JP3038084B2 - 軟磁性薄膜の形成方法 - Google Patents
軟磁性薄膜の形成方法Info
- Publication number
- JP3038084B2 JP3038084B2 JP23147292A JP23147292A JP3038084B2 JP 3038084 B2 JP3038084 B2 JP 3038084B2 JP 23147292 A JP23147292 A JP 23147292A JP 23147292 A JP23147292 A JP 23147292A JP 3038084 B2 JP3038084 B2 JP 3038084B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thin film
- dome
- evaporation source
- soft magnetic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、軟磁性薄膜の形成方法
に関し、より詳細には、高密度磁気記録再生用の軟磁性
薄膜を用いた磁気ヘッド用の軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄
膜の形成方法に関するものである。
に関し、より詳細には、高密度磁気記録再生用の軟磁性
薄膜を用いた磁気ヘッド用の軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄
膜の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気記録媒体の高密度化にともな
いメタルテープのような高保磁力媒体が主流となって来
ている。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高
い飽和磁束導度を有するものが要求されている。そこ
で、例えば、図５に示すように、高い飽和磁束密度を有
するＦｅＡｌＳｉ合金薄膜１１を、非磁性材料からなる
基体１２上に設け、耐摩耗性を増すために、有効なトラ
ック幅として働くギャップ部分の両側に非磁性のガラス
１３を設けた構成の薄膜磁気ヘッドが知られている。前
記のような磁気ヘッド用軟磁性薄膜の形成方法において
は、高い真空度で高純度の膜を形成するため、優れた軟
磁気特性を得られやすい電子ビーム蒸着法が用いられて
いる。
いメタルテープのような高保磁力媒体が主流となって来
ている。このため磁気ヘッドに使用されるコア材料も高
い飽和磁束導度を有するものが要求されている。そこ
で、例えば、図５に示すように、高い飽和磁束密度を有
するＦｅＡｌＳｉ合金薄膜１１を、非磁性材料からなる
基体１２上に設け、耐摩耗性を増すために、有効なトラ
ック幅として働くギャップ部分の両側に非磁性のガラス
１３を設けた構成の薄膜磁気ヘッドが知られている。前
記のような磁気ヘッド用軟磁性薄膜の形成方法において
は、高い真空度で高純度の膜を形成するため、優れた軟
磁気特性を得られやすい電子ビーム蒸着法が用いられて
いる。
【０００３】図６に電子ビーム蒸着装置の概要を示す。
薄膜の形成は、フィラメント１４からでた電子ビーム１
５が蒸着源１６を過熱・蒸発させることによって蒸発源
１６の上方に配置した被成膜物１７に薄膜を形成する。
なお、その際、真空槽１８内は、圧力１×１０-6Torr
以下まで排気される。従来は、図６のように、蒸発源直
上に被成膜物１７を固定して配置していた。
薄膜の形成は、フィラメント１４からでた電子ビーム１
５が蒸着源１６を過熱・蒸発させることによって蒸発源
１６の上方に配置した被成膜物１７に薄膜を形成する。
なお、その際、真空槽１８内は、圧力１×１０-6Torr
以下まで排気される。従来は、図６のように、蒸発源直
上に被成膜物１７を固定して配置していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、従来の
ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成方法においては、蒸発源直
上に被成膜物を固定して配置していたため、被成膜物の
一回の処理量が少ないという問題点があった。
ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成方法においては、蒸発源直
上に被成膜物を固定して配置していたため、被成膜物の
一回の処理量が少ないという問題点があった。
【０００５】本発明は、このような実情に鑑みてなされ
たもので、良好な特性を有する軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金
薄膜が大面積に、特性分布なく形成するようにした軟磁
性薄膜の形成方法を提供することを目的としている。
たもので、良好な特性を有する軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金
薄膜が大面積に、特性分布なく形成するようにした軟磁
性薄膜の形成方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、電子ビームにより蒸着物質を加熱 ・ 蒸発
させる蒸発源と、該蒸発源の上方に配置され、該蒸発源
からの蒸発物質が成膜される被成膜物とを有する電子ビ
ーム蒸着法を用いた軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成
方法において、前記蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
を中心とした下向きのドームを有し、該ドームは前記蒸
発源から上方へ延ばした法線上の所定の点迄の距離をｔ
0 とし、該法線からの傾きをαとし、該αの値を逐次変
更した時にｔ 0 ×Ｃｏｓαなる式で得られる単一のドー
ムからなり、該ドーム内に沿って前記被成膜物を配置
し、該ドームを前記法線を中心に回転させながら前記蒸
発源から蒸発物質を蒸発させて前記被成膜物にＦｅＡｌ
Ｓｉ薄膜を形成させることを特徴とするものである。
成するために、電子ビームにより蒸着物質を加熱 ・ 蒸発
させる蒸発源と、該蒸発源の上方に配置され、該蒸発源
からの蒸発物質が成膜される被成膜物とを有する電子ビ
ーム蒸着法を用いた軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成
方法において、前記蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
を中心とした下向きのドームを有し、該ドームは前記蒸
発源から上方へ延ばした法線上の所定の点迄の距離をｔ
0 とし、該法線からの傾きをαとし、該αの値を逐次変
更した時にｔ 0 ×Ｃｏｓαなる式で得られる単一のドー
ムからなり、該ドーム内に沿って前記被成膜物を配置
し、該ドームを前記法線を中心に回転させながら前記蒸
発源から蒸発物質を蒸発させて前記被成膜物にＦｅＡｌ
Ｓｉ薄膜を形成させることを特徴とするものである。
【０００７】
【作用】蒸発源から垂直上方へ延ばした法線を中心とし
た下向きのドーム内に沿って被成膜物を配置し、ＦｅＡ
ｌＳｉ薄膜を形成するので、被成膜物を配置する成膜面
の面積は、従来の５倍〜１０倍となり、量産性は飛躍的
に向上する。また、蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
に対する傾きをα、蒸発源から法線方向のある点までの
距離ｔ0に対し、ｔ0×ＣＯＳαの関係を満たす位置に被
成膜物を配置し、ＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成するので、軟
磁気特性のバラツキを小さくすることが可能となり、磁
気ヘッドの特性のバラツキを抑制することが可能となる
とともに、ＦｅＡｌＳｉ薄膜の軟磁気特性を向上させる
ことが可能である。さらに、被成膜物を蒸発源から垂直
上方に延ばした法線を中心に回転させるので、ＦｅＡｌ
Ｓｉ軟磁性薄膜の特性のバラツキを極めて少なくするこ
とが可能となり、磁気ヘッドの特性のバラツキを飛躍的
に抑制することが可能となり、磁気ヘッドの歩留まりを
飛躍的に向上することが可能となる。
た下向きのドーム内に沿って被成膜物を配置し、ＦｅＡ
ｌＳｉ薄膜を形成するので、被成膜物を配置する成膜面
の面積は、従来の５倍〜１０倍となり、量産性は飛躍的
に向上する。また、蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
に対する傾きをα、蒸発源から法線方向のある点までの
距離ｔ0に対し、ｔ0×ＣＯＳαの関係を満たす位置に被
成膜物を配置し、ＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成するので、軟
磁気特性のバラツキを小さくすることが可能となり、磁
気ヘッドの特性のバラツキを抑制することが可能となる
とともに、ＦｅＡｌＳｉ薄膜の軟磁気特性を向上させる
ことが可能である。さらに、被成膜物を蒸発源から垂直
上方に延ばした法線を中心に回転させるので、ＦｅＡｌ
Ｓｉ軟磁性薄膜の特性のバラツキを極めて少なくするこ
とが可能となり、磁気ヘッドの特性のバラツキを飛躍的
に抑制することが可能となり、磁気ヘッドの歩留まりを
飛躍的に向上することが可能となる。
【０００８】
【実施例】実施例について図面を参照して以下に説明す
る。図１は、本発明による軟磁性薄膜の形成方法の一実
施例を説明するための構成図で、電子ビーム蒸着装置を
示す図である。図中、１はフィラメント、２は電子ビー
ム、３は蒸発源、４は被成膜物、５は真空槽、６はドー
ムである。薄膜の形成は、フィラメント１からでた電子
ビーム２が蒸着物質を過熱・蒸発させることによって蒸
発源３の上方に配置した被成膜物４に薄膜を形成する。
真空槽５内は、圧力１×１０-6Torr 以下まで排気され
る。被成膜物４は、蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
を中心とした下向きのドーム６内にそって配置され、Ｆ
ｅＡｌＳｉ薄膜を形成する。この方法によれば、被成膜
物４を配置する成膜面の面積（ドーム６の面積）は、従
来の５倍〜１０倍となり、量産性は飛躍的に向上する。
る。図１は、本発明による軟磁性薄膜の形成方法の一実
施例を説明するための構成図で、電子ビーム蒸着装置を
示す図である。図中、１はフィラメント、２は電子ビー
ム、３は蒸発源、４は被成膜物、５は真空槽、６はドー
ムである。薄膜の形成は、フィラメント１からでた電子
ビーム２が蒸着物質を過熱・蒸発させることによって蒸
発源３の上方に配置した被成膜物４に薄膜を形成する。
真空槽５内は、圧力１×１０-6Torr 以下まで排気され
る。被成膜物４は、蒸発源から垂直上方へ延ばした法線
を中心とした下向きのドーム６内にそって配置され、Ｆ
ｅＡｌＳｉ薄膜を形成する。この方法によれば、被成膜
物４を配置する成膜面の面積（ドーム６の面積）は、従
来の５倍〜１０倍となり、量産性は飛躍的に向上する。
【０００９】図２は、電子ビーム蒸着によって形成され
たＦｅＡｌＳｉ薄膜の組成と、軟磁気特性の一つの指標
である透磁率の関係を示す図である（透磁率は、高けれ
ば高いほど良い）。図のように、ＦｅＡｌＳｉ薄膜の特
性は組成に非常に敏感である。また、蒸着時の各成分元
素の蒸発粒の飛び方（方向性・エネルギー）はそれぞれ
異なる。そのため、被成膜物を配置するドームの形状の
決定は、非常に困難である。
たＦｅＡｌＳｉ薄膜の組成と、軟磁気特性の一つの指標
である透磁率の関係を示す図である（透磁率は、高けれ
ば高いほど良い）。図のように、ＦｅＡｌＳｉ薄膜の特
性は組成に非常に敏感である。また、蒸着時の各成分元
素の蒸発粒の飛び方（方向性・エネルギー）はそれぞれ
異なる。そのため、被成膜物を配置するドームの形状の
決定は、非常に困難である。
【００１０】図３は、本発明による軟磁性薄膜の形成方
法の他の実施例を説明するための構成図で、図中の参照
番号は図１と同様である。蒸発源３から垂直上方へ延ば
した法線上の所定の点迄の距離をｔ 0 とし、該法線から
の傾きをαとし、該αの値を逐次変更したときに、ｔ 0
×Ｃｏｓαなる式で得られる単一のドームを前記法線を
中心に形成し、該ドーム内に沿って被成膜物４を配置
し、該ドーム４を前記法線を中心に回転させることによ
って、前記被成膜物４上にＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成する
ことによってドーム外側部分ＢＣと中央部分Ａの組成分
布を抑制することができることを見いだした。表１に
は、ＣＯＳαとＣＯＳ2αに沿ってドームを作った際の
１ＭＨｚの透磁率を示す。
法の他の実施例を説明するための構成図で、図中の参照
番号は図１と同様である。蒸発源３から垂直上方へ延ば
した法線上の所定の点迄の距離をｔ 0 とし、該法線から
の傾きをαとし、該αの値を逐次変更したときに、ｔ 0
×Ｃｏｓαなる式で得られる単一のドームを前記法線を
中心に形成し、該ドーム内に沿って被成膜物４を配置
し、該ドーム４を前記法線を中心に回転させることによ
って、前記被成膜物４上にＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成する
ことによってドーム外側部分ＢＣと中央部分Ａの組成分
布を抑制することができることを見いだした。表１に
は、ＣＯＳαとＣＯＳ2αに沿ってドームを作った際の
１ＭＨｚの透磁率を示す。
【００１１】
【表１】
【００１２】この表１より、ＦｅＡｌＳｉ膜組成分布が
抑制され、透磁率のバラツキが抑制されているのがわか
る。
抑制され、透磁率のバラツキが抑制されているのがわか
る。
【００１３】図４は、本発明による軟磁性薄膜の形成方
法の更に他の実施例を説明するための構成図で、図中の
参照番号は図１と同様である。前述した図３のドームに
おける電子ビーム入射方向Ｄ側であるＢ（図３に向って
左側）とその奥側Ｃ（図３に向って右側）で組成分布が
あるのをつきとめた。手前側Ｂに対して、奥側Ｃは、Ａ
ｌが約０.８ｗｔ％少なく、Ｓｉが約０.２ｗｔ％多い。
これによって、手前側Ｂと奥側Ｃで、特性に大きな差が
生じていた。この特性差をなくすために、図４のよう
に、蒸発源３から垂直上方へ延ばした法線に対する傾き
α、及び、蒸発源３から法線方向のある点までの距離ｔ
0に対し、ｔ0×ＣＯＳαの関係を満たす位置に被成膜物
４を配置し、ＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成する。さらに同時
に、被成膜物４を固定するドーム６を、蒸発源から垂直
上方に延ばした法線を中心に回転させる。これによっ
て、ドーム型ホルダー内での特性分布はほぼ解消され
る。また、膜厚の分布についても、１％以内にすること
ができる。
法の更に他の実施例を説明するための構成図で、図中の
参照番号は図１と同様である。前述した図３のドームに
おける電子ビーム入射方向Ｄ側であるＢ（図３に向って
左側）とその奥側Ｃ（図３に向って右側）で組成分布が
あるのをつきとめた。手前側Ｂに対して、奥側Ｃは、Ａ
ｌが約０.８ｗｔ％少なく、Ｓｉが約０.２ｗｔ％多い。
これによって、手前側Ｂと奥側Ｃで、特性に大きな差が
生じていた。この特性差をなくすために、図４のよう
に、蒸発源３から垂直上方へ延ばした法線に対する傾き
α、及び、蒸発源３から法線方向のある点までの距離ｔ
0に対し、ｔ0×ＣＯＳαの関係を満たす位置に被成膜物
４を配置し、ＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成する。さらに同時
に、被成膜物４を固定するドーム６を、蒸発源から垂直
上方に延ばした法線を中心に回転させる。これによっ
て、ドーム型ホルダー内での特性分布はほぼ解消され
る。また、膜厚の分布についても、１％以内にすること
ができる。
【００１４】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように構成され
ているので、以下のような効果を奏する。すなわち、良
好な特性を有する軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜が大面積
に、特性分布なく形成することができるため、ＦｅＡｌ
Ｓｉ合金薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドが、高い量産性・
歩留まりで特性のバラキツなく製造することが可能とな
る。
ているので、以下のような効果を奏する。すなわち、良
好な特性を有する軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜が大面積
に、特性分布なく形成することができるため、ＦｅＡｌ
Ｓｉ合金薄膜を用いた薄膜磁気ヘッドが、高い量産性・
歩留まりで特性のバラキツなく製造することが可能とな
る。
【図１】本発明による軟磁性薄膜の形成方法の一実施例
を説明するための構成図である。
を説明するための構成図である。
【図２】本発明による電子ビーム蒸着によって形成され
たＦｅＡｌＳｉ薄膜の組成と、軟磁気特性の一つの指標
である透磁率の関係を示す図である。
たＦｅＡｌＳｉ薄膜の組成と、軟磁気特性の一つの指標
である透磁率の関係を示す図である。
【図３】本発明による軟磁性薄膜の形成方法の他の実施
例を示す図である。
例を示す図である。
【図４】本発明による軟磁性薄膜の形成方法の更に他の
実施例を示す図である。
実施例を示す図である。
【図５】従来の軟磁性薄膜が用いられる磁気ヘッドを示
す図である。
す図である。
【図６】従来の軟磁性薄膜の形成方法を示す図である。
１…フィラメント、２…電子ビーム、３…蒸発源、４…
被成膜物、５…真空槽、６…ドーム。
被成膜物、５…真空槽、６…ドーム。
Claims (1)
- 【請求項１】 電子ビームにより蒸着物質を加熱 ・ 蒸発
させる蒸発源と、該蒸発源の上方に配置され、該蒸発源
からの蒸発物質が成膜される被成膜物とを有する電子ビ
ーム蒸着法を用いた軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成
方法において、 前記蒸発源から垂直上方へ延ばした法線を中心とした下
向きのドームを有し、該ドームは前記蒸発源から上方へ
延ばした法線上の所定の点迄の距離をｔ 0 とし、該法線
からの傾きをαとし、該αの値を逐次変更した時にｔ 0
×Ｃｏｓαなる式で得られる単一のドームからなり、 該ドーム内に沿って前記被成膜物を配置し、該ドームを
前記法線を中心に回転させながら前記蒸発源から蒸発物
質を蒸発させて前記被成膜物にＦｅＡｌＳｉ薄膜を形成
させることを特徴とする軟磁性薄膜の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23147292A JP3038084B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 軟磁性薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23147292A JP3038084B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 軟磁性薄膜の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0660373A JPH0660373A (ja) | 1994-03-04 |
| JP3038084B2 true JP3038084B2 (ja) | 2000-05-08 |
Family
ID=16924035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23147292A Expired - Fee Related JP3038084B2 (ja) | 1992-08-06 | 1992-08-06 | 軟磁性薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3038084B2 (ja) |
-
1992
- 1992-08-06 JP JP23147292A patent/JP3038084B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 中村・石田・臼井著「集積回路技術の実際」産業図書（株）（１９８７−７−１０）Ｐ．２１４−２１６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0660373A (ja) | 1994-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0319613B2 (ja) | ||
| JP3038084B2 (ja) | 軟磁性薄膜の形成方法 | |
| US4476000A (en) | Method of making a magnetic film target for sputtering | |
| KR900001141B1 (ko) | 자기 기록매체 및 그 제조방법 | |
| JP2883334B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH0334614B2 (ja) | ||
| JP3545160B2 (ja) | 磁気ヘッド用磁性薄膜の製造方法とその磁性薄膜および磁気ヘッド | |
| JPS6158884B2 (ja) | ||
| JPS618737A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5974606A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH06251977A (ja) | 磁気ヘッド用軟磁性ＦｅＡｌＳｉ合金薄膜の形成方法 | |
| JPS609873A (ja) | スパツタ用タ−ゲツトの固定方法 | |
| JPH04328324A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS62200530A (ja) | 垂直磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS5922235A (ja) | 垂直磁気記録用媒体の製造装置 | |
| JPS60175220A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPS58102336A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH08316083A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 | |
| JPH06111322A (ja) | 蒸着装置 | |
| JPH0192369A (ja) | マグネトロンスパッタ装置、及びその装置による成膜方法 | |
| JPH0799581B2 (ja) | 磁気記録媒体の製造方法及びそれに使用する製造装置 | |
| JPH0944831A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0213370B2 (ja) | ||
| JPH08306028A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法 | |
| JPS59175036A (ja) | 磁気記録媒体の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080225 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090225 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100225 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110225 Year of fee payment: 11 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |