JPS60197869A - スパツタ装置 - Google Patents
スパツタ装置Info
- Publication number
- JPS60197869A JPS60197869A JP5185484A JP5185484A JPS60197869A JP S60197869 A JPS60197869 A JP S60197869A JP 5185484 A JP5185484 A JP 5185484A JP 5185484 A JP5185484 A JP 5185484A JP S60197869 A JPS60197869 A JP S60197869A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- substrate
- slit
- passing
- sputtered particles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
- C23C14/044—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks using masks to redistribute rather than totally prevent coating, e.g. producing thickness gradient
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明はスパッタ装置に関する。
周知のようにこの種スパッタ装置は、陽極と陰極との間
でグロー放音を発生させ、この放電によって形成するプ
ラズマ中のイオンがターゲットニ衝突してスパッタ蒸発
させるように構成されてあり、これによって発生するス
パッタ粒子が被スパツタ面すなわち適当な基板の表面に
付着して薄膜を形成する、 ところでターゲット７５１ら蒸発するスパッタ粒子はそ
の付着面のｂずれにおりても付着畜産が均等であること
が望ましｂが、実際には飛行の過程で四方に飛散するな
どして均等になり得なり６たとえばターゲットに基板を
向かｂ合わしてスパッタした場合、基板の中央の付着量
が最も多（、基板の端部に向かう種付着量が減少してｂ
（傾向ガある。そのため一般にはターゲットの有効面積
の約１７８程廖の領域しか使用できなかった、すなわち
Ｉ−ゲットに向かｂ合う範囲のうちの１／８の範囲内に
置かれた基板につｂては一スパッタにより形成される薄
膜の厚さがほぼ均一となるが−この範囲の外にｔｉｊＦ
ｂた基板の膜厚はバラツキが大きく、実際の使用には適
さなＬ／％、 ｌ、たがって従来のスパッタ装置による
スパッタはその生産性が極めて悪（、スパッタ粒子の大
量を無駄に使用していると言える。
でグロー放音を発生させ、この放電によって形成するプ
ラズマ中のイオンがターゲットニ衝突してスパッタ蒸発
させるように構成されてあり、これによって発生するス
パッタ粒子が被スパツタ面すなわち適当な基板の表面に
付着して薄膜を形成する、 ところでターゲット７５１ら蒸発するスパッタ粒子はそ
の付着面のｂずれにおりても付着畜産が均等であること
が望ましｂが、実際には飛行の過程で四方に飛散するな
どして均等になり得なり６たとえばターゲットに基板を
向かｂ合わしてスパッタした場合、基板の中央の付着量
が最も多（、基板の端部に向かう種付着量が減少してｂ
（傾向ガある。そのため一般にはターゲットの有効面積
の約１７８程廖の領域しか使用できなかった、すなわち
Ｉ−ゲットに向かｂ合う範囲のうちの１／８の範囲内に
置かれた基板につｂては一スパッタにより形成される薄
膜の厚さがほぼ均一となるが−この範囲の外にｔｉｊＦ
ｂた基板の膜厚はバラツキが大きく、実際の使用には適
さなＬ／％、 ｌ、たがって従来のスパッタ装置による
スパッタはその生産性が極めて悪（、スパッタ粒子の大
量を無駄に使用していると言える。
この発明はターゲットの有効使用範囲の拡大を図ること
によって生産性を向上させることを目的とする。
によって生産性を向上させることを目的とする。
この発明はターゲットと基板との間に、両端を幅広トし
たスリットを有するしやへ一板をターゲットの長手方向
に沿って配冒し、スリットの両端゛を通るスパッタ粒子
の量を、スリットの中央を通るそれよりも多くすること
によって、スリットの長手方向に沿う全域にわたってス
パッタ粒子の量の均一化を図るようにしたことを特徴と
する。
たスリットを有するしやへ一板をターゲットの長手方向
に沿って配冒し、スリットの両端゛を通るスパッタ粒子
の量を、スリットの中央を通るそれよりも多くすること
によって、スリットの長手方向に沿う全域にわたってス
パッタ粒子の量の均一化を図るようにしたことを特徴と
する。
２は陰極で、これらはスパッタ室内に設置されてあり、
両極間に直流高電圧が印加され、これによってグロー放
電を発生するようにしである６８はターゲットで、ここ
では陰極２を支持体として兼用して支持されて層る。そ
して前記グロー放電によって放電空間に形成されたアル
ゴンプラズマ中のアルゴン正イオンが、陰極２内のマグ
ネトロンをζよって偏向加速されてターゲット８に衝突
する。
両極間に直流高電圧が印加され、これによってグロー放
電を発生するようにしである６８はターゲットで、ここ
では陰極２を支持体として兼用して支持されて層る。そ
して前記グロー放電によって放電空間に形成されたアル
ゴンプラズマ中のアルゴン正イオンが、陰極２内のマグ
ネトロンをζよって偏向加速されてターゲット８に衝突
する。
この衝突によってターゲット表面からスパッタ粒子を蒸
発させるースパツタ粒子は基板４上に沈着して、ターゲ
ット材料からなる薄膜値（形成される。
発させるースパツタ粒子は基板４上に沈着して、ターゲ
ット材料からなる薄膜値（形成される。
ｂはシャッタである。これらの構成並びに動作はとの種
スパツ４１装習と特に相違するところはなりにの発明に
したがす、４１−ゲット８と基板４との間に、しやへい
板６を配置する、このしやへ一板６にはスリット８が形
成されである。このスリット８け図≠為らも理解される
ように、ターゲット３の長手方向に沿うｉｉｌ［ｉｉ端
に訃すては広幅に、又中央にシ員て細幅に形成されであ
る。又基板４は複数枚（図の例は４枚）ｆスリット８の
長手方向に沿って配着されである。なおスパッタの遊行
につれて等速廖でスリット８の幅方向に沿ってｕ動する
よりにしてもよ込７ 以上の構成において、前記のようにターゲット８からス
パッタ蒸発させてｂる状態にあるときシャッタ６を開け
ば、スパッタ粒子けしやへ一板６のスリット８を辿って
基板４に向かい、その表面に沈着する。このときスリッ
ト８を通るスパッタ粒子は、スリット８の中央が通る量
よりもこれより端部に向り部分を通る量の方が多（なふ
ことは明らかである。したガって所宇の時間経過後忙卦
ける基板４上に形成される薄膜の厚みは、全基板４にわ
たってほぼ均一となる。もし■のよりなスリットをもつ
しやへ一板６を使用しな込ときは、中央に電力１れた基
板４上の薄＃は、両端の基板４上のそれよりも薄（なる
ことけ容易に理解されより。
スパツ４１装習と特に相違するところはなりにの発明に
したがす、４１−ゲット８と基板４との間に、しやへい
板６を配置する、このしやへ一板６にはスリット８が形
成されである。このスリット８け図≠為らも理解される
ように、ターゲット３の長手方向に沿うｉｉｌ［ｉｉ端
に訃すては広幅に、又中央にシ員て細幅に形成されであ
る。又基板４は複数枚（図の例は４枚）ｆスリット８の
長手方向に沿って配着されである。なおスパッタの遊行
につれて等速廖でスリット８の幅方向に沿ってｕ動する
よりにしてもよ込７ 以上の構成において、前記のようにターゲット８からス
パッタ蒸発させてｂる状態にあるときシャッタ６を開け
ば、スパッタ粒子けしやへ一板６のスリット８を辿って
基板４に向かい、その表面に沈着する。このときスリッ
ト８を通るスパッタ粒子は、スリット８の中央が通る量
よりもこれより端部に向り部分を通る量の方が多（なふ
ことは明らかである。したガって所宇の時間経過後忙卦
ける基板４上に形成される薄膜の厚みは、全基板４にわ
たってほぼ均一となる。もし■のよりなスリットをもつ
しやへ一板６を使用しな込ときは、中央に電力１れた基
板４上の薄＃は、両端の基板４上のそれよりも薄（なる
ことけ容易に理解されより。
第２図はとの発明の実験結果を示す膜厚特性曲線である
。ここでは膜厚を抵抗値として表わしである。実験は材
料がニクロムのターゲット３（長さ８８１ｆｆ−幅１Ｂ
？＋１１）を用ｂ、又しやへ一板６のスリット８とし
て、長さ８８１關１幅が中央におして長さ５０ Ｎｉｌ
にわたって８２１１１とし、両端におりて７５ｍ１とし
、更にしやへ一板６と基板番との間の距離を１４０Ｍと
した。供給電力９ｋＷとして２５分スパッタを行った結
果の、各基板上の薄膜の抵抗値を示したのが第２図のＡ
に示す特性−である。
。ここでは膜厚を抵抗値として表わしである。実験は材
料がニクロムのターゲット３（長さ８８１ｆｆ−幅１Ｂ
？＋１１）を用ｂ、又しやへ一板６のスリット８とし
て、長さ８８１關１幅が中央におして長さ５０ Ｎｉｌ
にわたって８２１１１とし、両端におりて７５ｍ１とし
、更にしやへ一板６と基板番との間の距離を１４０Ｍと
した。供給電力９ｋＷとして２５分スパッタを行った結
果の、各基板上の薄膜の抵抗値を示したのが第２図のＡ
に示す特性−である。
なお横軸の番号１−４は一第１図の基板４のうち、手前
のものを番号ｌとし、以下順番に番号ＢＮ４としである
。したがって番号１．４のものが両端に配置された基板
であり一番号２．８のものが中央忙配置された基板であ
る。
のものを番号ｌとし、以下順番に番号ＢＮ４としである
。したがって番号１．４のものが両端に配置された基板
であり一番号２．８のものが中央忙配置された基板であ
る。
この特性−赤ら理解されるよりに、ｂずれの基板の薄膜
についても、はぼ等しい抵抗値を呈しており、したがっ
てすべての薄膜がほぼ均一の膜厚となってｂるものと考
えられる、 なお比較のためにしやへ一板６を設置しなり場合につい
て実験を行った。その結果を示したのが第２図のＢに示
す特性図である。なおこの実験結果では基板４を８枚と
しており、又供給電力ｇＫＷとし０分ｌＯ秒にわたって
スパッタを行った。
についても、はぼ等しい抵抗値を呈しており、したがっ
てすべての薄膜がほぼ均一の膜厚となってｂるものと考
えられる、 なお比較のためにしやへ一板６を設置しなり場合につい
て実験を行った。その結果を示したのが第２図のＢに示
す特性図である。なおこの実験結果では基板４を８枚と
しており、又供給電力ｇＫＷとし０分ｌＯ秒にわたって
スパッタを行った。
これから理解されるように中央の基板上の薄膜はその抵
抗値が＃１ぼ４６Ωであるのに対し１両側の基板上の薄
膜のそれは約６７Ω程膚となっており。
抗値が＃１ぼ４６Ωであるのに対し１両側の基板上の薄
膜のそれは約６７Ω程膚となっており。
約２０粥以上の差があることを示している。、中なわち
この程度の膜厚のバラツキがあることがこれカ１らも理
解される。
この程度の膜厚のバラツキがあることがこれカ１らも理
解される。
第８図はこの発明の具体的な構成例を示し、ここでは回
転ドラム１０を用意し、その軸心方向に沿って４枚１円
周方向に沿って１６枚合計６４枚の基板４を内面に配置
し、これを宇速膚で回転する、回転ドラム１００回転中
心附近に陽極１．陰極２．ターゲット８を設置する。シ
ャッタｂはドラム状に構成され、回転自在とされてｂる
。その周側の一部に窒５Ａが設けてあり、窓５Ａがター
ゲット８に向かい合つとき、Ｉ−ゲット８からのスパッ
タ粒子が窓５Ａから基板４の位置する方向に飛行してｕ
ｎ（、窓５Ａに枠状としたじゃへい板６が設置されてあ
り、その底壁面にスリット８が設けである。窓５Ａを通
過したスパッタ粒子はスリット８を通って基板４に向か
う。
転ドラム１０を用意し、その軸心方向に沿って４枚１円
周方向に沿って１６枚合計６４枚の基板４を内面に配置
し、これを宇速膚で回転する、回転ドラム１００回転中
心附近に陽極１．陰極２．ターゲット８を設置する。シ
ャッタｂはドラム状に構成され、回転自在とされてｂる
。その周側の一部に窒５Ａが設けてあり、窓５Ａがター
ゲット８に向かい合つとき、Ｉ−ゲット８からのスパッ
タ粒子が窓５Ａから基板４の位置する方向に飛行してｕ
ｎ（、窓５Ａに枠状としたじゃへい板６が設置されてあ
り、その底壁面にスリット８が設けである。窓５Ａを通
過したスパッタ粒子はスリット８を通って基板４に向か
う。
シャッタ５をたとえば反時計方向に４５ＩＩＪ回転させ
れば、窓５Ａはターゲット８とは向か−合う位置から外
れるので、スパッタ粒子は基板４には向かっていかない
。シャッタ６を図のような位置゛まで回転させれば、ス
パッタ粒子は窓５Ａ 、スリット８を通って基板４に向
から。回転ドラムｌＯを回転させれは一各基板４上に順
次薄膜が形成されてｂ（ようになる。
れば、窓５Ａはターゲット８とは向か−合う位置から外
れるので、スパッタ粒子は基板４には向かっていかない
。シャッタ６を図のような位置゛まで回転させれば、ス
パッタ粒子は窓５Ａ 、スリット８を通って基板４に向
から。回転ドラムｌＯを回転させれは一各基板４上に順
次薄膜が形成されてｂ（ようになる。
以上詳述したよりにこの発明によれば、ターゲットの長
手方向に沿って配置される基板上へのスパッタ粒子の沈
着量を、その長手方向に沿ってｂ−ｔ’しもほぼ均一に
すること一１Ｉｉでき、したがって基板上の薄膜の厚み
をほぼ等しくすることができるよう和なり、従来忙比較
してターゲット材料を有効に使用し、生産性を向上させ
ることができるといった効果を奏する。
手方向に沿って配置される基板上へのスパッタ粒子の沈
着量を、その長手方向に沿ってｂ−ｔ’しもほぼ均一に
すること一１Ｉｉでき、したがって基板上の薄膜の厚み
をほぼ等しくすることができるよう和なり、従来忙比較
してターゲット材料を有効に使用し、生産性を向上させ
ることができるといった効果を奏する。
第１図はこの発明の実施例を示す斜視図、第２図はこの
発明の実験結果を示す特性図、第８図はこの発明の実施
態様を示す正断面図である。
発明の実験結果を示す特性図、第８図はこの発明の実施
態様を示す正断面図である。
Claims (1)
- スパッタ材料からなるターゲットと、前記ターゲットか
らのスパッタ粒子索表面に沈着される基板との間に、前
記ターゲットの長手方向に沿ってのび、その中央部分よ
り屯その両端側が広幅のスリットを有するしゃへｈ＆を
設置してなるスパッタ装置ｆ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185484A JPS60197869A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | スパツタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5185484A JPS60197869A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | スパツタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60197869A true JPS60197869A (ja) | 1985-10-07 |
Family
ID=12898444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5185484A Pending JPS60197869A (ja) | 1984-03-17 | 1984-03-17 | スパツタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60197869A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198090A (en) * | 1990-08-31 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Sputtering apparatus for producing thin films of material |
| KR100697663B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-03-20 | 세메스 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
| JP2019137895A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法 |
| EP3498881A3 (en) * | 2017-12-14 | 2019-10-30 | Miasolé Equipment Integration (Fujian) Co., Ltd. | Sputter coating device and method for solar cell |
| CN111501009A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-08-07 | 合肥市辉耀真空材料有限责任公司 | 一种多样纹路真空蒸镀彩虹膜生产装置及其镀膜工艺 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848776B2 (ja) * | 1981-08-11 | 1983-10-31 | 博 寺町 | リニヤボ−ルペアリングユニツト |
-
1984
- 1984-03-17 JP JP5185484A patent/JPS60197869A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5848776B2 (ja) * | 1981-08-11 | 1983-10-31 | 博 寺町 | リニヤボ−ルペアリングユニツト |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5198090A (en) * | 1990-08-31 | 1993-03-30 | International Business Machines Corporation | Sputtering apparatus for producing thin films of material |
| KR100697663B1 (ko) | 2005-10-27 | 2007-03-20 | 세메스 주식회사 | 유기물 증착 장치 |
| EP3498881A3 (en) * | 2017-12-14 | 2019-10-30 | Miasolé Equipment Integration (Fujian) Co., Ltd. | Sputter coating device and method for solar cell |
| JP2019137895A (ja) * | 2018-02-13 | 2019-08-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 成膜システム及び基板上に膜を形成する方法 |
| US11542592B2 (en) * | 2018-02-13 | 2023-01-03 | Tokyo Electron Limited | Film forming system and method for forming film on substrate |
| CN111501009A (zh) * | 2020-06-15 | 2020-08-07 | 合肥市辉耀真空材料有限责任公司 | 一种多样纹路真空蒸镀彩虹膜生产装置及其镀膜工艺 |
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