JP2589938Y2 - イオンビームスパッタ装置 - Google Patents
イオンビームスパッタ装置Info
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- JP2589938Y2 JP2589938Y2 JP1993047932U JP4793293U JP2589938Y2 JP 2589938 Y2 JP2589938 Y2 JP 2589938Y2 JP 1993047932 U JP1993047932 U JP 1993047932U JP 4793293 U JP4793293 U JP 4793293U JP 2589938 Y2 JP2589938 Y2 JP 2589938Y2
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- Japan
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- target
- ion beam
- assist
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- ion
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は、基板上にイオンビーム
スパッタリングにより薄膜を形成するイオンビームスパ
ッタ装置に関する。
スパッタリングにより薄膜を形成するイオンビームスパ
ッタ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のイオンビームスパッタ装置は、図
６に示す構成になっている。同図において、１は真空槽
内に傾斜して配設された薄膜形成材料のターゲット、２
はターゲット１上へイオンビームを照射するスパッタイ
オン源であり、ターゲット１に対し所定の角度を形成し
ている。３は支持板４に支持された基板であり、ターゲ
ット１に対し所定の角度を形成している。５は基板３に
イオンビームを照射するアシストイオン源であり、ター
ゲット１及びスパッタイオン源２との間に両者を避けて
配設されている。
６に示す構成になっている。同図において、１は真空槽
内に傾斜して配設された薄膜形成材料のターゲット、２
はターゲット１上へイオンビームを照射するスパッタイ
オン源であり、ターゲット１に対し所定の角度を形成し
ている。３は支持板４に支持された基板であり、ターゲ
ット１に対し所定の角度を形成している。５は基板３に
イオンビームを照射するアシストイオン源であり、ター
ゲット１及びスパッタイオン源２との間に両者を避けて
配設されている。
【０００３】そして、スパッタイオン源２より導出され
た数百〜数キロｅＶのイオンビームがターゲット１に照
射されると、イオンのスパッタリング作用によりターゲ
ット１の表面からスパッタ粒子６がたたき出され、その
ほとんどがターゲット１の表面と所定の角度をもって基
板３上に飛来し、基板３上に堆積され、薄膜が形成され
る。一方、これと同時にアシストイオン源５より導出さ
れたイオンビームが基板３に照射され、アシストイオン
７がアシストイオン源５のイオン引出面に対してほぼ垂
直に進行し、このアシストイオン７の入射効果により薄
膜の界面制御，基板３上での反応促進等の膜質制御が行
われている。
た数百〜数キロｅＶのイオンビームがターゲット１に照
射されると、イオンのスパッタリング作用によりターゲ
ット１の表面からスパッタ粒子６がたたき出され、その
ほとんどがターゲット１の表面と所定の角度をもって基
板３上に飛来し、基板３上に堆積され、薄膜が形成され
る。一方、これと同時にアシストイオン源５より導出さ
れたイオンビームが基板３に照射され、アシストイオン
７がアシストイオン源５のイオン引出面に対してほぼ垂
直に進行し、このアシストイオン７の入射効果により薄
膜の界面制御，基板３上での反応促進等の膜質制御が行
われている。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】従来の前記装置の場
合、アシストイオン源５がターゲット１とスパッタイオ
ン源２との間に配設されるという空間的配置の制約か
ら、基板３に対するアシストイオン７の照射方向とスパ
ッタ粒子６の飛来方向とが大きく異なり、アシストイオ
ン７の照射方向とスパッタ粒子６の飛来方向とを小さく
することができない。そのため、通常数十ｅＶ前後のエ
ネルギをもつスパッタ粒子６に、異なった角度から数十
〜数キロｅＶのエネルギをもつアシストイオン７を入射
させると、１方向への結晶化成長が散乱等の相互作用に
より困難になり、特に金属結晶化膜の膜質の制御を行う
のが困難になるという問題点がある。本考案は、前記の
点に留意し、アシストイオンの照射方向とスパッタ粒子
の飛来方向とを一致させ、金属結晶化膜等の膜質制御を
容易に行うイオンビームスパッタ装置を提供することを
目的とする。
合、アシストイオン源５がターゲット１とスパッタイオ
ン源２との間に配設されるという空間的配置の制約か
ら、基板３に対するアシストイオン７の照射方向とスパ
ッタ粒子６の飛来方向とが大きく異なり、アシストイオ
ン７の照射方向とスパッタ粒子６の飛来方向とを小さく
することができない。そのため、通常数十ｅＶ前後のエ
ネルギをもつスパッタ粒子６に、異なった角度から数十
〜数キロｅＶのエネルギをもつアシストイオン７を入射
させると、１方向への結晶化成長が散乱等の相互作用に
より困難になり、特に金属結晶化膜の膜質の制御を行う
のが困難になるという問題点がある。本考案は、前記の
点に留意し、アシストイオンの照射方向とスパッタ粒子
の飛来方向とを一致させ、金属結晶化膜等の膜質制御を
容易に行うイオンビームスパッタ装置を提供することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本考案のイオンビームスパッタ装置は、真空槽内
に、薄膜形成材料のターゲットと、ターゲット上へイオ
ンビームを照射するスパッタイオン源と、イオンビーム
によりターゲットからたたき出されたスパッタ粒子が堆
積され薄膜が形成される基板と、基板にイオンビームを
照射するアシストイオン源とを備え、ターゲットに開口
を形成し、ターゲットの後方にアシストイオン源を配置
し、アシストイオン源からのイオンビームを前記開口を
通して基板に照射するようにしたものである。
に、本考案のイオンビームスパッタ装置は、真空槽内
に、薄膜形成材料のターゲットと、ターゲット上へイオ
ンビームを照射するスパッタイオン源と、イオンビーム
によりターゲットからたたき出されたスパッタ粒子が堆
積され薄膜が形成される基板と、基板にイオンビームを
照射するアシストイオン源とを備え、ターゲットに開口
を形成し、ターゲットの後方にアシストイオン源を配置
し、アシストイオン源からのイオンビームを前記開口を
通して基板に照射するようにしたものである。
【０００６】
【作用】前記のように構成された本考案のイオンビーム
スパッタ装置は、ターゲットに開口を形成し、ターゲッ
トの後方にアシストイオン源を配置し、アシストイオン
源からのイオンビームを開口を通して基板に照射するよ
うにしたため、スパッタイオン源によりターゲットから
たたき出されたスパッタ粒子の飛来方向とアシストイオ
ンの照射方向とを一致させることができ、金属結晶化膜
等の膜質制御が容易に行える。
スパッタ装置は、ターゲットに開口を形成し、ターゲッ
トの後方にアシストイオン源を配置し、アシストイオン
源からのイオンビームを開口を通して基板に照射するよ
うにしたため、スパッタイオン源によりターゲットから
たたき出されたスパッタ粒子の飛来方向とアシストイオ
ンの照射方向とを一致させることができ、金属結晶化膜
等の膜質制御が容易に行える。
【０００７】
【実施例】１実施例について図１ないし図３を参照して
説明する。それらの図において、図６と同一符号は同一
もしくは相当するものを示す。８は円板状のターゲット
１の中央部に形成された円状の開口、９は支柱であり、
開口８の後方に立設され、先端部に回動自在にアシスト
イオン源５を支持している。１０は抑制板であり、ター
ゲット１の裏面とアシストイオン源５のイオン引出面と
の間に配設され、ターゲット１に入射するアシストイオ
ン源５からのイオンビームを抑制する。１１は円板状の
スパッタイオン源２に形成された環状の開口であり、イ
オン引出電極にターゲット１の形状に合った形状になっ
ている。
説明する。それらの図において、図６と同一符号は同一
もしくは相当するものを示す。８は円板状のターゲット
１の中央部に形成された円状の開口、９は支柱であり、
開口８の後方に立設され、先端部に回動自在にアシスト
イオン源５を支持している。１０は抑制板であり、ター
ゲット１の裏面とアシストイオン源５のイオン引出面と
の間に配設され、ターゲット１に入射するアシストイオ
ン源５からのイオンビームを抑制する。１１は円板状の
スパッタイオン源２に形成された環状の開口であり、イ
オン引出電極にターゲット１の形状に合った形状になっ
ている。
【０００８】そして、ターゲット１の面に対し、アシス
トイオン源５のイオン引出面を平行又は鋭角に配置し、
アシストイオン源５から開口８を通して基板３に，スパ
ッタイオン源２から開口１１を通してターゲット１に、
それぞれイオンビームを照射し、スパッタ粒子６の飛来
方向とアシストイオン７の照射方向とが一致するよう
に、アシストイオン源５のイオン引出面の角度を調整
し、金属結晶化膜等の膜質制御を行う。
トイオン源５のイオン引出面を平行又は鋭角に配置し、
アシストイオン源５から開口８を通して基板３に，スパ
ッタイオン源２から開口１１を通してターゲット１に、
それぞれイオンビームを照射し、スパッタ粒子６の飛来
方向とアシストイオン７の照射方向とが一致するよう
に、アシストイオン源５のイオン引出面の角度を調整
し、金属結晶化膜等の膜質制御を行う。
【０００９】つぎに、他の実施例について図４及び図５
を参照して説明する。１２は上下方向に平行に形成され
たターゲット、１３はターゲット１２の中央部に形成さ
れた開口、１４は四角形状のスパッタイオン源１５のイ
オン引出電極に形成された２本のスリット状の開口であ
り、ターゲット１２の形状に合った形状になっている。
を参照して説明する。１２は上下方向に平行に形成され
たターゲット、１３はターゲット１２の中央部に形成さ
れた開口、１４は四角形状のスパッタイオン源１５のイ
オン引出電極に形成された２本のスリット状の開口であ
り、ターゲット１２の形状に合った形状になっている。
【００１０】そして、アシストイオン源５から開口１３
を通して基板３に，スパッタイオン源１５から開口１４
を通してターゲット１２に、それぞれイオンビームを照
射する。この場合、開口１３の形状が上下方向であるた
め、アシストイオン７の照射方向を上下方向に自在に調
整でき、上下方向の制約がないため、大面積の基板上に
薄膜を形成することができる。
を通して基板３に，スパッタイオン源１５から開口１４
を通してターゲット１２に、それぞれイオンビームを照
射する。この場合、開口１３の形状が上下方向であるた
め、アシストイオン７の照射方向を上下方向に自在に調
整でき、上下方向の制約がないため、大面積の基板上に
薄膜を形成することができる。
【００１１】また、スパッタイオン源２，１５のイオン
引出電極の開口１１，１４をターゲット１，１２の形状
に合わせることにより、ターゲット１，１２からの漏れ
ビームがアシストイオン源５に与える影響を抑えること
ができ、ターゲット１，１２に対するスパッタイオンビ
ームの照射効率を向上することができる。
引出電極の開口１１，１４をターゲット１，１２の形状
に合わせることにより、ターゲット１，１２からの漏れ
ビームがアシストイオン源５に与える影響を抑えること
ができ、ターゲット１，１２に対するスパッタイオンビ
ームの照射効率を向上することができる。
【００１２】
【考案の効果】本考案は、以上説明したように構成され
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本考案のイ
オンビームスパッタ装置は、ターゲット１，１２に開口
８，１３を形成し、ターゲット１，１２の後方にアシス
トイオン源５を配置し、アシストイオン源５からのイオ
ンビームを開口８，１３を通して基板３に照射するよう
にしたため、スパッタイオン源２，１５によりターゲッ
ト１，１２からたたき出されたスパッタ粒子６の飛来方
向とアシストイオン７の照射方向とを一致させることが
でき、金属結晶化膜等の膜質制御を容易に行うことがで
きる。
ているため、つぎに記載する効果を奏する。本考案のイ
オンビームスパッタ装置は、ターゲット１，１２に開口
８，１３を形成し、ターゲット１，１２の後方にアシス
トイオン源５を配置し、アシストイオン源５からのイオ
ンビームを開口８，１３を通して基板３に照射するよう
にしたため、スパッタイオン源２，１５によりターゲッ
ト１，１２からたたき出されたスパッタ粒子６の飛来方
向とアシストイオン７の照射方向とを一致させることが
でき、金属結晶化膜等の膜質制御を容易に行うことがで
きる。
【図１】本考案の１実施例の一部切断正面図である。
【図２】図１の一部の右上からの斜視図である。
【図３】図１の他の一部の左側面図である。
【図４】本考案の他の実施例の右上からの斜視図であ
る。
る。
【図５】本考案の他の実施例の他の一部の左側面図であ
る。
る。
【図６】従来例の正面図である。
１ ターゲット ２ スパッタイオン源 ３ 基板 ５ アシストイオン源 ６ スパッタ粒子 ８ 開口 １２ ターゲット １３ 開口 １５ スパッタイオン源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C23C 14/00 - 14/58
Claims (1)
- 【請求項１】 真空槽内に、薄膜形成材料のターゲット
と、該ターゲット上へイオンビームを照射するスパッタ
イオン源と、前記イオンビームにより前記ターゲットか
らたたき出されたスパッタ粒子が堆積され薄膜が形成さ
れる基板と、該基板にイオンビームを照射するアシスト
イオン源とを備え、 前記ターゲットに開口を形成し、前記ターゲットの後方
に前記アシストイオン源を配置し、前記アシストイオン
源からのイオンビームを前記開口を通して前記基板に照
射するようにしたイオンビームスパッタ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993047932U JP2589938Y2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | イオンビームスパッタ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1993047932U JP2589938Y2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | イオンビームスパッタ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0715770U JPH0715770U (ja) | 1995-03-17 |
| JP2589938Y2 true JP2589938Y2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=12789151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1993047932U Expired - Fee Related JP2589938Y2 (ja) | 1993-08-11 | 1993-08-11 | イオンビームスパッタ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2589938Y2 (ja) |
-
1993
- 1993-08-11 JP JP1993047932U patent/JP2589938Y2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0715770U (ja) | 1995-03-17 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |