JP3151031B2 - マグネトロンスパッタ装置 - Google Patents
マグネトロンスパッタ装置Info
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- JP3151031B2 JP3151031B2 JP02730892A JP2730892A JP3151031B2 JP 3151031 B2 JP3151031 B2 JP 3151031B2 JP 02730892 A JP02730892 A JP 02730892A JP 2730892 A JP2730892 A JP 2730892A JP 3151031 B2 JP3151031 B2 JP 3151031B2
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- JP
- Japan
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- target
- targets
- magnetic field
- plate
- magnetron sputtering
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は複数のカソードをもつ
マグネトロンスパッタ装置に関するものである。
マグネトロンスパッタ装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、マグネトロンスパッタ装置の原
理的構成は、ターゲットを表面に取り付けたバッキング
プレートの裏面に磁石装置を配置し、この配置された磁
石装置により、ターゲットの表面近傍の空間に湾曲した
磁場を形成すると共に、バッキングプレートに負電圧を
印加して、バッキングプレートやターゲットをカソード
にし、そして、湾曲した磁場の作用により、ターゲット
の表面近傍の空間に高密度のプラズマを発生させ、その
高密度のプラズマ中のイオンでターゲットをスパッタし
ている。スパッタされたターゲット粒子は基板に付着
し、薄膜が基板に形成されている。
理的構成は、ターゲットを表面に取り付けたバッキング
プレートの裏面に磁石装置を配置し、この配置された磁
石装置により、ターゲットの表面近傍の空間に湾曲した
磁場を形成すると共に、バッキングプレートに負電圧を
印加して、バッキングプレートやターゲットをカソード
にし、そして、湾曲した磁場の作用により、ターゲット
の表面近傍の空間に高密度のプラズマを発生させ、その
高密度のプラズマ中のイオンでターゲットをスパッタし
ている。スパッタされたターゲット粒子は基板に付着
し、薄膜が基板に形成されている。
【０００３】マグネトロンスパッタ装置の原理的構成は
上記の通りであるが、一つの基板ホルダーに所定の間隔
で並設した複数の基板に薄膜を同時に形成する場合、従
来のマグネトロンスパッタ装置は、基板と同数のターゲ
ットを基板と対向する位置に配置する構成であった。そ
のため、ターゲットや磁石装置は、基板と同様に、所定
の間隔で並設されていた。
上記の通りであるが、一つの基板ホルダーに所定の間隔
で並設した複数の基板に薄膜を同時に形成する場合、従
来のマグネトロンスパッタ装置は、基板と同数のターゲ
ットを基板と対向する位置に配置する構成であった。そ
のため、ターゲットや磁石装置は、基板と同様に、所定
の間隔で並設されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のマグネトロンス
パッタ装置は、上記のように一つの基板ホルダーに所定
の間隔で並設した複数の基板と同数のターゲットを基板
と対向する位置に配置し、ターゲットや磁石装置も所定
の間隔で並設していた。その場合、磁石装置によりター
ゲットの表面近傍の空間に磁場が形成されるが、隣りの
磁石装置による磁場の影響を受け、磁場の干渉が起こる
ようになる。そのため、均一なスパッタが出来なくな
り、ターゲットのエロージョン領域が偏心したり、ある
いは基板に形成される薄膜の膜厚分布が乱れたりする等
の問題が起きた。
パッタ装置は、上記のように一つの基板ホルダーに所定
の間隔で並設した複数の基板と同数のターゲットを基板
と対向する位置に配置し、ターゲットや磁石装置も所定
の間隔で並設していた。その場合、磁石装置によりター
ゲットの表面近傍の空間に磁場が形成されるが、隣りの
磁石装置による磁場の影響を受け、磁場の干渉が起こる
ようになる。そのため、均一なスパッタが出来なくな
り、ターゲットのエロージョン領域が偏心したり、ある
いは基板に形成される薄膜の膜厚分布が乱れたりする等
の問題が起きた。
【０００５】この発明の目的は、上記問題を解決して、
磁石装置同士による磁場の干渉を防止して、均一なスパ
ッタを可能にし、ターゲットのエロージョン領域の偏心
を防いで、薄膜の膜厚分布を良くすることの出来るマグ
ネトロンスパッタ装置を提供するものである。
磁石装置同士による磁場の干渉を防止して、均一なスパ
ッタを可能にし、ターゲットのエロージョン領域の偏心
を防いで、薄膜の膜厚分布を良くすることの出来るマグ
ネトロンスパッタ装置を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、一つの基板ホルダーに所定の間隔で並
設した複数の基板と同数のターゲットを基板と対向する
位置に配置し、かつ、そのターゲットを表面に取り付け
たバッキングプレートの裏面に磁石装置を各ターゲット
毎に配置して、その磁石装置により、ターゲットの表面
近傍の空間に湾曲した磁場を形成すると共に、バッキン
グプレートに負電圧を印加してカソードを形成し、磁場
の作用により、ターゲットの表面近傍の空間に高密度の
プラズマを発生させ、その高密度のプラズマ中のイオン
でターゲットをスパッタするマグネトロンスパッタ装置
において、上記湾曲した磁場の形成されるターゲットの
表面近傍の空間に、磁性体から成り、磁気シールドと兼
用になった防着板が上記各ターゲットに対向して配置さ
れ、前記防着板は、上記各ターゲットと対向する位置に
ターゲット粒子通過孔を持つと共に、隣接する前記ター
ゲット間を仕切る仕切板を備えたマグネトロンスパッタ
装置である。
に、この発明は、一つの基板ホルダーに所定の間隔で並
設した複数の基板と同数のターゲットを基板と対向する
位置に配置し、かつ、そのターゲットを表面に取り付け
たバッキングプレートの裏面に磁石装置を各ターゲット
毎に配置して、その磁石装置により、ターゲットの表面
近傍の空間に湾曲した磁場を形成すると共に、バッキン
グプレートに負電圧を印加してカソードを形成し、磁場
の作用により、ターゲットの表面近傍の空間に高密度の
プラズマを発生させ、その高密度のプラズマ中のイオン
でターゲットをスパッタするマグネトロンスパッタ装置
において、上記湾曲した磁場の形成されるターゲットの
表面近傍の空間に、磁性体から成り、磁気シールドと兼
用になった防着板が上記各ターゲットに対向して配置さ
れ、前記防着板は、上記各ターゲットと対向する位置に
ターゲット粒子通過孔を持つと共に、隣接する前記ター
ゲット間を仕切る仕切板を備えたマグネトロンスパッタ
装置である。
【０００７】
【作用】この発明においては、湾曲した磁場の形成され
るターゲットの表面近傍の空間に磁気シールドと兼用に
なった防着板を各ターゲットと対向するように配設して
いるので、バッキングプレートの裏面に各ターゲット毎
に配置された磁石装置による磁場は磁気シールドと兼用
になった防着板によって外側に広がらなくなり、磁石装
置同士による磁場の干渉は防止されるようになる。
るターゲットの表面近傍の空間に磁気シールドと兼用に
なった防着板を各ターゲットと対向するように配設して
いるので、バッキングプレートの裏面に各ターゲット毎
に配置された磁石装置による磁場は磁気シールドと兼用
になった防着板によって外側に広がらなくなり、磁石装
置同士による磁場の干渉は防止されるようになる。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例について図面を参照
しながら説明する。この発明の実施例のマグネトロンス
パッタ装置は図１、図２および図３に示されており、こ
れらの図において、１はスパッタ室である。バッキング
プレート２の表面にはターゲット３が取り付けられてい
るが、バッキングプレート２の裏面には磁石装置４が取
り付けられている。そのため、磁石装置４により、ター
ゲット３の表面近傍の空間に湾曲した磁場が形成されて
いる。バッキングプレート２には図示していないが、負
電圧が印加され、バッキングプレート２やターゲット３
がカソードになっている。アノードとなる一つの基板ホ
ルダー５には複数の基板（図示せず）が所定の間隔で並
設され、この基板と同数のターゲット３がこれと対向し
ている。湾曲した磁場の形成されるターゲット３の表面
近傍の空間には、各ターゲット３と対向する位置にター
ゲット粒子通過孔６をもつ、例えば、ＳＵＳ４３０のよ
うな磁性体にて形成した磁気シールドと兼用になった防
着板７が各ターゲット３と対向するように配設されてい
る。防着板７は隣合うターゲット３間を仕切る仕切板７
ａを備えている。なお、磁石装置４は各ターゲット毎に
配置され、また、ターゲット３は基板ホルダー５の両側
に対向して配設されている。
しながら説明する。この発明の実施例のマグネトロンス
パッタ装置は図１、図２および図３に示されており、こ
れらの図において、１はスパッタ室である。バッキング
プレート２の表面にはターゲット３が取り付けられてい
るが、バッキングプレート２の裏面には磁石装置４が取
り付けられている。そのため、磁石装置４により、ター
ゲット３の表面近傍の空間に湾曲した磁場が形成されて
いる。バッキングプレート２には図示していないが、負
電圧が印加され、バッキングプレート２やターゲット３
がカソードになっている。アノードとなる一つの基板ホ
ルダー５には複数の基板（図示せず）が所定の間隔で並
設され、この基板と同数のターゲット３がこれと対向し
ている。湾曲した磁場の形成されるターゲット３の表面
近傍の空間には、各ターゲット３と対向する位置にター
ゲット粒子通過孔６をもつ、例えば、ＳＵＳ４３０のよ
うな磁性体にて形成した磁気シールドと兼用になった防
着板７が各ターゲット３と対向するように配設されてい
る。防着板７は隣合うターゲット３間を仕切る仕切板７
ａを備えている。なお、磁石装置４は各ターゲット毎に
配置され、また、ターゲット３は基板ホルダー５の両側
に対向して配設されている。
【０００９】このような実施例においては、基板ホルダ
ー５であるアノードと、バッキングプレート２やターゲ
ット３のカソードとの間の放電により、プラズマが発生
するが、そのプラズマはターゲット３の表面近傍の空間
において形成される磁場により封じ込められ、ターゲッ
ト３の表面近傍の空間において高密度なものになってい
る。そして、その高密度のプラズマ中のイオンで各ター
ゲット３をスパッタするようにしている。スパッタされ
たターゲット粒子は磁気シールドと兼用になった防着板
７のターゲット粒子通過孔６を通って、基板に付着し、
そこに薄膜が形成されるようになる。
ー５であるアノードと、バッキングプレート２やターゲ
ット３のカソードとの間の放電により、プラズマが発生
するが、そのプラズマはターゲット３の表面近傍の空間
において形成される磁場により封じ込められ、ターゲッ
ト３の表面近傍の空間において高密度なものになってい
る。そして、その高密度のプラズマ中のイオンで各ター
ゲット３をスパッタするようにしている。スパッタされ
たターゲット粒子は磁気シールドと兼用になった防着板
７のターゲット粒子通過孔６を通って、基板に付着し、
そこに薄膜が形成されるようになる。
【００１０】その際、実施例では、湾曲した磁場の形成
されるターゲット３の表面近傍の空間に磁気シールドと
兼用になった防着板７を各ターゲット３と対向するよう
に配設しているので、バッキングプレート２の裏面に各
ターゲット３毎に配置された磁石装置４による磁場は磁
気シールドと兼用になった防着板７によって外側に広が
らなくなり、磁石装置４同士による磁場の干渉が防止さ
れるようになる。
されるターゲット３の表面近傍の空間に磁気シールドと
兼用になった防着板７を各ターゲット３と対向するよう
に配設しているので、バッキングプレート２の裏面に各
ターゲット３毎に配置された磁石装置４による磁場は磁
気シールドと兼用になった防着板７によって外側に広が
らなくなり、磁石装置４同士による磁場の干渉が防止さ
れるようになる。
【００１１】ところで、上記実施例は、ターゲット３を
基板ホルダー５の両側に対向して配設しているが、その
代わりに、ターゲット３を基板ホルダー５の片側にだけ
対向して配設したものであってもよい。また、防着板７
は仕切板７ａを備えないものであってもよい。
基板ホルダー５の両側に対向して配設しているが、その
代わりに、ターゲット３を基板ホルダー５の片側にだけ
対向して配設したものであってもよい。また、防着板７
は仕切板７ａを備えないものであってもよい。
【００１２】
【発明の効果】この発明においては、湾曲した磁場の形
成されるターゲットの表面近傍の空間に磁気シールドと
兼用になった防着板を各ターゲットと対向するように配
設しているので、バッキングプレートの裏面に各ターゲ
ット毎に配置された磁石装置による磁場は磁気シールド
と兼用になった防着板によって外側に広がらなくなり、
磁石装置同士による磁場の干渉は防止される。このた
め、均一なスパッタを可能にし、ターゲットのエロージ
ョン領域の偏心を防いで、薄膜の膜厚分布を良くするこ
とが出来る。
成されるターゲットの表面近傍の空間に磁気シールドと
兼用になった防着板を各ターゲットと対向するように配
設しているので、バッキングプレートの裏面に各ターゲ
ット毎に配置された磁石装置による磁場は磁気シールド
と兼用になった防着板によって外側に広がらなくなり、
磁石装置同士による磁場の干渉は防止される。このた
め、均一なスパッタを可能にし、ターゲットのエロージ
ョン領域の偏心を防いで、薄膜の膜厚分布を良くするこ
とが出来る。
【図１】この発明の実施例の側面図
【図２】この発明の実施例の平面図
【図３】図２のＡ−Ａ線より見た矢視図
１・・・・・・スパッタ室 ２・・・・・・バッキングプレート ３・・・・・・ターゲット ４・・・・・・磁石装置 ５・・・・・・基板ホルダー ６・・・・・・ターゲット粒子通過孔 ７・・・・・・防着板 ７ａ・・・・・仕切板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平野 裕之 神奈川県茅ヶ崎市萩園2500番地日本真空 技術株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−6271（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】一つの基板ホルダーに所定の間隔で並設し
た複数の基板と同数のターゲットを基板と対向する位置
に配置し、かつ、そのターゲットを表面に取り付けたバ
ッキングプレートの裏面に磁石装置を各ターゲット毎に
配置して、その磁石装置により、ターゲットの表面近傍
の空間に湾曲した磁場を形成すると共に、バッキングプ
レートに負電圧を印加してカソードを形成し、磁場の作
用により、ターゲットの表面近傍の空間に高密度のプラ
ズマを発生させ、その高密度のプラズマ中のイオンでタ
ーゲットをスパッタするマグネトロンスパッタ装置にお
いて、 上記湾曲した磁場の形成されるターゲットの表面近傍の
空間に、磁性体から成り、磁気シールドと兼用になった
防着板が上記各ターゲットに対向して配置され、 前記防着板は、上記各ターゲットと対向する位置にター
ゲット粒子通過孔を持つと共に、隣接する前記ターゲッ
ト間を仕切る仕切板を備えた マグネトロンスパッタ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02730892A JP3151031B2 (ja) | 1992-01-19 | 1992-01-19 | マグネトロンスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP02730892A JP3151031B2 (ja) | 1992-01-19 | 1992-01-19 | マグネトロンスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06116725A JPH06116725A (ja) | 1994-04-26 |
| JP3151031B2 true JP3151031B2 (ja) | 2001-04-03 |
Family
ID=12217460
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP02730892A Expired - Lifetime JP3151031B2 (ja) | 1992-01-19 | 1992-01-19 | マグネトロンスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3151031B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1965101B (zh) * | 2004-06-07 | 2014-06-25 | 株式会社爱发科 | 磁控管溅射方法以及磁控管溅射装置 |
| JP5764002B2 (ja) * | 2011-07-22 | 2015-08-12 | 株式会社神戸製鋼所 | 真空成膜装置 |
-
1992
- 1992-01-19 JP JP02730892A patent/JP3151031B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06116725A (ja) | 1994-04-26 |
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