JP2789251B2 - ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 - Google Patents
ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置Info
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- JP2789251B2 JP2789251B2 JP5303290A JP5303290A JP2789251B2 JP 2789251 B2 JP2789251 B2 JP 2789251B2 JP 5303290 A JP5303290 A JP 5303290A JP 5303290 A JP5303290 A JP 5303290A JP 2789251 B2 JP2789251 B2 JP 2789251B2
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- dipole ring
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、スパッタ装置に関し、特に、高周波電圧を
印加したターゲットの表面からダイポールリング型磁気
回路を利用してマグネトロンスパッタリングにより試料
原子を真空中に放出させて基板の表面に薄膜を形成する
スパッタ装置に関する。本発明は、ターゲットとして鉄
などの軟磁性体を使用する場合に好適である。
印加したターゲットの表面からダイポールリング型磁気
回路を利用してマグネトロンスパッタリングにより試料
原子を真空中に放出させて基板の表面に薄膜を形成する
スパッタ装置に関する。本発明は、ターゲットとして鉄
などの軟磁性体を使用する場合に好適である。
［従来の技術］ 周知の如く、スパッタ装置は電子・電気分野において
薄膜製造に広く使用されている。スパッタリングは大き
く分けて次の２種類、即ち、ターゲットに直流電圧を印
加して行なうDCスパッタとターゲットに高周波電圧を印
加して行なうRFスパッタに分類される。更に、このDC及
びRFスパッタは、夫々コンベンショナルモードとマグネ
トロンモードに分類される。つまり、合計４種類のスパ
ッタリングが知られている。
薄膜製造に広く使用されている。スパッタリングは大き
く分けて次の２種類、即ち、ターゲットに直流電圧を印
加して行なうDCスパッタとターゲットに高周波電圧を印
加して行なうRFスパッタに分類される。更に、このDC及
びRFスパッタは、夫々コンベンショナルモードとマグネ
トロンモードに分類される。つまり、合計４種類のスパ
ッタリングが知られている。
これらの４種類のスパッタリングの内、マグネトロン
モードは、ターゲットに磁場を印加し、不活性ガスに高
電圧を加えて発生させたプラズマを磁場内に閉じ込める
ことにより、スパッタ効率を上げて成膜速度を速くする
と共に薄膜が形成される基板の温度上昇を抑えることが
できる。このため、量産を目的とする場合には、DC及び
RFスパッタの何れにおいても、マグネトロンモードを採
用するのが普通である。
モードは、ターゲットに磁場を印加し、不活性ガスに高
電圧を加えて発生させたプラズマを磁場内に閉じ込める
ことにより、スパッタ効率を上げて成膜速度を速くする
と共に薄膜が形成される基板の温度上昇を抑えることが
できる。このため、量産を目的とする場合には、DC及び
RFスパッタの何れにおいても、マグネトロンモードを採
用するのが普通である。
第４図を参照して、従来のスパッタ装置の一例を簡単
に説明する。第４図に示すスパッタ装置10は２極スパッ
タ装置であり、２枚の平板の一方をスパッタされるター
ゲット（陰極）12とし、他方の平板を膜形成用の基板14
を保持する基板ホルダー16とする。参照番号18はターゲ
ット12に高周波電圧を印加するための電極である。
に説明する。第４図に示すスパッタ装置10は２極スパッ
タ装置であり、２枚の平板の一方をスパッタされるター
ゲット（陰極）12とし、他方の平板を膜形成用の基板14
を保持する基板ホルダー16とする。参照番号18はターゲ
ット12に高周波電圧を印加するための電極である。
第４図からは明らかでないが、ターゲット12、電極18
及び基板ホルダー16は夫々円板状である。ターゲット12
に隣接する磁石20は環状であり、他の円柱状磁石22を囲
むように配置されている。破線24は図示の装置を内部に
収容する容器を示し、この容器24の外部には、容器内部
を真空にする装置、ターゲット電極、アルゴンガス等の
不活性ガス供給源、真空計等が設けられている。尚、26
は不活性ガスイオン、28はプラズマ、30はスパッタ原
子、32はシャッタを示す。
及び基板ホルダー16は夫々円板状である。ターゲット12
に隣接する磁石20は環状であり、他の円柱状磁石22を囲
むように配置されている。破線24は図示の装置を内部に
収容する容器を示し、この容器24の外部には、容器内部
を真空にする装置、ターゲット電極、アルゴンガス等の
不活性ガス供給源、真空計等が設けられている。尚、26
は不活性ガスイオン、28はプラズマ、30はスパッタ原
子、32はシャッタを示す。
マグネトロンモードを利用したスパッタ装置は、第４
図の装置以外にも種々提案されている。しかし、この種
の従来の装置には次のような欠点がある。
図の装置以外にも種々提案されている。しかし、この種
の従来の装置には次のような欠点がある。
即ち、従来のマグネトロンモードのスパッタ装置で
は、ターゲット面上の磁場分布が一様でないためターゲ
ット面上のプラズマ強度が均一にならない。つまり、タ
ーゲットの表面の消耗が不均一なためにターゲットの使
用効率が極めて悪く、例えば使用効率は約10％から約30
％（体積比）であった。更に、ターゲットが軟磁性体の
場合（例えば鉄）には磁束漏洩が起きにくいが、一旦タ
ーゲットが消耗し始めると厚みの薄くなった消耗箇所に
益々磁束が集中して局部的にターゲットの厚みが減少
し、消耗箇所が漏斗状となり使用効率が極端に低下する
という問題があった。この様子を第５図及び第６図に示
す。
は、ターゲット面上の磁場分布が一様でないためターゲ
ット面上のプラズマ強度が均一にならない。つまり、タ
ーゲットの表面の消耗が不均一なためにターゲットの使
用効率が極めて悪く、例えば使用効率は約10％から約30
％（体積比）であった。更に、ターゲットが軟磁性体の
場合（例えば鉄）には磁束漏洩が起きにくいが、一旦タ
ーゲットが消耗し始めると厚みの薄くなった消耗箇所に
益々磁束が集中して局部的にターゲットの厚みが減少
し、消耗箇所が漏斗状となり使用効率が極端に低下する
という問題があった。この様子を第５図及び第６図に示
す。
第５図は第４図のターゲット12の簡単な斜視図であ
り、ターゲット12が環状に不均一に侵食されたＶ字形溝
40を示している。この溝40は環状の永久磁石20（第４
図）の外側に漏れた磁束に起因する。このターゲット表
面の不均一消耗のため上述のようにターゲットの使用効
率が極端に制限される。尚、第６図は第５図のターゲッ
ト12の中心を通る断面を示す図である。
り、ターゲット12が環状に不均一に侵食されたＶ字形溝
40を示している。この溝40は環状の永久磁石20（第４
図）の外側に漏れた磁束に起因する。このターゲット表
面の不均一消耗のため上述のようにターゲットの使用効
率が極端に制限される。尚、第６図は第５図のターゲッ
ト12の中心を通る断面を示す図である。
このような欠点を除去するため、従来、ターゲット近
傍に配置した磁石を移動させてターゲットを出来るだけ
均一に消耗させようとする装置が提案されている（例え
ば、特開昭61−69964号、特開昭61−147873号、特開昭6
2−7854号）。しかし、これらの方法によってもターゲ
ット使用効率は高々約40％（体積比）であり、磁気回路
を移動させるので装置の複雑化と信頼性に問題があっ
た。更に、ターゲットが磁性体の場合には、ターゲット
の表面全体に亘って縦・横方向にスリットを入れて漏洩
磁束が一箇所に集中しないようにする方法も提案されて
いるが、ターゲットの使用効率は30％程度でありしかも
製作費が高いという問題があった。
傍に配置した磁石を移動させてターゲットを出来るだけ
均一に消耗させようとする装置が提案されている（例え
ば、特開昭61−69964号、特開昭61−147873号、特開昭6
2−7854号）。しかし、これらの方法によってもターゲ
ット使用効率は高々約40％（体積比）であり、磁気回路
を移動させるので装置の複雑化と信頼性に問題があっ
た。更に、ターゲットが磁性体の場合には、ターゲット
の表面全体に亘って縦・横方向にスリットを入れて漏洩
磁束が一箇所に集中しないようにする方法も提案されて
いるが、ターゲットの使用効率は30％程度でありしかも
製作費が高いという問題があった。
このような問題を解決するため、本願の特許出願人は
先にダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置
を提案した（平成２年２月12日出願の特許願２−31093
及び２−31094）。
先にダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置
を提案した（平成２年２月12日出願の特許願２−31093
及び２−31094）。
本発明に直接関係するダイポールリング型磁気回路を
述べる前に、RFスパッタリングと水平一様磁場の印加に
よって、何故ターゲットの表面消耗が均一化され成膜速
度が上昇するかについて説明する。尚、本明細書におい
て水平一様磁場とは、ターゲットの表面に対して平行方
向の均一磁場を指す。
述べる前に、RFスパッタリングと水平一様磁場の印加に
よって、何故ターゲットの表面消耗が均一化され成膜速
度が上昇するかについて説明する。尚、本明細書におい
て水平一様磁場とは、ターゲットの表面に対して平行方
向の均一磁場を指す。
水平一様磁場をターゲット表面近傍に印加したとき、
直流或いは高周波電圧により放電した不活性ガスの電子
が磁束をよぎるように移動する。DCスパッタではプラズ
マ中の電子は一方向に移動するためプラズマ発生はター
ゲットの端部に偏ってしまい、水平一様磁場を印加して
もターゲット消耗は一様にはならない。しかし、RFスパ
ッタでは高周波電圧によりプラズマが発生するため、水
平一様磁場によりターゲット面上に均一なプラズマが発
生する。つまり、ターゲット表面は一様に消耗すること
になる。後述するダイポールリング型磁気回路による水
平一様磁場は、ターゲット12の裏側（ターゲット12の上
側（図面上））から磁場を印加している方法（第４図）
に比較し、ターゲット12の表面に水平一様磁場を印加で
きるので、成膜速度はDCマグネトロンスパッタと同等以
上になる。
直流或いは高周波電圧により放電した不活性ガスの電子
が磁束をよぎるように移動する。DCスパッタではプラズ
マ中の電子は一方向に移動するためプラズマ発生はター
ゲットの端部に偏ってしまい、水平一様磁場を印加して
もターゲット消耗は一様にはならない。しかし、RFスパ
ッタでは高周波電圧によりプラズマが発生するため、水
平一様磁場によりターゲット面上に均一なプラズマが発
生する。つまり、ターゲット表面は一様に消耗すること
になる。後述するダイポールリング型磁気回路による水
平一様磁場は、ターゲット12の裏側（ターゲット12の上
側（図面上））から磁場を印加している方法（第４図）
に比較し、ターゲット12の表面に水平一様磁場を印加で
きるので、成膜速度はDCマグネトロンスパッタと同等以
上になる。
次に、第７図を参照して本発明に直接関係するダイポ
ールリング型磁気回路を説明する。
ールリング型磁気回路を説明する。
第７図は、ダイポールリング型磁気回路50及びターゲ
ット12（第２図と同じ）を示し、他の部分は例えば第４
図に示した従来例と同様なので図示を省略してある。即
ち、第４図の装置において、ターゲット12の周囲を囲む
ようにしてダイポールリング型磁気回路50（第７図）を
配置すればよい。
ット12（第２図と同じ）を示し、他の部分は例えば第４
図に示した従来例と同様なので図示を省略してある。即
ち、第４図の装置において、ターゲット12の周囲を囲む
ようにしてダイポールリング型磁気回路50（第７図）を
配置すればよい。
第７図について更に詳しく説明する。ダイポールリン
グ型磁気回路（以下単に磁気回路という場合がある）50
は、８個の異方性永久磁石（異方性セグメント永久磁
石）52a乃至52hを環状に配置し、架台（リングヨーク）
54と複数のセグメント磁石調節具56により支持されてい
る。この調節具56により対応するセグメント磁石を磁気
回路50の径方向に移動させて磁場調節を行なう。尚、図
面を見易くするため、調節具56の番号は全部には付けて
いない。セグメント永久磁石52a乃至52h内の矢印は夫々
磁石の磁化方向を示している。セグメント磁石の磁化方
向は、セグメント毎に異なっており、リングを一周する
間に磁化方向は２回転する。側面（セグメント永久磁石
52a及び52e）にＮ極及びＳ極の２極が出るのでダイポー
ルリング型と称する。即ち、セグメント永久磁石52a及
び52eは極位置のセグメント永久磁石である。白抜きの
矢印58は磁気回路50の内部に形成された均一磁界の磁化
方向を示している。
グ型磁気回路（以下単に磁気回路という場合がある）50
は、８個の異方性永久磁石（異方性セグメント永久磁
石）52a乃至52hを環状に配置し、架台（リングヨーク）
54と複数のセグメント磁石調節具56により支持されてい
る。この調節具56により対応するセグメント磁石を磁気
回路50の径方向に移動させて磁場調節を行なう。尚、図
面を見易くするため、調節具56の番号は全部には付けて
いない。セグメント永久磁石52a乃至52h内の矢印は夫々
磁石の磁化方向を示している。セグメント磁石の磁化方
向は、セグメント毎に異なっており、リングを一周する
間に磁化方向は２回転する。側面（セグメント永久磁石
52a及び52e）にＮ極及びＳ極の２極が出るのでダイポー
ルリング型と称する。即ち、セグメント永久磁石52a及
び52eは極位置のセグメント永久磁石である。白抜きの
矢印58は磁気回路50の内部に形成された均一磁界の磁化
方向を示している。
ダイポールリング型磁気回路の利点は、リングの中心
軸方向の長さを延ばしたり（即ちセグメント永久磁石の
中心軸（第８図）方向の長さを延ばしたり）、或いは、
複数のリングを用いるなどにより、均一磁場発生空間の
調節を容易にすることである。セグメント永久磁石の数
は、４個以上の偶数個であれば良い。一般的には、セグ
メント永久磁石数が多い程磁場均一性が良好になるが、
実用的には８個から16個の間で製作される。更に、セグ
メント永久磁石を夫々バックヨークで保持する場合もあ
る（図示を省略）。ターゲット12は磁気回路50内に設置
され、通常は磁気回路の高さ（中心軸に沿った高さ）の
中心位置に置かれる。磁気回路に対するターゲット12の
位置を中心軸に沿って移動させることにより、ターゲッ
ト12の表面の磁場強度を調節することができる。
軸方向の長さを延ばしたり（即ちセグメント永久磁石の
中心軸（第８図）方向の長さを延ばしたり）、或いは、
複数のリングを用いるなどにより、均一磁場発生空間の
調節を容易にすることである。セグメント永久磁石の数
は、４個以上の偶数個であれば良い。一般的には、セグ
メント永久磁石数が多い程磁場均一性が良好になるが、
実用的には８個から16個の間で製作される。更に、セグ
メント永久磁石を夫々バックヨークで保持する場合もあ
る（図示を省略）。ターゲット12は磁気回路50内に設置
され、通常は磁気回路の高さ（中心軸に沿った高さ）の
中心位置に置かれる。磁気回路に対するターゲット12の
位置を中心軸に沿って移動させることにより、ターゲッ
ト12の表面の磁場強度を調節することができる。
上述したように、マグネトロンスパッタでは、不活性
ガスイオンがターゲット面上に生じた磁束に拘束される
ので、ターゲット面上の磁束強度と磁場均一性が重要と
なる。水平磁場の一様性は良好であればある程良いが、
実用的には５％以下であれば良い。たとえばターゲット
面上3mm高さでの磁場強度が50G（ガウス）以下では成膜
速度が遅くなるので、50Gを超える磁場が必要である。
一般的には300G程度の磁場が好ましい。即ち、磁場が強
いほど成膜速度が上昇するが、強すぎると放電条件が厳
しくなるという問題がある。
ガスイオンがターゲット面上に生じた磁束に拘束される
ので、ターゲット面上の磁束強度と磁場均一性が重要と
なる。水平磁場の一様性は良好であればある程良いが、
実用的には５％以下であれば良い。たとえばターゲット
面上3mm高さでの磁場強度が50G（ガウス）以下では成膜
速度が遅くなるので、50Gを超える磁場が必要である。
一般的には300G程度の磁場が好ましい。即ち、磁場が強
いほど成膜速度が上昇するが、強すぎると放電条件が厳
しくなるという問題がある。
ところで、第７図に示したダイポールリング型磁気回
路の中心軸（第７図において紙面に垂直な軸）に沿った
各セグメント永久磁石の長さは全て等しい。第８図は、
第７図のＡ−Ｂ線を含む平面で切断した断面図であり、
ダイポールリング型磁気回路の中心軸（第８図において
紙面に平行な軸）に沿った各セグメント永久磁石の長さ
が等しいことを示している（但しセグメント永久磁石52
b,52c,52dは示されていない）。
路の中心軸（第７図において紙面に垂直な軸）に沿った
各セグメント永久磁石の長さは全て等しい。第８図は、
第７図のＡ−Ｂ線を含む平面で切断した断面図であり、
ダイポールリング型磁気回路の中心軸（第８図において
紙面に平行な軸）に沿った各セグメント永久磁石の長さ
が等しいことを示している（但しセグメント永久磁石52
b,52c,52dは示されていない）。
このように、ダイポールリング型磁気回路の各セグメ
ント永久磁石の中心軸に沿った長さが等しいため、次の
ような問題があった。即ち、ターゲットが鉄のように軟
磁性体の場合、ターゲット内部に磁束の集束作用が起き
るためにターゲット面上で水平磁場強度が均一にならな
い。この様子を模式的に第９図に示す。
ント永久磁石の中心軸に沿った長さが等しいため、次の
ような問題があった。即ち、ターゲットが鉄のように軟
磁性体の場合、ターゲット内部に磁束の集束作用が起き
るためにターゲット面上で水平磁場強度が均一にならな
い。この様子を模式的に第９図に示す。
第９図に示すように、極位置（Ｎ極）にあるセグメン
ト永久磁石52aの上部及び下部からの磁束は、軟磁性体
ターゲット12に引かれ、一方、他の極位置（Ｓ極）にあ
るセグメント永久磁石52eはターゲット12中の磁束を上
部及び下部に引く。このため、ターゲット12の極位置永
久磁石に近い周辺部では、磁場の水平方向成分が増加
し、逆にこの部分でのターゲット内の磁束が減少する。
つまり、ターゲット12の表面の極位置に近い磁場は均一
にならないため、ターゲットの使用効率の上昇の割合が
十分満足するものでなかった。
ト永久磁石52aの上部及び下部からの磁束は、軟磁性体
ターゲット12に引かれ、一方、他の極位置（Ｓ極）にあ
るセグメント永久磁石52eはターゲット12中の磁束を上
部及び下部に引く。このため、ターゲット12の極位置永
久磁石に近い周辺部では、磁場の水平方向成分が増加
し、逆にこの部分でのターゲット内の磁束が減少する。
つまり、ターゲット12の表面の極位置に近い磁場は均一
にならないため、ターゲットの使用効率の上昇の割合が
十分満足するものでなかった。
［発明の目的］ 本発明の目的は、ダイポールリング型磁気回路の極位
置にある２個のセグメント永久磁石の中心軸方向の長さ
を他のセグメント永久磁石の中心軸方向の長さより短く
して上述の欠点を解決したスパッタ装置を提供すること
である。
置にある２個のセグメント永久磁石の中心軸方向の長さ
を他のセグメント永久磁石の中心軸方向の長さより短く
して上述の欠点を解決したスパッタ装置を提供すること
である。
［課題を解決するための手段及び作用］ 本発明は、高周波電圧を印加したターゲットの表面か
らダイポールリング型磁気回路を用いてマグネトロンス
パッタリングにより試料原子を真空中に放出させて基板
の表面に薄膜を形成する装置において：上記ダイポール
リング型磁気回路を構成する複数のセグメント永久磁石
の内、極位置にあるセグメント永久磁石の上記磁気回路
の中心軸方向の長さが、上記極位置以外にある他のセグ
メント永久磁石の上記中心軸方向の長さより短いことを
特徴とするダイポールリング型磁気回路を利用したスパ
ッタ装置である。
らダイポールリング型磁気回路を用いてマグネトロンス
パッタリングにより試料原子を真空中に放出させて基板
の表面に薄膜を形成する装置において：上記ダイポール
リング型磁気回路を構成する複数のセグメント永久磁石
の内、極位置にあるセグメント永久磁石の上記磁気回路
の中心軸方向の長さが、上記極位置以外にある他のセグ
メント永久磁石の上記中心軸方向の長さより短いことを
特徴とするダイポールリング型磁気回路を利用したスパ
ッタ装置である。
［実施例］ 以下、第１図乃至第３図を参照して本発明の実施例を
説明する。
説明する。
第１図乃至第３図において、上述の第７図乃至第９図
に示した部分と同一の部分には同一参照番号を付してあ
る。第１図乃至第３図において既に説明した部分につい
ては説明を省略することがある。
に示した部分と同一の部分には同一参照番号を付してあ
る。第１図乃至第３図において既に説明した部分につい
ては説明を省略することがある。
第１図は本発明に係るダイポールリング型磁気回路5
0′をその中心軸（第２図参照）に直角の方向からみた
側面図である。第１図の磁気回路は、例えば、第４図に
示した従来のスパッタ装置に組み込んで使用される。
尚、第１図は第７図に対応する。第２図は第１図の線Ｃ
−Ｄを含む平面で切断した断面図である。
0′をその中心軸（第２図参照）に直角の方向からみた
側面図である。第１図の磁気回路は、例えば、第４図に
示した従来のスパッタ装置に組み込んで使用される。
尚、第１図は第７図に対応する。第２図は第１図の線Ｃ
−Ｄを含む平面で切断した断面図である。
第２図に示すように、ダイポールリング型磁気回路5
0′の極位置にあるセグメント永久磁石52a′及び52e′
の磁気回路の中心軸方向（第２図では紙面に平行の方
向）の長さを、夫々隣接するセグメント永久磁石（52b,
52h）及び（52d、52f）の中心軸方向の長さより短くし
てある。
0′の極位置にあるセグメント永久磁石52a′及び52e′
の磁気回路の中心軸方向（第２図では紙面に平行の方
向）の長さを、夫々隣接するセグメント永久磁石（52b,
52h）及び（52d、52f）の中心軸方向の長さより短くし
てある。
このように極位置のセグメント磁石の中心軸方向の長
さを短くすることにより、第３図に示すように、ターゲ
ット12の極位置磁石に近い周辺部の集束角度を小さくす
ることができる。従って、軟磁性体ターゲットが均一に
飽和され、ターゲット表面に均一な水平磁場強度を得る
ことができる。
さを短くすることにより、第３図に示すように、ターゲ
ット12の極位置磁石に近い周辺部の集束角度を小さくす
ることができる。従って、軟磁性体ターゲットが均一に
飽和され、ターゲット表面に均一な水平磁場強度を得る
ことができる。
尚、上述の説明では、極位置の磁石のみの長さ（磁気
回路の中心軸方向の長さ）を短く、他のセグメント永久
磁石の中心軸方向の長さを第７図と同様にしてある。し
かし、極位置の磁石の長さを一番短くし、他のセグメン
ト永久磁石の長さを極位置磁石から離れるに従って順に
増加するようにしてもよい。このような構成は、セグメ
ント磁石間に磁束の流れの不連続が生じている場合、タ
ーゲット面上に良好な均一水平磁場を発生させることが
できる。
回路の中心軸方向の長さ）を短く、他のセグメント永久
磁石の中心軸方向の長さを第７図と同様にしてある。し
かし、極位置の磁石の長さを一番短くし、他のセグメン
ト永久磁石の長さを極位置磁石から離れるに従って順に
増加するようにしてもよい。このような構成は、セグメ
ント磁石間に磁束の流れの不連続が生じている場合、タ
ーゲット面上に良好な均一水平磁場を発生させることが
できる。
本発明によれば、非磁性ターゲット、強磁性ターゲッ
トの何れの場合においても一様な水平磁場が得られるの
で、厚膜ターゲットの使用も可能となる。このことは、
スパッタ装置の稼動効率の上からも、ターゲット使用効
率の上からも非常に有利である。
トの何れの場合においても一様な水平磁場が得られるの
で、厚膜ターゲットの使用も可能となる。このことは、
スパッタ装置の稼動効率の上からも、ターゲット使用効
率の上からも非常に有利である。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば、特に軟磁性体
ターゲット表面に一様水平磁場を発生させることができ
るので、ターゲットの使用効率及び装置の稼動効率を飛
躍的に上げることができる。
ターゲット表面に一様水平磁場を発生させることができ
るので、ターゲットの使用効率及び装置の稼動効率を飛
躍的に上げることができる。
第１図は本発明に係るスパッタ装置用のダイポールリン
グ型磁気回路の概略側面図、第２図は第１図の線Ｃ−Ｄ
を含む平面で切断した断面図、第３図は本発明を説明す
る第２図に相当する断面図、第４図は従来のスパッタ装
置を説明する図、第５図及び第６図は夫々従来例を説明
するための図、第７図は従来のダイポールリング型磁気
回路の概略側面図、第８図は第７図の線Ａ−Ｂを含む平
面で切断した断面図、第９図は従来例を説明するための
第８図に相当する断面図である。 図中、12はターゲット、50′はダイポール型磁気回路、
52a′,52e′は夫々ダイポールリング型磁気回路の極位
置にあるセグメント永久磁石、52b,52c,52d,52f,52g,52
hは夫々極位置以外にあるセグメント永久磁石を示す。
グ型磁気回路の概略側面図、第２図は第１図の線Ｃ−Ｄ
を含む平面で切断した断面図、第３図は本発明を説明す
る第２図に相当する断面図、第４図は従来のスパッタ装
置を説明する図、第５図及び第６図は夫々従来例を説明
するための図、第７図は従来のダイポールリング型磁気
回路の概略側面図、第８図は第７図の線Ａ−Ｂを含む平
面で切断した断面図、第９図は従来例を説明するための
第８図に相当する断面図である。 図中、12はターゲット、50′はダイポール型磁気回路、
52a′,52e′は夫々ダイポールリング型磁気回路の極位
置にあるセグメント永久磁石、52b,52c,52d,52f,52g,52
hは夫々極位置以外にあるセグメント永久磁石を示す。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/35,14/34
Claims (3)
- 【請求項１】高周波電圧を印加したターゲットの表面か
らダイポールリング型磁気回路を用いてマグネトロンス
パッタリングにより試料原子を真空中に放出させて基板
の表面に薄膜を形成する装置において、 上記ダイポールリング型磁気回路を構成する複数のセグ
メント永久磁石の内、極位置にあるセグメント永久磁石
の上記磁気回路の中心軸方向の長さが、上記極位置以外
にある他のセグメント永久磁石の上記中心軸方向の長さ
より短い ことを特徴とするダイポールリング型磁気回路を利用し
たスパッタ装置。 - 【請求項２】上記複数のセグメント永久磁石の上記中心
軸方向の夫々の長さが、上記極位置にあるセグメント磁
石から離れるに従って長いことを特徴とする特許請求の
範囲第１項に記載のスパッタ装置。 - 【請求項３】上記ターゲットは軟磁性体である特許請求
の範囲第１項或いは第２項に記載のスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303290A JP2789251B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5303290A JP2789251B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03253565A JPH03253565A (ja) | 1991-11-12 |
| JP2789251B2 true JP2789251B2 (ja) | 1998-08-20 |
Family
ID=12931555
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5303290A Expired - Lifetime JP2789251B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | ダイポールリング型磁気回路を用いたスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2789251B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5444207A (en) * | 1992-03-26 | 1995-08-22 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma generating device and surface processing device and method for processing wafers in a uniform magnetic field |
| US5660744A (en) * | 1992-03-26 | 1997-08-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Plasma generating apparatus and surface processing apparatus |
| DE69403768T2 (de) * | 1993-12-28 | 1997-11-13 | Tokyo Electron Ltd | Dipolringmagnet für Magnetronzerstäubung oder Magnetronätzung |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5303290A patent/JP2789251B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03253565A (ja) | 1991-11-12 |
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