JPS5896875A - スパツタリング装置 - Google Patents
スパツタリング装置Info
- Publication number
- JPS5896875A JPS5896875A JP19370381A JP19370381A JPS5896875A JP S5896875 A JPS5896875 A JP S5896875A JP 19370381 A JP19370381 A JP 19370381A JP 19370381 A JP19370381 A JP 19370381A JP S5896875 A JPS5896875 A JP S5896875A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- domain
- backing plate
- erosion
- nearly
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発＠はマグネトロン式のスパッタリング装置に関する
。
。
従来こ０１１１装置として真空処理璽四のサブストレー
トに対向するターゲットの背後にバッキングプレートｌ
介して永久礎石からなる磁界発生装置を設け、咳ターゲ
ットの前面に漏洩磁束音生じさせてエロージョン領域を
生成させ、マグネトロン式のスパッタリングを行なうよ
うにした式のｔのは知られるが、この場合ターゲットは
エロージョン領域に存する部分が主として飛散しその消
耗が着しく、腋領域外のターゲットか余り消耗されて−
ないにも係わらず交換する１畳し比較的ターゲットの使
用効率か悪い不都合がある。
トに対向するターゲットの背後にバッキングプレートｌ
介して永久礎石からなる磁界発生装置を設け、咳ターゲ
ットの前面に漏洩磁束音生じさせてエロージョン領域を
生成させ、マグネトロン式のスパッタリングを行なうよ
うにした式のｔのは知られるが、この場合ターゲットは
エロージョン領域に存する部分が主として飛散しその消
耗が着しく、腋領域外のターゲットか余り消耗されて−
ないにも係わらず交換する１畳し比較的ターゲットの使
用効率か悪い不都合がある。
本発明はこうした不都合を改善することをその目的とし
たもので、真空処！Ｉｍ！、内のサブストレートに対向
するターゲットの背後にバッキングプレートを介して磁
界発生装置會設け、該ターゲットの前面に漏洩娶東【生
じ畜ゼてエロージョン領域を生成さぜる式の％Ｃ１に於
て、諌ターゲツ）１咳エロークｌン領域と略同面積のも
のに形成して諌バッキングプレートに散付け、該バッキ
ングプレートの前面の残部にアースシールド【撫子こと
を特徴とする。
たもので、真空処！Ｉｍ！、内のサブストレートに対向
するターゲットの背後にバッキングプレートを介して磁
界発生装置會設け、該ターゲットの前面に漏洩娶東【生
じ畜ゼてエロージョン領域を生成さぜる式の％Ｃ１に於
て、諌ターゲツ）１咳エロークｌン領域と略同面積のも
のに形成して諌バッキングプレートに散付け、該バッキ
ングプレートの前面の残部にアースシールド【撫子こと
を特徴とする。
本発明の実施例を図面につき説明するに、第１図に於て
（１）は真空ポンプによｐ真空排気される真空処１１ｍ
！、 （幻に鋏真空九通Ｎ（１）内のホルダ（３）上に
設けられ九サブストレー）を示し、皺サブストレート（
ｓ）にシャッタ（４）【介して対向さゼて１［［ｉＡ圧
電誰（６）戚σ為周波電源（６）に接続されたターゲッ
ト（７）か設けられる。該ターゲット（７）は第２図に
明示するようにその背後にノ々ツキングプレー） （１
） ｉ介して永久磁石から磁界発生装置（旬か設けられ
て全体マグネトロン型カンードに構成され、スノ臂ツタ
リングに際してｒＸ＃磁界発生装置（９）によｐ該ター
ゲット（７）の前面に漏洩磁束閲か生じ、これにグロー
放電の電子が封じ込められてエロージョン領域（ロ）か
生成する。このエロージョン領域ａ１は腋鼻界発生装置
（９）の各磁１ｉ （９ｍ ）口ｉ）の中間部分に生ず
るか、腋ターゲツ） （７） ｔ−腋領域（ロ）とほぼ
同面積のｔのに形成し、接着その伽によｐバッキングプ
レート（８）に取付け、かくて鋏領域（６）にのみ対応
してターゲット（７）か存在するようにした。１また腋
ターゲット（７）は例えば平面環状のものに形成され、
さらに耐久性を肉上＠ゼるためにその中間部【図示の如
く厚手の断面形状に形成され得る。
（１）は真空ポンプによｐ真空排気される真空処１１ｍ
！、 （幻に鋏真空九通Ｎ（１）内のホルダ（３）上に
設けられ九サブストレー）を示し、皺サブストレート（
ｓ）にシャッタ（４）【介して対向さゼて１［［ｉＡ圧
電誰（６）戚σ為周波電源（６）に接続されたターゲッ
ト（７）か設けられる。該ターゲット（７）は第２図に
明示するようにその背後にノ々ツキングプレー） （１
） ｉ介して永久磁石から磁界発生装置（旬か設けられ
て全体マグネトロン型カンードに構成され、スノ臂ツタ
リングに際してｒＸ＃磁界発生装置（９）によｐ該ター
ゲット（７）の前面に漏洩磁束閲か生じ、これにグロー
放電の電子が封じ込められてエロージョン領域（ロ）か
生成する。このエロージョン領域ａ１は腋鼻界発生装置
（９）の各磁１ｉ （９ｍ ）口ｉ）の中間部分に生ず
るか、腋ターゲツ） （７） ｔ−腋領域（ロ）とほぼ
同面積のｔのに形成し、接着その伽によｐバッキングプ
レート（８）に取付け、かくて鋏領域（６）にのみ対応
してターゲット（７）か存在するようにした。１また腋
ターゲット（７）は例えば平面環状のものに形成され、
さらに耐久性を肉上＠ゼるためにその中間部【図示の如
く厚手の断面形状に形成され得る。
（ロ）は腋ターゲット（７）と２〜３■の間隔【存して
そｏｖａ’ｎｏパッキングプＬ／−） （８）Ｏｌｌｔ
ｌｍ ｋｍ ウアースシールドを示し、該プレー）（＠
１の材料かスパッタされることを防ぐか該ターゲット（
７）【図示のように環状に形成する場合その中央部に施
されるアースシールド（１２ｉ）を碍子（２）【介して
バッキングプレート（ａ）上に取付け、咳シールド（１
２鳳）へのリードａｏ４を碍管（至）を介して背後に導
出することが好鵞しい、（７）はアルゴンガスその他の
不活性ガスの導入管である。
そｏｖａ’ｎｏパッキングプＬ／−） （８）Ｏｌｌｔ
ｌｍ ｋｍ ウアースシールドを示し、該プレー）（＠
１の材料かスパッタされることを防ぐか該ターゲット（
７）【図示のように環状に形成する場合その中央部に施
されるアースシールド（１２ｉ）を碍子（２）【介して
バッキングプレート（ａ）上に取付け、咳シールド（１
２鳳）へのリードａｏ４を碍管（至）を介して背後に導
出することが好鵞しい、（７）はアルゴンガスその他の
不活性ガスの導入管である。
その作動を説明するに、真空処理！ （１１内ｔＸ空化
して多少の不活性ガスを導入したのち直ＲｊＩｂ圧電Ｉ
Ｉ（６１或は高周波電源（６）【通電するとターゲット
（７）の前面にグロー放電が抛生し、咳ターグツ［７）
Ｏ材料か飛散してこれと対向するサブストレート（！）
に耐着する。この場合該ターゲット（７）はエロージョ
ン領域（ロ）と略同面積に形ｆｌｔされているので諌タ
ーゲット（７）全体か略均勢に消耗され有効な消費を行
ない得、＃領域（ロ）以外の部分ニアースシールド脅で
扱われて−るのでターゲット（１）以外の材料かスパッ
タされることかな−６ このように本発明によるときにターゲット上エロージョ
ン領域と略１１１ｍ積に形成すると共にバッキングシレ
ー）Ｏ＃Ｉｉの諌ターゲットの部分以外會アースシール
ドしたのでターゲットの有効な使用上行なえると共に純
ｔＯｌｖｈスノ々ツタリングを行なえる等の効果かめる
。
して多少の不活性ガスを導入したのち直ＲｊＩｂ圧電Ｉ
Ｉ（６１或は高周波電源（６）【通電するとターゲット
（７）の前面にグロー放電が抛生し、咳ターグツ［７）
Ｏ材料か飛散してこれと対向するサブストレート（！）
に耐着する。この場合該ターゲット（７）はエロージョ
ン領域（ロ）と略同面積に形ｆｌｔされているので諌タ
ーゲット（７）全体か略均勢に消耗され有効な消費を行
ない得、＃領域（ロ）以外の部分ニアースシールド脅で
扱われて−るのでターゲット（１）以外の材料かスパッ
タされることかな−６ このように本発明によるときにターゲット上エロージョ
ン領域と略１１１ｍ積に形成すると共にバッキングシレ
ー）Ｏ＃Ｉｉの諌ターゲットの部分以外會アースシール
ドしたのでターゲットの有効な使用上行なえると共に純
ｔＯｌｖｈスノ々ツタリングを行なえる等の効果かめる
。
表 Ｉｉ１画の簡単なｌｌ明
ＩｆＥｌ園に本発―装置の金体−図、纂２図にその費部
の截断斜視１である。
の截断斜視１である。
（１１・・・・・・＊ ｔ１！Ｊ６１１１１． （！
ｌ・・・・・・サブストレート。
ｌ・・・・・・サブストレート。
（１）・・・・・・ターゲット。
（＄）・・・・・・バッキングプレート。
（９；・・・・・・磁界発生装置１輪・・・・・・漏洩
鼻束。
鼻束。
（ロ）・・・・・・エロー２１７１１１輪・・・・・・
アースシールド。
アースシールド。
第１図
↓
第２図
Claims (1)
- 真空処ｍｉｉ内のサブストレートに対向するタープ７）
の背後にバッキングシレー）を介して磁界発生装置を設
け、骸ターゲットの前面に漏洩碑束を生じさゼてエロー
ジョン領域を生成さゼる式のｔのに於て、該ターゲット
會骸エロージョン領域と略同面積のものに形成して咳バ
ッキングプレートに取付け、諌バッキングプレートの前
面の残部にアースシールドを撫子ことを脣黴とするスパ
