JPS59211211A - 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト - Google Patents

強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト

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Publication number
JPS59211211A
JPS59211211A JP8514083A JP8514083A JPS59211211A JP S59211211 A JPS59211211 A JP S59211211A JP 8514083 A JP8514083 A JP 8514083A JP 8514083 A JP8514083 A JP 8514083A JP S59211211 A JPS59211211 A JP S59211211A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
target
ferromagnetic material
backing plate
magnetic field
ferromagnetic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8514083A
Other languages
English (en)
Inventor
Kyuzo Nakamura
久三 中村
Yoshifumi Oota
太田 賀文
Hiroki Yamada
太起 山田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Nihon Shinku Gijutsu KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ulvac Inc, Nihon Shinku Gijutsu KK filed Critical Ulvac Inc
Priority to JP8514083A priority Critical patent/JPS59211211A/ja
Publication of JPS59211211A publication Critical patent/JPS59211211A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01FMAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F41/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
    • H01F41/14Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
    • H01F41/18Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
    • H01F41/183Sputtering targets therefor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Magnetic Films (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はFe、Co、Ni 、Fe−Ni 、0o−O
r等の強磁性体を高速でスノセツタするに使用されるタ
ーゲットに関する。
近時各種強磁性体をスノセツタして磁性薄膜を形成する
ことの要求が高まっているが、かかる磁性薄膜を第1図
示のようなターゲラ)aを支持するノ々ツキングプレー
トbの背抜に磁界発生装置cを設けたマグネトロン式の
スノぞツタ装置により形成する場合には、該磁界発生装
置cの磁束が強磁性体のターゲットaにシールドされて
その異面に漏洩しない事態を防止すべく該ターゲラ)a
を2〜3■の薄手に形成するを要し、こうした薄手のタ
ーゲラ)aでは短時間でスパッタされてしまうので耐久
性が悪い不都合がある。また現在一般的に利用されてい
る几Fスパッタ装置でV&磁性薄膜形成することも試み
たが薄膜の析出速度が約200 A / minが上限
で生産性が悪い欠点を伴なう。
こうした不都合、欠点は出願人の提案(特開昭57−1
60113.160114号)した第2図示のようなO
u等のバッキングプレートbの表面に幅3籠以下の間隔
dを有する強磁性体のターゲラ)aをiけ、紋間隔dを
介して磁界発生装置Cからの磁束をターゲラ)aの表面
に漏洩させる式のものによれば解決することが出来る。
しかし乍らこのような間隔dを形成したものではターゲ
ラ)aがスパッタされてその厚さが3鱈位になるとプラ
ズマ中で発生したイオンが間隔d内に進入し、バッキン
グル−トbがスノ々ツタされ始め、ターゲットaの材料
のみで形成すべき磁性薄膜中にバッキングプレートの材
料が不純物として混入した不良の薄膜となって好ましく
ない。またターゲラ)aは小片a′の複数個をノ々ツキ
ングプレートb上にボンディングして製作されるが、各
小片a′が先金に接着されていないと小片a′の脱落を
生じ勝ちでターゲットa自体の製造も比較的離しい。
本発明は先に提案したもののこうした困難等を解決する
ことを目的としたもので、ノ々ツキングプレートの表面
に@3闘以下の間隔を有する強磁性体ターゲットを設け
、該間隔を介してターゲットの表面へ該バッキングプレ
ートの背面に設けた磁界発生装置の磁界を漏洩させるこ
とによりプラズマ密度を向上させて強磁性体をスパッタ
する式のものに於て、該間隔の底部に薄く該ターゲット
と同一の強磁性体の層を形成して成る。
本発明の実施例を図面第3図につき説明すると、(1)
はOu等からなるバッキングプレート、(2)は該ノ々
ツキングプレート(1)の表面に設けられるFeその他
の強磁性体のターゲットを示し、該ターゲット(2)は
強磁性体の小片(2a)を互に幅3露以下の間隔(3)
を存してノ々ツキングプレート(1)の表面に例えばボ
ンディングすることによシ構成される。(4)は該バッ
キングプレート(1)の背面に設けた永久磁石その他の
磁界発生装置(4)で、その磁界は前記間隔(3)を介
してターゲット(2)の表面に漏洩し、高速でスパッタ
を可能とすべく核表面のプラズマを向上させる。図示し
てないが通常該ターゲットと対向してサブストレートが
設けられ、その表面にスパッタされた強磁性体が薄膜状
に耐着する。
こうした構成は先に提案したものと略同様であるが、本
発明に於ては該間隔(3)の底部に薄く該ターゲット(
2)と同一の強磁性体の層(5)を形成し、先に提案し
たものに於ける前記した困難等を解決したもので、これ
を詳述すれば次の通シである。
該ターゲット(1)はその表面に発生するプラズマ領域
から放出されるイオンによシスノぐツタされ次第に減耗
するエロージョン状態になシ、このエロージョンがバッ
キングプレート(1)から約3冒の位置まで進行すると
該間隔(3)の底部にまで多少のイオンが突入するよう
になるが、該底部には強磁性体の層(5)が設けられて
いるので突入したイオンによh バッキングプレー) 
(1) 75fス、eツタされることがなく、Ou等の
パッキングプレト(1)の材料が不純物として薄膜に混
入することを防止出来、エロージョンでパ゛ツキンクフ
レート(1)の表面が露出する直前まで該ターゲット(
1)を使用出来てその寿命を延長することが出来る。
形成された薄膜中の不純物は従来の第2図示の栴造のも
のでは約150時間近くスノRツタ継続すると第4図示
の如く多少薄膜内に混入したが、第3図示のような本発
明のものでは150時間を越えてスパッタしても第5図
に見られる如く薄膜中の不純物の混入はなかった。
また該層(5)を間隔(3)の底部に形成することでタ
ーゲット(2)の各小片(2a)は相互に連結され、各
小片(2a)の一部がバッキングプレート(1)に不完
全にボンディングされていても容易に該プレート(1)
から小片(2a)が脱落することがなく、ターゲット(
1)の製造が簡単になる。各小片(2a)間の間隔(5
)はターゲット(2)の表面に磁界発生装置(4)から
漏洩磁界を発生させるが該間隔(5)内に於ける放電は
生じないように3m以下の間隔に形成される。
尚、該層(5)の厚さはターゲット(2)の表面に20
0ガウス以上の高速スパッタに適した漏洩磁界が得られ
るように出来る限シ薄いことが好ましいが、市販の希土
類磁石を用いたカソードを使用し、ターゲット(1)の
高さが10m+、その厚さが3餌、間隔(5)が0.5
mとした場合、次表に示す如く層(5)の厚さが2制以
下であれば200ガウス以上の漏洩磁界をターゲット(
1)の表面に得ることが出来た。
このように本発明によるときは幅3m以下の間隔を形成
する式の強磁性体のターゲットに於て該間隔の底部に薄
い該強磁性体の層を形成したのでターゲットのエロージ
ョンの進行に伴ない生じ勝ちな薄膜中への不純物の混入
を防止出来ると共によシ一層ターゲットの寿命を延長す
ることが出来、ターゲットの製作も容易でボンディング
不良による不良品の発生も少なく出来る等の効果がある
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は従来例の截断側面図、第3図は本発
明の実施例の截断側面図、第4図及び第5図は不純物の
混入率を表す線図である。 (1)・・・バッキングプレート、(2)・・・ターゲ
ット(3)・・・間隔        (4)・・・磁
界発生装置(5)・・・層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 ノ々ツキングプレートの表面に幅3略以下の間隔を
    有する強磁性体ターゲットを設け、該間隔を介してター
    ゲットの表面へ該バッキングプレートの背面に設けた磁
    界発生装置の磁界を漏洩させることによシプラズマ密度
    を向上させて強磁性体をスノぐツタする式のものに於て
    、該間隔の底部に薄く該ターゲットと同一の強磁性体の
    層を形成して成る強磁性体の高速スノぐツタ用ターゲッ
    ト。 2 該層の厚さは2m以下である前記特許請求の範囲第
    1項記載の強磁性体の高速ス、Wツタ用ターゲット。
JP8514083A 1983-05-17 1983-05-17 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト Pending JPS59211211A (ja)

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JP8514083A JPS59211211A (ja) 1983-05-17 1983-05-17 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト

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JPS59211211A true JPS59211211A (ja) 1984-11-30

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ID=13850348

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JP8514083A Pending JPS59211211A (ja) 1983-05-17 1983-05-17 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61206672U (ja) * 1985-06-12 1986-12-27
US5827414A (en) * 1997-07-25 1998-10-27 International Business Machines Corporation Single piece slotted ferromagnetic sputtering target and sputtering apparatus
WO2011092027A1 (en) * 2010-01-29 2011-08-04 Oc Oerlikon Balzers Ag Sputtering target

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JPS57145984A (en) * 1981-03-06 1982-09-09 Ulvac Corp High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter

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