JPH0784659B2 - スパッタリングターゲット - Google Patents
スパッタリングターゲットInfo
- Publication number
- JPH0784659B2 JPH0784659B2 JP61291029A JP29102986A JPH0784659B2 JP H0784659 B2 JPH0784659 B2 JP H0784659B2 JP 61291029 A JP61291029 A JP 61291029A JP 29102986 A JP29102986 A JP 29102986A JP H0784659 B2 JPH0784659 B2 JP H0784659B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- sputtering
- magnetic field
- sputtering target
- ferromagnetic material
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、漏洩磁界の印加により高速かつ均一な成膜を
可能とするマグネトロンスパッタリング装置に使用され
るスパッタリングターゲットに関するものである。
可能とするマグネトロンスパッタリング装置に使用され
るスパッタリングターゲットに関するものである。
従来の技術 近年、磁気光学効果を利用した光磁気記録媒体や磁気バ
ルブ記録媒体に磁化容易軸が膜面に対し垂直な方向にあ
るTbFeCo,GdTbFeCo等の非晶質垂直磁化膜が多用されつ
つあり、前記非晶質垂直磁化膜はマグネトロンスパッタ
リング装置により作製されている。このマグネトロンス
パッタリング装置は、膜の付着形成速度が速い、基板の
温度上昇をおさえることができる等の優れた特徴を有す
ることから近年広く利用されている。
ルブ記録媒体に磁化容易軸が膜面に対し垂直な方向にあ
るTbFeCo,GdTbFeCo等の非晶質垂直磁化膜が多用されつ
つあり、前記非晶質垂直磁化膜はマグネトロンスパッタ
リング装置により作製されている。このマグネトロンス
パッタリング装置は、膜の付着形成速度が速い、基板の
温度上昇をおさえることができる等の優れた特徴を有す
ることから近年広く利用されている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来のマグ
ネトロンスパッタリング装置に用いるスパッタリングタ
ーゲットについて説明を行う。
ネトロンスパッタリング装置に用いるスパッタリングタ
ーゲットについて説明を行う。
第４図は従来のマグネトロンスパッタリングの方法を説
明するためのマグネトロンスパッタリング装置の構成を
示す略断面図、第５図ａは従来のスパッタリングターゲ
ットの平面図、第５図ｂはＢ−Ｂ線断面図である。
明するためのマグネトロンスパッタリング装置の構成を
示す略断面図、第５図ａは従来のスパッタリングターゲ
ットの平面図、第５図ｂはＢ−Ｂ線断面図である。
第４図において、10はアルゴン雰囲気中でかつ低真空で
ある真空容器、12は基板11を固定する基板ホルダ、14は
非晶質垂直磁化膜13の原料であるターゲット、15はター
ゲット14を固定したパッキングプレートである。
ある真空容器、12は基板11を固定する基板ホルダ、14は
非晶質垂直磁化膜13の原料であるターゲット、15はター
ゲット14を固定したパッキングプレートである。
真空容器10内には、基板11とターゲット14が平行に固定
されている。ターゲット14を固定したバッキングプレー
ト15の裏面にはターゲット14の中心部がＳ極となり周辺
部がＮ極となるよう磁界発生装置（以下磁石と略称す
る）16が配置されていて、図示のごとく磁界17を生じさ
せている。また、ターゲット４と基板ホルダー12との間
には放電電力が供給される交流電源（または直流電源）
18が接続されており、ターゲット14の表面に垂直方向に
電界19を生じさせる。
されている。ターゲット14を固定したバッキングプレー
ト15の裏面にはターゲット14の中心部がＳ極となり周辺
部がＮ極となるよう磁界発生装置（以下磁石と略称す
る）16が配置されていて、図示のごとく磁界17を生じさ
せている。また、ターゲット４と基板ホルダー12との間
には放電電力が供給される交流電源（または直流電源）
18が接続されており、ターゲット14の表面に垂直方向に
電界19を生じさせる。
ここで、この電界19の放電によって生ずる二次電子は、
磁界17のターゲット14面に平行な磁界成分によってサイ
クロイドあるいはトコロイド運動をする。このため、ス
パッタガス分子と二次電子との衝突回数が増加しイオン
化が促進されて、ターゲット14の表面近傍に高密度プラ
ズマが形成され、ターゲット14の表面から高速スパッタ
を生じさせるものである。
磁界17のターゲット14面に平行な磁界成分によってサイ
クロイドあるいはトコロイド運動をする。このため、ス
パッタガス分子と二次電子との衝突回数が増加しイオン
化が促進されて、ターゲット14の表面近傍に高密度プラ
ズマが形成され、ターゲット14の表面から高速スパッタ
を生じさせるものである。
このマグネトロンスパッタリング装置に使用されるター
ゲットとしては、一般に遷移金属と希土類金属とをアー
ク炉等で溶解し、合金とした合金ターゲット、遷移金属
と希土類金属とを微粉末にして焼結した焼結ターゲット
等のスパッタリングターゲット14をバッキングプレート
15にボンディングして製作され使用されている。
ゲットとしては、一般に遷移金属と希土類金属とをアー
ク炉等で溶解し、合金とした合金ターゲット、遷移金属
と希土類金属とを微粉末にして焼結した焼結ターゲット
等のスパッタリングターゲット14をバッキングプレート
15にボンディングして製作され使用されている。
発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のような構成では、ターゲットの表面
の限られた領域でしか均一な平行磁界成分が得られず、
ターゲットのスパッタリング領域は不均一となる。この
ため、第６図のごとくターゲットは不均一に消耗してタ
ーゲットの寿命が短かくなり、またスパッタが生ずる有
効面積が小さく、基板の膜形成速度が十分でないという
問題点を有していた。
の限られた領域でしか均一な平行磁界成分が得られず、
ターゲットのスパッタリング領域は不均一となる。この
ため、第６図のごとくターゲットは不均一に消耗してタ
ーゲットの寿命が短かくなり、またスパッタが生ずる有
効面積が小さく、基板の膜形成速度が十分でないという
問題点を有していた。
本発明は上記問題点に鑑み、マグネトロンスパッタリン
グ装置に用いるターゲットのエロージョン領域を広くす
ることのできるスパッタリングターゲットを提供するも
のである。
グ装置に用いるターゲットのエロージョン領域を広くす
ることのできるスパッタリングターゲットを提供するも
のである。
問題点を解決するための手段 本発明のスパッタリングターゲットは、希土類と遷移金
属との合金であり、ターゲットとこのターゲットを固定
するパッキングプレートとの界面に、このパッキングプ
レートの面方向の周辺部ほど厚い厚みを有する強磁性体
を配置した構成されている。
属との合金であり、ターゲットとこのターゲットを固定
するパッキングプレートとの界面に、このパッキングプ
レートの面方向の周辺部ほど厚い厚みを有する強磁性体
を配置した構成されている。
作用 この構成によって、ターゲットの裏面に設置した磁石に
よる磁界は、ターゲットとバッキングプレートの間の強
磁性体により磁界の方向が変えられ、ターゲットの表面
のほぼ全域にわたって漏洩磁界によるターゲットに平行
な磁界成分が得られることにより、エロージョン領域を
広げられることとなる。
よる磁界は、ターゲットとバッキングプレートの間の強
磁性体により磁界の方向が変えられ、ターゲットの表面
のほぼ全域にわたって漏洩磁界によるターゲットに平行
な磁界成分が得られることにより、エロージョン領域を
広げられることとなる。
実施例 以下本発明の実施例について、図面を参照しながら説明
する。第１図ａは本発明の一実施例におけるスパッタリ
ングターゲットの平面図であり、第１図ｂは第１図ａの
Ａ−Ａ線断面図である。
する。第１図ａは本発明の一実施例におけるスパッタリ
ングターゲットの平面図であり、第１図ｂは第１図ａの
Ａ−Ａ線断面図である。
第１図において、１は希土類金属と遷移金属を主成分と
し合金化したターゲット、２はFe,Co,Ni,Fe−Ni合金,Fe
2O3等の強磁性体、３はターゲット１の表面での漏洩磁
界、４はターゲット１及び強磁性体２を固定するバッキ
ングプレートである。
し合金化したターゲット、２はFe,Co,Ni,Fe−Ni合金,Fe
2O3等の強磁性体、３はターゲット１の表面での漏洩磁
界、４はターゲット１及び強磁性体２を固定するバッキ
ングプレートである。
５は電磁石もしくは永久磁石で構成される磁石であり、
マグネトロンスパッタリング装置ではバッキングプレー
ト４の裏面に設置されている。このＮ極またはＳ極から
なる磁石５からの磁界は、ターゲット１とバッキングプ
レート４との間に配設された強磁性体２により磁界の方
向が変えられ、強磁性体２の厚さが厚い程ターゲット１
の表面に強い漏洩磁界を生ずるものである。このことか
ら本実施例に示すように、強磁性体２の厚さを磁石５の
中心から離れる程厚くすることにより、ターゲット１表
面の全域にわたってほぼ均一な平行方向の磁界３を生じ
させている。そのため、放電により生ずる二次電子はタ
ーゲット１の表面近傍全域に効率良く高密度プラズマを
生成し、ターゲット１の表面全域にわたってスパッタを
生じさせることができる。第３図は本実施例のターゲッ
トの消耗状態を示すもので、消耗が表面全域にわたって
おり、エロージョン領域が広くなっている。
マグネトロンスパッタリング装置ではバッキングプレー
ト４の裏面に設置されている。このＮ極またはＳ極から
なる磁石５からの磁界は、ターゲット１とバッキングプ
レート４との間に配設された強磁性体２により磁界の方
向が変えられ、強磁性体２の厚さが厚い程ターゲット１
