JPS59211211A - 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト - Google Patents
強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツトInfo
- Publication number
- JPS59211211A JPS59211211A JP8514083A JP8514083A JPS59211211A JP S59211211 A JPS59211211 A JP S59211211A JP 8514083 A JP8514083 A JP 8514083A JP 8514083 A JP8514083 A JP 8514083A JP S59211211 A JPS59211211 A JP S59211211A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- ferromagnetic material
- backing plate
- magnetic field
- ferromagnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
- H01F41/183—Sputtering targets therefor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ 、Ｆｅ−Ｎｉ 、０ｏ−Ｏ
ｒ等の強磁性体を高速でスノセツタするに使用されるタ
ーゲットに関する。
ｒ等の強磁性体を高速でスノセツタするに使用されるタ
ーゲットに関する。
近時各種強磁性体をスノセツタして磁性薄膜を形成する
ことの要求が高まっているが、かかる磁性薄膜を第１図
示のようなターゲラ）ａを支持するノ々ツキングプレー
トｂの背抜に磁界発生装置ｃを設けたマグネトロン式の
スノぞツタ装置により形成する場合には、該磁界発生装
置ｃの磁束が強磁性体のターゲットａにシールドされて
その異面に漏洩しない事態を防止すべく該ターゲラ）ａ
を２〜３■の薄手に形成するを要し、こうした薄手のタ
ーゲラ）ａでは短時間でスパッタされてしまうので耐久
性が悪い不都合がある。また現在一般的に利用されてい
る几Ｆスパッタ装置でＶ＆磁性薄膜形成することも試み
たが薄膜の析出速度が約２００ Ａ ／ ｍｉｎが上限
で生産性が悪い欠点を伴なう。
ことの要求が高まっているが、かかる磁性薄膜を第１図
示のようなターゲラ）ａを支持するノ々ツキングプレー
トｂの背抜に磁界発生装置ｃを設けたマグネトロン式の
スノぞツタ装置により形成する場合には、該磁界発生装
置ｃの磁束が強磁性体のターゲットａにシールドされて
その異面に漏洩しない事態を防止すべく該ターゲラ）ａ
を２〜３■の薄手に形成するを要し、こうした薄手のタ
ーゲラ）ａでは短時間でスパッタされてしまうので耐久
性が悪い不都合がある。また現在一般的に利用されてい
る几Ｆスパッタ装置でＶ＆磁性薄膜形成することも試み
たが薄膜の析出速度が約２００ Ａ ／ ｍｉｎが上限
で生産性が悪い欠点を伴なう。
こうした不都合、欠点は出願人の提案（特開昭５７−１
６０１１３．１６０１１４号）した第２図示のようなＯ
ｕ等のバッキングプレートｂの表面に幅３籠以下の間隔
ｄを有する強磁性体のターゲラ）ａをｉけ、紋間隔ｄを
介して磁界発生装置Ｃからの磁束をターゲラ）ａの表面
に漏洩させる式のものによれば解決することが出来る。
６０１１３．１６０１１４号）した第２図示のようなＯ
ｕ等のバッキングプレートｂの表面に幅３籠以下の間隔
ｄを有する強磁性体のターゲラ）ａをｉけ、紋間隔ｄを
介して磁界発生装置Ｃからの磁束をターゲラ）ａの表面
に漏洩させる式のものによれば解決することが出来る。
しかし乍らこのような間隔ｄを形成したものではターゲ
ラ）ａがスパッタされてその厚さが３鱈位になるとプラ
ズマ中で発生したイオンが間隔ｄ内に進入し、バッキン
グル−トｂがスノ々ツタされ始め、ターゲットａの材料
のみで形成すべき磁性薄膜中にバッキングプレートの材
料が不純物として混入した不良の薄膜となって好ましく
ない。またターゲラ）ａは小片ａ′の複数個をノ々ツキ
ングプレートｂ上にボンディングして製作されるが、各
小片ａ′が先金に接着されていないと小片ａ′の脱落を
生じ勝ちでターゲットａ自体の製造も比較的離しい。
ラ）ａがスパッタされてその厚さが３鱈位になるとプラ
ズマ中で発生したイオンが間隔ｄ内に進入し、バッキン
グル−トｂがスノ々ツタされ始め、ターゲットａの材料
のみで形成すべき磁性薄膜中にバッキングプレートの材
料が不純物として混入した不良の薄膜となって好ましく
ない。またターゲラ）ａは小片ａ′の複数個をノ々ツキ
ングプレートｂ上にボンディングして製作されるが、各
小片ａ′が先金に接着されていないと小片ａ′の脱落を
生じ勝ちでターゲットａ自体の製造も比較的離しい。
本発明は先に提案したもののこうした困難等を解決する
ことを目的としたもので、ノ々ツキングプレートの表面
に＠３闘以下の間隔を有する強磁性体ターゲットを設け
、該間隔を介してターゲットの表面へ該バッキングプレ
ートの背面に設けた磁界発生装置の磁界を漏洩させるこ
とによりプラズマ密度を向上させて強磁性体をスパッタ
する式のものに於て、該間隔の底部に薄く該ターゲット
と同一の強磁性体の層を形成して成る。
ことを目的としたもので、ノ々ツキングプレートの表面
に＠３闘以下の間隔を有する強磁性体ターゲットを設け
、該間隔を介してターゲットの表面へ該バッキングプレ
ートの背面に設けた磁界発生装置の磁界を漏洩させるこ
とによりプラズマ密度を向上させて強磁性体をスパッタ
する式のものに於て、該間隔の底部に薄く該ターゲット
と同一の強磁性体の層を形成して成る。
本発明の実施例を図面第３図につき説明すると、（１）
はＯｕ等からなるバッキングプレート、（２）は該ノ々
ツキングプレート（１）の表面に設けられるＦｅその他
の強磁性体のターゲットを示し、該ターゲット（２）は
強磁性体の小片（２ａ）を互に幅３露以下の間隔（３）
を存してノ々ツキングプレート（１）の表面に例えばボ
ンディングすることによシ構成される。（４）は該バッ
キングプレート（１）の背面に設けた永久磁石その他の
磁界発生装置（４）で、その磁界は前記間隔（３）を介
してターゲット（２）の表面に漏洩し、高速でスパッタ
を可能とすべく核表面のプラズマを向上させる。図示し
てないが通常該ターゲットと対向してサブストレートが
設けられ、その表面にスパッタされた強磁性体が薄膜状
に耐着する。
はＯｕ等からなるバッキングプレート、（２）は該ノ々
ツキングプレート（１）の表面に設けられるＦｅその他
の強磁性体のターゲットを示し、該ターゲット（２）は
強磁性体の小片（２ａ）を互に幅３露以下の間隔（３）
を存してノ々ツキングプレート（１）の表面に例えばボ
ンディングすることによシ構成される。（４）は該バッ
キングプレート（１）の背面に設けた永久磁石その他の
磁界発生装置（４）で、その磁界は前記間隔（３）を介
してターゲット（２）の表面に漏洩し、高速でスパッタ
を可能とすべく核表面のプラズマを向上させる。図示し
てないが通常該ターゲットと対向してサブストレートが
設けられ、その表面にスパッタされた強磁性体が薄膜状
に耐着する。
こうした構成は先に提案したものと略同様であるが、本
発明に於ては該間隔（３）の底部に薄く該ターゲット（
２）と同一の強磁性体の層（５）を形成し、先に提案し
たものに於ける前記した困難等を解決したもので、これ
を詳述すれば次の通シである。
発明に於ては該間隔（３）の底部に薄く該ターゲット（
２）と同一の強磁性体の層（５）を形成し、先に提案し
たものに於ける前記した困難等を解決したもので、これ
を詳述すれば次の通シである。
該ターゲット（１）はその表面に発生するプラズマ領域
から放出されるイオンによシスノぐツタされ次第に減耗
するエロージョン状態になシ、このエロージョンがバッ
キングプレート（１）から約３冒の位置まで進行すると
該間隔（３）の底部にまで多少のイオンが突入するよう
になるが、該底部には強磁性体の層（５）が設けられて
いるので突入したイオンによｈ バッキングプレー）
（１） ７５ｆス、ｅツタされることがなく、Ｏｕ等の
パッキングプレト（１）の材料が不純物として薄膜に混
入することを防止出来、エロージョンでパ゛ツキンクフ
レート（１）の表面が露出する直前まで該ターゲット（
１）を使用出来てその寿命を延長することが出来る。
から放出されるイオンによシスノぐツタされ次第に減耗
するエロージョン状態になシ、このエロージョンがバッ
キングプレート（１）から約３冒の位置まで進行すると
該間隔（３）の底部にまで多少のイオンが突入するよう
になるが、該底部には強磁性体の層（５）が設けられて
いるので突入したイオンによｈ バッキングプレー）
（１） ７５ｆス、ｅツタされることがなく、Ｏｕ等の
パッキングプレト（１）の材料が不純物として薄膜に混
入することを防止出来、エロージョンでパ゛ツキンクフ
レート（１）の表面が露出する直前まで該ターゲット（
１）を使用出来てその寿命を延長することが出来る。
形成された薄膜中の不純物は従来の第２図示の栴造のも
のでは約１５０時間近くスノＲツタ継続すると第４図示
の如く多少薄膜内に混入したが、第３図示のような本発
明のものでは１５０時間を越えてスパッタしても第５図
に見られる如く薄膜中の不純物の混入はなかった。
のでは約１５０時間近くスノＲツタ継続すると第４図示
の如く多少薄膜内に混入したが、第３図示のような本発
明のものでは１５０時間を越えてスパッタしても第５図
に見られる如く薄膜中の不純物の混入はなかった。
また該層（５）を間隔（３）の底部に形成することでタ
ーゲット（２）の各小片（２ａ）は相互に連結され、各
小片（２ａ）の一部がバッキングプレート（１）に不完
全にボンディングされていても容易に該プレート（１）
から小片（２ａ）が脱落することがなく、ターゲット（
１）の製造が簡単になる。各小片（２ａ）間の間隔（５
）はターゲット（２）の表面に磁界発生装置（４）から
漏洩磁界を発生させるが該間隔（５）内に於ける放電は
生じないように３ｍ以下の間隔に形成される。
ーゲット（２）の各小片（２ａ）は相互に連結され、各
小片（２ａ）の一部がバッキングプレート（１）に不完
全にボンディングされていても容易に該プレート（１）
から小片（２ａ）が脱落することがなく、ターゲット（
１）の製造が簡単になる。各小片（２ａ）間の間隔（５
）はターゲット（２）の表面に磁界発生装置（４）から
漏洩磁界を発生させるが該間隔（５）内に於ける放電は
生じないように３ｍ以下の間隔に形成される。
尚、該層（５）の厚さはターゲット（２）の表面に２０
０ガウス以上の高速スパッタに適した漏洩磁界が得られ
るように出来る限シ薄いことが好ましいが、市販の希土
類磁石を用いたカソードを使用し、ターゲット（１）の
高さが１０ｍ＋、その厚さが３餌、間隔（５）が０．５
ｍとした場合、次表に示す如く層（５）の厚さが２制以
下であれば２００ガウス以上の漏洩磁界をターゲット（
１）の表面に得ることが出来た。
０ガウス以上の高速スパッタに適した漏洩磁界が得られ
るように出来る限シ薄いことが好ましいが、市販の希土
類磁石を用いたカソードを使用し、ターゲット（１）の
高さが１０ｍ＋、その厚さが３餌、間隔（５）が０．５
ｍとした場合、次表に示す如く層（５）の厚さが２制以
下であれば２００ガウス以上の漏洩磁界をターゲット（
１）の表面に得ることが出来た。
このように本発明によるときは幅３ｍ以下の間隔を形成
する式の強磁性体のターゲットに於て該間隔の底部に薄
い該強磁性体の層を形成したのでターゲットのエロージ
ョンの進行に伴ない生じ勝ちな薄膜中への不純物の混入
を防止出来ると共によシ一層ターゲットの寿命を延長す
ることが出来、ターゲットの製作も容易でボンディング
不良による不良品の発生も少なく出来る等の効果がある
。
する式の強磁性体のターゲットに於て該間隔の底部に薄
い該強磁性体の層を形成したのでターゲットのエロージ
ョンの進行に伴ない生じ勝ちな薄膜中への不純物の混入
を防止出来ると共によシ一層ターゲットの寿命を延長す
ることが出来、ターゲットの製作も容易でボンディング
不良による不良品の発生も少なく出来る等の効果がある
。
第１図及び第２図は従来例の截断側面図、第３図は本発
明の実施例の截断側面図、第４図及び第５図は不純物の
混入率を表す線図である。 （１）・・・バッキングプレート、（２）・・・ターゲ
ット（３）・・・間隔 （４）・・・磁
界発生装置（５）・・・層
明の実施例の截断側面図、第４図及び第５図は不純物の
混入率を表す線図である。 （１）・・・バッキングプレート、（２）・・・ターゲ
ット（３）・・・間隔 （４）・・・磁
界発生装置（５）・・・層
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ノ々ツキングプレートの表面に幅３略以下の間隔を
有する強磁性体ターゲットを設け、該間隔を介してター
ゲットの表面へ該バッキングプレートの背面に設けた磁
界発生装置の磁界を漏洩させることによシプラズマ密度
を向上させて強磁性体をスノぐツタする式のものに於て
、該間隔の底部に薄く該ターゲットと同一の強磁性体の
層を形成して成る強磁性体の高速スノぐツタ用ターゲッ
ト。 ２ 該層の厚さは２ｍ以下である前記特許請求の範囲第
１項記載の強磁性体の高速ス、Ｗツタ用ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8514083A JPS59211211A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8514083A JPS59211211A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59211211A true JPS59211211A (ja) | 1984-11-30 |
Family
ID=13850348
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8514083A Pending JPS59211211A (ja) | 1983-05-17 | 1983-05-17 | 強磁性体の高速スパツタ用タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59211211A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61206672U (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-27 | ||
| US5827414A (en) * | 1997-07-25 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Single piece slotted ferromagnetic sputtering target and sputtering apparatus |
| WO2011092027A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Sputtering target |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146925A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-15 | Toshiba Corp | Manufacturing of magnetic film |
| JPS5621308A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-27 | Spin Physics Inc | Method and apparatus for forming magnetic film on substrate by sputtering magnetic subtance |
| JPS57145984A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-09 | Ulvac Corp | High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter |
-
1983
- 1983-05-17 JP JP8514083A patent/JPS59211211A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55146925A (en) * | 1979-05-04 | 1980-11-15 | Toshiba Corp | Manufacturing of magnetic film |
| JPS5621308A (en) * | 1979-07-23 | 1981-02-27 | Spin Physics Inc | Method and apparatus for forming magnetic film on substrate by sputtering magnetic subtance |
| JPS57145984A (en) * | 1981-03-06 | 1982-09-09 | Ulvac Corp | High-speed dc sputtering device of ferromagnetic matter |
Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
| JPS61206672U (ja) * | 1985-06-12 | 1986-12-27 | ||
| US5827414A (en) * | 1997-07-25 | 1998-10-27 | International Business Machines Corporation | Single piece slotted ferromagnetic sputtering target and sputtering apparatus |
| WO2011092027A1 (en) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | Oc Oerlikon Balzers Ag | Sputtering target |
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