JPS58158844A - イオン銃 - Google Patents
イオン銃Info
- Publication number
- JPS58158844A JPS58158844A JP4243882A JP4243882A JPS58158844A JP S58158844 A JPS58158844 A JP S58158844A JP 4243882 A JP4243882 A JP 4243882A JP 4243882 A JP4243882 A JP 4243882A JP S58158844 A JPS58158844 A JP S58158844A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- emitter
- ion
- positive
- electrode
- negative
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/022—Details
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、二次イオン分析等に用いられる新規なイオン
銃に関する。
銃に関する。
二次イオン分析は、試料に１次イオンビームを照射して
、試料表面から発生する２次イオンの質量を分析して、
試料表面に存在する元素の種類や、その分布を測定する
ものであるが、１次イオンビームごとに２次イオンビー
ムの発生効率が異っている。例えば、１次イオンビーム
に酸素イオン（０−）を用いた場合には、シリコン（Ｓ
ｉ）。
、試料表面から発生する２次イオンの質量を分析して、
試料表面に存在する元素の種類や、その分布を測定する
ものであるが、１次イオンビームごとに２次イオンビー
ムの発生効率が異っている。例えば、１次イオンビーム
に酸素イオン（０−）を用いた場合には、シリコン（Ｓ
ｉ）。
銅（Ｃｌ）、銀（Ａ＜１）、金（ＡＵ ）等の正の２次
イオンの放出率はきわめて低く、１次イオンビームとし
て正のセシウム＜ａＳ−＞を使用した場合にはＳｉ 、
Ｃｕ 、ＡＯ、Ａｕ等の負の２次イオンの放出率は高い
。従って、分析対象とする元素の種類が多い場合には、
一種類の１次イオンビームだけでなく複数の１次イオン
ビームを用いることが望ましい。しかしながら、１つの
イオン銃で二種のイオン種を取り出すことは極めて困難
であって、通常イオン銃を二種用意して交換して使用す
るか、あるいは二つのイオン銃を組み込んでイオンビー
ムを切り換えて使用する方法が採用されている。このよ
うな方法は、いずれも複雑な構造と操作を必要とし又費
用もかかるため実際にはそれ程使用されていない実情で
ある。
イオンの放出率はきわめて低く、１次イオンビームとし
て正のセシウム＜ａＳ−＞を使用した場合にはＳｉ 、
Ｃｕ 、ＡＯ、Ａｕ等の負の２次イオンの放出率は高い
。従って、分析対象とする元素の種類が多い場合には、
一種類の１次イオンビームだけでなく複数の１次イオン
ビームを用いることが望ましい。しかしながら、１つの
イオン銃で二種のイオン種を取り出すことは極めて困難
であって、通常イオン銃を二種用意して交換して使用す
るか、あるいは二つのイオン銃を組み込んでイオンビー
ムを切り換えて使用する方法が採用されている。このよ
うな方法は、いずれも複雑な構造と操作を必要とし又費
用もかかるため実際にはそれ程使用されていない実情で
ある。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、イオン化さ
れることによって正、負の両イオンを発生するイオン化
物質を保持するエミッタと、該エミッタとの間にイオン
の引出し電圧が印加される引出し電極と、該舌ミッタと
の藺にイオンの加速電圧が印加される加速電極と、該加
速電極に対するエミッタの電位の極性を切り換えるため
の手段を備えることによって単一のイオン銃で、簡単な
電気的切換えによって正、負の二種のイオンビームを取
り出すことができるイオン銃を実現したものである。
れることによって正、負の両イオンを発生するイオン化
物質を保持するエミッタと、該エミッタとの間にイオン
の引出し電圧が印加される引出し電極と、該舌ミッタと
の藺にイオンの加速電圧が印加される加速電極と、該加
速電極に対するエミッタの電位の極性を切り換えるため
の手段を備えることによって単一のイオン銃で、簡単な
電気的切換えによって正、負の二種のイオンビームを取
り出すことができるイオン銃を実現したものである。
以下、図面を参照して本発明を詳述する。
第１図は、本発明の一実施例を示す構成図である。・図
において１はエミッタで、該エミッタはイオン化される
ことによって正、負両イオンを発生するイオン化物質、
例えば粉末状のヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）３を入れるリ
ザーバ２と、該リザーバ２の下端の細い開口部４を真通
して配置された導電性の針状部材５とより成っている。
において１はエミッタで、該エミッタはイオン化される
ことによって正、負両イオンを発生するイオン化物質、
例えば粉末状のヨウ化セシウム（Ｃｓｌ）３を入れるリ
ザーバ２と、該リザーバ２の下端の細い開口部４を真通
して配置された導電性の針状部材５とより成っている。
該針状部材５の下端部は開口部４より僅かに突出して針
状部材先端部６を形成している。該リザーバ２の外周に
は必要な時予熱を行うヒータが配置されており、該先端
部６に接近してイオンビームのための開口８を有する有
底筒状の引出し電極９が配置され、該引出し電ｔｉｉ９
の側面には電子ビーム通過のための開口１０が設けられ
ている。該開口１０に対向して熱電子発生用のフィラメ
ント１１．ウェネルト電極１２．高圧電１ｉ１３．バイ
アス抵抗１４、トランス■、電１１１５より構成される
電子銃が配置されている。尚、高圧電源１３の正極側は
接地され、負極側はウェネルト電極１２に接続さｔＬ常
ニ負（Ｆ）電ｊＩＶｚ （但Ｌ Ｉ Ｖ２１ ＞ ｌ
Ｖｓ ｌ ）が供給されている。尚、■１はエミッ
タ１に印加される電圧である。該エミッタ１と、接地電
極１９の間には加速電源１７よりスイッチ（ＳＷ） １
８によって切換えられる正又は負の加速電圧ｖ３（ＩＶ
３ Ｉ＞ｌＶｔ Ｉ）が印加され、又分圧抵抗１６に
よってエミッタ１と引出し電極９の間に＆よ引出し電圧
Ｖ１が印加される様構成されている。
状部材先端部６を形成している。該リザーバ２の外周に
は必要な時予熱を行うヒータが配置されており、該先端
部６に接近してイオンビームのための開口８を有する有
底筒状の引出し電極９が配置され、該引出し電ｔｉｉ９
の側面には電子ビーム通過のための開口１０が設けられ
ている。該開口１０に対向して熱電子発生用のフィラメ
ント１１．ウェネルト電極１２．高圧電１ｉ１３．バイ
アス抵抗１４、トランス■、電１１１５より構成される
電子銃が配置されている。尚、高圧電源１３の正極側は
接地され、負極側はウェネルト電極１２に接続さｔＬ常
ニ負（Ｆ）電ｊＩＶｚ （但Ｌ Ｉ Ｖ２１ ＞ ｌ
Ｖｓ ｌ ）が供給されている。尚、■１はエミッ
タ１に印加される電圧である。該エミッタ１と、接地電
極１９の間には加速電源１７よりスイッチ（ＳＷ） １
８によって切換えられる正又は負の加速電圧ｖ３（ＩＶ
３ Ｉ＞ｌＶｔ Ｉ）が印加され、又分圧抵抗１６に
よってエミッタ１と引出し電極９の間に＆よ引出し電圧
Ｖ１が印加される様構成されている。
以上の様に構成されたイオン源の各部の電位及び動作を
次に説明する。先ず、５Ｗ１８を負側に接続した時、つ
まりエミッタ１と接地電極１９に加速電源１７より負の
高圧が印加された場合（正極側が接地され負極側がエミ
ッタ１に接続される）のエミッタ１と引出し電極９及び
電子銃との間の電位の関係について説明する。
次に説明する。先ず、５Ｗ１８を負側に接続した時、つ
まりエミッタ１と接地電極１９に加速電源１７より負の
高圧が印加された場合（正極側が接地され負極側がエミ
ッタ１に接続される）のエミッタ１と引出し電極９及び
電子銃との間の電位の関係について説明する。
エミッタ１に印加されている負電位をｖ３として、分圧
抵抗１６によって与えられる引出し電極９の負電位ｅＶ
１とすると、ｌＶｔ １ＧｔｌＶｓ ｌより小さい値
に保たれ、ている。又、・電子銃のフィラメント１１に
は、高圧電９１．３からバイアス抵抗１４を介して負電
位が与えられており、この電位を■２とすると、この電
位１■２１はエミッタ１の電位ＩＶ３１よりも大きい値
に保たれている。
抵抗１６によって与えられる引出し電極９の負電位ｅＶ
１とすると、ｌＶｔ １ＧｔｌＶｓ ｌより小さい値
に保たれ、ている。又、・電子銃のフィラメント１１に
は、高圧電９１．３からバイアス抵抗１４を介して負電
位が与えられており、この電位を■２とすると、この電
位１■２１はエミッタ１の電位ＩＶ３１よりも大きい値
に保たれている。
即ち、各電位の関係式を式で示すと次式のようになる。
ＩＶｔ ＋＞ｌＶ３ Ｉ＞ＩＶｔ ｌ ・・・
・ （１）この式で示される関係が保たれる状態で、リ
ザーバ２をヒータ７により予備加熱し、次にフィラメン
ト１１及びウェネルト１２より成る電子銃に、高圧電１
１１３により負の電圧Ｖ２を印加して電子ビーム２０を
発生する。ところで、前記電子銃のフィラメント１１の
電位Ｖ２は、引出し電極９の電位Ｖ１よりも低いので、
フィラメント１１で発生した電子は引出し電極９の開口
１０を通って針状部材先端部６に達する。エミッタ１の
電位Ｖ３は、引出し電極９の電位■１よりも低いので、
電子は針状部材先端部６に達するときボテンシャルをさ
か上ることになり減速する。しかしながら、（１）式で
示したように−ＩＶｚ ｌ＞ｌＶ３ １（７）関係が
維持されている限り最終的には針状部材先端部６に衝突
する。この時の、電子の衝撃エネルギーは１Ｖ２１ １
Ｖｓｌに対応したものになる。
・ （１）この式で示される関係が保たれる状態で、リ
ザーバ２をヒータ７により予備加熱し、次にフィラメン
ト１１及びウェネルト１２より成る電子銃に、高圧電１