の表面に強い漏洩磁界を生ずるものである。このことか
ら本実施例に示すように、強磁性体２の厚さを磁石５の
中心から離れる程厚くすることにより、ターゲット１表
面の全域にわたってほぼ均一な平行方向の磁界３を生じ
させている。そのため、放電により生ずる二次電子はタ
ーゲット１の表面近傍全域に効率良く高密度プラズマを
生成し、ターゲット１の表面全域にわたってスパッタを
生じさせることができる。第３図は本実施例のターゲッ
トの消耗状態を示すもので、消耗が表面全域にわたって
おり、エロージョン領域が広くなっている。
以上のように本実施例によれば、ターゲット１とバッキ
ングプレート４の間の一部に強磁性体を配設することに
より、ターゲット１表面に平行な磁界成分が、ターゲッ
ト１の表面の全域にわたって均一とすることができ、タ
ーゲット１の全域にわたってほぼ均一にスパッタするこ
とができる。
ングプレート４の間の一部に強磁性体を配設することに
より、ターゲット１表面に平行な磁界成分が、ターゲッ
ト１の表面の全域にわたって均一とすることができ、タ
ーゲット１の全域にわたってほぼ均一にスパッタするこ
とができる。
なお、第１図に示す本実施例では強磁性体の厚さは連続
的に変化させたが、第２図の別の実施例に示すように、
強磁性体2aの厚さを不連続的に階段状に変化させてもよ
い。またターゲット形状は円板状としたが、四角形等、
任意の形状でも、ターゲットとパッキングプレートとの
間に強磁性体を配置した構成により、ターゲット全域に
わたりスパッタリングできる構成であればよい。
的に変化させたが、第２図の別の実施例に示すように、
強磁性体2aの厚さを不連続的に階段状に変化させてもよ
い。またターゲット形状は円板状としたが、四角形等、
任意の形状でも、ターゲットとパッキングプレートとの
間に強磁性体を配置した構成により、ターゲット全域に
わたりスパッタリングできる構成であればよい。
さらにターゲットの表面は平面としたが、強磁性体の厚
さと対応させて、連続的又は不連続的に変化させてもよ
い。
さと対応させて、連続的又は不連続的に変化させてもよ
い。
発明の効果 本発明は、ターゲットとバッキングプレートとの間に、
パッキングプレートの面方向の周辺部ほど厚い厚みを有
する強磁性体を配設することにより、磁石に生ずる磁界
の向きを変化させ、強磁性体を配設した近傍のターゲッ
ト表面に比較的強い漏洩磁界を生じさせたため、ターゲ
ット表面のほぼ全域にわたって均一な平行方向の磁界が
得られ、ターゲットの全域より均一にスパッタが発生す
ることができる。このため、ターゲットのエロージョン
領域が広くなり、より有効なターゲットの利用が可能と
なる。
パッキングプレートの面方向の周辺部ほど厚い厚みを有
する強磁性体を配設することにより、磁石に生ずる磁界
の向きを変化させ、強磁性体を配設した近傍のターゲッ
ト表面に比較的強い漏洩磁界を生じさせたため、ターゲ
ット表面のほぼ全域にわたって均一な平行方向の磁界が
得られ、ターゲットの全域より均一にスパッタが発生す
ることができる。このため、ターゲットのエロージョン
領域が広くなり、より有効なターゲットの利用が可能と
なる。
また、従来のようにターゲットの一部のみが消耗するこ
となく、ターゲットの寿命を長くすることができ、ター
ゲットの利用効率を向上させることができるものであ
る。さらに、スパッタが発生する面積が広くなるために
基板の膜付着速度が大となるなど、数々の優れた効果を
得ることのできるスパッタリングターゲットを実現でき
るものである。
となく、ターゲットの寿命を長くすることができ、ター
ゲットの利用効率を向上させることができるものであ
る。さらに、スパッタが発生する面積が広くなるために
基板の膜付着速度が大となるなど、数々の優れた効果を
得ることのできるスパッタリングターゲットを実現でき
るものである。
第１図ａは本発明の一実施例におけるスパッタリングタ
ーゲットの平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ線断面
図、第２図ａは本発明の他の実施例におけるスパッタリ
ングターゲットの平面図、第２図ｂはＣ−Ｃ線断面図、
第３図は本発明のスパッタリングターゲットの消耗を示
す断面図、第４図は従来のマグネトロンスパッタリング
装置の構成を示す略断面図、第５図ａは従来のスパッタ
リングターゲットの平面図、第５図ｂはＢ−Ｂ線断面
図、第６図は従来のスパッタリングターゲットの消耗を
示す図である。 １……ターゲット、２……強磁性体、３……磁界、４…
…バッキングプレート、５……磁石、10……真空容器、
11……基板、12……基板ホルダー、13……垂直磁化膜、
14……ターゲット、15……バッキングプレート、16……
磁石、17……磁界、18……電源、19……電界。
ーゲットの平面図、第１図ｂは第１図ａのＡ−Ａ線断面
図、第２図ａは本発明の他の実施例におけるスパッタリ
ングターゲットの平面図、第２図ｂはＣ−Ｃ線断面図、
第３図は本発明のスパッタリングターゲットの消耗を示
す断面図、第４図は従来のマグネトロンスパッタリング
装置の構成を示す略断面図、第５図ａは従来のスパッタ
リングターゲットの平面図、第５図ｂはＢ−Ｂ線断面
図、第６図は従来のスパッタリングターゲットの消耗を
示す図である。 １……ターゲット、２……強磁性体、３……磁界、４…
…バッキングプレート、５……磁石、10……真空容器、
11……基板、12……基板ホルダー、13……垂直磁化膜、
14……ターゲット、15……バッキングプレート、16……
磁石、17……磁界、18……電源、19……電界。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 工藤 嘉彦 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−155672（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】スパッタリングターゲットの背面に配置し
た磁界発生装置からの磁界を、前記ターゲットの表面に
漏洩させることによりスパッタリングを行ない、基板上
に薄膜を形成するマグネトロンスパッタリング装置に用
いるスパッタリングターゲットであって、前記ターゲッ
トが希土類と遷移金属とを主成分とする合金であり、前
記ターゲットと前記ターゲットを固定するパッキングプ
レートとの界面に、前記パッキングプレートの面方向の
周辺部ほど厚い厚みを有する強磁性体を備えることを特
徴とするスパッタリングターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291029A JPH0784659B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパッタリングターゲット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61291029A JPH0784659B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63143260A JPS63143260A (ja) | 1988-06-15 |
| JPH0784659B2 true JPH0784659B2 (ja) | 1995-09-13 |
Family
ID=17763524
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61291029A Expired - Fee Related JPH0784659B2 (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパッタリングターゲット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0784659B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6588351B2 (ja) * | 2016-01-27 | 2019-10-09 | 株式会社アルバック | 成膜方法 |
| WO2017196027A1 (ko) | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 청소기 거치대 |
| WO2017195999A1 (ko) | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 청소기 거치대 |
| KR102603584B1 (ko) | 2016-05-09 | 2023-11-20 | 엘지전자 주식회사 | 청소기 거치대 |
| WO2017196000A1 (ko) | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 청소기 거치대 |
| US10342404B2 (en) | 2016-05-09 | 2019-07-09 | Lg Electronics Inc. | Cleaner holder |
| WO2017196024A2 (ko) | 2016-05-09 | 2017-11-16 | 엘지전자 주식회사 | 청소기 거치대 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3331406A1 (de) * | 1983-08-31 | 1985-03-14 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Zerstaeubungskatode |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61291029A patent/JPH0784659B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63143260A (ja) | 1988-06-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |