JPS5918625A - 薄膜製造方法 - Google Patents
薄膜製造方法Info
- Publication number
- JPS5918625A JPS5918625A JP12750782A JP12750782A JPS5918625A JP S5918625 A JPS5918625 A JP S5918625A JP 12750782 A JP12750782 A JP 12750782A JP 12750782 A JP12750782 A JP 12750782A JP S5918625 A JPS5918625 A JP S5918625A
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- JP
- Japan
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- substrate
- voltage
- target
- thin film
- power supply
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- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/14—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates
- H01F41/18—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by cathode sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/32—Vacuum evaporation by explosion; by evaporation and subsequent ionisation of the vapours, e.g. ion-plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は薄膜の製造方法に係り、特に膜厚方向に周期的
あるいは層状に組成が変動する薄膜の製造方法に関する
。さらには大きな保持力Ｈｃ＝２有する磁性薄膜の製造
方法に関する。
あるいは層状に組成が変動する薄膜の製造方法に関する
。さらには大きな保持力Ｈｃ＝２有する磁性薄膜の製造
方法に関する。
従来、高周波スパッタリングによる薄膜の製造、特にＱ
ｄＣｏ、’Ｊ’ｂｐｅ２代表とする磁性薄膜の製造にお
いては所望の磁気特性をもつ膜を得る場合、基板に直流
バイアス電圧ｖＤＣ（ｉ−印加してきた。しかしこの方
法では磁気特性上重要な量でおる保持力ＨＣ’に顕著に
増大させることはできず、たとえば熱磁気書込み素子に
用いる材料とするうえで大きな制約となっていた。
ｄＣｏ、’Ｊ’ｂｐｅ２代表とする磁性薄膜の製造にお
いては所望の磁気特性をもつ膜を得る場合、基板に直流
バイアス電圧ｖＤＣ（ｉ−印加してきた。しかしこの方
法では磁気特性上重要な量でおる保持力ＨＣ’に顕著に
増大させることはできず、たとえば熱磁気書込み素子に
用いる材料とするうえで大きな制約となっていた。
本発明の目的は膜厚方向に周期的あるいは層状に組成が
変動する薄膜製造方法全提供することにある。特に磁性
膜においては保持力）（Ｃの大きい膜の製造方法を提供
することにある。
変動する薄膜製造方法全提供することにある。特に磁性
膜においては保持力）（Ｃの大きい膜の製造方法を提供
することにある。
この目的を達成するため、本発明では基板に直流基板バ
イアス電圧ＶＤＣを印加すると同時に交流基板バイアス
電圧ＶＡＣもしくはパルス基板バイアスｙｐを印加する
ことにょシ膜育成過程において膜厚方向に周期的に組成
が変動する磁性膜とし、膜全体の保持力Ｈｃ ’６実効
的にきわめて大きいものとすることができた。
イアス電圧ＶＤＣを印加すると同時に交流基板バイアス
電圧ＶＡＣもしくはパルス基板バイアスｙｐを印加する
ことにょシ膜育成過程において膜厚方向に周期的に組成
が変動する磁性膜とし、膜全体の保持力Ｈｃ ’６実効
的にきわめて大きいものとすることができた。
以下、本発明を実施例で詳細に説明する。第１図は本方
法に用いる高周波スパッタリング装置の基本構成金示し
ている。ターゲット台５の上に設置されたターゲット４
は高周波電源３に接続されている。一方基板６は基板ボ
ルダ７′ｆｆ：介して直流電源２さらに交流電源１から
バイアス電圧を供給されている。実施例１として、Ａｒ
圧５ＸＩＱ−３ＴＯｒｒ 、 １３．５７ＭＨＺ １０
０ Ｗ（Ｄ高周波電力、１０５ｔｔｔｙｎ直径のＧｄ
２５ Ｃｏ ７８合金１−ゲッ）、５゜陥直径のシリコ
ン基板、−５０ボルトの直流基板バイアス電圧ＶＤＣの
条件下で０． Ｉ ＨＺの交流基板バイアス電圧ＶＡＣ
を変えて作製した膜の保持力ＨＣ’ｔ−第２図に示す。
法に用いる高周波スパッタリング装置の基本構成金示し
ている。ターゲット台５の上に設置されたターゲット４
は高周波電源３に接続されている。一方基板６は基板ボ
ルダ７′ｆｆ：介して直流電源２さらに交流電源１から
バイアス電圧を供給されている。実施例１として、Ａｒ
圧５ＸＩＱ−３ＴＯｒｒ 、 １３．５７ＭＨＺ １０
０ Ｗ（Ｄ高周波電力、１０５ｔｔｔｙｎ直径のＧｄ
２５ Ｃｏ ７８合金１−ゲッ）、５゜陥直径のシリコ
ン基板、−５０ボルトの直流基板バイアス電圧ＶＤＣの
条件下で０． Ｉ ＨＺの交流基板バイアス電圧ＶＡＣ
を変えて作製した膜の保持力ＨＣ’ｔ−第２図に示す。
この図に示すようにｌ（ＣはＶＡＣの増加とともに顕著
に増大し、ＶＡＣ＝３０ｖｏｔｔではＶＡｃ＝ □ ｖ
ｏｔｔ ｔ７）場合に較べ一桁以上も大きくなった。こ
れは交流基板バイアス電圧によｐＱｄとＣＯのそれぞれ
のスパッタ率が変化し、その結果膜厚方向にＱｄとＣＯ
の周期的組成変動が生じたためである。
に増大し、ＶＡＣ＝３０ｖｏｔｔではＶＡｃ＝ □ ｖ
ｏｔｔ ｔ７）場合に較べ一桁以上も大きくなった。こ
れは交流基板バイアス電圧によｐＱｄとＣＯのそれぞれ
のスパッタ率が変化し、その結果膜厚方向にＱｄとＣＯ
の周期的組成変動が生じたためである。
第３図にイオンマイクロ分析法でＱｄの組成量の深さ方
向の変動を示す。さらに実施例２として第４図に示すよ
うなパルス的な基板バイアス電圧ｖＰｔ印加した場合の
ＨＣの増大を第５図に示す。
向の変動を示す。さらに実施例２として第４図に示すよ
うなパルス的な基板バイアス電圧ｖＰｔ印加した場合の
ＨＣの増大を第５図に示す。
この場合、パルスが印加された時だけ組成の異なる層が
被着され、全体として多層のサンドイッチ組成構造とな
シ、膜全体のＨｃが実効的に増大した。さらに本方法を
垂直磁化を有するＣ０Ｃｒ薄膜の製造にも適用したが同
様に保持力Ｈｃが顕著に増大するのが認められた。
被着され、全体として多層のサンドイッチ組成構造とな
シ、膜全体のＨｃが実効的に増大した。さらに本方法を
垂直磁化を有するＣ０Ｃｒ薄膜の製造にも適用したが同
様に保持力Ｈｃが顕著に増大するのが認められた。
本発明によれば膜厚方向に周期的あるいは層状に組成が
変動する薄膜を容易に製造することができる。特に磁性
薄膜においては保持力ＨＣが顕著に増大し、熱磁気書込
み記録、垂直磁気記録に好適な材料を製造することがで
きる。また本発明においては直流基板バイアス電圧ＶＤ
Ｃがゼロの場合にも交流基板バイアス電圧ＶＡＣの効果
により目的が達成できることは自明である。また本発明
は薄膜の製造方法に関するものであり磁性膜以外の一般
の薄膜の製造方法にも適用できることは自明である。
変動する薄膜を容易に製造することができる。特に磁性
薄膜においては保持力ＨＣが顕著に増大し、熱磁気書込
み記録、垂直磁気記録に好適な材料を製造することがで
きる。また本発明においては直流基板バイアス電圧ＶＤ
Ｃがゼロの場合にも交流基板バイアス電圧ＶＡＣの効果
により目的が達成できることは自明である。また本発明
は薄膜の製造方法に関するものであり磁性膜以外の一般
の薄膜の製造方法にも適用できることは自明である。
図はすべて本発明の一実施例の図面で、第１図は直交流
基板バイアススパッタ装置の配置図、第２図は保持力Ｈ
，ｃと交流基板バイアス電圧ＶＡＣとの関係図、第３図
はイオンマイクロ分析法で測定したＱｄ含有量の深さ方
向分布図、第４図はパルス基板バイアス電圧の説明図、
第５図は保持力Ｈｃとパルス基板バイアス電圧Ｖｐの関
係図である。 １・・・交流またはパルスバイアス電源、２・・・直流
バイアス電源、３・・・高周波電源、４・・・スパッタ
ターゲット、５・・・ターゲットホルダ、６・・・基板
、７・・・第 ３［２１］ 月浜：表市力゛ものシ京３（Ａｏ） ｙｆＩ４ 図 吟 関（＋） 第 ５ 回
基板バイアススパッタ装置の配置図、第２図は保持力Ｈ
，ｃと交流基板バイアス電圧ＶＡＣとの関係図、第３図
はイオンマイクロ分析法で測定したＱｄ含有量の深さ方
向分布図、第４図はパルス基板バイアス電圧の説明図、
第５図は保持力Ｈｃとパルス基板バイアス電圧Ｖｐの関
係図である。 １・・・交流またはパルスバイアス電源、２・・・直流
バイアス電源、３・・・高周波電源、４・・・スパッタ
ターゲット、５・・・ターゲットホルダ、６・・・基板
、７・・・第 ３［２１］ 月浜：表市力゛ものシ京３（Ａｏ） ｙｆＩ４ 図 吟 関（＋） 第 ５ 回
Claims (1)
- １、高周波スパッタリングで薄膜を製造する方法におい
て、基板に直流電圧全印加すると同時にさらに交流電圧
もしくはパルス電圧を印加することを特徴とする薄膜製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750782A JPS5918625A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 薄膜製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12750782A JPS5918625A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 薄膜製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5918625A true JPS5918625A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14961696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12750782A Pending JPS5918625A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 薄膜製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5918625A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199672A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-17 | ラモツト・ユニヴア−シテイ・オ−ソリテイ−・フオ−・アプライド・リサ−チ・エンド・インダストリアル・デイヴエロプメント・リミテツド | 被加工物の表面処理方法 |
| WO1987007651A1 (en) * | 1986-06-06 | 1987-12-17 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JPS6314409A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜 |
| US6348238B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-02-19 | Anelva Corporation | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP12750782A patent/JPS5918625A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6199672A (ja) * | 1984-04-12 | 1986-05-17 | ラモツト・ユニヴア−シテイ・オ−ソリテイ−・フオ−・アプライド・リサ−チ・エンド・インダストリアル・デイヴエロプメント・リミテツド | 被加工物の表面処理方法 |
| WO1987007651A1 (en) * | 1986-06-06 | 1987-12-17 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor manufacturing apparatus |
| US4874494A (en) * | 1986-06-06 | 1989-10-17 | Tadahiro Ohmi | Semiconductor manufacturing apparatus |
| JPS6314409A (ja) * | 1986-07-07 | 1988-01-21 | Hitachi Ltd | 積層磁性体膜 |
| US6348238B1 (en) | 1999-03-12 | 2002-02-19 | Anelva Corporation | Thin film fabrication method and thin film fabrication apparatus |
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