JPH076061B2 - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置Info
- Publication number
- JPH076061B2 JPH076061B2 JP63156353A JP15635388A JPH076061B2 JP H076061 B2 JPH076061 B2 JP H076061B2 JP 63156353 A JP63156353 A JP 63156353A JP 15635388 A JP15635388 A JP 15635388A JP H076061 B2 JPH076061 B2 JP H076061B2
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- Japan
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- pole body
- annular magnetic
- target
- annular
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は基板に薄膜を形成するのに用いられるマグネト
ロンスパッタ装置に関する。
ロンスパッタ装置に関する。
スパッタリング技術とは、低圧の雰囲気ガスをグロー放
電を起してプラズマ状イオンとし、それに電圧を印加し
て加速し陰極におかれたターゲットに激突させる。それ
によってターゲット材料をはね飛ばして陽極近傍に設け
た基板上に堆積させ、薄膜を形成するという技術であ
る。
電を起してプラズマ状イオンとし、それに電圧を印加し
て加速し陰極におかれたターゲットに激突させる。それ
によってターゲット材料をはね飛ばして陽極近傍に設け
た基板上に堆積させ、薄膜を形成するという技術であ
る。
従来のプレーナ型マグネトロンスパッタ装置はターゲッ
トに近接又は接して外周に環状磁極体を設け、その中心
に非環状の中心磁極体を設けて、いわゆる環状トンネル
状磁界を発生させ、それによって、放電によって発生し
たプラズマをターゲット表面近傍に高密度に閉じ込める
ような構成を成している。第６図はこの一従来技術を示
すものである。環状磁極体（21）と非環状の中心磁極体
（22）とが一端をヨーク部材（24）で磁気的に結合さ
れ、他端に近接してターゲット（23）が設けられてい
る。今前記環状磁極体（21）の上方がＳ極、中心磁極体
（22）の上方がＮ極とすると、いわゆるトンネル状磁界
が環状に発生する。この時の磁力線の垂直成分が０にな
る位置、すなわち磁場ベクトルの方向がターゲットと平
行になる位置にプラズマが最も高密度に集中する。従っ
てターゲット（23）にイオンが衝突するのはプラズマの
位置に対応する白抜きで示した部分（25）であり、従っ
てここが支配的に侵食される（エロージョン）。その結
果その他の部分が有効に利用されないうちにターゲット
の寿命が終り、高価なターゲットの使用効率が約30％に
しかならないという問題があった。
トに近接又は接して外周に環状磁極体を設け、その中心
に非環状の中心磁極体を設けて、いわゆる環状トンネル
状磁界を発生させ、それによって、放電によって発生し
たプラズマをターゲット表面近傍に高密度に閉じ込める
ような構成を成している。第６図はこの一従来技術を示
すものである。環状磁極体（21）と非環状の中心磁極体
（22）とが一端をヨーク部材（24）で磁気的に結合さ
れ、他端に近接してターゲット（23）が設けられてい
る。今前記環状磁極体（21）の上方がＳ極、中心磁極体
（22）の上方がＮ極とすると、いわゆるトンネル状磁界
が環状に発生する。この時の磁力線の垂直成分が０にな
る位置、すなわち磁場ベクトルの方向がターゲットと平
行になる位置にプラズマが最も高密度に集中する。従っ
てターゲット（23）にイオンが衝突するのはプラズマの
位置に対応する白抜きで示した部分（25）であり、従っ
てここが支配的に侵食される（エロージョン）。その結
果その他の部分が有効に利用されないうちにターゲット
の寿命が終り、高価なターゲットの使用効率が約30％に
しかならないという問題があった。
ターゲットの使用効率を向上させる一つの方法として例
えば特公昭59-22788号の技術が提案されている。
えば特公昭59-22788号の技術が提案されている。
それによると、第７図に示すように第６図の従来装置の
中心磁極体（22）と第１の環状磁極体（21）の周囲に第
２の環状磁極体（26）を設け、第１と第２環状磁極体の
間に環状励磁コイル（26a）を配し、それによって各磁
極体の先端に形成されるプラズマリングの径を変化させ
てエロージョン領域を広くするというものである。
中心磁極体（22）と第１の環状磁極体（21）の周囲に第
２の環状磁極体（26）を設け、第１と第２環状磁極体の
間に環状励磁コイル（26a）を配し、それによって各磁
極体の先端に形成されるプラズマリングの径を変化させ
てエロージョン領域を広くするというものである。
しかしこの改良法によってもターゲット（23）の中心部
ではエロージョンが発生しないので、ターゲットの使用
効率を充分向上させることはできない。
ではエロージョンが発生しないので、ターゲットの使用
効率を充分向上させることはできない。
本発明は以上のような問題に鑑みてなされ、ターゲット
の中心部分にも均一にプラズマを発生させてエロージョ
ンの領域を広くし、ターゲットの使用効率を一層向上さ
せるマグネトロンスパッタ装置を提供するものである。
の中心部分にも均一にプラズマを発生させてエロージョ
ンの領域を広くし、ターゲットの使用効率を一層向上さ
せるマグネトロンスパッタ装置を提供するものである。
上記目的は、ターゲット材に近接又は接触して環状磁極
体とその内側に並列に配置した複数の非環状磁極体とを
設け、前記環状磁極体は前記ターゲット材の外周にほぼ
対面するように配備され、前記環状磁極体及び非環状磁
極体の前記ターゲット材に遠い方の一端側は磁気的に接
続され、前記環状磁極体は励磁コイルを巻装させるか、
又はそれ自身を永久磁石とし、前記非環状磁極体の各々
には独立した励磁コイルを巻装させ、前記非環状磁極体
の各々の励磁コイルに流す電流をそれぞれ位相をずらせ
周期的に変化させて、前記環状磁極体及び非環状磁極体
の他端側のターゲット上に形成されるプラズマ領域を時
間的に平均してほぼターゲット面の全域に亘って均一に
移動させるための電流値制御手段を設けたことを特徴と
するマグネトロンスパッタ装置、によって達成される。
体とその内側に並列に配置した複数の非環状磁極体とを
設け、前記環状磁極体は前記ターゲット材の外周にほぼ
対面するように配備され、前記環状磁極体及び非環状磁
極体の前記ターゲット材に遠い方の一端側は磁気的に接
続され、前記環状磁極体は励磁コイルを巻装させるか、
又はそれ自身を永久磁石とし、前記非環状磁極体の各々
には独立した励磁コイルを巻装させ、前記非環状磁極体
の各々の励磁コイルに流す電流をそれぞれ位相をずらせ
周期的に変化させて、前記環状磁極体及び非環状磁極体
の他端側のターゲット上に形成されるプラズマ領域を時
間的に平均してほぼターゲット面の全域に亘って均一に
移動させるための電流値制御手段を設けたことを特徴と
するマグネトロンスパッタ装置、によって達成される。
上記のような構成にすることによって発生するプラズマ
領域が移動し時間的に平均してほぼ均一に分布するよう
になり、従ってスパッタによって発生するターゲット上
のエロージョンが広い範囲にほぼ均一に広がり、ターゲ
ットの効率が高くなる。
領域が移動し時間的に平均してほぼ均一に分布するよう
になり、従ってスパッタによって発生するターゲット上
のエロージョンが広い範囲にほぼ均一に広がり、ターゲ
ットの効率が高くなる。
〔実施例１〕 実施例について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例であるマグネトロンスパッタ
装置のカソードの縦断面斜視図である。水冷タンク
（７）内に環状磁極体（１）とその内側に非環状の第１
中心磁極体（２）と第２中心磁極体（３）とを並列に配
置し、各々に励磁コイル（1a）（1b）（2a）（3a）を配
備した。これら励磁コイルには自由に電流を制御できる
よう独立した電源が接続されていて、それぞれの磁極体
からの磁束を変化させることができる。各磁極体は一端
がケイ素鋼板のヨーク部材（10）で磁気的に接続されて
いる。非磁性のステンレス製のバッキングプレート
（６）を水冷タンク（７）のフランジ部を介して上面に
設け、該バッキングプレート（６）の各磁極体の上端に
対面する部分に純鉄のヨーク部材（８）を嵌め込んだ。
バッキングプレート（６）の上に6mm厚さの銅板をター
ゲット（５）として設け、その周囲に接して環状磁極体
（１）上端のヨーク部材（８）上面に接するように純鉄
リング（９）を設けた。
装置のカソードの縦断面斜視図である。水冷タンク
（７）内に環状磁極体（１）とその内側に非環状の第１
中心磁極体（２）と第２中心磁極体（３）とを並列に配
置し、各々に励磁コイル（1a）（1b）（2a）（3a）を配
備した。これら励磁コイルには自由に電流を制御できる
よう独立した電源が接続されていて、それぞれの磁極体
からの磁束を変化させることができる。各磁極体は一端
がケイ素鋼板のヨーク部材（10）で磁気的に接続されて
いる。非磁性のステンレス製のバッキングプレート
（６）を水冷タンク（７）のフランジ部を介して上面に
設け、該バッキングプレート（６）の各磁極体の上端に
対面する部分に純鉄のヨーク部材（８）を嵌め込んだ。
バッキングプレート（６）の上に6mm厚さの銅板をター
ゲット（５）として設け、その周囲に接して環状磁極体
（１）上端のヨーク部材（８）上面に接するように純鉄
リング（９）を設けた。
第２図は前記カソードのＡ−Ａ線方向における横断面図
である。この装置において、環状磁極体（１）の励磁コ
イル（1a）（1b）には環状磁極体（１）の上端がＳ極と
なるように電流を流し、第１中心磁極体（２）の励磁コ
イル（2a）と第２中心磁極体（３）の励磁コイル（3a）
には、それぞれ第３図（Ｃ）において（ｏ）、（ｐ）で
示すような電流を5Hzで流す。この時のプラズマの発生
位置とその経時的な移動を第３図によって説明する。
である。この装置において、環状磁極体（１）の励磁コ
イル（1a）（1b）には環状磁極体（１）の上端がＳ極と
なるように電流を流し、第１中心磁極体（２）の励磁コ
イル（2a）と第２中心磁極体（３）の励磁コイル（3a）
には、それぞれ第３図（Ｃ）において（ｏ）、（ｐ）で
示すような電流を5Hzで流す。この時のプラズマの発生
位置とその経時的な移動を第３図によって説明する。
先ず、環状磁極体（１）の上端がＳ極となるように励磁
コイル（1a）および（1b）に電流を流す。この状態で第
１中心磁極体（２）がＮ極、第２中心磁極体（３）がＳ
極になるように励磁コイル（2a）および（3a）に電流
（ｏ）（ｐ）を流すと（時刻）、プラズマは第３図
（Ａ）との対応で第３図（Ｂ）ので示されるような位
置に発生する。従ってターゲット（５）のエロージョン
も同位置に発生する。
コイル（1a）および（1b）に電流を流す。この状態で第
１中心磁極体（２）がＮ極、第２中心磁極体（３）がＳ
極になるように励磁コイル（2a）および（3a）に電流
（ｏ）（ｐ）を流すと（時刻）、プラズマは第３図
（Ａ）との対応で第３図（Ｂ）ので示されるような位
置に発生する。従ってターゲット（５）のエロージョン
も同位置に発生する。
次に（時刻）、第３図（Ｃ）の電流に応じて第１中心
磁極体（２）をＮ極からＮ′極へ、第２中心磁極体
（３）をＳ′極からＮ′極へと（第３図（Ｂ）において
Ｎ′、Ｓ′はＮ、Ｓと同極性であるが磁束密度がより小
さいものとする）変化させてゆくと、第３図（Ｂ）中に
矢印で示したように第１中心磁極体（２）と第２中心磁
極体（３）との間にあったプラズマが第２中心磁極体
（３）と環状磁極体（１）の右側部分との間へ移動し、
に示された位置になる。次に（時刻）、さらに第３
図（Ｃ）の電流変化に従って第１、第２中心磁性体
（２）（３）の極性をＮ′からＳ極へ、及びＮ′極から
Ｎ極へと変化させるとプラズマは矢印のようにに示し
た位置に移動する。以上の操作を繰り返すことにより第
３図（Ｂ）に示すようにプラズマの位置が時間的に平均
してほぼ均一に分布するように制御し得る。時刻から
までで一周期となる。
磁極体（２）をＮ極からＮ′極へ、第２中心磁極体
（３）をＳ′極からＮ′極へと（第３図（Ｂ）において
Ｎ′、Ｓ′はＮ、Ｓと同極性であるが磁束密度がより小
さいものとする）変化させてゆくと、第３図（Ｂ）中に
矢印で示したように第１中心磁極体（２）と第２中心磁
極体（３）との間にあったプラズマが第２中心磁極体
（３）と環状磁極体（１）の右側部分との間へ移動し、
に示された位置になる。次に（時刻）、さらに第３
図（Ｃ）の電流変化に従って第１、第２中心磁性体
（２）（３）の極性をＮ′からＳ極へ、及びＮ′極から
Ｎ極へと変化させるとプラズマは矢印のようにに示し
た位置に移動する。以上の操作を繰り返すことにより第
３図（Ｂ）に示すようにプラズマの位置が時間的に平均
してほぼ均一に分布するように制御し得る。時刻から
までで一周期となる。
プラズマの位置に対応してターゲット表面がスパッタさ
れ、エロージョン領域が生じるので、時刻の時に生じ
るエロージョンの中心位置はターゲット上に平面的に示
すと第４図の（ｒ）エロージョン中心１の形になる。時
刻の時にはプラズマが移動するのに伴って（ｒ）エロ
ージョン中心１の右側が矢印で示すように移動して広が
り、（ｓ）エロージョン中心２の形になる。次いで時刻
の時には（ｓ）エロージョン中心２の左側が移動して
狭まり、（ｔ）エロージョン中心３の形になる。
れ、エロージョン領域が生じるので、時刻の時に生じ
るエロージョンの中心位置はターゲット上に平面的に示
すと第４図の（ｒ）エロージョン中心１の形になる。時
刻の時にはプラズマが移動するのに伴って（ｒ）エロ
ージョン中心１の右側が矢印で示すように移動して広が
り、（ｓ）エロージョン中心２の形になる。次いで時刻
の時には（ｓ）エロージョン中心２の左側が移動して
狭まり、（ｔ）エロージョン中心３の形になる。
以上の操作を繰り返すとエロージョン中心がターゲット
上を移動する。このことからわかるように、ターゲット
は時間的に平均してほぼ均一にスパッタされることとな
る。すなわちターゲット中心部分でもスパッタされ、基
板上に形成される薄膜の厚さも均一なものとなった。本
実施例ではターゲットの使用効率は55％であった。
上を移動する。このことからわかるように、ターゲット
は時間的に平均してほぼ均一にスパッタされることとな
る。すなわちターゲット中心部分でもスパッタされ、基
板上に形成される薄膜の厚さも均一なものとなった。本
実施例ではターゲットの使用効率は55％であった。
〔実施例２〕 中心磁極体が３個である以外は全て実施例１と同様であ
るカソードを作製した。環状磁極体（１）の上端がＳ極
となるようにその励磁コイル（1a）（1b）に電流を長し
第１ないし第３中心磁極体の励磁コイル（2a）（3a）
（4a）には120°ずつ位相をずらした正負対称の
（ｏ）、（ｐ）、（ｑ）からなる三相交流を流した。こ
の時の磁場の極性と、その時発生するプラズマの領域の
変化を第５図に示す。実施例１に比較して、プラズマ領
域の分布が時間的に平均してより均一になっている。従
ってエロージョンも均一に発生する。6mm厚さの銅ター
ゲットの使用効率は65％と良好であった。
るカソードを作製した。環状磁極体（１）の上端がＳ極
となるようにその励磁コイル（1a）（1b）に電流を長し
第１ないし第３中心磁極体の励磁コイル（2a）（3a）
（4a）には120°ずつ位相をずらした正負対称の
（ｏ）、（ｐ）、（ｑ）からなる三相交流を流した。こ
の時の磁場の極性と、その時発生するプラズマの領域の
変化を第５図に示す。実施例１に比較して、プラズマ領
域の分布が時間的に平均してより均一になっている。従
ってエロージョンも均一に発生する。6mm厚さの銅ター
ゲットの使用効率は65％と良好であった。
なお実施例１、２ともに、環状磁極体（１）としては永
久磁石も用い得る。各磁極体（２）（３）（４）の励磁
コイル（2a）（3a）（4a）に流す電流は独立して制御で
きるのでどのようにも流すことができるが、エロージョ
ン領域が広範囲にかつ均一に発生するように磁界を変化
させる方法を用いれば良い。
久磁石も用い得る。各磁極体（２）（３）（４）の励磁
コイル（2a）（3a）（4a）に流す電流は独立して制御で
きるのでどのようにも流すことができるが、エロージョ
ン領域が広範囲にかつ均一に発生するように磁界を変化
させる方法を用いれば良い。
以上本発明の実施例について説明したが、勿論本発明は
これらに限定されることなく本発明の技術的思想に基づ
き種々の変形が可能である。
これらに限定されることなく本発明の技術的思想に基づ
き種々の変形が可能である。
例えば実施例１、又は２のヨーク部材（８）を嵌め込ん
だバッキングプレート（６）を省いても良い。
だバッキングプレート（６）を省いても良い。
あるいはバッキングプレート（６）、ヨーク部材（８）
および鉄リング（９）を省き、各磁極体（１）（２）
（３）を直接ターゲット（５）に近接あるいは当接させ
ても良い。
および鉄リング（９）を省き、各磁極体（１）（２）
（３）を直接ターゲット（５）に近接あるいは当接させ
ても良い。
さらにあるいはヨーク部材（８）および鉄リング（７）
を省いたバッキングプレートを用いても良い。
を省いたバッキングプレートを用いても良い。
本発明は、以上説明したように構成されているので以下
に記載されるような効果を奏する。
に記載されるような効果を奏する。
本発明に基づくマグネトロンスパッタ装置の非環状の複
数の中心磁極体の極性を変えることによって、プラズマ
の位置が時間的に平均してターゲット面上をほぼ均一に
移動するので、スパッタによって生ずるターゲット上の
エロージョン領域が広い範囲にほぼ均一に広がり、ター
ゲットの使用効率が高くなる。従って又、基板上に形成
される薄膜もほぼ均一な厚さのものが得られる。
数の中心磁極体の極性を変えることによって、プラズマ
の位置が時間的に平均してターゲット面上をほぼ均一に
移動するので、スパッタによって生ずるターゲット上の
エロージョン領域が広い範囲にほぼ均一に広がり、ター
ゲットの使用効率が高くなる。従って又、基板上に形成
される薄膜もほぼ均一な厚さのものが得られる。
第１図は本発明の実施例１のマグネトロンスパッタ装置
のカソードの縦断面斜視図、第２図は第１図におけるＡ
−Ａ線方向の横断面図、第３図は実施例１の装置に流し
た電流に応じて発生するプラズマの位置を示す模式図、
第４図は実施例１の装置のターゲット上に発生するエロ
ージョン中心位置を示す模式図、第５図は実施例２の装
置に流した電流に応じて発生するプラズマの位置を示す
模式図、第６図は一従来装置のマグネトロンスパッタ装
置のカソードの断面図、第７図は他の従来装置のマグネ
トロンスパッタ装置のカソードの断面図である。 なお、図において、 （１）……環状磁極体 （２）……第１中心磁極体 （３）……第２中心磁極体 （４）……第３中心磁極体 （1a）（1b）（2a）（3a）（4a）……励磁コイル （５）……ターゲット （６）……バッキングプレート （８）……ヨーク部材 （９）……鉄リング （ｏ）……第１中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｐ）……第２中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｑ）……第３中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｒ）……エロージョン中心１ （ｓ）……エロージョン中心２ （ｔ）……エロージョン中心３
のカソードの縦断面斜視図、第２図は第１図におけるＡ
−Ａ線方向の横断面図、第３図は実施例１の装置に流し
た電流に応じて発生するプラズマの位置を示す模式図、
第４図は実施例１の装置のターゲット上に発生するエロ
ージョン中心位置を示す模式図、第５図は実施例２の装
置に流した電流に応じて発生するプラズマの位置を示す
模式図、第６図は一従来装置のマグネトロンスパッタ装
置のカソードの断面図、第７図は他の従来装置のマグネ
トロンスパッタ装置のカソードの断面図である。 なお、図において、 （１）……環状磁極体 （２）……第１中心磁極体 （３）……第２中心磁極体 （４）……第３中心磁極体 （1a）（1b）（2a）（3a）（4a）……励磁コイル （５）……ターゲット （６）……バッキングプレート （８）……ヨーク部材 （９）……鉄リング （ｏ）……第１中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｐ）……第２中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｑ）……第３中心磁極体の励磁コイルに流れる電流 （ｒ）……エロージョン中心１ （ｓ）……エロージョン中心２ （ｔ）……エロージョン中心３
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 橋本 征典 千葉県印旛郡八街町朝日617―２ 日本真 空技術寮内 (56)参考文献 特開 昭63−103066（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】ターゲット材に近接又は接触して環状磁極
体とその内側に並列に配置した複数の非環状磁極体とを
設け、前記環状磁極体は前記ターゲット材の外周にほぼ
対面するように配備され、前記環状磁極体及び非環状磁
極体の前記ターゲット材に遠い方の一端側は磁気的に接
続され、前記環状磁極体は励磁コイルを巻装させるか、
又はそれ自身を永久磁石とし、前記非環状磁極体の各々
には独立した励磁コイルを巻装させ、前記非環状磁極体
の各々の励磁コイルに流す電流をそれぞれ位相をずらせ
周期的に変化させて、前記環状磁極体及び非環状磁極体
の他端側のターゲット上に形成されるプラズマ領域を時
間的に平均してほぼターゲット面の全域に亘って均一に
移動させるための電流値制御手段を設けたことを特徴と
するマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項２】環状磁極体及び非環状磁極体の前記他端側
と前記ターゲット材との間に、該ターゲット材を支持す
る非磁性材のバッキングプレートを設け、前記各磁極体
の他端側に対面する前記バッキングプレート部分に磁性
材を設け、かつ、これら磁性材のうち前記環状磁極体の
前記他端側に対応する部分に当接するように前記ターゲ
ットの外周部に磁性材を配置したことを特徴とする請求
項（１）に記載のマグネトロンスパッタ装置。 - 【請求項３】前記ターゲット材の外周部に、前記環状磁
極体の前記他端部と整列するように磁性材を配備したこ
とを特徴とする請求項（１）に記載のマグネトロンスパ
ッタ装置。 - 【請求項４】前記非環状磁極体が３個あり、これら各々
に巻装された励磁コイルに三相交流を通電させるように
したことを特徴とする請求項（１）、（２）及び（３）
のうちいずれか一つのマグネトロンスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156353A JPH076061B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63156353A JPH076061B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH028366A JPH028366A (ja) | 1990-01-11 |
| JPH076061B2 true JPH076061B2 (ja) | 1995-01-25 |
Family
ID=15625902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63156353A Expired - Fee Related JPH076061B2 (ja) | 1988-06-24 | 1988-06-24 | マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH076061B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5262030A (en) * | 1992-01-15 | 1993-11-16 | Alum Rock Technology | Magnetron sputtering cathode with electrically variable source size and location for coating multiple substrates |
| AU2001251528A1 (en) * | 2000-04-10 | 2001-10-23 | Kurt J. Lesker Company | Magnetron sputtering source with improved target utilization and deposition rate |
| CN105112871B (zh) * | 2015-09-17 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种靶材溅射装置及其溅射靶材的方法 |
| US20220359174A1 (en) * | 2021-05-05 | 2022-11-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Apparatus and method for physical vapor deposition |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5648583A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-01 | Tokyo Shibaura Electric Co | Method of making sintered pellet of uranium dioxide |
| JPS63103066A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-07 | Hitachi Ltd | プレ−ナマグネトロン方式のスパツタリング装置 |
-
1988
- 1988-06-24 JP JP63156353A patent/JPH076061B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH028366A (ja) | 1990-01-11 |
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