１１３により負の電圧Ｖ２を印加して電子ビーム２０を
発生する。ところで、前記電子銃のフィラメント１１の
電位Ｖ２は、引出し電極９の電位Ｖ１よりも低いので、
フィラメント１１で発生した電子は引出し電極９の開口
１０を通って針状部材先端部６に達する。エミッタ１の
電位Ｖ３は、引出し電極９の電位■１よりも低いので、
電子は針状部材先端部６に達するときボテンシャルをさ
か上ることになり減速する。しかしながら、（１）式で
示したように−ＩＶｚ ｌ＞ｌＶ３ １（７）関係が
維持されている限り最終的には針状部材先端部６に衝突
する。この時の、電子の衝撃エネルギーは１Ｖ２１ １
Ｖｓｌに対応したものになる。
第２図（ａ ）はこの電子のポテンシャルの変化を表わ
している。ところで、電子ビームによって集中的に照射
された針状部材先端部６からの伝導熱によって、予めヒ
ータ７によって加熱されたリザーバ２の粉末状のセシウ
ム化合物（Ｃｓｌ）３が熔融し、針状部材５の表面を移
動し始めリザーバ２の細い開口部４を通って針状部材先
端部６に達する。この針状部材先端部６に達したセシウ
ム化合物３の液体は・、エミッタ１と引出し電極９の間
に印加されている負の電圧■１によっても生じる電界に
よる静電力と、液体自身の表面張力との均衡を保つ形状
となる。この形状は、略円錐に近く従って電界は円錐状
液体の鋭い先端部に集中する。
している。ところで、電子ビームによって集中的に照射
された針状部材先端部６からの伝導熱によって、予めヒ
ータ７によって加熱されたリザーバ２の粉末状のセシウ
ム化合物（Ｃｓｌ）３が熔融し、針状部材５の表面を移
動し始めリザーバ２の細い開口部４を通って針状部材先
端部６に達する。この針状部材先端部６に達したセシウ
ム化合物３の液体は・、エミッタ１と引出し電極９の間
に印加されている負の電圧■１によっても生じる電界に
よる静電力と、液体自身の表面張力との均衡を保つ形状
となる。この形状は、略円錐に近く従って電界は円錐状
液体の鋭い先端部に集中する。
そして、電子ビーム２０からの電子の衝突によって、円
錐状先端の液状のセシウム化合物の温度は更に上昇し沸
点に達し蒸発を開始する。蒸発したセシウム化合物の粒
子は、高密度の電子束の中にあるので電子と衝突してイ
オン化する。該発生したイオンＣ３＋及びＩ−のうちＩ
−イオンは、エミッタ１と引出し電極９に印加された負
の引出し電圧Ｖ１による電界によって引出され、さらに
はエミッタ１と接地電極１９に印加された負の加速電圧
ｖ３によって加速されて負のイオンビーム２１となり引
出し電極９の開口８を通過後接地電極１９を通過する。
錐状先端の液状のセシウム化合物の温度は更に上昇し沸
点に達し蒸発を開始する。蒸発したセシウム化合物の粒
子は、高密度の電子束の中にあるので電子と衝突してイ
オン化する。該発生したイオンＣ３＋及びＩ−のうちＩ
−イオンは、エミッタ１と引出し電極９に印加された負
の引出し電圧Ｖ１による電界によって引出され、さらに
はエミッタ１と接地電極１９に印加された負の加速電圧
ｖ３によって加速されて負のイオンビーム２１となり引
出し電極９の開口８を通過後接地電極１９を通過する。
この時のエネルギーは１Ｖ３１に対応したものとなる。
次に、５Ｗ１８を正側に接続した時、つまりエミッタ１
と接地電極１９に加速電源１７より正の高圧が印加され
た場合（負極側が接地され正極側がエミッタ１に接続さ
れる）のエミッタ１と引出し電極９及び電子銃との間の
電位の関係について説明する。ここで、フィラメント１
１は高圧電源１３によって負の電位とされており、又引
出し電極９の電位■１は、エミッタ１の電位■３より低
く設定されているため、フィラメント１１はエミッタ１
に対して負−位となりフィラメント１１ｈ）らの電子ビ
ーム２０は、針状部材先端部６を衝撃することができる
。第２図（ｂ ）はこの電子のボテンシャルの変化を表
わしている。ところで、この電子ビーム２０によって集
中的に照射された針状部材先端部６のセシウム化合物（
Ｃｓｌ）は、前記同様に熔融蒸発し更にイオン化される
。そして得られたＣ８＋及び■−のイオンのうちＣｓ＋
イオンがエミッタ１と引出し電極９の間に印加される正
の引出し電圧Ｖ１と、エミッタ１と接地電極１９の間に
印加される正の加速電圧■３によって加速され、正のイ
オンビーム２１として取り出すことができる。このイオ
ンビームの接地電極１９を通過するときのエネルギーは
１■３１に対応したものとなる。つまり、正イオン又は
負イオンいずれを引出す場合でも、このような構造をと
ることによって電子衝撃が可能となり、正又は負の１次
イオンを発生させることができる。尚本発明は、上述し
た実施例に限定されるものではなく、例えば、リザーバ
開口部に針状部材を配置しないエミッタについても、予
めヒータ等によりリザーバ内のイオン化物質を熔融し、
リザーバの開口部を通って先端に流出させ、先端部のイ
オン化物質に電子ビームを照射することによって、同様
にイオンビームを発生することができる。又本実施例で
は、イオン化物質としてＣｓ Ｉを用いたが他のハロゲ
