JPS58102336A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
- Publication number
- JPS58102336A JPS58102336A JP20221681A JP20221681A JPS58102336A JP S58102336 A JPS58102336 A JP S58102336A JP 20221681 A JP20221681 A JP 20221681A JP 20221681 A JP20221681 A JP 20221681A JP S58102336 A JPS58102336 A JP S58102336A
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- JP
- Japan
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- film
- evaporation source
- evaporation
- evaporated
- atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
Landscapes
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Thin Magnetic Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は垂直記録方式に適した磁気記録媒体の製造方法
に関する。
に関する。
畑波長記録特性の優れた磁気記録方式として、垂直記録
方式がある。この方式において、磁化容易軸が膜面に垂
直な方向と平行である記録媒体が必要となる。このよう
な媒体に信号を記録すると、残留磁１ヒは媒体の膜面に
垂直な方向を向く。しだがって、信号が短波長になるほ
ど、媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる
。
方式がある。この方式において、磁化容易軸が膜面に垂
直な方向と平行である記録媒体が必要となる。このよう
な媒体に信号を記録すると、残留磁１ヒは媒体の膜面に
垂直な方向を向く。しだがって、信号が短波長になるほ
ど、媒体内反磁界は減少し、優れた再生出力が得られる
。
現在用いられている垂直記録媒体は、非磁性基板上に直
接にあるいけパーマロイ等の軟磁１’を薄膜を介して、
ＣＯとＣｒを主成分とし垂直方向に磁ｆヒ容易軸を有す
る磁性層をスパッタリング法にまり形成したものである
。ＣＯとＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が
約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であ
り、そのＣ１ＩＴＩＩＩを膜面に対して垂直方向に配回
させることができ、かつ垂直方向の異方准磁界が反磁界
よりも大きくなる寸で飽和磁［ヒを低下させることが可
能であるので、垂直磁ｒヒ膜を実現することができる。
接にあるいけパーマロイ等の軟磁１’を薄膜を介して、
ＣＯとＣｒを主成分とし垂直方向に磁ｆヒ容易軸を有す
る磁性層をスパッタリング法にまり形成したものである
。ＣＯとＣｒを主成分としたスパッタ膜は、Ｃｒの量が
約３０重量％以下の範囲では結晶系が稠密六方構造であ
り、そのＣ１ＩＴＩＩＩを膜面に対して垂直方向に配回
させることができ、かつ垂直方向の異方准磁界が反磁界
よりも大きくなる寸で飽和磁［ヒを低下させることが可
能であるので、垂直磁ｒヒ膜を実現することができる。
しかし、スパッタリング法は磁ｉ生薄膜の形成速度が遅
いので、低コストで垂直磁ｒヒ膜を生産することが困難
である。スバ・クリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン「ヒ
する方法も含む）によれば、数１０００Ａ／Ｉ’ｌ’
という速い形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁ｒヒ１摸が得
られることを、発明者らは見出した。
いので、低コストで垂直磁ｒヒ膜を生産することが困難
である。スバ・クリング法に対し、真空蒸着法（イオン
ブレーティング法のように蒸発原子の一部をイオン「ヒ
する方法も含む）によれば、数１０００Ａ／Ｉ’ｌ’
という速い形成速度でＣｏ−Ｃｒ垂直磁ｒヒ１摸が得
られることを、発明者らは見出した。
真空蒸着法においては、基板を円筒状キャンの周側面に
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非洛に生産性よぐ得られる。
沿って移動させつつ、薄膜の形成を行なうと、テープ状
の垂直記録媒体が非洛に生産性よぐ得られる。
第１図にこのような真空蒸着装置の内部溝造の概略の一
例を示す。基板１け円筒状キャン２に沿、りて走行する
。ＣＯとＣｒを蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマ
スク５が配置されており、蒸発原子はスリットＳを通り
て基板１に付着する。
例を示す。基板１け円筒状キャン２に沿、りて走行する
。ＣＯとＣｒを蒸発源６と円筒状キャン２との間にはマ
スク５が配置されており、蒸発原子はスリットＳを通り
て基板１に付着する。
第１図に示すように、一つの蒸発源からＣＯとＣｒとを
蒸発させてＣｏ−Ｃｒ膜を作製しようとすると、Ｃｒの
蒸気圧がＣＯよりも高いのでＣｒの方が蒸発しやすぐ、
そのため基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。す
なわち、蒸着初期においてはＣｒの多いＣｏ−Ｃｒ膜が
でき、蒸着後１ｔＪ］にはＣｒの少ないＣ０−Ｃｒ膜が
できる。Ｃｏ−Ｃｒ膜において組成が異なると磁気特性
も異なるので、第１図に示すような一つの蒸発源からｃ
ｏとＣｒとを蒸発させて連続的にＣｏ−Ｃｒ膜を作製す
ることけあ寸り軽重しい方法とは言えない。
蒸発させてＣｏ−Ｃｒ膜を作製しようとすると、Ｃｒの
蒸気圧がＣＯよりも高いのでＣｒの方が蒸発しやすぐ、
そのため基板の長手方向に組成の異なる膜ができる。す
なわち、蒸着初期においてはＣｒの多いＣｏ−Ｃｒ膜が
でき、蒸着後１ｔＪ］にはＣｒの少ないＣ０−Ｃｒ膜が
できる。Ｃｏ−Ｃｒ膜において組成が異なると磁気特性
も異なるので、第１図に示すような一つの蒸発源からｃ
ｏとＣｒとを蒸発させて連続的にＣｏ−Ｃｒ膜を作製す
ることけあ寸り軽重しい方法とは言えない。
これに対して、ＣＯとＣｒとを互いに異なる蒸発源から
蒸発させる三原蒸着法によりＣｏ−Ｃｒ膜を作製すれば
、基板の長手方向に組成の均一な１莫が得られ、上述の
ような問題が解決される。すなわち、第２図に示すよう
ＶＣＣｏを蒸発させる蒸発原子とＣｒを蒸発させる蒸発
源８を用い、それぞれの蒸発源７．８の加熱装置に供給
する心力を調整することにより、任意の組成のＣｏ−Ｃ
ｒ膜が安定に得られる。しかし、このような方法でＣｏ
−Ｃｒ膜を作製すると、基板１の長手方向に組成の均一
な膜が得られるが、膜の厚み方向に関しては組成が変［
ヒする。
蒸発させる三原蒸着法によりＣｏ−Ｃｒ膜を作製すれば
、基板の長手方向に組成の均一な１莫が得られ、上述の
ような問題が解決される。すなわち、第２図に示すよう
ＶＣＣｏを蒸発させる蒸発原子とＣｒを蒸発させる蒸発
源８を用い、それぞれの蒸発源７．８の加熱装置に供給
する心力を調整することにより、任意の組成のＣｏ−Ｃ
ｒ膜が安定に得られる。しかし、このような方法でＣｏ
−Ｃｒ膜を作製すると、基板１の長手方向に組成の均一
な膜が得られるが、膜の厚み方向に関しては組成が変［
ヒする。
これについて、第３図を用いて説明する。第１図あるい
は第２図に示すような形状の蒸発源においては、蒸発源
９から距離γだけ離れ、蒸発原子の方向と法線がθだけ
傾いた基板１の面の単位面積に付着する物質の質量ｍけ
近似的に次式で表わされる。
は第２図に示すような形状の蒸発源においては、蒸発源
９から距離γだけ離れ、蒸発原子の方向と法線がθだけ
傾いた基板１の面の単位面積に付着する物質の質量ｍけ
近似的に次式で表わされる。
ここで、Ｍは決まりだ時間に蒸発した全質量、ψは蒸発
源９の法線と蒸発原子の方向とのなす角、Ｐは蒸発して
基板１に衝突した原子のうち、反射されずに基板１に残
る割合を表わす量である。第２図に示すようにＣＯの蒸
発源７とＣｒの蒸発源８とを配置すれば、形成された蒸
着膜において基板１に近い部分はＣＯが多くなり、膜表
面に近い部分ではＣｒが多くなるので、膜厚方向に組成
を均一にすること！′ｉ困難である。
源９の法線と蒸発原子の方向とのなす角、Ｐは蒸発して
基板１に衝突した原子のうち、反射されずに基板１に残
る割合を表わす量である。第２図に示すようにＣＯの蒸
発源７とＣｒの蒸発源８とを配置すれば、形成された蒸
着膜において基板１に近い部分はＣＯが多くなり、膜表
面に近い部分ではＣｒが多くなるので、膜厚方向に組成
を均一にすること！′ｉ困難である。
本発明はこのような問題点を解決したものであり、互い
に異なる蒸発源を使用してＣｏ −Ｃｒ垂直膜を作製す
る際に膜厚方向に組成がほば均一な膜を形成する方法を
提供する。
に異なる蒸発源を使用してＣｏ −Ｃｒ垂直膜を作製す
る際に膜厚方向に組成がほば均一な膜を形成する方法を
提供する。
Ｃｒは昇華するヰ質を有するために、蒸発させる際に液
体にならずに固体のままで蒸発源の中に存在する。本発
明の原理はこのことと上式で表わされる事柄とを利用し
たものである。蒸発源の法線とψの角度をなす方向の蒸
発原子の駿はＣｏ ｌｉ２ψに比例する。＠４図はこれ
を示しており、蒸発源の表面の中心０から破線１ｏ′１
での距離がψ方向における蒸発原子の量を表わしている
。ＣＯの蒸発源では、Ｃｏは液体になってから蒸発する
ために、Ｃ。
体にならずに固体のままで蒸発源の中に存在する。本発
明の原理はこのことと上式で表わされる事柄とを利用し
たものである。蒸発源の法線とψの角度をなす方向の蒸
発原子の駿はＣｏ ｌｉ２ψに比例する。＠４図はこれ
を示しており、蒸発源の表面の中心０から破線１ｏ′１
での距離がψ方向における蒸発原子の量を表わしている
。ＣＯの蒸発源では、Ｃｏは液体になってから蒸発する
ために、Ｃ。
の蒸発源を頑けても液面は傾かず、したがって、第５図
に示すように、蒸発原子の分布は蒸発源を傾けない＠４
図の場合とほぼ同じになる。これに対して、Ｃｒは昇華
するために蒸発源を傾けるとＯｒのインゴ・ソトも傾き
、その結果、蒸発原子の分布は第６図に示すようにφ第
４図の場合と異なり傾すたものとなる。したがって、Ｃ
ＯとＣｒを互いに独立しだ蒸発源から蒸発させる場合に
、Ｃｒの蒸発源を傾けてやれば、基板上の各部分に飛来
するＣｏ原子とＣｒ原子の比をほぼ均一にすることがで
きる。
に示すように、蒸発原子の分布は蒸発源を傾けない＠４
図の場合とほぼ同じになる。これに対して、Ｃｒは昇華
するために蒸発源を傾けるとＯｒのインゴ・ソトも傾き
、その結果、蒸発原子の分布は第６図に示すようにφ第
４図の場合と異なり傾すたものとなる。したがって、Ｃ
ＯとＣｒを互いに独立しだ蒸発源から蒸発させる場合に
、Ｃｒの蒸発源を傾けてやれば、基板上の各部分に飛来
するＣｏ原子とＣｒ原子の比をほぼ均一にすることがで
きる。
すなわち、第７図に示すように、Ｃｒの蒸発源８を傾け
ることにより、点Ｂ１．Ｂ２、Ｂ３ｖＣおけるＣｏ原子
とＣｒ原子の付着する割合をほぼ等しくすることができ
るので、円筒状キャン２の周側面を移動している基板１
に蒸着を行なった場合には、膜厚方向に、ｍ５ｙ、のほ
ぼ等しいＣｏ−Ｃｒ膜を作製するこ七ができる。実際に
連続的にＣｏ−Ｃｒ膜を作製したところ、膜厚方向の組
戎変［ヒを６％以内にすることが可能であった。これに
対し＠２図のよｐな配置でけ膜厚方向の組成液比を５０
％以内にすることが困難であった。
ることにより、点Ｂ１．Ｂ２、Ｂ３ｖＣおけるＣｏ原子
とＣｒ原子の付着する割合をほぼ等しくすることができ
るので、円筒状キャン２の周側面を移動している基板１
に蒸着を行なった場合には、膜厚方向に、ｍ５ｙ、のほ
ぼ等しいＣｏ−Ｃｒ膜を作製するこ七ができる。実際に
連続的にＣｏ−Ｃｒ膜を作製したところ、膜厚方向の組
戎変［ヒを６％以内にすることが可能であった。これに
対し＠２図のよｐな配置でけ膜厚方向の組成液比を５０
％以内にすることが困難であった。
なお、 Ｃｒの蒸発源を傾ける方法として、その全体を
傾けずに、第８図に示すようにＣｒのインゴット１１０
表面のみを傾けても、上述と同じ効果を得ることができ
る。
傾けずに、第８図に示すようにＣｒのインゴット１１０
表面のみを傾けても、上述と同じ効果を得ることができ
る。
以上のように、本発明によれば、ＣＯとＣｒを互いに異
なる蒸見源から蒸発させて、移動している基板上に蒸着
させるに際して、Ｃｒの蒸発源を傾けているので、長手
方向と膜厚方向にほぼ均一の組成のＣｏ−Ｃｒ垂直磁［
ヒ膜を得ることができる。
なる蒸見源から蒸発させて、移動している基板上に蒸着
させるに際して、Ｃｒの蒸発源を傾けているので、長手
方向と膜厚方向にほぼ均一の組成のＣｏ−Ｃｒ垂直磁［
ヒ膜を得ることができる。
第１図は磁気記録媒体を製造するだめの連続蒸着装置の
内部の構成の一例を示す図、第２図は同じく三原蒸着に
よる装置の内部の構成の一例を示す図、＠３図から＠６
図１では本発明の方法の原理を説明するだめの図、第７
図は本究明の方法を実砲するだめの連続蒸着装置の内部
の構成の例を示す図、＠８図は同じく他の一例を示す図
である。 第 １ 図 ？ 第２図 ？ ７１４陣１汐
内部の構成の一例を示す図、第２図は同じく三原蒸着に
よる装置の内部の構成の一例を示す図、＠３図から＠６
図１では本発明の方法の原理を説明するだめの図、第７
図は本究明の方法を実砲するだめの連続蒸着装置の内部
の構成の例を示す図、＠８図は同じく他の一例を示す図
である。 第 １ 図 ？ 第２図 ？ ７１４陣１汐
Claims (1)
- 磁［ヒ容易軸が膜面に垂直方向にあるＣＯとＣｒを主成
分とする磁性層を、ＣＯとＣｒを互いに異なる蒸発源か
ら蒸発させて、移動しつつある基板上に形成する際に、
前記Ｃｒの蒸宛源を傾けることを特徴とする磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221681A JPS58102336A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20221681A JPS58102336A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58102336A true JPS58102336A (ja) | 1983-06-17 |
Family
ID=16453879
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20221681A Pending JPS58102336A (ja) | 1981-12-14 | 1981-12-14 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58102336A (ja) |
-
1981
- 1981-12-14 JP JP20221681A patent/JPS58102336A/ja active Pending
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