JPH0693442A - マグネトロン・スパッタカソード - Google Patents
マグネトロン・スパッタカソードInfo
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- JPH0693442A JPH0693442A JP26967492A JP26967492A JPH0693442A JP H0693442 A JPH0693442 A JP H0693442A JP 26967492 A JP26967492 A JP 26967492A JP 26967492 A JP26967492 A JP 26967492A JP H0693442 A JPH0693442 A JP H0693442A
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Abstract
を伴わずに第一磁石を交換し、容易に基板の膜厚分布を
調整すること。 [構成] 非磁性体ターゲット2上に磁場を形成する永
久磁石4、5、6、7を固定するヨークプレートは永久
磁石4、5を固定させるヨークプレート11と永久磁石
6、7を固定させるヨークプレート10とに分割され、
ヨークプレート11をヨークプレート10から着脱する
ことにより径の異なる永久磁石5を交換可能としてい
る。
Description
とするマグネトロン・スパッタカソードに関し、特に基
板に非磁性体ターゲット材を均一に成膜するためのマグ
ネトロン・スパッタカソードに関する。
ロン型スパッタ装置における丸型のスパッタカソード
1’の側断面を示しており、これは図示しないが公知の
ように真空槽に組み込まれている。図において17で示
される部分はこの真空槽の壁部である。また、図示しな
いが、真空槽内にはスパッタカソード1’に対向して配
される成膜されるべき基板及びアノード電極が設けられ
ている。
パッタされるべき円盤状の非磁性体ターゲット2の上方
空間に磁場を形成すべく、その内部に図5において4、
5、6及び7で示される永久磁石を有している。これら
は図5に示すように交互に磁性を反転させて図6に示す
ように中心軸zを中心として同心的に配設され、その下
端はヨークプレート10’に固定されている。すなわ
ち、中央の永久磁石4は円柱形状を呈しており、他の永
久磁石5、6及び7はそれぞれ図示するような厚さでこ
れを取り囲む円筒形状を呈している。永久磁石4及び図
において最外周の(すなわち、これらの永久磁石のうち
最も大きい径を有する)永久磁石7の上にはそれぞれほ
ぼ円柱形状及び環状のヨーク8、9(図6においてその
一部を点線で示す)が配設されており、これらは純鉄で
なるので永久磁石4、7により磁化されその上端部をそ
れぞれS極及びN極として非磁性体ターゲット2上に磁
場を形成する。一方これらの間にある第一の永久磁石5
及び第二の永久磁石6はヨーク8、9に嵌合支持されて
いるバッキングプレート3’の下面に形成された環状の
溝19、20に嵌合しているのであるが、これらによっ
てもターゲット2上に磁場が形成される。
と同心的に配設された円板状の電極であり、ターゲット
2上に電場を発生させマグネトロン放電を起こさせるべ
く図示しない印加手段により電圧が印加されるようにな
っている。また、図示せずとも、このバッキングプレー
ト3’内には、図示しない冷却水の導入出手段により外
部から冷却水を導入、循環、排出する通路が公知のよう
に形成され、これにより、バッキングプレート3’更に
はターゲット2を冷却するようになっている。
固定するためのボルトあり、15は、スパッタカソード
1’の外周部を包囲し真空槽壁17とともにアース電位
となるアースシールドであり、16はこのアースシール
ド15と13で示されるカソード枠体との間に設けられ
る絶縁体である。これにより、バッキングプレート3’
側と真空槽側とは絶縁され、また、これらは全体として
真空槽内の気密や上述の図示しないターゲット2内の通
路の液密を保つ構造となっている。また、カソード枠体
13は固定部材14を介してヨークプレート10’を固
定しており、その上端面にはヨーク9の一部を貫通した
バッキングプレート3の外周部が当接している。
6及び7によりターゲット2上に形成される磁場の分布
を各永久磁石4、5、6及び7の設置位置に対応させて
示したものである。但し、永久磁石4、5、6及び7や
これによる磁場は軸対称であるので図5における右半分
の部分についてのみ示す。すなわち、図7のAにおける
グラフはターゲット2上での磁場分布を縦軸を磁場の強
さ、横軸を上述の中心軸aからの距離として示してお
り、このうち横軸は同時に永久磁石4、5、6、7及び
ヨーク8、9のみを示した図5の略図である図7のBに
おいて、各部材の中心軸zからの距離をも示している。
なお、図7のAのグラフにおいて磁場はターゲット2に
対する垂直成分Bvと平行(水平方向)成分Bhに分け
られ、それぞれ実線及び点線で示されている。また、上
述の永久磁石5及び6による磁場により、垂直成分Bv
は0となる位置bをヨーク8とヨーク9との間の中心か
らずれた位置に有するように,水平成分Bhはそのピー
クをヨーク8および9の近傍に有するように補正されて
分布している。
直交する磁場を形成しこの直交する領域で電子をサイク
ロイド運動させる、いわゆる「マグネトロン放電」を利
用しており、これは図5においては、バッキングプレー
ト3’による電場と上述の永久磁石4、5、6及び7に
よる磁場とが直交するヨーク8とヨーク9との間のター
ゲット2上空間で行われる。しかしながら、図7のAに
示されているようにヨーク8、9の近傍では電場に直交
する磁場の水平成分Bhが垂直成分Bvより小さいので
この領域では電子が安定してサイクロイド運動できず、
すなわちマグネトロン放電が維持されにくく、実際には
図7のAにおいてa(中心軸zから15mm)で示され
る位置とc(中心軸zから54mm)で示される位置と
の間の領域で大部分のマグネトロン放電が起こる。この
ようなマグネトロン放電では、電子のサイクロイド運動
により真空槽内に導入された雰囲気ガスを次々にイオン
化しプラズマ密度を上昇させるのであるが、このプラズ
マ密度は磁場の垂直成分が0となる位置b(中心軸zか
ら44mm)で最大となる。したがって、この位置bで
最も活発にターゲット2のスパッタリングが行われるの
で、これは同時にターゲット2のエロージョン中心とな
る。これにより、このエロージョン中心が最も深く侵食
(エロージョン)されターゲット2は不均一に侵食され
ることとなるので、ターゲット2の使用効率が悪くな
る。また、この侵食の不均一性はスパッタリングにより
ターゲット2から飛び出す粒子の飛散方向に影響を与
え、基板に形成される薄膜の膜厚分布を不均一にするこ
ととなる。また、径の異なる多種の基板を成膜する場合
には、基板ごとに成膜される薄膜の膜厚分布を変える必
要がある。したがって、このようにターゲット2の侵食
を均一にしたり基板の膜厚分布を変えたりするには、エ
ロージョン中心の位置を変えることとなるが、このエロ
ージョン中心、すなわちBv=0の位置bには上述の永
久磁石5の作る磁場が大きく関与しているので、この永
久磁石5の設置位置を変えることによってエロージョン
中心の位置を変えることができる。
永久磁石5が他の永久磁石4、6、7と共に同一のヨー
クプレート10’に固定されており、かつそのN極側は
バッキングプレート3’の溝に嵌合しているので、永久
磁石5の設置位置を変える、すなわち,永久磁石5を径
の異なるものに交換するには、永久磁石5のみならずヨ
ークプレート10’やこれに固定されている永久磁石
4、6、7更にはバッキングプレート3’等も一緒に交
換しなければならない。したがって、カソード全体を交
換することなり、コストがかかる。
に鑑みてなされ、カソード全体の交換を伴わずに第一磁
石を交換し、容易に基板の膜厚分布を調整することので
きるマグネトロン・スパッタカソードを提供することを
目的とする。
非磁性体ターゲットと、該非磁性体ターゲットの一面側
に配設されるバッキングプレートと、該バッキングプレ
ートと間隔をおいて配設されるヨークプレートと、両磁
極が各々前記バッキングプレート及び前記ヨークプレー
トの中央部に固定される柱状の中央磁石と、該中央磁石
と同心的にかつ両磁極を前記中央磁石に対し磁性を反転
させて配設され該両磁極がそれぞれ前記バッキングプレ
ート及び前記ヨークプレートの外周部に固定される筒形
状の外周部磁石と、前記中央磁石と前記外周部磁石との
間で前記中央磁石側と前記外周部磁石側とに各々前記中
央磁石と同心的に配設され相互に磁性を反転させかつ前
記中央磁石に対し、及び前記外周部磁石に対し磁性を反
転させて各磁極の一方が前記バッキングプレートに結合
し他方が前記ヨークプレートに固定される一対の筒形状
の第一及び第二磁石とからなるマグネトロン・スパッタ
カソードにおいて、前記ヨークプレートは前記中央磁石
及び前記第一磁石を固定させる第一プレートと、前記第
二磁石及び外周部磁石を固定させる第二プレートとに分
割され、前記中央磁石からの距離の異なる前記第一磁石
を交換可能としたことを特徴とするマグネトロン・スッ
パタカソードによって達成される。
央磁石からの距離の異なる第一磁石を取り付けた第一プ
レートを第二プレートに取り付ける。これにより、非磁
性体ターゲット上に形成される磁場分布が変化し、マグ
ネトロン・スパッタリングにおけるエロージョンはその
領域を変化させずに中心のみを第一磁石の交換前のスパ
ッタリングにおける位置から移動させて行われる。よっ
て、成膜されるべき基板上に形成される薄膜の膜厚分布
は変化し、交換される第一磁石の径を適当に選ぶことに
よって、膜厚分布を調節することができる。
スパッタカソードについて図1乃至図4を参照して説明
する。なお、従来例と同一の構成の部分については、同
一の符号を付し、その詳細は省略する。
1の側断面を示しており、これは従来と同様に図示しな
い真空槽の壁部17に固定されている。また、本実施例
によるマグネトロン・スパッタカソード1においても図
2に示すように同心的に永久磁石4、5、6及び7が配
設されているのであるが、これらを固定するヨークプレ
ートは、第一のヨークプレート10と第二のヨークプレ
ート11とに分割されている。すなわち、ヨークプレー
ト10にはこれと同心的に円形の凹所が形成されてお
り、この凹所にヨークプレート11が着脱可能に嵌合し
て、ボルト12の螺着により一体化されている。中央の
永久磁石4と第一の永久磁石5はヨークプレート11に
固定され、第二の永久磁石6と最外周の永久磁石7はヨ
ークプレート10に固定されている。なお、ヨークプレ
ート10の円形の凹所の径は永久磁石5の径よりも充分
に大きく、図示されているより大きい径の永久磁石5を
固定させたヨークプレート11を取り付け可能としてい
る。また、非磁性体ターゲット2に電場をかけるための
バッキングプレート3には従来と異なり溝は形成されて
おらず、永久磁石5はその上端面でのみこれと接合して
いる。このバッキングプレート3の他の構成は従来と同
様であり、またヨーク8、9等、上記説明以外の構成も
従来と同様である。
よりターゲット2上に形成される磁場は、永久磁石4、
5、6及び7が従来例と同様であるので図7のAに示さ
れているように分布する。したがって、このような磁場
に対し直交する電場を形成すべくバッキングプレート3
に負の電圧をかけ、公知のごとくマグネトロン・スパッ
タリングを行うと上述したようにターゲット2は図7の
Aにおけるbをエロージョン中心として侵食され、ここ
からターゲット2の構成元素の粒子が飛び出してスパッ
タカソード1に対向して真空槽内に設けられる基板に付
着する。
た場合にターゲット2上に形成される磁場分布の変化に
ついて説明する。
1はヨークプレート10から着脱可能であるので、今図
示する径の永久磁石5を取り付けているヨークプレート
11をヨークプレート10から取りはずし、そして径の
異なる永久磁石を永久磁石5と交換設置したヨークプレ
ート11を再びヨークプレート10に取りつけるのであ
るが、図5に示されている永久磁石5より5mm径の小
さい(永久磁石4の外周面から永久磁石5’の外周面へ
の距離が16mm)永久磁石5’を取り付けた場合にお
けるターゲット2上の磁場分布は図3のAに示す。すな
わち、永久磁石5のN極の位置が径内方に5mm移動し
たことによりグラフにおけるa及びcの位置は変わらず
に磁場Bv=0となるbの位置が、図7のAのグラフに
おけるbの位置より右方に3mm移動している。したが
って、このような磁場分布で上述のようにマグネトロン
・スパッタリングを行うとエロージョン領域は変わらず
にその中心のみが径内方に3mm移動してターゲット2
は侵食され、上述の基板には図7のAのグラフに示す磁
場分布おける上述のスパッタリングで成膜される膜厚分
布とは異なる分布の薄膜が形成される。
きい永久磁石5”(永久磁石4の外周面から永久磁石
5”の外周面への距離が26mm)を固定させたヨーク
プレート11をヨークプレート10に取り付けるとター
ゲット2上の磁場分布は図4のAに示すようになる。す
なわち、永久磁石5のN極の位置が径外方に5mm移動
したことによりグラフにおけるa及びcの位置はほとん
ど変わらず(cは図7のAのグラフに比べ1mm移動し
ている)に磁場Bv=0となるbの位置が、図7のAの
グラフにおけるbの位置より左方に2mm移動してい
る。したがってこのような磁場分布ではエロージョン領
域は殆ど変わらずその中心が2mm径内方に移動してタ
ーゲット2はスパッタされ、基板に成膜される薄膜の膜
厚分布は変化することとなる。なお、図3及び図4は図
7と同様に非磁性体ターゲットの磁場分布を図1の各部
材の設置位置と対応させて示したものである。
5、6、7を固定させているヨークプレートが従来のヨ
ークプレート10’と異なり、第一のヨークプレート1
0と第二のヨークプレート11に二分割されているの
で、ヨークプレート11のみを交換することにより径の
異なる永久磁石5を交換できる。したがって、従来のよ
うにマグネトロン・スパッタカソード全体を交換しなく
ても容易にエロージョン中心を変えることができ、コス
トの上で従来よりすぐれている。また、永久磁石5のみ
を交換設置することにより、上記エロージョン中心の位
置移動はそのマグネトロン放電領域(エロージョン領
域)を変えずに行われるのでスパッタリングによる、マ
グネトロン・スパッタカソード1の周辺部へのプラズマ
の影響を変化させることはない。すなわち、エロージョ
ン中心の移動と共にその放電領域も移動して、マグネト
ロン・スパッタカソード1の周辺部分がスパッタリング
されてしまうことはない。
が、もちろん、本発明はこれに限定されることなく、本
発明の技術的思想に基づい種々の変形が可能である。
に磁場を形成させる磁石として永久磁石4、5、6、7
を用いたが、これに代えて電磁石を用いてもよい。
ン・スパッタカソード1について説明したが、もちろ
ん、角型のマグネトロン・スパッタカソードにも本発明
は適用可能である。
ッキングプレート3に永久磁石5が嵌合する環状の溝は
形成しなかったが、径の異なる複数の永久磁石5に対応
する径の溝をバッキングプレート3に複数形成して、各
径の異なる永久磁石5が交換設置された時に上記溝のい
ずれかがこの永久磁石5に嵌合するようにしてもよい。
ード全体を交換することなく、中央磁石からの距離の異
なる第一磁石を交換して、マグネトロン・スパッタリン
グにおける非磁性体ターゲットのエロージョン領域を変
えずにその中心を変えることができる。よって、基板に
成膜される薄膜の膜厚分布を容易に調整することができ
る。
カソードの側断面図である。
ける[2]−[2]線方向の断面を示す平面図である。
磁性体ターゲット表面上における磁場分布を表すグラフ
であり、Bは同グラフの横軸に各部材の取付位置を対応
させて示した図1の右半分の概略図である。
布を表すグラフであり、Bは同ラフの横軸に各部材の取
付位置を対応させて示した図1の右半分の概略図であ
る。
ドの側断面図である。
ける[6]−[6]線方向の断面を示す平面図である。
磁性体ターゲット表面上における磁場分布を表すグラフ
であり、Bは同グラフの横軸に各部材の取付位置を対応
させて示した図5の右半分の概略図である。
Claims (1)
- 【請求項1】 平板状の非磁性体ターゲットと、該非磁
性体ターゲットの一面側に配設されるバッキングプレー
トと、該バッキングプレートと間隔をおいて配設される
ヨークプレートと、両磁極が各々前記バッキングプレー
ト及び前記ヨークプレートの中央部に固定される柱状の
中央磁石と、該中央磁石と同心的にかつ両磁極を前記中
央磁石に対し磁性を反転させて配設され該両磁極がそれ
ぞれ前記バッキングプレート及び前記ヨークプレートの
外周部に固定される筒形状の外周部磁石と、前記中央磁
石と前記外周部磁石との間で前記中央磁石側と前記外周
部磁石側とに各々前記中央磁石と同心的に配設され相互
に磁性を反転させかつ前記中央磁石に対し、及び前記外
周部磁石に対し磁性を反転させて各磁極の一方が前記バ
ッキングプレートに結合し他方が前記ヨークプレートに
固定される一対の筒形状の第一及び第二磁石とからなる
マグネトロン・スパッタカソードにおいて、前記ヨーク
プレートは前記中央磁石及び前記第一磁石を固定させる
第一プレートと、前記第二磁石及び外周部磁石を固定さ
せる第二プレートとに分割され、前記中央磁石からの距
離の異なる前記第一磁石を交換可能としたことを特徴と
するマグネトロン・スッパタカソード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26967492A JP3411312B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26967492A JP3411312B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0693442A true JPH0693442A (ja) | 1994-04-05 |
JP3411312B2 JP3411312B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=17475626
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26967492A Expired - Lifetime JP3411312B2 (ja) | 1992-09-11 | 1992-09-11 | マグネトロン・スパッタカソードおよび膜厚分布の調整方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3411312B2 (ja) |
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-
1992
- 1992-09-11 JP JP26967492A patent/JP3411312B2/ja not_active Expired - Lifetime
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