ン化物、たとえばＮａ Ｉ、Ｃ３Ｃ１、ＮａＣ１等を用
いた場合も同様な効果を得ることができる。更に、本実
施例においては電子ビームをエミッタ先端部に照射しイ
オン化物質を加熱蒸発させるようにしたが、電子ビーム
以外にもレーザビームによってエミッタ先端部を加熱す
るようにしても良い。尚、この場合にはイオンビームに
対する電位の影響に考慮を払う必要がないため構成が簡
単となる。
と接地電極１９に加速電源１７より正の高圧が印加され
た場合（負極側が接地され正極側がエミッタ１に接続さ
れる）のエミッタ１と引出し電極９及び電子銃との間の
電位の関係について説明する。ここで、フィラメント１
１は高圧電源１３によって負の電位とされており、又引
出し電極９の電位■１は、エミッタ１の電位■３より低
く設定されているため、フィラメント１１はエミッタ１
に対して負−位となりフィラメント１１ｈ）らの電子ビ
ーム２０は、針状部材先端部６を衝撃することができる
。第２図（ｂ ）はこの電子のボテンシャルの変化を表
わしている。ところで、この電子ビーム２０によって集
中的に照射された針状部材先端部６のセシウム化合物（
Ｃｓｌ）は、前記同様に熔融蒸発し更にイオン化される
。そして得られたＣ８＋及び■−のイオンのうちＣｓ＋
イオンがエミッタ１と引出し電極９の間に印加される正
の引出し電圧Ｖ１と、エミッタ１と接地電極１９の間に
印加される正の加速電圧■３によって加速され、正のイ
オンビーム２１として取り出すことができる。このイオ
ンビームの接地電極１９を通過するときのエネルギーは
１■３１に対応したものとなる。つまり、正イオン又は
負イオンいずれを引出す場合でも、このような構造をと
ることによって電子衝撃が可能となり、正又は負の１次
イオンを発生させることができる。尚本発明は、上述し
た実施例に限定されるものではなく、例えば、リザーバ
開口部に針状部材を配置しないエミッタについても、予
めヒータ等によりリザーバ内のイオン化物質を熔融し、
リザーバの開口部を通って先端に流出させ、先端部のイ
オン化物質に電子ビームを照射することによって、同様
にイオンビームを発生することができる。又本実施例で
は、イオン化物質としてＣｓ Ｉを用いたが他のハロゲ
ン化物、たとえばＮａ Ｉ、Ｃ３Ｃ１、ＮａＣ１等を用
いた場合も同様な効果を得ることができる。更に、本実
施例においては電子ビームをエミッタ先端部に照射しイ
オン化物質を加熱蒸発させるようにしたが、電子ビーム
以外にもレーザビームによってエミッタ先端部を加熱す
るようにしても良い。尚、この場合にはイオンビームに
対する電位の影響に考慮を払う必要がないため構成が簡
単となる。
以上の様に本発明は、単一のイオン銃で引出し電圧及び
加速電圧の極性を切換えるよう構成しており、従って正
又は負の１次イオンビームが容易に得られるため、二次
イオン質量分析装置等に用いれば多（の元素を高感度で
分析することが可能となる。
加速電圧の極性を切換えるよう構成しており、従って正
又は負の１次イオンビームが容易に得られるため、二次
イオン質量分析装置等に用いれば多（の元素を高感度で
分析することが可能となる。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図、第２図は電子
のポテンシャルの変化を表わすグラフである。 １：エミッタ、２：リザーバ、３：ヨウ化セシウム、４
．８．１０：開口部、５：針状部材、６：針状部材先端
部、７：ヒータ、９：引出し電極、１１：フィラメント
、１２：ウェネルト、１３：高圧電源、１４：バイアス
抵抗、１５：電源、１６：分圧抵抗、１７：加速電源、
１８：スイッチ、１９：接地電極、Ｔニドランス。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第１図
のポテンシャルの変化を表わすグラフである。 １：エミッタ、２：リザーバ、３：ヨウ化セシウム、４
．８．１０：開口部、５：針状部材、６：針状部材先端
部、７：ヒータ、９：引出し電極、１１：フィラメント
、１２：ウェネルト、１３：高圧電源、１４：バイアス
抵抗、１５：電源、１６：分圧抵抗、１７：加速電源、
１８：スイッチ、１９：接地電極、Ｔニドランス。 特許出願人 日本電子株式会社 代表者 加勢 忠雄 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、イオン化されることによって正、負の両イオンを発
生するイオン化物質を保持するエミッタと、該エミッタ
との間にイオンの引出し電圧が印加される引出し電極と
、該エミッタとの間にイオンの加速電圧が印加される加
速電極と、該加速電極に対するエミッタの電位の極性を
切り換えるための手段を備えたイオン銃。 ２、前記エミッタ先端部に電子銃からの電子ビームが照
射される特許請求の範囲第１項記載のイオン銃。 ３、前記電子銃に印加される負の電圧Ｖ２と前記エミッ
タと、前記引出し電極の間に印加される正。 負の電圧ｖ１との闇にｌＶ２ １＞ＩＶＩ １の関係
が満足される特許請求の範囲第２項記載のイオン銃。 ４、前記エミッタ先端部にレーザビームが照射される特
許請求の範囲第１項記載のイオン銃。 ５、前記イオン化物質としてハロゲン化物を用いた特許
請求の範囲第１項、第２項、第３項、第４項記載のイオ
ン銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243882A JPS58158844A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | イオン銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4243882A JPS58158844A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | イオン銃 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158844A true JPS58158844A (ja) | 1983-09-21 |
Family
ID=12636070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4243882A Pending JPS58158844A (ja) | 1982-03-17 | 1982-03-17 | イオン銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158844A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60185351A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビ−ム制御法 |
| JPS61148757A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| US4638209A (en) * | 1983-09-08 | 1987-01-20 | Anelva Corporation | Ion beam generating apparatus |
| JPS6364254A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子光学系 |
| JPS63236244A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 液体金属イオン源 |
| JP2019003899A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 三重富士通セミコンダクター株式会社 | イオン生成装置及びイオン生成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364089A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-08 | Hitachi Ltd | Solid ion source |
-
1982
- 1982-03-17 JP JP4243882A patent/JPS58158844A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364089A (en) * | 1976-11-19 | 1978-06-08 | Hitachi Ltd | Solid ion source |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4638209A (en) * | 1983-09-08 | 1987-01-20 | Anelva Corporation | Ion beam generating apparatus |
| JPS60185351A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-20 | Hitachi Ltd | 荷電粒子ビ−ム制御法 |
| JPS61148757A (ja) * | 1984-12-24 | 1986-07-07 | Hitachi Ltd | 荷電粒子線装置 |
| JPS6364254A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Hitachi Ltd | 荷電粒子光学系 |
| JPS63236244A (ja) * | 1987-03-25 | 1988-10-03 | Hitachi Ltd | 液体金属イオン源 |
| JP2019003899A (ja) * | 2017-06-19 | 2019-01-10 | 三重富士通セミコンダクター株式会社 | イオン生成装置及びイオン生成方法 |
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