ッタリング懺置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193703A JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56193703A JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5896875A true JPS5896875A (ja) | 1983-06-09 |
| JPS607705B2 JPS607705B2 (ja) | 1985-02-26 |
Family
ID=16312372
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56193703A Expired JPS607705B2 (ja) | 1981-12-03 | 1981-12-03 | スパツタリング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS607705B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2548826A1 (fr) * | 1983-07-06 | 1985-01-11 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Cathode de magnetron pour installations de pulverisation cathodique |
| EP0168143A2 (en) * | 1984-06-28 | 1986-01-15 | General Motors Corporation | Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor |
| EP0316523A2 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
| KR101250950B1 (ko) | 2010-04-16 | 2013-04-03 | (주) 씨앤아이테크놀로지 | 마그네트론 스퍼터링장치 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653770U (ja) * | 1979-09-26 | 1981-05-12 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4020281A (en) * | 1976-02-13 | 1977-04-26 | International Business Machines Corporation | Iterative coordinate data approximation system for photoemissive pixel pattern displays |
-
1981
- 1981-12-03 JP JP56193703A patent/JPS607705B2/ja not_active Expired
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5653770U (ja) * | 1979-09-26 | 1981-05-12 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2548826A1 (fr) * | 1983-07-06 | 1985-01-11 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Cathode de magnetron pour installations de pulverisation cathodique |
| EP0168143A2 (en) * | 1984-06-28 | 1986-01-15 | General Motors Corporation | Magnetron sputtering cathode assembly and magnet assembly therefor |
| EP0316523A2 (de) * | 1987-11-16 | 1989-05-24 | Leybold Aktiengesellschaft | Zerstäubungskatode nach dem Magnetronprinzip |
| KR101250950B1 (ko) | 2010-04-16 | 2013-04-03 | (주) 씨앤아이테크놀로지 | 마그네트론 스퍼터링장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS607705B2 (ja) | 1985-02-26 |
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