｊ！付着し、該加速電
極１９とグリッド２２との間の絶縁不良が生じるのを防
止して−る。
上述した如き構成−ζにｍ−で、容器１基ζは例えば目
つ化上シウふとタングステンとの混合材料２４が入れら
れる。ここで容＠１１と電４１１５との間の電位差（Ｖ
ｌ−Ｖ、）は例えば数百ボルトにさ口ており、容器１１
の正電位は電１ｉ１５の開口１４を通ってフィラメント
側１ζにじみ出るよう−こされている。又該容器１１０
周辺の電界は細くされた端部１２の近傍１ζ集中して−
る。この結果フィラメント１８を加熱することによって
発生した電子は容器１１と１１５との間の電界−ζよっ
て収束され更易こ加速されて電界が集中している９Ｉ４
部１２４ζ衝突し、その部分を加熱する。この容器１１
の端部１２が加熱されること爵ζ伴−１該容器内部の端
部付近の材料２４は融は始め、その一部は端部１２に穿
たれた細孔１５を通って容器１１の先端に流れ出す。容
器１１の先端部に達したイオン化物質の液体は容器１１
と電極１５との間１ζ印加されている電圧によって生じ
る電界１こよる静電応力と液体自身の表面張力との均衡
を保つ形状となる。この形状は略円錐−ζ近く、従って
、電界は円錐状液体の鋭い先端部１ζ集中する。この結
果動作の初期慕こはフィラメント１８からの電子は容器
１１の端部１２を加熱し、材料２４を融点まで加熱する
こと＋ｃするが、材料２４の一部が液イヒして容器１１
の先端部ｊｃ流れ出し円錐状となった後５ζは電子はこ
の円錐先端部に集中的−ζ衝突することになる。
つ化上シウふとタングステンとの混合材料２４が入れら
れる。ここで容＠１１と電４１１５との間の電位差（Ｖ
ｌ−Ｖ、）は例えば数百ボルトにさ口ており、容器１１
の正電位は電１ｉ１５の開口１４を通ってフィラメント
側１ζにじみ出るよう−こされている。又該容器１１０
周辺の電界は細くされた端部１２の近傍１ζ集中して−
る。この結果フィラメント１８を加熱することによって
発生した電子は容器１１と１１５との間の電界−ζよっ
て収束され更易こ加速されて電界が集中している９Ｉ４
部１２４ζ衝突し、その部分を加熱する。この容器１１
の端部１２が加熱されること爵ζ伴−１該容器内部の端
部付近の材料２４は融は始め、その一部は端部１２に穿
たれた細孔１５を通って容器１１の先端に流れ出す。容
器１１の先端部に達したイオン化物質の液体は容器１１
と電極１５との間１ζ印加されている電圧によって生じ
る電界１こよる静電応力と液体自身の表面張力との均衡
を保つ形状となる。この形状は略円錐−ζ近く、従って
、電界は円錐状液体の鋭い先端部１ζ集中する。この結
果動作の初期慕こはフィラメント１８からの電子は容器
１１の端部１２を加熱し、材料２４を融点まで加熱する
こと＋ｃするが、材料２４の一部が液イヒして容器１１
の先端部ｊｃ流れ出し円錐状となった後５ζは電子はこ
の円錐先端部に集中的−ζ衝突することになる。
該電子の衝突−ζよって円錐先端の液状材料の温度は更
１ζ上昇して沸点１Ｃ達すると、該材料は蒸発を始める
。この過程でセシウムが生成されるが生成したセシウム
は高密度の電子束の中４ζあるので、電子と衝突しイオ
ン化する。該発生したセシウムイオンは液状円錐の先端
付近の強−電界ｌζよって加速され、電１ｉｉ１５の開
口１４ｔ−通過し、更には加速型１１ｉ１９の作用１ζ
よって加速されｔ絞９板２０酪ζ工って制限された射出
角のイオンビームが得られる。
１ζ上昇して沸点１Ｃ達すると、該材料は蒸発を始める
。この過程でセシウムが生成されるが生成したセシウム
は高密度の電子束の中４ζあるので、電子と衝突しイオ
ン化する。該発生したセシウムイオンは液状円錐の先端
付近の強−電界ｌζよって加速され、電１ｉｉ１５の開
口１４ｔ−通過し、更には加速型１１ｉ１９の作用１ζ
よって加速されｔ絞９板２０酪ζ工って制限された射出
角のイオンビームが得られる。
このように上述した実施例Ｓζおいては、高密度の電子
を円錐、状の液状イオン化材料の鋭くされた先端部−ζ
集中的−と衝突させることができ、微小部分から高密度
のイオンを発生きせることができる。
を円錐、状の液状イオン化材料の鋭くされた先端部−ζ
集中的−と衝突させることができ、微小部分から高密度
のイオンを発生きせることができる。
又電子線発生フィラメント１８はイオンの発生点から６
キ電極１５の影の下Ｃζ配置されているため、該イオン
の発生点から該フィラメント１８１ζ向ライオンは劃１
５によって阻止され、該フィラメントの汚染は防止され
る。
キ電極１５の影の下Ｃζ配置されているため、該イオン
の発生点から該フィラメント１８１ζ向ライオンは劃１
５によって阻止され、該フィラメントの汚染は防止され
る。
第Ｓ図は第２図１ζ示した実施例における容器１１の部
分を変形させた実施例を示している。第Ｓ図にお−て容
！ｓ１１の細孔１３を貫通して金属棒２５が配置されて
おり、該金属棒２５の一端は容器１１４Ｃ固定され、他
端は鋭ｉ針状１こされて−る。該金属棒２５の針状端部
は細孔１５を貫通して僅か−ζ容器１１から１１５側Ｉ
ζ突出して−る。この結果フィラメント１８から発生し
た電子は電界が集中しτｉる該金属棒２５の針状先端部
ｉζ衝突し、金属棒２５を介して材料２４゜をその融点
１こまで加熱する。該加熱−ζより融けて液状となった
材料は金属棒２５の先端部ｌζ流れ出し、該先端部にお
ける電子衝撃１ζよって更−ζ加熱され蒸発し、第２の
実線例と同様−ζイオン化される―
分を変形させた実施例を示している。第Ｓ図にお−て容
！ｓ１１の細孔１３を貫通して金属棒２５が配置されて
おり、該金属棒２５の一端は容器１１４Ｃ固定され、他
端は鋭ｉ針状１こされて−る。該金属棒２５の針状端部
は細孔１５を貫通して僅か−ζ容器１１から１１５側Ｉ
ζ突出して−る。この結果フィラメント１８から発生し
た電子は電界が集中しτｉる該金属棒２５の針状先端部
ｉζ衝突し、金属棒２５を介して材料２４゜をその融点
１こまで加熱する。該加熱−ζより融けて液状となった
材料は金属棒２５の先端部ｌζ流れ出し、該先端部にお
ける電子衝撃１ζよって更−ζ加熱され蒸発し、第２の
実線例と同様−ζイオン化される―
第１図乃至ＩＩＩｔｓ図は夫々本発明の一実施例を示す
図である。 １：電極、２：エミッター、６：引出し電極、４：加熱
電源、５：フィラメント、６：陰極、７：高電圧電源％
８：電源、９：開口。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
図である。 １：電極、２：エミッター、６：引出し電極、４：加熱
電源、５：フィラメント、６：陰極、７：高電圧電源％
８：電源、９：開口。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者加勢忠雄
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Ｌ セシウム化合物と、高温下に＄Ｐｖ＆で該セシウム
化合物と反応して金属セシウムを生成する添加物との混
合材料を電子ビーム衝撃によって加熱するように構成し
、該混合材料を熔融、蒸発させ、生じた金属セシウムを
電子ビーム衝撃畠ζよりティオン化するようにしたセシ
ウムイオンー・ ａ セシウム化合物と、高温下−とお−で該セシウム化
合物と反応して金属セシウムを生成する添加物との混合
材料を加圧成形して棒状工きツタ−とし、該工２ツター
先端部に電子ビームを衝撃するようにした特許請求の範
囲第１項記載のセシウムイオン源。 ａ 先端部に細孔を有した導電性材料で形成号れた容器
の内部Ｃζセシウム化合物と、高温Ｔｍζお−で該セシ
ウム化合物と反応して金属セシウムを生成する添加物と
を混合して入れ、該容器の先端ＩＩＩに電子ビームを衝
撃するようｌこした特許請求の範囲第１３１紀載のセシ
ウムイオン源。 也 該容器の細孔を貫通して導電性の針状部材を配置し
た特許請求の範囲＃Ｅ３項記載のセシウムイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13926181A JPS5842149A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | セシウムイオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13926181A JPS5842149A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | セシウムイオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5842149A true JPS5842149A (ja) | 1983-03-11 |
| JPS6322405B2 JPS6322405B2 (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=15241164
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13926181A Granted JPS5842149A (ja) | 1981-09-04 | 1981-09-04 | セシウムイオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5842149A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153450A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-12 | Izumi Jidosha Kogyo Kk | 断熱エンジン用ピストン |
| JPS60175750A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-09 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクス鋳ぐるみピストン |
| JPS61193334A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-27 | Hitachi Ltd | 表面電離型イオン源 |
| JPH0344855U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-25 | ||
| JPH0512672U (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-19 | 京セラ株式会社 | セラミツク軸体と金属筒体との接合体 |
-
1981
- 1981-09-04 JP JP13926181A patent/JPS5842149A/ja active Granted
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60153450A (ja) * | 1984-01-23 | 1985-08-12 | Izumi Jidosha Kogyo Kk | 断熱エンジン用ピストン |
| JPH0452389B2 (ja) * | 1984-01-23 | 1992-08-21 | Izumi Kogyo Co Ltd | |
| JPS60175750A (ja) * | 1984-02-23 | 1985-09-09 | Ngk Insulators Ltd | セラミツクス鋳ぐるみピストン |
| JPH0467580B2 (ja) * | 1984-02-23 | 1992-10-28 | Ngk Insulators Ltd | |
| JPS61193334A (ja) * | 1985-02-22 | 1986-08-27 | Hitachi Ltd | 表面電離型イオン源 |
| JPH0344855U (ja) * | 1989-09-08 | 1991-04-25 | ||
| JPH0512672U (ja) * | 1991-07-30 | 1993-02-19 | 京セラ株式会社 | セラミツク軸体と金属筒体との接合体 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6322405B2 (ja) | 1988-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61142645A (ja) | 正，負兼用イオン源 | |
| JPS5842149A (ja) | セシウムイオン源 | |
| US4638217A (en) | Fused metal ion source with sintered metal head | |
| Sidenius | Ion sources for low energy accelerators | |
| US4093858A (en) | Cesium injection system for negative ion duoplasmatrons | |
| US2690515A (en) | Method and apparatus for producing ions | |
| JPS58158844A (ja) | イオン銃 | |
| US2717962A (en) | Electric discharge devices | |
| US4087720A (en) | Multi-beam, multi-aperture ion sources of the beam-plasma type | |
| US4983845A (en) | Apparatus operating with contact ionization for the production of a beam of accelerated ions | |
| US2677060A (en) | Ion source | |
| Panitz et al. | Electrohydrodynamic ion emission from molten lithium nitrate | |
| JPS60112235A (ja) | セシウムイオン源 | |
| JPH0562420B2 (ja) | ||
| JPH1064438A (ja) | 液体金属イオン源 | |
| JPS58137943A (ja) | イオン源 | |
| JPS593815B2 (ja) | イオン源 | |
| JPS60167249A (ja) | 固体試料用電界電離イオン源 | |
| RU2075132C1 (ru) | Источник интенсивных ионных пучков | |
| JPS5927383B2 (ja) | イオンビ−ム薄膜作成装置 | |
| JPS6363105B2 (ja) | ||
| JPS63216251A (ja) | ガスフエ−ズイオン源 | |
| Wagner | Efficiency measurements of the isotope separation with a cesium ion source | |
| Keller | Primary ion sources for EBIS | |
| JPS58204445A (ja) | イオンビ−ム発生方法 |