KR101250950B1 - 마그네트론 스퍼터링장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 마그넨트론 스퍼터링 장치는 바디와 그라운드 쉴드, 요크, 타겟, 냉각부를 구비하고 타겟이 부착되는 백플레이트, 요크 외측에 상하로 설치된 제1자석열과 요크 중앙에 제1자석열과 극의 방향이 다르게 상하로 설치된 제2자석열, 제1자석열과 제2자석열 사이에 좌우로 설치되어 폐쇄자장터널을 형성하는 제3자석열로 구성된 마그네트 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 이에 의하여, 타겟의 침식도와 기판의 증착도를 균일하게 유지하며, 타겟의 수명을 연장 할 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치가 제공된다.

Description

마그네트론 스퍼터링장치{MAGNETRON SPUTTERING APPARTUS}

본 발명은 마그네트론 스퍼터링 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 바디와 그라운드 쉴드, 요크, 타겟을 구비한 마그네트론 스퍼터링장치에 타겟이 부착되는 백플레이트, 요크 상면 측부에 설치된 제1자석열과 상기 요크 중앙에 상기 제1자석열과 극의 방향이 다르게 설치된 제2자석열, 상기 제1자석열과 상기 제2자석열 사이에 설치되는 제3자석열로 구성되고 폐쇄자장터널을 형성하는 마그네트 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링장치에 대한 발명이다.

스퍼터링장치는 물리적으로 박막을 형성하는 박막형성장치로서 플라즈마에 의해 가속되어 높은 에너지를 가진 이온을 고체타겟 표면에 충돌시켜 타겟물질과의 충돌에 의해서 튀어나온 입자들이 공간상에서 기판으로 이동하여 코팅이 이루어진다.

특히 마그네트론 스퍼터링 장치의 동작을 첨부한 도면을 참조하여 설명한다.

도1은 기존 마그네트론 스퍼터링 장치의 일예를 나타낸 도면이다.

먼저 도1에 도시된 바와 같이, 공정기체가 유동되는 유입구(10)와 유출구(1b)가 형성된 반응기(1) 내부에 타겟(3a)물질을 증착할 기판(2)이 한쪽에 설치되고, 그 반대편에 상기 기판(2)과 대향되도록 증착원이 될 타겟(3a)이 장착된 스퍼터링건(3)이 설치된다.

상기 스퍼터링 건(3)에 인가전원을 연결하여 적절한 DC/AC전력을 공급하면 상기 스퍼터링 건(3)과 기판(2)사이의 불활성기체가 전리되면서 플라즈마가 발생하게 된다.

이때 상기 타겟(3a) 후면에 위치한 요크(3c)에 부착된 자석배열(3b)들이 형성하는 타겟(3a) 표면에 평행한 자기력 성분(4)에 의해서 플라즈마 내 전자들이 로렌즈힘에 의해 타겟(3a) 표면에 집속되게 되는 폐쇄자장터널(5)이 형성된다.

타겟(3a)표면에 형성된 폐쇄자장터널(5) 내부에 자기적으로 집속된 플라즈마에 의해서 플라즈마에 의한 타겟(3a)의 스퍼터링 효율을 효과적으로 향상시키게 된다. 그러나, 도1에 의한 마그네트론 스퍼터링장치는 플라즈마가 타겟(3a) 표면에 평행한 자기력성분을 가진 폐쇄자장터널(5)내부에만 집중되므로 스퍼터링에 의한 타겟(3a)면의 침식이 폐쇄자장터널(5)의 아랫부분에 집중된다. 결국 불균일한 침식에 의해서 타겟의 수명이 짧아지고, 기판(2)에 증착되는 타겟(3a)물질의 증착균일성이 떨어지게 된다.

