JP2573173Y2 - プラズマスパッタ型負イオン源 - Google Patents
プラズマスパッタ型負イオン源Info
- Publication number
- JP2573173Y2 JP2573173Y2 JP1992090158U JP9015892U JP2573173Y2 JP 2573173 Y2 JP2573173 Y2 JP 2573173Y2 JP 1992090158 U JP1992090158 U JP 1992090158U JP 9015892 U JP9015892 U JP 9015892U JP 2573173 Y2 JP2573173 Y2 JP 2573173Y2
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- JP
- Japan
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- ion source
- target
- plasma
- sputter target
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、イオンビ−ムを長時
間、安定に引出すことができるプラズマスパッタ型負イ
オン源に関する。
間、安定に引出すことができるプラズマスパッタ型負イ
オン源に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２はプラズマスパッタ型負イオン源の
一例についての断面構成図であり、図３は同イオン源の
スパッタ・ターゲット部の拡大断面図である。真空チャ
ンバ１にガス導入口２からキセノンガスを供給し、フィ
ラメント３から放出される熱電子と衝突させ、キセノン
プラズマが生成される。プラズマは真空チャンバ１の周
囲に配置された永久磁石４の磁場によって真空チャンバ
内に閉じ込められ、このプラズマ中にスパッタ・ターゲ
ット５が配置される。図３に示すように、発生させたい
目的元素を含む材質のスパッタ・ターゲット５はボンデ
ィング材６によってバッキングプレート７に取り付けら
れており、同プレートはターゲット保持部材８を介して
結合する冷却軸９、絶縁フランジ１０によって支持され
ている。これらスパッタ・ターゲット５及びその取付、
保持用の部材の周囲にガラスカバー１１を配置し、不要
にスパッタリングされるのを防いでいる。
一例についての断面構成図であり、図３は同イオン源の
スパッタ・ターゲット部の拡大断面図である。真空チャ
ンバ１にガス導入口２からキセノンガスを供給し、フィ
ラメント３から放出される熱電子と衝突させ、キセノン
プラズマが生成される。プラズマは真空チャンバ１の周
囲に配置された永久磁石４の磁場によって真空チャンバ
内に閉じ込められ、このプラズマ中にスパッタ・ターゲ
ット５が配置される。図３に示すように、発生させたい
目的元素を含む材質のスパッタ・ターゲット５はボンデ
ィング材６によってバッキングプレート７に取り付けら
れており、同プレートはターゲット保持部材８を介して
結合する冷却軸９、絶縁フランジ１０によって支持され
ている。これらスパッタ・ターゲット５及びその取付、
保持用の部材の周囲にガラスカバー１１を配置し、不要
にスパッタリングされるのを防いでいる。
【０００３】プラズマ中に置かれたスパッタ・ターゲッ
ト５を真空チャンバ１に対して負電位にバイアスし、プ
ラズマ中の正イオンにより同ターゲットをスパッタリン
グする。その際、アルカリ金属、例えばセシウムの蒸気
をセシウムリザーバ１２から供給し、スパッタ・ターゲ
ット５の表面に付着させることにより負イオンの生成を
行う。真空チャンバ１のイオン引出し部に絶縁フランジ
１３を介して設けられた引出し電極１４を真空チャンバ
に対して正電位にバイアスし、負イオンのビームを引出
す。真空チャンバ１及びイオンビ−ムの輸送路は真空排
気口１５に接続された真空ポンプで排気されている。
ト５を真空チャンバ１に対して負電位にバイアスし、プ
ラズマ中の正イオンにより同ターゲットをスパッタリン
グする。その際、アルカリ金属、例えばセシウムの蒸気
をセシウムリザーバ１２から供給し、スパッタ・ターゲ
ット５の表面に付着させることにより負イオンの生成を
行う。真空チャンバ１のイオン引出し部に絶縁フランジ
１３を介して設けられた引出し電極１４を真空チャンバ
に対して正電位にバイアスし、負イオンのビームを引出
す。真空チャンバ１及びイオンビ−ムの輸送路は真空排
気口１５に接続された真空ポンプで排気されている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】かかる負イオン源の動
作時、ガラスカバー１１はプラズマ電位となるため、ガ
ラスカバーとスパッタ・ターゲット５間には通常２ｋＶ
程度の電圧がかかる。スパッタ・ターゲット５は真空チ
ャンバ１のイオン引出し部側が凹面に形成された円盤状
のものであり、その材質によってはそのエッジ部ａを丸
くアール（Ｒ）加工できないものがあり、エッジ部が強
電界となり、放電が起こる。また、スパッタリングによ
る加熱に伴いボンディング材６が蒸発し、そのガスが放
電の原因となる。エッジ部ａの電界を弱くするために、
ガラスカバー１１とスパッタ・ターゲット５の間を広げ
ると、不要な部分のスパッタリングが増加し、バイアス
電源の負荷が増え、またバッキングプレート７等の消耗
を招く。そして、かかる放電の発生は、引出されるイオ
ンビ−ムを不安定なものとする。
作時、ガラスカバー１１はプラズマ電位となるため、ガ
ラスカバーとスパッタ・ターゲット５間には通常２ｋＶ
程度の電圧がかかる。スパッタ・ターゲット５は真空チ
ャンバ１のイオン引出し部側が凹面に形成された円盤状
のものであり、その材質によってはそのエッジ部ａを丸
くアール（Ｒ）加工できないものがあり、エッジ部が強
電界となり、放電が起こる。また、スパッタリングによ
る加熱に伴いボンディング材６が蒸発し、そのガスが放
電の原因となる。エッジ部ａの電界を弱くするために、
ガラスカバー１１とスパッタ・ターゲット５の間を広げ
ると、不要な部分のスパッタリングが増加し、バイアス
電源の負荷が増え、またバッキングプレート７等の消耗
を招く。そして、かかる放電の発生は、引出されるイオ
ンビ−ムを不安定なものとする。
【０００５】本考案は、スパッタ・ターゲットとその周
囲を覆うガラスカバーとの間の放電の発生を防ぎ、長時
間、安定にイオンビ−ムを引出すことができるプラズマ
スパッタ型負イオン源の提供を目的とするものである。
囲を覆うガラスカバーとの間の放電の発生を防ぎ、長時
間、安定にイオンビ−ムを引出すことができるプラズマ
スパッタ型負イオン源の提供を目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本考案は、スパッタ・タ
ーゲットの周囲にスパッタリング防止用カバーが配置さ
れているプラズマスパッタ型イオン源において、スパッ
タ・ターゲットの側面部が、同ターゲットのエッジ部に
隣接する曲面端部を有する導電体製リングで覆われてい
ることを特徴とするものである。
ーゲットの周囲にスパッタリング防止用カバーが配置さ
れているプラズマスパッタ型イオン源において、スパッ
タ・ターゲットの側面部が、同ターゲットのエッジ部に
隣接する曲面端部を有する導電体製リングで覆われてい
ることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】スパッタ・ターゲットの側面部を同ターゲット
のエッジ部に隣接する曲面端部を有する導電体製リング
で覆うから、スパッタ・ターゲット部から尖鋭エッジ部
をなくすことができ、放電の発生を防止する。そして同
リングでボンディング材を覆うことができるから、ボン
ディング材の加熱による蒸発を減少させる。
のエッジ部に隣接する曲面端部を有する導電体製リング
で覆うから、スパッタ・ターゲット部から尖鋭エッジ部
をなくすことができ、放電の発生を防止する。そして同
リングでボンディング材を覆うことができるから、ボン
ディング材の加熱による蒸発を減少させる。
【０００８】
【実施例】本考案の一実施例を図面を参照して説明す
る。図１はプラズマスパッタ型負イオン源におけるスパ
ッタ・ターゲット部の断面構成図であり、図２、図３と
同一符号は同等部分を示す。発生させたい目的元素を含
む材質のスパッタ・ターゲット５はボンディング材６に
よってバッキングプレート７に取り付けられており、同
プレートはターゲット保持部材８を介して結合する冷却
軸９によって支持されている。これらスパッタ・ターゲ
ット５及びその取付、保持用部材の周囲にスパッタリン
グ防止用ガラスカバー１１が配置されている。
る。図１はプラズマスパッタ型負イオン源におけるスパ
ッタ・ターゲット部の断面構成図であり、図２、図３と
同一符号は同等部分を示す。発生させたい目的元素を含
む材質のスパッタ・ターゲット５はボンディング材６に
よってバッキングプレート７に取り付けられており、同
プレートはターゲット保持部材８を介して結合する冷却
軸９によって支持されている。これらスパッタ・ターゲ
ット５及びその取付、保持用部材の周囲にスパッタリン
グ防止用ガラスカバー１１が配置されている。
【０００９】スパッタ・ターゲット５の側面部はカーボ
ン、モリブデン等による導電体製リング１６で覆われて
おり、図１では、同リング１６が、スパッタ・ターゲッ
ト、バッキングプレート７及びターゲット保持部材８の
周囲を覆っているものを示す。導電体製リング１６はス
パッタ・ターゲット５のエッジ部ａに隣接する曲面端部
ｂを有し、同端部の形状を、エッジ部ａに連続し、全体
としてその形状を緩和する曲面とすることにより、全体
としてスパッタ・ターゲット部から尖鋭なエッジ部をな
くし、放電をもたらす強電界の発生を防止する。また、
スパッタ・ターゲット５の周囲を導電体製リング１６で
覆うことに伴い、ボンディング材６の部分も覆われ、ボ
ンディング材の加熱による蒸発が減少する。
ン、モリブデン等による導電体製リング１６で覆われて
おり、図１では、同リング１６が、スパッタ・ターゲッ
ト、バッキングプレート７及びターゲット保持部材８の
周囲を覆っているものを示す。導電体製リング１６はス
パッタ・ターゲット５のエッジ部ａに隣接する曲面端部
ｂを有し、同端部の形状を、エッジ部ａに連続し、全体
としてその形状を緩和する曲面とすることにより、全体
としてスパッタ・ターゲット部から尖鋭なエッジ部をな
くし、放電をもたらす強電界の発生を防止する。また、
スパッタ・ターゲット５の周囲を導電体製リング１６で
覆うことに伴い、ボンディング材６の部分も覆われ、ボ
ンディング材の加熱による蒸発が減少する。
【００１０】
【考案の効果】本考案は、以上説明したように構成した
ので、スパッタ・ターゲット５のエッジの影響がなくな
り、強電界部分が生じないから、スパッタ・ターゲット
のエッジに起因するガラスカバー１１とスパッタ・ター
ゲット間の放電を防止することができる。また、ボンデ
ィング材の蒸発が減少するから、蒸発ガスによる放電の
発生を防ぐことができる。したがって、イオン源からイ
オンビ−ムを長時間、安定に引出すことができる。
ので、スパッタ・ターゲット５のエッジの影響がなくな
り、強電界部分が生じないから、スパッタ・ターゲット
のエッジに起因するガラスカバー１１とスパッタ・ター
ゲット間の放電を防止することができる。また、ボンデ
ィング材の蒸発が減少するから、蒸発ガスによる放電の
発生を防ぐことができる。したがって、イオン源からイ
オンビ−ムを長時間、安定に引出すことができる。
【図１】本考案の一実施例におけるスパッタ・ターゲッ
ト部の断面構成図である。
ト部の断面構成図である。
【図２】プラズマスパッタ型負イオン源の一例について
の断面構成図である。
の断面構成図である。
【図３】従来のスパッタ・ターゲット部の断面構成図で
ある。
ある。
5 スパッタ・ターゲット 6 ボンディング材 7 バッキングプレート 8 ターゲット保持部材 9 冷却軸 11 スパッタリング防止用ガラスカバー 16 導電体製リング
Claims (1)
- 【請求項１】 スパッタ・ターゲットの周囲にスパッタ
リング防止用カバーが配置されているプラズマスパッタ
型イオン源において、スパッタ・ターゲットの側面部
が、同ターゲットのエッジ部に隣接する曲面端部を有す
る導電体製リングで覆われていることを特徴とするプラ
ズマスパッタ型負イオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992090158U JP2573173Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1992090158U JP2573173Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0650228U JPH0650228U (ja) | 1994-07-08 |
| JP2573173Y2 true JP2573173Y2 (ja) | 1998-05-28 |
Family
ID=13990691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1992090158U Expired - Fee Related JP2573173Y2 (ja) | 1992-12-08 | 1992-12-08 | プラズマスパッタ型負イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2573173Y2 (ja) |
-
1992
- 1992-12-08 JP JP1992090158U patent/JP2573173Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0650228U (ja) | 1994-07-08 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |