JPS6039158A - マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS6039158A JPS6039158A JP14731783A JP14731783A JPS6039158A JP S6039158 A JPS6039158 A JP S6039158A JP 14731783 A JP14731783 A JP 14731783A JP 14731783 A JP14731783 A JP 14731783A JP S6039158 A JPS6039158 A JP S6039158A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- plasma
- magnetic flux
- sputtering
- magnet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3402—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering using supplementary magnetic fields
- H01J37/3405—Magnetron sputtering
- H01J37/3408—Planar magnetron sputtering
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はマグネトロン型スパッタリングに使用されるタ
ーゲットに関する。
ーゲットに関する。
従来この型式のスパッタリングは、真空室内のターゲッ
トの背後に磁石を設け、該ターゲットの前面に該磁石か
らの磁束を漏洩させてスパッタリングに必要なプラズマ
を収束させるを一般とするが、プラズマ収束部分に対応
するターゲットの部分はスパッタ速度が速く、極部的に
その厚さ方向に消耗が進行するのでターゲット体積の約
２０％を消費したところで交換するを要し、使用効率が
悪い欠点がおり、ターゲットに高価な材料を使用する場
合特に不経済である。
トの背後に磁石を設け、該ターゲットの前面に該磁石か
らの磁束を漏洩させてスパッタリングに必要なプラズマ
を収束させるを一般とするが、プラズマ収束部分に対応
するターゲットの部分はスパッタ速度が速く、極部的に
その厚さ方向に消耗が進行するのでターゲット体積の約
２０％を消費したところで交換するを要し、使用効率が
悪い欠点がおり、ターゲットに高価な材料を使用する場
合特に不経済である。
本発明は使用効率の良いターゲットを提供することを目
的とするもので、真空室内のターゲットの背後に磁石を
設け、該ターゲットの前面に該磁石からの磁束を漏洩さ
せてスパッタリングに必要なプラズマを収束させる式の
ものに於て、該ターゲットのプラズマの収束部分に対応
した部分を他の部分よ゛りも厚手に形成することを特徴
とする。
的とするもので、真空室内のターゲットの背後に磁石を
設け、該ターゲットの前面に該磁石からの磁束を漏洩さ
せてスパッタリングに必要なプラズマを収束させる式の
ものに於て、該ターゲットのプラズマの収束部分に対応
した部分を他の部分よ゛りも厚手に形成することを特徴
とする。
本発明の実施例を図面につき説明すると、（１）は真空
室（２）内に設けたターゲラ）、（３１は該ターゲット
（１）と一体に重合したバッキングプレート、（４）は
該プレート（３）の背後に設けた磁石、（５）は該磁石
（４）を覆うカバーを示し、該カバー（５）内の磁石室
（６）内にはターゲット（１）を冷却する冷却水が必要
に応じて循環される。（７）はスパッタリング処理が施
される基板で、ターゲラ） ｆｉ＋に電力が投入される
と該ターゲット（１）の前面（８）にプラズマ（９）が
収束してマグネトロン放電を生じ、ターゲット（１）の
物質がスパッタされて基板（７）の表面に薄膜状に付着
する。
室（２）内に設けたターゲラ）、（３１は該ターゲット
（１）と一体に重合したバッキングプレート、（４）は
該プレート（３）の背後に設けた磁石、（５）は該磁石
（４）を覆うカバーを示し、該カバー（５）内の磁石室
（６）内にはターゲット（１）を冷却する冷却水が必要
に応じて循環される。（７）はスパッタリング処理が施
される基板で、ターゲラ） ｆｉ＋に電力が投入される
と該ターゲット（１）の前面（８）にプラズマ（９）が
収束してマグネトロン放電を生じ、ターゲット（１）の
物質がスパッタされて基板（７）の表面に薄膜状に付着
する。
該プラズマ（９）は、背後の磁石（４）からターゲット
（１）の前面（８）に漏洩する磁束α〔により収束され
ると密度が高まり、該プラズマ（９）の領域内ツタ−ゲ
ット（１）がスパッタされて消耗する。
（１）の前面（８）に漏洩する磁束α〔により収束され
ると密度が高まり、該プラズマ（９）の領域内ツタ−ゲ
ット（１）がスパッタされて消耗する。
以上の構成は従来のマグネ）Ｃｌン型スパッタリング装
置の構成と変わシがないが、本発明に於ては該ターゲッ
ト（１）のプラズマ（９）の収束部分に対応する部分Ｑ
ｌ）を他の部分（１２＋よりも厚手に形成することによ
ル極部的に消耗し勝ちな該部分ａυのターゲラ） （１
１の全体に対する割合を高め、使用効率が向上するよう
にした。
置の構成と変わシがないが、本発明に於ては該ターゲッ
ト（１）のプラズマ（９）の収束部分に対応する部分Ｑ
ｌ）を他の部分（１２＋よりも厚手に形成することによ
ル極部的に消耗し勝ちな該部分ａυのターゲラ） （１
１の全体に対する割合を高め、使用効率が向上するよう
にした。
該プラズマ（９）の収束部分はその背後の磁石（４）の
配列によシ異なり、これに対応してターゲット（１）の
部分ａυの形状も例えば、第２図乃至第４図のように形
成される。
配列によシ異なり、これに対応してターゲット（１）の
部分ａυの形状も例えば、第２図乃至第４図のように形
成される。
通常、真空室（２）内が５×１Ｏ−ｓＴｏｒｒの場合、
安定してマグネトロン放電を起こすにはターゲット（１
）の表面各部の水平及び垂直磁束密度として約１７０ガ
ウス以−ヒ必要であり、このうち最も磁束密度が弱いの
は一般的にターゲット（１）の外周の垂直磁束密度であ
る。測定によれば厚さ６ Ｉｌｌの平板状のＩＦｅター
ゲットでは第５図の曲線Ａで示すターゲット（１）の外
内部の垂直磁束密度を除き、その中心部の垂直磁束密度
及び外周部と中心部の中間部の水平磁束密度は夫々曲線
Ｂ、 ０で示したようにターゲットの表面よシ３訂の高
さでも１７０ガウスを越え、従って第２図示の部分０９
０９間をも厚手に形成し第６図示のような形状とするこ
とも可能である。
安定してマグネトロン放電を起こすにはターゲット（１
）の表面各部の水平及び垂直磁束密度として約１７０ガ
ウス以−ヒ必要であり、このうち最も磁束密度が弱いの
は一般的にターゲット（１）の外周の垂直磁束密度であ
る。測定によれば厚さ６ Ｉｌｌの平板状のＩＦｅター
ゲットでは第５図の曲線Ａで示すターゲット（１）の外
内部の垂直磁束密度を除き、その中心部の垂直磁束密度
及び外周部と中心部の中間部の水平磁束密度は夫々曲線
Ｂ、 ０で示したようにターゲットの表面よシ３訂の高
さでも１７０ガウスを越え、従って第２図示の部分０９
０９間をも厚手に形成し第６図示のような形状とするこ
とも可能である。
尚第２図示の場合点線で示した部分を消費し得、この場
合の使用効率は６０％であり、紀６図示のように形成し
て点線部分を消費した場合の使用効率は４０％で、従来
の平板形のターゲットの使用効率よりも大幅に向上する
。
合の使用効率は６０％であり、紀６図示のように形成し
て点線部分を消費した場合の使用効率は４０％で、従来
の平板形のターゲットの使用効率よりも大幅に向上する
。
ターゲラ） ＋１１の部分（１１１を厚手に形成する手
段として鋳造、切削等が考えられるが、第７図示のよう
な平行の山形Ｑ５１ Ｑ５１を有する長手の押出材（１
３）を切断線Ｑ４）に沿い切断し、その各部を第８図示
のようにバッキングプレート（３）上に接着等で配置す
るようにしてもよい。
段として鋳造、切削等が考えられるが、第７図示のよう
な平行の山形Ｑ５１ Ｑ５１を有する長手の押出材（１
３）を切断線Ｑ４）に沿い切断し、その各部を第８図示
のようにバッキングプレート（３）上に接着等で配置す
るようにしてもよい。
以上のように本発明によるときはターゲットのプラズマ
収束部分に対応する部分を他の部分よりも厚手に形成す
ることによりその使用効率が高まり、特に高価材料のス
パッタリング用ターゲットとして有効である等の効果が
ある。
収束部分に対応する部分を他の部分よりも厚手に形成す
ることによりその使用効率が高まり、特に高価材料のス
パッタリング用ターゲットとして有効である等の効果が
ある。
第１図は本発明の実施例の裁断側面図、第２図乃至第４
図は本発明のターゲットの実施例の斜視図、第５図は磁
束密度の線図、第６図は本発明のターゲットの変形例の
断面図、第７図及び第８図は本発明のターゲットの製作
例の斜視図である。 （１１・・・ターゲット（２）・・・真 空 室 １４
）・・・磁 石（９）・・・プラズマ ａｌ・・・磁
束 （１１）ａ’ａ・・・部 分特許出願人 真空冶金
株式会社 仝 上 日本真空技術株式会社
図は本発明のターゲットの実施例の斜視図、第５図は磁
束密度の線図、第６図は本発明のターゲットの変形例の
断面図、第７図及び第８図は本発明のターゲットの製作
例の斜視図である。 （１１・・・ターゲット（２）・・・真 空 室 １４
）・・・磁 石（９）・・・プラズマ ａｌ・・・磁
束 （１１）ａ’ａ・・・部 分特許出願人 真空冶金
株式会社 仝 上 日本真空技術株式会社
Claims (1)
- 真空室内のターゲットの背後に磁石を設け、該ターゲッ
トの前面に該磁石からの磁束を漏洩させてスパッタリン
グに必要なプラズマを収束させる式のものに於て、該タ
ーゲットのプラズマの収束部分に対応した部分を他の部
分よりも厚手に形成することを特徴とするマグネトロン
型スパッタリング用ターゲット、
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731783A JPS6039158A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14731783A JPS6039158A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6039158A true JPS6039158A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15427450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14731783A Pending JPS6039158A (ja) | 1983-08-13 | 1983-08-13 | マグネトロン型スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6039158A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307266A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| JPH01290764A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| US5066381A (en) * | 1988-04-15 | 1991-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Target unit |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
| CN103993278A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种平面靶材的磁场结构及其使用方法和磁控溅射设备 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207175A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Anelva Corp | Target for sputtering device |
-
1983
- 1983-08-13 JP JP14731783A patent/JPS6039158A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57207175A (en) * | 1981-06-17 | 1982-12-18 | Anelva Corp | Target for sputtering device |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63307266A (ja) * | 1987-06-04 | 1988-12-14 | Toshiba Corp | スパッタリング・タ−ゲット |
| US5066381A (en) * | 1988-04-15 | 1991-11-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Target unit |
| JPH01290764A (ja) * | 1988-05-16 | 1989-11-22 | Tosoh Corp | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
| JP2010222698A (ja) * | 2009-02-26 | 2010-10-07 | Canon Anelva Corp | マグネトロンスパッタカソード、マグネトロンスパッタ装置及び磁性デバイスの製造方法 |
| US8778150B2 (en) | 2009-02-26 | 2014-07-15 | Canon Anelva Corporation | Magnetron sputtering cathode, magnetron sputtering apparatus, and method of manufacturing magnetic device |
| CN103993278A (zh) * | 2014-05-22 | 2014-08-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种平面靶材的磁场结构及其使用方法和磁控溅射设备 |
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