JPS618737A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS618737A JPS618737A JP12831184A JP12831184A JPS618737A JP S618737 A JPS618737 A JP S618737A JP 12831184 A JP12831184 A JP 12831184A JP 12831184 A JP12831184 A JP 12831184A JP S618737 A JPS618737 A JP S618737A
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- JP
- Japan
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- target
- substrate
- recording medium
- magnetic recording
- film
- Prior art date
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- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａｌ 発明の技術分野
本発明はマグネトロンスパッタ法を用いて基板上に垂直
磁気記録媒体を形成する′際、この垂直磁気記録媒体の
配向性を高めた状態で成膜する方法に関する。
磁気記録媒体を形成する′際、この垂直磁気記録媒体の
配向性を高めた状態で成膜する方法に関する。
（ｂ） 従来技術と問題点
最近磁気記憶装置の分野では、水平磁気記録方式に比べ
て垂直磁気記録方式の方が記録周波数が大きくなる程、
垂直磁気記録媒体内の反磁界が水平磁気記録媒体の反磁
界より減少し、そのため高密度記録が可能であることよ
り注目されている。
て垂直磁気記録方式の方が記録周波数が大きくなる程、
垂直磁気記録媒体内の反磁界が水平磁気記録媒体の反磁
界より減少し、そのため高密度記録が可能であることよ
り注目されている。
この垂直磁気記録方式においては、磁化容易軸が膜面に
垂直方向にある磁性膜を持った垂直磁気記録媒体が必要
であり、例えばその一つに非磁性材料よりなる基板上に
、膜面に垂直方向の磁化容易軸を有するＧｏ−Ｃｒ膜（
垂直磁性膜）を形成した垂直磁気記録媒体が知られてい
る。このＧｏ−Ｃｒ垂直磁性膜を得るためには、稠密六
方構造のＣ軸を膜面に垂直方向に配向させて磁性膜を形
成する必要がある。
垂直方向にある磁性膜を持った垂直磁気記録媒体が必要
であり、例えばその一つに非磁性材料よりなる基板上に
、膜面に垂直方向の磁化容易軸を有するＧｏ−Ｃｒ膜（
垂直磁性膜）を形成した垂直磁気記録媒体が知られてい
る。このＧｏ−Ｃｒ垂直磁性膜を得るためには、稠密六
方構造のＣ軸を膜面に垂直方向に配向させて磁性膜を形
成する必要がある。
従来、このようなＧｏ−Ｃｒの磁性膜を形成する方法と
しては、磁性膜を形成すべき基板と、この磁性膜形成用
のＧｏ −Ｃｒ蒸発源とを容器内に対向配置し、容器内
を真空に排気した後、Ｇｏ−Ｃｒ蒸発源を加熱して蒸発
させ、基板上に被着させる蒸着方法があるが、この方法
では基板とその上に形成される磁性膜との間の密着性が
悪い。
しては、磁性膜を形成すべき基板と、この磁性膜形成用
のＧｏ −Ｃｒ蒸発源とを容器内に対向配置し、容器内
を真空に排気した後、Ｇｏ−Ｃｒ蒸発源を加熱して蒸発
させ、基板上に被着させる蒸着方法があるが、この方法
では基板とその上に形成される磁性膜との間の密着性が
悪い。
そこで第１図に示すようなスパッタ法により基板上に磁
性膜を形成する方法が考えられる。即ち図示するように
基板をシート状基板とした場合についてこの方法を説明
すると、供給ロール１より繰り出されたテープ状基板２
は円筒状キャン３に密着されて矢印入方向に走行し、巻
き取りロール４に巻き取られる。一方、円筒状キャン３
とＣｏ−Ｃｒのターゲット５との間にはスリット６を有
する遮蔽板７が設置されている。またこれ等の基板２、
およびターゲット５は図示しない気密容器内に設置され
、この容器内を真空に排気した後、基板２とターゲット
５間に高電圧を印加しながら、アルゴン等のスパッタ用
ガスを容器内に導入する。このスパッタ用ガスによって
、スパッタされたＣｏ−Ｃｒの原子は、このスリット６
の間を通過して走行中の基板２に付着する。このように
してスリット６の細い開口部を介してＧｏ −Ｃｒ原子
を通過させることで、基板２に対するＧｏ −Ｃｒ原子
の斜め成分を遮蔽して、ある程度膜面に垂直方向にＣ軸
配向性の高いＣｏ−Ｃｒの磁性膜を基板上に形成するこ
とが出来る。然し、通常のスパッタ方式では放電が不安
定であり、成膜速度が小さい等の欠点がある。
性膜を形成する方法が考えられる。即ち図示するように
基板をシート状基板とした場合についてこの方法を説明
すると、供給ロール１より繰り出されたテープ状基板２
は円筒状キャン３に密着されて矢印入方向に走行し、巻
き取りロール４に巻き取られる。一方、円筒状キャン３
とＣｏ−Ｃｒのターゲット５との間にはスリット６を有
する遮蔽板７が設置されている。またこれ等の基板２、
およびターゲット５は図示しない気密容器内に設置され
、この容器内を真空に排気した後、基板２とターゲット
５間に高電圧を印加しながら、アルゴン等のスパッタ用
ガスを容器内に導入する。このスパッタ用ガスによって
、スパッタされたＣｏ−Ｃｒの原子は、このスリット６
の間を通過して走行中の基板２に付着する。このように
してスリット６の細い開口部を介してＧｏ −Ｃｒ原子
を通過させることで、基板２に対するＧｏ −Ｃｒ原子
の斜め成分を遮蔽して、ある程度膜面に垂直方向にＣ軸
配向性の高いＣｏ−Ｃｒの磁性膜を基板上に形成するこ
とが出来る。然し、通常のスパッタ方式では放電が不安
定であり、成膜速度が小さい等の欠点がある。
そこで最近このような欠点を克服する方式として従来の
スパッタ法に変わってマグネトロンスパッタ法が用いら
れるようになりつつある。このマグネトロンスパッタ方
式はターゲット下部に永久磁石を埋設し、スパッタの際
のプラズマ密度を高くでき、成膜速度を大きくすること
が可能となる。
スパッタ法に変わってマグネトロンスパッタ法が用いら
れるようになりつつある。このマグネトロンスパッタ方
式はターゲット下部に永久磁石を埋設し、スパッタの際
のプラズマ密度を高くでき、成膜速度を大きくすること
が可能となる。
また基板側の電子衝撃を低減できるので、放電が安定と
なる利点がある。
なる利点がある。
ところが、第２図に示すように通常のマグネトロンスパ
ッタ法に用いるターゲット１１の形状は、直方体形状を
呈しており、このターゲット１１の内部にはリング状の
永久磁石１２が埋設されており、このリング状の永久磁
石の外側はＮ極で、内側はＳ極を呈している。このよう
なターゲット１１上に基板（図示せず）を設置し、これ
等のターゲット１１と基板間に矢印Ｂ方向に沿って電界
を印加し、真空容器内にスパッタ用ガスを導入してスパ
ッタを行うと、ターゲット１１の表面に於いて、埋設さ
れているリング状の永久磁石１２のＮ極側よりＳ極側に
対応するように漏洩磁束が矢印Ｃ方向に発生する。その
ためプラズマ中の電子がこの漏洩磁束によって、曲線１
３のように漏洩磁束の方向に沿って移動し、この電子が
何回も繰り返してターゲットに衝突するようになり、更
にスパッタガスイオンはその領域に衝突し、このリング
状の漏洩磁束が発生している領域上ではスパッタされる
量が、他のターゲットの領域よりも多くなる。この領域
を通常エロージョン領域と称し、このリング状の漏洩磁
束が発生しているエロージョン領域以外の領域では殆ど
スパッタされない。
ッタ法に用いるターゲット１１の形状は、直方体形状を
呈しており、このターゲット１１の内部にはリング状の
永久磁石１２が埋設されており、このリング状の永久磁
石の外側はＮ極で、内側はＳ極を呈している。このよう
なターゲット１１上に基板（図示せず）を設置し、これ
等のターゲット１１と基板間に矢印Ｂ方向に沿って電界
を印加し、真空容器内にスパッタ用ガスを導入してスパ
ッタを行うと、ターゲット１１の表面に於いて、埋設さ
れているリング状の永久磁石１２のＮ極側よりＳ極側に
対応するように漏洩磁束が矢印Ｃ方向に発生する。その
ためプラズマ中の電子がこの漏洩磁束によって、曲線１
３のように漏洩磁束の方向に沿って移動し、この電子が
何回も繰り返してターゲットに衝突するようになり、更
にスパッタガスイオンはその領域に衝突し、このリング
状の漏洩磁束が発生している領域上ではスパッタされる
量が、他のターゲットの領域よりも多くなる。この領域
を通常エロージョン領域と称し、このリング状の漏洩磁
束が発生しているエロージョン領域以外の領域では殆ど
スパッタされない。
（Ｃ） 発明の目的
本発明は上記したマグネトロンスパッタ装置を利用して
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁性膜を形成する際、Ｃ軸配向性良く
スパッタ成分が飛来するように、ターゲットのエロージ
ョン領域上に幅の狭いスリットを有する遮蔽板を設け、
スパッタ膜を形成する初期段階で特にＣ軸配向性を高め
た状態で成膜できるようにした新規な垂直磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とするものである。
Ｇｏ −Ｃｒ垂直磁性膜を形成する際、Ｃ軸配向性良く
スパッタ成分が飛来するように、ターゲットのエロージ
ョン領域上に幅の狭いスリットを有する遮蔽板を設け、
スパッタ膜を形成する初期段階で特にＣ軸配向性を高め
た状態で成膜できるようにした新規な垂直磁気記録媒体
の製造方法の提供を目的とするものである。
（ｄｌ 発明の構成
上記目的は、基板上にマグネトロンスパッタ法を用いて
磁性膜を形成するに際し、前記マグネトロンスパッタ用
ターゲットの一対のエロージョン領域の少なくとも一方
に対向してスパッタ原子通過用スリットを配置し、この
スリットを通過したスパッタ原子により前記基板上に磁
性膜を形成するようにした本発明の垂直磁気記録媒体の
製造方法によって達成される。
磁性膜を形成するに際し、前記マグネトロンスパッタ用
ターゲットの一対のエロージョン領域の少なくとも一方
に対向してスパッタ原子通過用スリットを配置し、この
スリットを通過したスパッタ原子により前記基板上に磁
性膜を形成するようにした本発明の垂直磁気記録媒体の
製造方法によって達成される。
（ｅ） 発明の実施例
以下、図面を用いて本発明の一実施例につき詳細に説明
する。
する。
第３図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の第１の
実施例を示す模式図、第４図は本発明の磁気記録媒体の
製造方法の第２の実施例を示す模式図、第５図は本発明
の垂直磁気記録媒体の製造方法の第３の実施例を示す模
式図、第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の
第４の実施例を示す模式図である。
実施例を示す模式図、第４図は本発明の磁気記録媒体の
製造方法の第２の実施例を示す模式図、第５図は本発明
の垂直磁気記録媒体の製造方法の第３の実施例を示す模
式図、第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の
第４の実施例を示す模式図である。
第３図に示すように本発明の磁気記録媒体の製漬方法に
おいては、Ｃｏ−Ｃｒのターゲット２１とポリエステル
樹脂よりなるシート状の基板２２の間にステンレス等に
より形成した遮蔽板２３を配設している。この遮蔽板２
３には幅の狭い１朋程度の開口幅の幅狭スリット２４を
設け、この幅狭スリット２４はターゲット２１の対向す
る一対のエロージョン領域２１Ａか２１Ｂの直上となる
ようにしている。またシート状の基板２２は供給ローラ
２５より矢印Ｆ方向に沿って供給され、キャン２６に接
触しながら巻き取りローラ２７にて連続的に巻き取られ
る。
おいては、Ｃｏ−Ｃｒのターゲット２１とポリエステル
樹脂よりなるシート状の基板２２の間にステンレス等に
より形成した遮蔽板２３を配設している。この遮蔽板２
３には幅の狭い１朋程度の開口幅の幅狭スリット２４を
設け、この幅狭スリット２４はターゲット２１の対向す
る一対のエロージョン領域２１Ａか２１Ｂの直上となる
ようにしている。またシート状の基板２２は供給ローラ
２５より矢印Ｆ方向に沿って供給され、キャン２６に接
触しながら巻き取りローラ２７にて連続的に巻き取られ
る。
このような基板２２、およびターゲット２１等を密閉容
器（図示せず）内に設置し、容器内を真空に排気して基
板２２とターゲット２３間に高電圧を印加し、容器内に
アルゴン等のスパッタ用ガスを導入する。するとターゲ
ット２１のエロージョン領域２１Ａよりスパッタされた
成分は、幅狭スリット２４を介して基板２２上に被着す
るようになるので、エロージョン領域上より基板２２上
によりスパッタされたＣ軸方向に配向性のある成分が、
更に幅狭スリット２４を介して基板上に成長するように
なる。この結果、成長膜面に対して斜め方向に成長する
成分を除去された、かつＣ軸配向性の高いＧｏ−Ｃｒの
磁性膜が形成されることになる。
器（図示せず）内に設置し、容器内を真空に排気して基
板２２とターゲット２３間に高電圧を印加し、容器内に
アルゴン等のスパッタ用ガスを導入する。するとターゲ
ット２１のエロージョン領域２１Ａよりスパッタされた
成分は、幅狭スリット２４を介して基板２２上に被着す
るようになるので、エロージョン領域上より基板２２上
によりスパッタされたＣ軸方向に配向性のある成分が、
更に幅狭スリット２４を介して基板上に成長するように
なる。この結果、成長膜面に対して斜め方向に成長する
成分を除去された、かつＣ軸配向性の高いＧｏ−Ｃｒの
磁性膜が形成されることになる。
また本発明の磁気記録媒体の製造方法の第２の実施例に
ついて第４図を用いながら説明する。本第２の実施例が
、第１の実施例と異なる点は、基板２２の巻き取り方向
に沿って所定の間隔を隔てて、遮蔽板２３に前記幅狭ス
リット２４よりも、幅の広い例えば５０ｍｍ程度の開口
幅を有する幅広のスリット３１を設けた点にある。この
ようにして、あらかじめ幅広スリット３１上を別個の遮
蔽板（図示しない）で覆い、この状態でスパッタを開始
して、スパッタ開始の初期段階においては、幅狭スリッ
ト２４を介して基板２２上にＣｏ−Ｃｒの磁性膜を例え
ば５０〜６０人の厚さで形成する。するとスパッタ開始
の初期段階で斜め方向に成長されやすい成分が除去され
たＣ軸配向性の高いスパッタ膜が予め形成される。次い
で幅広スリット３１を覆っている別個の遮蔽板を除去す
ることで、幅広スリット３１を介して基板２２上にスパ
ッタ膜が成長速度を早めた状態で形成されるので、第１
の実施例に比して高速にスパック膜が形成される利点が
ある。
ついて第４図を用いながら説明する。本第２の実施例が
、第１の実施例と異なる点は、基板２２の巻き取り方向
に沿って所定の間隔を隔てて、遮蔽板２３に前記幅狭ス
リット２４よりも、幅の広い例えば５０ｍｍ程度の開口
幅を有する幅広のスリット３１を設けた点にある。この
ようにして、あらかじめ幅広スリット３１上を別個の遮
蔽板（図示しない）で覆い、この状態でスパッタを開始
して、スパッタ開始の初期段階においては、幅狭スリッ
ト２４を介して基板２２上にＣｏ−Ｃｒの磁性膜を例え
ば５０〜６０人の厚さで形成する。するとスパッタ開始
の初期段階で斜め方向に成長されやすい成分が除去され
たＣ軸配向性の高いスパッタ膜が予め形成される。次い
で幅広スリット３１を覆っている別個の遮蔽板を除去す
ることで、幅広スリット３１を介して基板２２上にスパ
ッタ膜が成長速度を早めた状態で形成されるので、第１
の実施例に比して高速にスパック膜が形成される利点が
ある。
また本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の第３の実施
例について第５図を用いながら説明する。
例について第５図を用いながら説明する。
図示すように中央が開口されたドーナツ形状の非磁性基
板４１とＣｏ−Ｃｒのターゲット４２の間に円板状のス
テンレス等よりなる遮蔽板４３を設ける。この遮蔽板４
３には幅の狭い例えば１ｍ程度の開口部を持つ長方形の
幅狭スリット４４を、ターゲット４２のエロージョン領
域４２Ａ、４２Ｂのいずれかの直上に設置する。このよ
うにして前記した第１の実施例と同様な方法で幅狭スリ
ット４４を介してターゲット４２の成分を基板４１上に
被着させると、この幅狭スリット４４により斜め方向に
成長する成分が除去されるのでＣ軸配向性の高い磁性膜
が基板上に形成される。
板４１とＣｏ−Ｃｒのターゲット４２の間に円板状のス
テンレス等よりなる遮蔽板４３を設ける。この遮蔽板４
３には幅の狭い例えば１ｍ程度の開口部を持つ長方形の
幅狭スリット４４を、ターゲット４２のエロージョン領
域４２Ａ、４２Ｂのいずれかの直上に設置する。このよ
うにして前記した第１の実施例と同様な方法で幅狭スリ
ット４４を介してターゲット４２の成分を基板４１上に
被着させると、この幅狭スリット４４により斜め方向に
成長する成分が除去されるのでＣ軸配向性の高い磁性膜
が基板上に形成される。
また本発明の垂直磁気記録媒体の第４の実施例について
第６図を用いて説明する。第４の実施例が第３の実施例
と異なる点は、基板４１の回転方向に沿って所定の間隔
を隔てて幅狭スリット４４に対して幅の広い例えば５０
ｗ程度の開口幅を有する幅広スリット５１を、ターゲッ
ト４２のエロージョン領域４２Ｂの直上になるようにし
て遮蔽板４３に設けた点にある。このようにしてスパッ
タの初期段階において、幅広スリット５１上を他の遮蔽
板（図示せず）で覆った状態でスパッタし、基板上に斜
め方向の成長成分が除去されたＣ軸配向性の高い磁性膜
を予め５０〜６０人の厚さで形成する。次いでターゲッ
ト４２上の幅広５１を介してスパッタ膜を形成する。こ
のようにすると成長速度を早めた状態でスパッタ膜が基
板上に形成される。
第６図を用いて説明する。第４の実施例が第３の実施例
と異なる点は、基板４１の回転方向に沿って所定の間隔
を隔てて幅狭スリット４４に対して幅の広い例えば５０
ｗ程度の開口幅を有する幅広スリット５１を、ターゲッ
ト４２のエロージョン領域４２Ｂの直上になるようにし
て遮蔽板４３に設けた点にある。このようにしてスパッ
タの初期段階において、幅広スリット５１上を他の遮蔽
板（図示せず）で覆った状態でスパッタし、基板上に斜
め方向の成長成分が除去されたＣ軸配向性の高い磁性膜
を予め５０〜６０人の厚さで形成する。次いでターゲッ
ト４２上の幅広５１を介してスパッタ膜を形成する。こ
のようにすると成長速度を早めた状態でスパッタ膜が基
板上に形成される。
（ｆ） 発明の効果
以上、述べたように本発明の垂直磁気記録媒体の製造方
法によれば、基板上にスパッタ膜を形成する初期の段階
で基板の斜め方向より飛来するスパッタ成分が除去され
るので、Ｃ軸配向性の高い垂直磁気記録媒体が基板上に
形成される効果を生じる。
法によれば、基板上にスパッタ膜を形成する初期の段階
で基板の斜め方向より飛来するスパッタ成分が除去され
るので、Ｃ軸配向性の高い垂直磁気記録媒体が基板上に
形成される効果を生じる。
第１図は従来の磁気記録媒体の製造方法を示す模式図、
第２図はマグネトロンスパンタ用ターゲットの斜視図、
第３図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の第１の
実施例を示す模式図、第４図は本発明の垂直磁気記録媒
体の製造方法の第２の実施例を示す模式図、第５図は本
発明の垂直磁気記録媒体の第３の実施例を示す模式図、
第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の第４の実施例を示
す模式図である。 図に於いて、２１．４２はターゲット、２２．４１ は
基板、２３．４３は遮蔽板、２４．４４は幅狭スリット
、２５は供給ローラ、２６はキャン、２７は巻き取りロ
ーラ、３１、５１は幅広スリット、２１Ａ、 ２１Ｂ、
４２＾、４２Ｂはターゲット長手方向のエロージジン
領域、Ｆは基板の移動方向を示す矢印、Ｇは基板の回転
方向を示す矢印である。 第１図 第２図 第３図 フ７ 第４図 第 ５図 ＃Ｉ６図
第２図はマグネトロンスパンタ用ターゲットの斜視図、
第３図は本発明の垂直磁気記録媒体の製造方法の第１の
実施例を示す模式図、第４図は本発明の垂直磁気記録媒
体の製造方法の第２の実施例を示す模式図、第５図は本
発明の垂直磁気記録媒体の第３の実施例を示す模式図、
第６図は本発明の垂直磁気記録媒体の第４の実施例を示
す模式図である。 図に於いて、２１．４２はターゲット、２２．４１ は
基板、２３．４３は遮蔽板、２４．４４は幅狭スリット
、２５は供給ローラ、２６はキャン、２７は巻き取りロ
ーラ、３１、５１は幅広スリット、２１Ａ、 ２１Ｂ、
４２＾、４２Ｂはターゲット長手方向のエロージジン
領域、Ｆは基板の移動方向を示す矢印、Ｇは基板の回転
方向を示す矢印である。 第１図 第２図 第３図 フ７ 第４図 第 ５図 ＃Ｉ６図
Claims (1)
- 基板上にマグネトロンスパッタ法を用いて磁性膜を形成
するに際し、前記マグネトロンスパッタ用ターゲットの
一対のエロージョン領域の少なくとも一方に対向してス
パッタ原子通過用スリットを配置し、このスリットを通
過したスパッタ原子により前記基板上に磁性膜を形成す
るようにしたことを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12831184A JPS618737A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12831184A JPS618737A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS618737A true JPS618737A (ja) | 1986-01-16 |
Family
ID=14981630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12831184A Pending JPS618737A (ja) | 1984-06-20 | 1984-06-20 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS618737A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205136A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-24 | Fuji Sangyo Kk | 粉体処理装置 |
| JPS6467249A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Fuji Sangyo Co Ltd | Powder treatment device |
-
1984
- 1984-06-20 JP JP12831184A patent/JPS618737A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63205136A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-24 | Fuji Sangyo Kk | 粉体処理装置 |
| JPH0615030B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1994-03-02 | 冨士産業株式会社 | 粉体処理装置 |
| JPS6467249A (en) * | 1987-09-07 | 1989-03-13 | Fuji Sangyo Co Ltd | Powder treatment device |
| JPH0615031B2 (ja) * | 1987-09-07 | 1994-03-02 | 冨士産業株式会社 | 粉体処理装置 |
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