또한 자석이 부착된 요크판을 왕복, 회전운동시켜줌으로서 타겟 표면에 형성되는 폐쇄자장터널이 균일하게 형성될 수 있도록 동적자석열을 설치하는 동적자석방식이 있다. 이중 하나의 요크판을 왕복시키는 방식은 왕복운동하는 요크판에 의해서 폐쇄자장터널 역시 왕복운동하게 되므로 폐쇄자장터널의 이동경로가 중첩되는 타겟 중심부나 가장자리에 침식이 집중되는 문제가 발생하게 된다. 또한 다수의 요크판들을 타겟 후면에서 회전시키는 방식은 다수의 폐쇄자장터널들이 타겟 표면에서 형성, 이동, 소멸되는 과정을 반복하므로 증착속도가 떨어지고, 다수의 요크판 이송에 필요한 복잡한 기구들을 필요로 하므로 스퍼터링건이 대형화되고 복잡해지는 문제가 있다.

이러한 문제를 극복하기 위해서 특허등록 제10-0497933호 "요동자석방식 마그네트론 스퍼터링장치 및 방법" (이하 "종래기술"이라 한다.)은 정적자석열과 요동자석열을 함께 구성하는 마그네트론 스퍼터링 장치가 있다.

도2는 종래기술인 요동자석방식 마그네트론 스퍼터링장치의 단면도이다.

도2를 참조하여 종래기술에 대해서 설명하면 종래기술은 외곽에 정적자석열을 배치하고 중심에 단일 또는 다수의 요동자석열을 배치하였다. 이때 요동자석열은 에어실린더(11), 피스톤로드(12), 랙(13), 피니언(14), 타이밍벨트 (15)로 구성된 구동부에 의해서 왕복운동을 회전운동으로 전환한다.

요동자석열과 정적자석열은 폐쇄자장터널을 형성하고, 폐쇄자장터널은 요동자석열의 일정 요동각에 따라 타겟의 표면에 비대칭적으로 형성되어 타겟이 고르게 침식되고 타겟주기의 연장과 기판위의 증착의 균일성을 높이는 장치이다.

그러나 구동부를 작동시키기 위해서 전력의 소모가 있으며, 구동부의 존재로 인해서 스퍼터링장치의 부피가 증가하며, 구동부의 고장으로 인해서 타겟의 불균일한 침식과 기판의 증착균일성이 떨어지게 된다.

또한, 기판의 대형화로 인하여 타겟의 크기가 동반하여 커지게 되고 타겟의 중앙이 고정되지 않아 물리적으로 타겟의 변형이 일어나게 되어 스퍼터링시에 타겟의 불균일한 침식과 기판 증착의 불균일성이 생기게 된다.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 요동자석열을 사용하지 않고 증착율을 높이며, 타겟의 침식도를 고르게 분포하게 하여 타겟의 교체주기를 연장할 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공함에 있다. 또한 대형 타겟의 변형을 막기 위해서 중심을 고정시킬 수 있는 마그네트론 스퍼터링 장치를 제공함에 있다.

상기 목적은, 바디와 그라운드 쉴드, 요크, 타겟, 냉각부, 전력공급부를 구비한 마그네트론 스퍼터링장치에 있어서, 타겟이 부착되는 백플레이트, 요크 상면 측부에 상하로 설치된 제1자석열과 요크 중앙에 제1자석열과 극의 방향이 다르게 상하로 설치된 제2자석열, 제1자석열과 제2자석열 사이에 좌우로 설치되는 제3자석열로 구성되고 폐쇄자장터널을 형성하는 마그네트 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링장치에 의해서 달성된다.

또한 마그네트 플레이트 내부는 애폭시로 제1자석열, 제2자석열, 제3자석열이 외부와 밀폐되도록 몰딩 되어 있는 것을 특징으로 하고 냉각부는 몰딩된 자석열 사이 냉각액이 통과할 수 있는 통로가 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

마그네트 플레이트 내부에 설치되어 있는 제1자석열 외측부 옆면에 사이드요크를 부착시키고 제3자석열의 위치를 변화시켜 타겟의 침식에 따른 증착 균일도를 조절할 수 있는 것을 특징으로 하며, 그라운드 쉴드는 바디의 외부를 감싸도록 설치되어 있고 클램프가 스퍼터링되는 것을 막기 위해 클램프의 상단에만 위치하고 있는 것을 특징으로 한다.

더불어 마그네트론 스퍼터링 장치는 타겟의 중앙에 홀이 형성되고 타겟을 고정시키기 위해서 홀을 통해서 센터클램프가 설치되고 센터 클램프 스퍼터링을 막기 위해서 센터그라운드쉴드가 결합된 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 요동자석열을 사용하지 않고 증착율을 높이며, 타겟의 침식도를 고르게 분포하게 하여 타겟의 교체주기를 연장할 수 있으며 대형 타겟의 변형을 막기 위해서 중심을 고정시킬 수 있는 장치가 구현되고 구동부가 존재하지 않게 되어 타겟의 침식도와 기판의 증착도를 향상시키면서 부피를 줄일 수 있는 마그네트 스퍼터링 장치가 제공된다. 또한 냉각부의 형태가 마그네트 사이로 통로를 포함하고 있어 마그네트와 타겟의 냉각효율을 증가시킬 수 있다. 그라운드 쉴드의 형상을 변화시켜 타겟 물질의 침착에 의한 바디와의 단락현상을 방지하고, 요크의 구조를 변화시켜 타겟 옆면의 침식을 방지하게 된다.

도1은 기존 마그네트론 스퍼터링 장치의 일예를 나타낸 도면이다.
도2는 종래기술인 요동자석방식 마그네트론 스퍼터링장치의 단면도이다.
도3은 제1실시예에 따른 센터클램프가 없는 마그네트론 스퍼터링 장치의 단면도이다.
도4는 마그네트 플레이트와 타겟의 단면을 도시한 개략도이다.
도5는 제3자석열이 없는 경우에 타겟의 침식도를 나타내는 단면도이다.
도6은 제3자석열이 있는 경우에 타겟의 침식도를 나타내는 단면도이다.
도7은 제3자석열이 없는 경우와 있는 경우의 중심에서부터의 침식정도를 나타내는 그래프이다.
도8은 제1자석열에 사이드요크가 부착되지 않은 경우 자기장의 형태를 도시한 단면도이다.
도9은 제1자석열 옆면에 사이드요크가 부착된 경우 자기장의 형태를 도시한 단면도이다.
도10은 측면의 그라운드 쉴드가 타겟의 외곽부분 상면에 위치하는 경우의 부분 상세도이다.
도11은 측면의 그라운드 쉴드가 클램프의 외곽부분 상면에만 위치하는 경우의 부분 상세도이다.
도12은 센터클램프를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 분해사시도이다.
도13는 센터클램프를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 중앙 확대도이다.
도14은 센터클램프를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 상면도이다.

설명에 앞서, 여러 실시예에 있어서, 동일한 구성을 가지는 구성요소에 대해서는 동일한 부호를 사용하여 대표적으로 제1실시예에서 설명하고, 그 외의 실시예에서는 제1실시예와 다른 구성에 대해서 설명하기로 한다.

본 발명은 마그네트 스퍼터링 장치에 대한 것이다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 마그네트론 스퍼터링 장치에 대하여 상세하게 설명한다.

도3은 제1실시예에 따른 센터클램프(130)가 없는 마그네트론 스퍼터링 장치의 단면도이다. 본 발명인 마그네트론 스퍼터링 장치는 바디(100)와 바디의 외부에 위치하는 그라운드 쉴드(200), 백플레이트(500) 상단에 위치하는 타겟(300), 백플레이트(500) 하단에 위치하는 냉각부(400)를 구비하고 있으며, 바디에 전력을 공급하는 전력공급부(160), 타겟(300)이 부착되는 백플레이트(500), 자석열을 고정시키기 위한 요크(610) 상면 측부에 상하로 설치된 제1자석열(620)과 요크(610) 중앙에 상기 제1자석열(620)과 극의 방향이 다르게 상하로 설치된 제2자석열(640), 제1자석열(620)과 제2자석열(640) 사이에 좌우로 설치되는 제3자석열(660), 제1자석열(620), 제2자석열(640)을 고정시키는 요크(610)로 구성된 마그네트 플레이트를 포함하는 것을 특징으로 한다.

바디(100)는 인가전원을 연결하여 적절한 DC/AC 전력이 공급되는 부분으로 전자를 발생시켜야 하므로 도전성 재질로 구성되어 있으며, 마그네트 스퍼터링 장치의 외부에 위치한다

그라운드 쉴드(200)는 바디(100)의 외곽에 설치되어 외부로 발산되는 전기장과 마그네트 플레이트(600)에서 발산되는 자기장을 차폐하는 기능을 하며, 전도성 재질로 구성되어야 한다. 정전차폐의 원리 즉 외부로 발산될 수 있는 전기장과 자기장이 그라운드 쉴드(200)에 있는 자유전자와 공진하게 되고 에너지를 소비함으로 인하여 전기장, 자기장이 외부로 발산되는 것을 막게 된다. 그라운드 쉴드(200)는 마그네트 스퍼터링 장치의 바디(100)를 감싸고 있다.

타겟(300)은 비자성 금속 또는 세라믹 재질로 되어 있으며, 마그네트 스퍼터링 장치가 동작시에 음극을 띠게 된다. 또한 타겟(300)은 백플레이트(500) 상부에 인듐합금에 의해 고정된다.

냉각부(400)는 스퍼터링 시에 타겟(300)과 자석열에 발생하는 열을 냉각시키는 역할을 한다. 냉각부(400) 내부에는 유동성이 좋은 액체가 흐르게 된다. 바람직하게는 냉각부의 냉각액이 통과할 수 있는 냉각통로(420)가 자석열 사이에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

백플레이트(500)는 타겟(300)을 고정시키는 역할을 하며 전기 전도도 및 열전도도가 좋은 물질로 제작된다. 냉각부(400)와 타겟(300) 사이에 위치해 있으며 바디(100)의 사이드는 클램프(110)가 고정될 수 있도록 외곽에 홀을 형성하고 있다.

전력공급부(160)는 마그네트론 스퍼터링 장치의 바디(100)에 전력을 공급할 수 있도록 전력공급원을 연결하는 장치에 해당한다.

도4는 마그네트 플레이트(600)와 타겟(300)의 단면을 도시한 개략도이다.

마그네트 플레이트(600)는 제1자석열(620), 제2자석열(640), 제3자석열(660), 요크(610)로 구성되어 있다. 자석열은 다수의 자석을 같은 방향으로 배열하게 된다. 자석열을 구성하는 자석은 영구자석으로 네오디뮴-철(Nd-Fe)계 합금의 고자속밀도 영구자석이며, 잔류자속밀도 123000 ~ 13000G, 보자력 Hc는 12000~12700인 것이 바람직하다. 제1자석열(620)과 제2자석열(640)의 각각의 자석은 세로방향으로 배열하고 요크(610)에 의해서 고정되며 제1자석열은 S극이 타겟방향으로 위치되도록 배치한다.

제2자석열(640)은 제1자석열(620)과 인력이 작용하도록 배치된다.

제3자석열(660)은 제1자석열(620)과 제2자석열(640) 사이에 위치하고 극의 방향은 제1자석열(620)을 향해서 N극, 제2자석열(640)을 향해서 S극의 방향을 갖도록 가로방향으로 배열한다. 제3자석열(660)은 요크(610)와 물리적으로 이격되며 자성을 띄지 않는 물질을 이용하여 장착한다.

마그네트 플레이트(600) 내부는 애폭시로 몰딩되어 제1자석열(620), 제2자석열(640), 제3자석열(660)이 외부와 완전히 밀폐되도록 형성되어 있다. 냉각수(400)의 접촉으로 인한 자석열의 수명단축을 방지하기 위함이다.

요크(610)는 제1자석열(620)과 제2자석열(640)을 고정시키고 탄소강 재질로 되어 있으며 스퍼터링 장치의 바디(100)에 부착된다.

마그네트 스퍼터링장치는 타겟(300) 표면 상부에 곡률반경이 작은 타원형 자기장 폐회로를 형성함에 따라 마그네트론 방전 트랙 형성시 전위가 가장 높은 자기장에 대응되는 부분이 고밀도의 플라즈마가 발생되어 스퍼터링 율이 높고 빠르게 침식된다. 본 발명인 마그네트 스퍼터링 장치에서 도전성 재질로 구성된 바디(100)에 전원이 공급된다. 공급된 전원에 의해서 형성되는 전기장은 전자를 방출하고 타겟(300)과의 사이에 불활성기체인 아르곤과 같은 스퍼터링 가스와 충돌하여 아르곤 양이온을 생성시킨다. 이 아르곤 양이온이 타겟에 충돌하여 타겟으로부터 타겟 원자와 이온을 방출하여 마그네트론 방전을 생성한다. 이때 자석열과 타겟(300)에 발생하는 열은 냉각수에 의해서 냉각되어 자석열에서 발생하는 자기장의 세기에 변화를 최소화 한다. 타겟원자나 이온은 기판에 접착되어 얇은 막을 형성하게 된다.

도5는 제3자석열(660)이 없는 경우에 타겟(300)의 침식도를 나타내는 단면도이다.

도6은 제3자석열(660)이 있는 경우에 타겟(300)의 침식도를 나타내는 단면도이다.

도5와 도6을 참조하여 마그네트 프레이트(600)에 있는 제1자석열(620), 제2자석열(640), 제3자석열(660)을 구성하므로 인해서 발생하게 되는 폐루프와 그에 따른 타겟(300)의 침식도를 설명한다. 도5에 도시된 바와 같이 제3자석열(660)이 없는 경우 타겟(300)의 침식도는 중심이 v자 형태로 비균일하게 침식되어 있다.

도6에 도시된 바와 같이 제3자석열(660)을 포함하고 있는 경우 타겟(300)의 침식도는 균일하게 침식된다. 도4와 같이 각 자석열을 배치하면 제1자석열(620), 제3자석열(660) 사이에 제1자기장 폐루프(622)가 형성되고, 제2자석열(640), 제3자석열(660) 사이에 제2자기장 폐루프(642)가 형성된다. 이 자기장 폐루프들에 의하여 타겟(300) 표면 상에 실제 전자를 제한하기 위해 제1자석열(620)과 제2자석열(640)에 의해 형성되는 제3자기장 폐루프(662)가 존재하게 되고 타겟(300)표면을 균일하게 침식되도록 하는 역할을 하게 된다.

도7은 제3자석열(660)이 없는 경우와 있는 경우의 중심에서부터의 침식정도를 나타내는 그래프이다. 도7에 도시한 바와 같이 제3자석열(660)이 없는 경우는 v자형태의 침식이 일어나게 되어 타겟의 수명이 짧아지나, 제3자석열(660)이 있는 경우는 u자형의 완만한 침식이 일어나게 되어 타겟의 수명이 길어진다.

또한 제3자석열(660)의 위치변화가 가능하여 타겟의 침식에 따른 증착 균일도를 조절할 수 있다. 즉 제1자기장 폐루프(622)와 제2자기장 폐루프(642)의 강도의 차이가 있거나 외부요인에 의해서 증착 균일도가 일정하지 않은 경우 제3자석열(660)의 위치를 조정하여 증착 균일도를 변화시킬 수 있도록 한다.

전술한 제1실시예에서는 요크(610)가 제1자석열(620) 밑면에 부착되도록 설계되었으나 제2실시예에서는 제1자석열(620)의 옆면에 사이드요크(611)가 부착되어 체결형태가 다르다. 즉 마그네트 플레이트(600) 내부에 설치되어 있는 제1자석열(620) 외측부 옆면에 사이드 요크(611)를 부착시키는 것을 특징으로 한다.

이하 제1실시예에 개시된 내용과 중복되는 구성 및 작동에 관한 설명은 생략하기로 한다.

도8은 제1자석열(620)에 사이드요크(611)가 부착되지 않은 경우 자기장의 형태를 도시한 단면도이다.

도9은 제1자석열(620) 옆면에 사이드요크(611)가 부착된 경우 자기장의 형태를 도시한 단면도이다.

도8을 참고하면 사이드요크(611)가 없는 경우 타겟(300) 측면에 자기장폐루프가 형성이 되어 타겟 측면이 침식되는 결과를 초래하게 된다. 이를 방지하기 위해서 도9에서 보는 바와 같이 사이드 요크(611)를 추가할 경우에는 타겟(300) 측면에 발생되는 자기장 폐루프가 현저히 줄어들게 되어 타겟 측면 침식에 의한 타겟 주위부의 오염이나 타겟의 수명단축을 개선할 수 있게 된다.

전술한 제1실시예, 제2실시예에서는 측면의 그라운드 쉴드(200)가 타겟의 외곽부분 상면에도 위치되도록 설계되었으나 제3실시예에서는 측면의 그라운드 쉴드(200)가 타겟의 상면에는 위치하지 않고 클램프(110)의 상단에만 위치하도록 설계되는 것을 특징으로 한다.

이하 제3실시예에 개시된 내용과 중복되는 구성 및 작동에 관한 설명은 생략하기로 한다.

도10은 측면의 그라운드 쉴드(200)가 타겟(300)의 외곽부분 상면에 위치하는 경우의 부분 상세도이다.

도11은 측면의 그라운드 쉴드(200)가 클램프(110)의 외곽부분 상면에만 위치하는 경우의 부분 상세도이다.

도10를 참조하여 설명하면 그라운드 쉴드(200)는 측면에 발생하는 전기장과 자기장을 차폐하는 역할을 한다. 스퍼터링이 개시되더라도 타겟(300)의 측면은 스퍼터링이 잘 일어나지 않으며 타겟(300) 중심부의 스퍼터링에 의해서 타겟의 미세 입자들이 쌓이게 된다. 쌓이게 된 타겟의 입자가 그라운드 쉴드(200)에 접속될 경우에 타겟(300)과 그라운드 쉴드(200)간에 단락(short)현상이 발생하게 되어 마그네트 스퍼터링 장치의 고장 원인이 된다.

이러한 문제점을 해결하기 위해서 도11에 도시한 바와 같이 그라운드 쉴드(200)는 클램프(110)의 상단부분만을 가릴 수 있도록 배치하고 타겟(300)의 상부는 노출되도록 설계함으로써 자칫 타겟(300)의 측면에 타겟(300)의 입자가 쌓이게 되더라도 단락현상이 발생되지 않도록 함에 특징이 있다.

전술한 제1실시예, 제2실시예, 제3실시예에서는 중앙에 센터클램프(130)와 센터그라운드쉴드(230)가 없이 설계되었으나 제4실시예에서는 바디(100)의 측면과 백플레이트(500)를 고정시키는 클램프(110) 뿐만 아니라 타겟(300)의 중앙과 타겟(300)하부에 부착된 백플레이트(500) 중앙을 마그네트 스퍼터링 장치 바디(100)에 고정시키도록 센터클램프(130)를 결착시킨다.

이하 제4실시예에 개시된 내용과 중복되는 구성 및 작동에 관한 설명은 생략하기로 한다.

도12은 센터클램프(130)를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 분해사시도이다.

도13는 센터클램프(130)를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 단면도이다.

도14은 센터클램프(130)를 갖는 마그네트론 스퍼터링 장치의 상면도이다.

도12에 도시한 바와 같이 본 발명의 마그네트 스퍼터링 장치는 건하우징(900) 내부에 장착되며, 타겟(300)의 중앙에 홀이 형성되고 타겟(300)을 고정시키기 위해서 홀을 통해서 센터클램프(130)가 설치되며 센터클램프(130)의 스퍼터링을 막기 위해서 센터 그라운드 쉴드(230)가 결합된 것을 특징으로 한다.

클램프는 스퍼터링장치 바디(100)와 백플레이트(500)를 결합시키기 위한 체결부로 가장자리 부분에 위치하는 클램프(110)와 타겟의 중앙에 센터클램프(130)가 있다.

증착시키고자 하는 기판의 크기가 커질수록 타겟의 크기도 동반하여 커지게 된다. 도13에 도시한 바와 같이 센터클램프(130)가 백플레이트(500) 중앙을 고정시켜 줌으로 인해서 백플레이트(500) 상단의 타겟(300)의 변형을 막고 고른 증착율을 유지할 수 있게 된다. 또한 스퍼터링이 개시된 경우 센터클램프(130)의 스퍼터링을 막기 위해서 센터클램프(130) 상단에 센터그라운드 쉴드(230)가 설치된다. 센터그라운드 쉴드(230)는 접지상태에 있으며 센터클램프(130)를 완전히 감싸게 된다.

도14에 도시된 마그네트론 스퍼터링 장치의 상면에는 냉각수가 공급되는 냉각수 유입구(820)와 냉각수가 배출되는 냉각수 퇴출구(830)가 설치되어 있으며 마그네트론 스퍼터링 장치의 모양은 원형 또는 다각형으로 구성될 수 있다.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.

100 바디 110 클램프
130 센터클램프 160 전력공급부
200 그라운드쉴드 230 센터그라운드 쉴드
300 타겟 400 냉각부
420 냉각통로 500 백플레이트
600 마그네트 플레이트 610 요크
611 사이드요크 620 제1자석열
640 제2자석열 660 제3자석열
622 제1자기장 폐루프 642 제2자기장 폐루프
662 제3자기장 폐루프 700 절연부
820 냉각수 유입구 830 냉각수 퇴출구
900 건하우징

Claims (7)

1. 바디, 요크, 타겟, 냉각부, 전력공급부를 구비한 마그네트론 스퍼터링장치에 있어서,
   상기 냉각부와 타겟 사이에 위치하여 상기 타겟을 고정시키는 백플레이트;
   상기 요크 상면 측부에 S극이 타겟방향으로 배치되도록 상하로 설치된 제1자석열과, 상기 요크 중앙에 상기 제1자석열과 극의 방향이 다르게 상하로 설치된 제2자석열과, 상기 제1자석열과 상기 제2자석열 사이에 극의 방향은 제1자석열을 향해서 N극, 제2자석열을 향해서 S극의 방향을 갖도록 가로방향으로 배열되는 제3자석열로 구성되고 폐쇄자장터널을 형성하는 마그네트 플레이트;
   상기 마그네트 플레이트의 제1자석열 외측부 옆면에 부착되는 사이드 요크;
   상기 바디의 측면과 상기 백플레이트를 고정시키는 클램프;
   상기 타겟의 중앙과 타겟 하부에 부착된 백플레이트 중앙을 상기 바디에 고정시키기 위해 상기 타겟의 중앙에 형성된 홀에 설치되는 센터클램프;
   상기 센터클램프의 스퍼터링을 막기 위해서 센터클램프를 완전히 감싸도록 센터클램프의 상단에 설치되는 센터그라운드쉴드;
   상기 센터클램프와 센터그라운드쉴드가 내부에 장착되는 건하우징;
   상기 건하우징의 상면에 설치되어 냉각수의 공급 및 배출을 위한 냉각수 유입구와 냉각수 퇴출구; 및
   상기 바디의 외부를 감싸도록 설치되고 상기 클램프가 스퍼터링되는 것을 막기 위해 클램프의 상단에만 위치하는 그라운드 쉴드;
   를 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네트론 스퍼터링 장치.
   
   
   
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