JPS6328986B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6328986B2 JPS6328986B2 JP56031214A JP3121481A JPS6328986B2 JP S6328986 B2 JPS6328986 B2 JP S6328986B2 JP 56031214 A JP56031214 A JP 56031214A JP 3121481 A JP3121481 A JP 3121481A JP S6328986 B2 JPS6328986 B2 JP S6328986B2
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- JP
- Japan
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- ferromagnetic
- groove
- magnetic
- electrical insulator
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- Expired
Links
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はFe，Coその他の強磁性体の高速DCス
パツタ装置に関する。
パツタ装置に関する。
出願人は先に強磁性体例えばFe，Co，Fe―
Ni、Co―Cr，Co―Ｒ等をスパツタして強磁性膜
を得る手段として第１図示のような真空処理室ａ
内に陰極電位の強磁性体ターゲツトｂとこれに対
向するサブストレートとを設け、該強磁性体ター
ゲツトｂの前面に断面略Ｖ字状の凹溝ｃを形成
し、その背後に永久磁石その他の磁界発生装置ｄ
を設けて該ターゲツトｂの前面のプラズマ密度を
向上させる式のものを提案した。而してこれによ
れば強磁性体がサブストレートに析出する速度を
一般のRFスパツタに比べて10倍以上とすること
が出来て有利ではあるが、ターゲツトｂの寿命が
比較的短くなり勝ちである不都合を伴なう。即ち
先に提案のものはそのＶ字状凹溝ｃの底部ｅの厚
味を出来る限り薄く形成して該凹溝間に漏洩磁束
を効率良く発生させることによりプラズマ密度の
向上を図るようにしたもので該凹溝の底部ｅはス
パツタと共に第１図の点線で示すように比較的早
く散逸消耗し、該ターゲツト下方の下地材がスパ
ツタされ易くなる不都合がある。
Ni、Co―Cr，Co―Ｒ等をスパツタして強磁性膜
を得る手段として第１図示のような真空処理室ａ
内に陰極電位の強磁性体ターゲツトｂとこれに対
向するサブストレートとを設け、該強磁性体ター
ゲツトｂの前面に断面略Ｖ字状の凹溝ｃを形成
し、その背後に永久磁石その他の磁界発生装置ｄ
を設けて該ターゲツトｂの前面のプラズマ密度を
向上させる式のものを提案した。而してこれによ
れば強磁性体がサブストレートに析出する速度を
一般のRFスパツタに比べて10倍以上とすること
が出来て有利ではあるが、ターゲツトｂの寿命が
比較的短くなり勝ちである不都合を伴なう。即ち
先に提案のものはそのＶ字状凹溝ｃの底部ｅの厚
味を出来る限り薄く形成して該凹溝間に漏洩磁束
を効率良く発生させることによりプラズマ密度の
向上を図るようにしたもので該凹溝の底部ｅはス
パツタと共に第１図の点線で示すように比較的早
く散逸消耗し、該ターゲツト下方の下地材がスパ
ツタされ易くなる不都合がある。
本発明は比較的寿命の長い強磁性体の高速DC
スパツタ装置を提供するをその目的とするもの
で、真空処理室内に直流陰極電位の強磁性体ター
ゲツトとサブストレートとを設け、該強磁性体タ
ーゲツトの前面に断面略Ｖ字状の凹溝を形成し、
その背後に磁界発生装置を設けて該ターゲツトの
前面のプラズマ密度を向上させる式のものに於
て、該凹溝の底部をアルミナその他の磁気及び電
気絶縁体で構成して該凹溝間に比較的大きな漏洩
磁束が生じるようにして成る。本発明装置の１例
を第２図について説明するに、１は真空処理室内
に図示してないサブストレートと対向して設けら
れるFeその他の強磁性体から成るターゲツト、
２は該ターゲツト１の背後に設けられた永久磁石
その他の磁界発生装置、３は該ターゲツト１の前
面に形成した断面略Ｖ字状の凹溝を示し、この構
成は先に提案したものと特に異ならない。本発明
のものは該凹溝３の底部４をアルミナ、シリカ、
テフロン等の磁気及び電気絶縁体から成る部材５
で構成するもので、第２図示の例ではターゲツト
１を山形棒状のFeその他の強磁性体部材１ａの
複数個とその中間の長手板状の磁気及び電気絶縁
体の部材５の複数個とを交互に配置して山形間の
凹溝３内に磁束が漏れ易くすると共に該強磁性体
部材１ａの最も薄い部分即ち絶縁体の部材５に接
する部分が比較的厚手に得られるようにし、かく
て底部４が長時間のスパツタに散逸消耗すること
なく耐えられるようにした。また該絶縁体はDC
スパツタの場合消耗しないので不純物として混入
することがない。
スパツタ装置を提供するをその目的とするもの
で、真空処理室内に直流陰極電位の強磁性体ター
ゲツトとサブストレートとを設け、該強磁性体タ
ーゲツトの前面に断面略Ｖ字状の凹溝を形成し、
その背後に磁界発生装置を設けて該ターゲツトの
前面のプラズマ密度を向上させる式のものに於
て、該凹溝の底部をアルミナその他の磁気及び電
気絶縁体で構成して該凹溝間に比較的大きな漏洩
磁束が生じるようにして成る。本発明装置の１例
を第２図について説明するに、１は真空処理室内
に図示してないサブストレートと対向して設けら
れるFeその他の強磁性体から成るターゲツト、
２は該ターゲツト１の背後に設けられた永久磁石
その他の磁界発生装置、３は該ターゲツト１の前
面に形成した断面略Ｖ字状の凹溝を示し、この構
成は先に提案したものと特に異ならない。本発明
のものは該凹溝３の底部４をアルミナ、シリカ、
テフロン等の磁気及び電気絶縁体から成る部材５
で構成するもので、第２図示の例ではターゲツト
１を山形棒状のFeその他の強磁性体部材１ａの
複数個とその中間の長手板状の磁気及び電気絶縁
体の部材５の複数個とを交互に配置して山形間の
凹溝３内に磁束が漏れ易くすると共に該強磁性体
部材１ａの最も薄い部分即ち絶縁体の部材５に接
する部分が比較的厚手に得られるようにし、かく
て底部４が長時間のスパツタに散逸消耗すること
なく耐えられるようにした。また該絶縁体はDC
スパツタの場合消耗しないので不純物として混入
することがない。
その作動を説明するに該ターゲツト１の背後か
ら作用する磁界発生装置２の磁界は該ターゲツト
１の凹溝３間に介在させた磁気及び電気絶縁体の
部材５により該凹溝３内に比較的大きく漏れ、従
来の単にターゲツトの前面に凹溝を設ける式のも
のに比べてプラズマ密度を増大させ得てより高速
でスパツタ出来、各凹溝３の底部４のターゲツト
の厚さが厚くなるので該底部４が消耗するまでの
時間が長くなりその耐久性が向上する。
ら作用する磁界発生装置２の磁界は該ターゲツト
１の凹溝３間に介在させた磁気及び電気絶縁体の
部材５により該凹溝３内に比較的大きく漏れ、従
来の単にターゲツトの前面に凹溝を設ける式のも
のに比べてプラズマ密度を増大させ得てより高速
でスパツタ出来、各凹溝３の底部４のターゲツト
の厚さが厚くなるので該底部４が消耗するまでの
時間が長くなりその耐久性が向上する。
このように本発明によるときは、凹溝の底部を
磁気及び電気絶縁体で構成したので漏洩磁束が大
きく寿命の長い強磁性体の高速スパツタ装置が得
られ能率良くスパツタ出来る等の効果がある。
磁気及び電気絶縁体で構成したので漏洩磁束が大
きく寿命の長い強磁性体の高速スパツタ装置が得
られ能率良くスパツタ出来る等の効果がある。
第１図は従来例の一部截断斜視図、第２図は本
発明装置の１例の截断側面図である。 １……強磁性体ターゲツト、２……磁界発生装
置、３……凹溝、４……底部、５……磁気及び電
気絶縁体から成る部材。
発明装置の１例の截断側面図である。 １……強磁性体ターゲツト、２……磁界発生装
置、３……凹溝、４……底部、５……磁気及び電
気絶縁体から成る部材。
Claims (1)
- １ 真空処理室内に直流陰極電位の強磁性体ター
ゲツトとサブストレートとを設け、該強磁性体タ
ーゲツトの前面に断面略Ｖ字状の凹溝を形成し、
その背後に磁界発生装置を設けて該ターゲツトの
前面のプラズマ密度を向上させる式のものに於い
て、該凹溝の底部をアルミナその他の磁気及び電
気絶縁体で構成して該凹溝間に比較的大きな漏洩
磁束が生じるようにして成る強磁性体の高速DC
スパツタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121481A JPS57145984A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3121481A JPS57145984A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57145984A JPS57145984A (en) | 1982-09-09 |
| JPS6328986B2 true JPS6328986B2 (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=12325176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3121481A Granted JPS57145984A (en) | 1981-03-06 | 1981-03-06 | High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57145984A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250598U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59211211A (ja) * | 1983-05-17 | 1984-11-30 | Ulvac Corp | 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト |
| DE3913716A1 (de) * | 1989-04-26 | 1990-10-31 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und vorrichtung zum beschichten eines substrates in einem plasma |
| JPH11193457A (ja) * | 1997-12-26 | 1999-07-21 | Japan Energy Corp | 磁性体スパッタリングターゲット |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563902A (en) * | 1979-06-23 | 1981-01-16 | Fumio Usui | Light emitting tube |
-
1981
- 1981-03-06 JP JP3121481A patent/JPS57145984A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS563902A (en) * | 1979-06-23 | 1981-01-16 | Fumio Usui | Light emitting tube |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0250598U (ja) * | 1988-09-30 | 1990-04-09 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57145984A (en) | 1982-09-09 |
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