JPS607705B2 - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS607705B2 JPS607705B2 JP56193703A JP19370381A JPS607705B2 JP S607705 B2 JPS607705 B2 JP S607705B2 JP 56193703 A JP56193703 A JP 56193703A JP 19370381 A JP19370381 A JP 19370381A JP S607705 B2 JPS607705 B2 JP S607705B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- backing plate
- packing plate
- processing chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネットロン式のスパッタリング装置に関す
る。
る。
従来この種装置として真空処理室内のサブストレートに
対向するターゲットの背後にパッキングプレートを介し
て永久磁石からなる磁界発生装置を設け、該ターゲット
の前面に漏洩磁束を生じさせてェロージョン領域を生成
させ、マグネトロン式のスパッタリングを行なうように
した式のものは知られるが、この場合ターゲットはヱロ
ージョン領域に存する部分が主として飛散しその消耗が
著しく、該領域外のターゲットが余り消耗されていない
にも係わらず交換するを要し比較的ターゲットの使用効
率が悪い不都合がある。
対向するターゲットの背後にパッキングプレートを介し
て永久磁石からなる磁界発生装置を設け、該ターゲット
の前面に漏洩磁束を生じさせてェロージョン領域を生成
させ、マグネトロン式のスパッタリングを行なうように
した式のものは知られるが、この場合ターゲットはヱロ
ージョン領域に存する部分が主として飛散しその消耗が
著しく、該領域外のターゲットが余り消耗されていない
にも係わらず交換するを要し比較的ターゲットの使用効
率が悪い不都合がある。
本発明はこうした不都合を改善することをその目的とし
たもので、真空処理室内のサブストレートに対向するタ
ーゲットの背後にパッキングプレートを介して磁界発生
装置を設け、該ターゲットの前面に漏洩磁束を生じさせ
てェロージョン領域を生成させる式のものに於て、該タ
ーゲットを該ェロージョン領域と略同面積のものに形成
して該パッキングプレートに取付け、該パッキングプレ
ートの前面の残部にアースシールドを施すことを特徴と
する。
たもので、真空処理室内のサブストレートに対向するタ
ーゲットの背後にパッキングプレートを介して磁界発生
装置を設け、該ターゲットの前面に漏洩磁束を生じさせ
てェロージョン領域を生成させる式のものに於て、該タ
ーゲットを該ェロージョン領域と略同面積のものに形成
して該パッキングプレートに取付け、該パッキングプレ
ートの前面の残部にアースシールドを施すことを特徴と
する。
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図に於て
１は真空ポンプにより真空排気される真空処理室、２は
該真空処理室１内のホルダ３上に設けられたサブストレ
ートを示し、該サブストレート２にシャツ夕４を介して
対向させて直流高圧電源５或は高周波電源６に接続され
たターゲット７が設けられる。
１は真空ポンプにより真空排気される真空処理室、２は
該真空処理室１内のホルダ３上に設けられたサブストレ
ートを示し、該サブストレート２にシャツ夕４を介して
対向させて直流高圧電源５或は高周波電源６に接続され
たターゲット７が設けられる。
該ターゲット７は第２図に明示するようにその背後にパ
ッキングプレート８を介して永久磁石から磁界発生装置
９が設けられて全体マグネットロン型カソードに構成さ
れ、スパッタリングに際しては該磁界発生装置９により
該ターゲット７の前面に漏洩磁束１０が生じ、これにグ
ロー放電の電子が封じ込められてェロージョン領域１１
が生成する。このェロージョン領域１１は該磁界発生装
置９の各磁極９ａ，９ａの中間部分に生ずるが、該ター
ゲット７を該領域１１とほぼ同面積のものに形成し、接
着その他によりパッキングプレート８に取付け、かくて
該領域１１にのみ対応してターゲット７が存在するよう
にした。また該ターゲット７は例えば平面環状のものに
形成され、さらに耐久性を向上させるためにその中間部
を図示の如く厚手の断面形状に形成され得る。１２は該
ターゲット７と２〜３側の間隔を存してその周囲のパッ
キングプレート８の前面を覆うアースシールドを示し、
該プレート８の材料がスパッタされることを防ぐが該タ
ーゲット７を図示のように環状に形成する場合その中央
部に施されるアースシールド１２ａを碍子１３を介して
パッキングプレート８上に取付け、該シールド１２ａへ
のりード線１４を梶管１５を介して背後に導出すること
が好ましい。
ッキングプレート８を介して永久磁石から磁界発生装置
９が設けられて全体マグネットロン型カソードに構成さ
れ、スパッタリングに際しては該磁界発生装置９により
該ターゲット７の前面に漏洩磁束１０が生じ、これにグ
ロー放電の電子が封じ込められてェロージョン領域１１
が生成する。このェロージョン領域１１は該磁界発生装
置９の各磁極９ａ，９ａの中間部分に生ずるが、該ター
ゲット７を該領域１１とほぼ同面積のものに形成し、接
着その他によりパッキングプレート８に取付け、かくて
該領域１１にのみ対応してターゲット７が存在するよう
にした。また該ターゲット７は例えば平面環状のものに
形成され、さらに耐久性を向上させるためにその中間部
を図示の如く厚手の断面形状に形成され得る。１２は該
ターゲット７と２〜３側の間隔を存してその周囲のパッ
キングプレート８の前面を覆うアースシールドを示し、
該プレート８の材料がスパッタされることを防ぐが該タ
ーゲット７を図示のように環状に形成する場合その中央
部に施されるアースシールド１２ａを碍子１３を介して
パッキングプレート８上に取付け、該シールド１２ａへ
のりード線１４を梶管１５を介して背後に導出すること
が好ましい。
１６はアルゴンガスの他の不活性ガスの導入管である。
その作動を説明するに、真空処理室１内を真空化して多
少の不活性ガスを導入したのち直流高圧電源５或は高周
波電源６を通電するとターゲット７の前面にグロー放電
が発生し、該ターゲット７の材料が飛散してこれと対向
するサブストレート２に附着する。この場合該ターゲッ
ト７はェロージョン領域１１と略同面積に形成されてい
るので該ターゲット７全体が略均等に消耗され有効な消
費を行ない得、該領域１１以外の部分はアースシールド
１２で覆われているのでターゲット７以外の材料がスパ
ッタされることがない。このように本発明によるときは
ターゲットをェロージョン領域と略同面積に形成すると
共にパッキングプレートの前面の該ターゲットの部分以
外をアースシールドしたのでターゲットの有効な使用を
行なえると共に純度の良いスパッタリングを行なえる等
の効果がある。
少の不活性ガスを導入したのち直流高圧電源５或は高周
波電源６を通電するとターゲット７の前面にグロー放電
が発生し、該ターゲット７の材料が飛散してこれと対向
するサブストレート２に附着する。この場合該ターゲッ
ト７はェロージョン領域１１と略同面積に形成されてい
るので該ターゲット７全体が略均等に消耗され有効な消
費を行ない得、該領域１１以外の部分はアースシールド
１２で覆われているのでターゲット７以外の材料がスパ
ッタされることがない。このように本発明によるときは
ターゲットをェロージョン領域と略同面積に形成すると
共にパッキングプレートの前面の該ターゲットの部分以
外をアースシールドしたのでターゲットの有効な使用を
行なえると共に純度の良いスパッタリングを行なえる等
の効果がある。
第１図は本発明装置の全体線図、第２図はその姿部の裁
断斜視図である。 １・・・真空処理室、２・・・サブストレート、７・・
・ターゲット、８・・・パッキングプレート、９…磁界
発生装置、１０・・・漏洩磁束、１１…ェロージョン領
域、１２…アースシールド。 第１図 第２図
断斜視図である。 １・・・真空処理室、２・・・サブストレート、７・・
・ターゲット、８・・・パッキングプレート、９…磁界
発生装置、１０・・・漏洩磁束、１１…ェロージョン領
域、１２…アースシールド。 第１図 第２図
Claims (1)
- １ 真空処理室内のサブストレートに対向するターゲツ
トの背後にバツキングプレートを介して磁界発生装置を
設け、該ターゲツトの前面に漏洩磁束を生じさせてエロ
ージヨン領域を生成させる式のものに於て、該ターゲツ
トを該エロージヨン領域と略同面積のものに形成して該
バツキングプレートに取付け、該バツキングプレートの
前面の残部にアースシールドを施すことを特徴とするス
パツタリング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193703A JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193703A JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896875A JPS5896875A (ja) | 1983-06-09 |
| JPS607705B2 true JPS607705B2 (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=16312372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56193703A Expired JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607705B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4515675A (en) * | 1983-07-06 | 1985-05-07 | Leybold-Heraeus Gmbh | Magnetron cathode for cathodic evaportion apparatus |
| US4517070A (en) * | 1984-06-28 | 1985-05-14 | General Motors Corporation | Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor |
| DE3738845A1 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Ag | Zerstaeubungskatode nach dem magnetronprinzip |
| KR101250950B1 (ko) | 2010-04-16 | 2013-04-03 | (주) 씨앤아이테크놀로지 | 마그네트론 스퍼터링장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653770B2 (ja) * | 1976-02-13 | 1981-12-21 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS588768Y2 (ja) * | 1979-09-26 | 1983-02-17 | 日本真空技術株式会社 | マグネトロン型カソ−ド装置 |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP56193703A patent/JPS607705B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653770B2 (ja) * | 1976-02-13 | 1981-12-21 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5896875A (ja) | 1983-06-09 |
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