JPH037936Y2 - - Google Patents
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- JPH037936Y2 JPH037936Y2 JP1067484U JP1067484U JPH037936Y2 JP H037936 Y2 JPH037936 Y2 JP H037936Y2 JP 1067484 U JP1067484 U JP 1067484U JP 1067484 U JP1067484 U JP 1067484U JP H037936 Y2 JPH037936 Y2 JP H037936Y2
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- Japan
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- ion
- base material
- iron nitride
- irradiation device
- ions
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Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
(イ) 産業上の利用分野
この考案は、窒化鉄垂直磁化膜形成装置に関す
るもので、磁気テープ、磁気デイスク、磁気シー
ト等の製造に有用である。
るもので、磁気テープ、磁気デイスク、磁気シー
ト等の製造に有用である。
(ロ) 従来技術
従来の磁化膜はいわゆる水平磁化膜が一般的で
あるが、これによる磁気記録密度の限界は、近年
の要求に対して不充分であるといわれている。
あるが、これによる磁気記録密度の限界は、近年
の要求に対して不充分であるといわれている。
そこで高密度記録を可能とする媒体として、垂
直磁化膜が着目されている。すなわち垂直磁化膜
は基材面に垂直に磁性粒子の磁化容易軸を配向さ
せたものであり、記録密度を桁違いに高めること
ができる。
直磁化膜が着目されている。すなわち垂直磁化膜
は基材面に垂直に磁性粒子の磁化容易軸を配向さ
せたものであり、記録密度を桁違いに高めること
ができる。
このような垂直磁化膜の形成装置としては、マ
グネトロン・スパツタ装置や、対向ターゲツト・
スパツタ装置と称される装置が公知である。しか
し、これらの装置はプラズマ・スパツタ装置であ
り、膜厚や膜組成などの制御性において満足でき
ない点がある。
グネトロン・スパツタ装置や、対向ターゲツト・
スパツタ装置と称される装置が公知である。しか
し、これらの装置はプラズマ・スパツタ装置であ
り、膜厚や膜組成などの制御性において満足でき
ない点がある。
(ハ) 目的
この考案は、窒化鉄垂直磁化膜を制御性良く形
成しうる装置を提供することを目的とする。
成しうる装置を提供することを目的とする。
(ニ) 構成
この考案の窒化鉄垂直磁化膜形成装置は、基材
支持手段、その基材支持手段に支持された基材上
に鉄（Fe）をスパツタ蒸着させるためのイオン
ビーム・スパツタ手段およびそのスパツタ蒸着層
に窒素（Ｎ）イオンを注入するイオン注入手段を
具備して構成されるものである。これにより、基
材上にFeをスパツタ蒸着すると同時にＮイオン
を注入することで窒化鉄（Fe−Ｎ）垂直磁化膜
を形成できる。
支持手段、その基材支持手段に支持された基材上
に鉄（Fe）をスパツタ蒸着させるためのイオン
ビーム・スパツタ手段およびそのスパツタ蒸着層
に窒素（Ｎ）イオンを注入するイオン注入手段を
具備して構成されるものである。これにより、基
材上にFeをスパツタ蒸着すると同時にＮイオン
を注入することで窒化鉄（Fe−Ｎ）垂直磁化膜
を形成できる。
上記イオンビーム・スパツタ手段は、基材に面
して配置されるFeターゲツトと、そのFeターゲ
ツトに向けてAr，Xe等の不活性元素のイオンを
500eV〜5KeVに加速して照射するイオン照射装
置とからなる。
して配置されるFeターゲツトと、そのFeターゲ
ツトに向けてAr，Xe等の不活性元素のイオンを
500eV〜5KeVに加速して照射するイオン照射装
置とからなる。
上記イオン注入手段は、基材に向けてＮイオン
を10KeV〜100KeVに加速して照射するイオン照
射装置からなる。
を10KeV〜100KeVに加速して照射するイオン照
射装置からなる。
Feのスパツタ着とＮイオンの注入とを同時に
行いうるようにするために、Feの飛行空間とＮ
イオンの飛行空間の角度を変えて配置する。
行いうるようにするために、Feの飛行空間とＮ
イオンの飛行空間の角度を変えて配置する。
イオンビーム・スパツタ手段のイオン照射装置
およびイオン注入手段のイオン照射装置は、いず
れも矩形の断面のイオンビームを放射しうるバケ
ツト型とするのが、ビームの均一性の観点から、
好ましい。
およびイオン注入手段のイオン照射装置は、いず
れも矩形の断面のイオンビームを放射しうるバケ
ツト型とするのが、ビームの均一性の観点から、
好ましい。
(ホ) 実施例
第１図に示す１は、この考案の窒化鉄垂直磁化
膜形成装置の一実施例である。
膜形成装置の一実施例である。
真空槽２内に、ポリエステル・シートのごとき
基材（Ｓ）を支持する基材支持台３が設置され、
それに対向してFeターゲツト４とその支持台５
が設置され、さらにFeターゲツト４に向けられ
たスパツタ用イオン照射装置６および基材Ｓに向
けられた注入用イオン照射装置７が設置されてい
る。
基材（Ｓ）を支持する基材支持台３が設置され、
それに対向してFeターゲツト４とその支持台５
が設置され、さらにFeターゲツト４に向けられ
たスパツタ用イオン照射装置６および基材Ｓに向
けられた注入用イオン照射装置７が設置されてい
る。
スパツタ用イオン照射装置６は、Arイオンを
500eV〜5KeVに加速してFeターゲツト４に照射
しうる。
500eV〜5KeVに加速してFeターゲツト４に照射
しうる。
注入用イオン照射装置７は、Ｎイオンを、
10KeV〜100KeVに加速して基材Ｓに照射しう
る。また、基材Ｓのクリーニングのために、Ar
イオンを500eV〜5KeVで照射しうる。
10KeV〜100KeVに加速して基材Ｓに照射しう
る。また、基材Ｓのクリーニングのために、Ar
イオンを500eV〜5KeVで照射しうる。
両イオン照射装置６，７は、均一な面照射を行い
うるように、バケツト型のものである。
うるように、バケツト型のものである。
窒化鉄垂直磁化膜の製造に際しては、まず基材
Ｓに向けて注入用イオン照射装置７からArイオ
ンを500eV〜5KeVに加速して照射し、基材Ｓの
表面をクリーニングする。次いで、スパツタ用イ
オン照射装置６からFeターゲツト４に向けて、
Arイオンを500eV〜5KeVに加速して照射する。
これにより基材Ｓの表面にFeがスパツタ蒸着さ
れる。このとき同時に、注入用イオン照射装置７
から形成されつつあるスパツタ蒸着層に向けて、
Ｎイオンを10KeV〜100KeVに加速して照射す
る。これによつて基材Ｓ上に窒化鉄垂直磁化膜が
形成される。
Ｓに向けて注入用イオン照射装置７からArイオ
ンを500eV〜5KeVに加速して照射し、基材Ｓの
表面をクリーニングする。次いで、スパツタ用イ
オン照射装置６からFeターゲツト４に向けて、
Arイオンを500eV〜5KeVに加速して照射する。
これにより基材Ｓの表面にFeがスパツタ蒸着さ
れる。このとき同時に、注入用イオン照射装置７
から形成されつつあるスパツタ蒸着層に向けて、
Ｎイオンを10KeV〜100KeVに加速して照射す
る。これによつて基材Ｓ上に窒化鉄垂直磁化膜が
形成される。
(ヘ) 効果
この考案の窒化鉄垂直磁化膜形成装置によれ
ば、イオンビーム・スパツタリングでFeを、イ
オン注入によりＮイオンを制御して窒化鉄垂直磁
化膜を形成できるから、膜厚、膜組成などの制御
性が良くなつて、品質を向上できる。
ば、イオンビーム・スパツタリングでFeを、イ
オン注入によりＮイオンを制御して窒化鉄垂直磁
化膜を形成できるから、膜厚、膜組成などの制御
性が良くなつて、品質を向上できる。
さらにイオン注入の効果によつて、基材に対す
る窒化鉄垂直磁化膜の付着性を強化できる利点も
ある。
る窒化鉄垂直磁化膜の付着性を強化できる利点も
ある。
第１図はこの考案の窒化鉄垂直磁化膜形成装置
の一実施例の構成説明図である。 １……窒化鉄垂直磁化膜形成装置、２……真空
槽、３……基材支持台、４……Feターゲツト、
５……支持台、６……スパツタ用イオン照射装
置、７……注入用イオン照射装置。
の一実施例の構成説明図である。 １……窒化鉄垂直磁化膜形成装置、２……真空
槽、３……基材支持台、４……Feターゲツト、
５……支持台、６……スパツタ用イオン照射装
置、７……注入用イオン照射装置。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 １ 基材支持手段、その基材支持手段に支持され
た基材上に鉄をスパツタ蒸着させるためのイオ
ンビーム・スパツタ手段およびそのスパツタ蒸
着層に窒素イオンを注入するイオン注入手段を
具備してなり、これにより基材上に鉄をスパツ
タ蒸着すると同時に窒素イオンを注入して窒化
鉄垂直磁化膜を形成可能としたことを特徴とす
る窒化鉄垂直磁化膜形成装置。 ２ イオンビーム・スパツタ手段およびイオン注
入手段が、バケツト型イオン照射装置を含んで
なる請求の範囲第１項記載の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067484U JPS60124004U (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 窒化鉄垂直磁化膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1067484U JPS60124004U (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 窒化鉄垂直磁化膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60124004U JPS60124004U (ja) | 1985-08-21 |
| JPH037936Y2 true JPH037936Y2 (ja) | 1991-02-27 |
Family
ID=30492075
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1067484U Granted JPS60124004U (ja) | 1984-01-27 | 1984-01-27 | 窒化鉄垂直磁化膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60124004U (ja) |
-
1984
- 1984-01-27 JP JP1067484U patent/JPS60124004U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60124004U (ja) | 1985-08-21 |
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