JPS6379253A - 光磁気材料 - Google Patents
光磁気材料Info
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- JPS6379253A JPS6379253A JP22361486A JP22361486A JPS6379253A JP S6379253 A JPS6379253 A JP S6379253A JP 22361486 A JP22361486 A JP 22361486A JP 22361486 A JP22361486 A JP 22361486A JP S6379253 A JPS6379253 A JP S6379253A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気光学効果を利用した光磁気記録用材料に係
り、特に、カー回転角の大きな光磁気材料に関する。
り、特に、カー回転角の大きな光磁気材料に関する。
光磁気記録用の材料はＭｎＢ１ＭｎＣｕＢ１等の多結晶
膜希土類−遷移金属非晶質膜、ガーネット、バリウムフ
ェライト等が開発されている。しかし、性能改善、とく
に、カー回転角θにの大きい材料の開発が望まれている
。最近、Ｅｎｇｅｎ等により見いだされたＰｔＭｎＳｂ
ホイスラ合金は、バルクの状態でθに＝１．２７度（波
長人＝７２０ｎｍ、外部磁界〜１２ＫＯｅ）という大き
なカー回転角を示し、新しい光磁気材料として注目され
ている。このような観点から、光磁気記録用の材料とし
てＰｔＭｎＳｂホイスラ合金の薄膜化が進められている
。
膜希土類−遷移金属非晶質膜、ガーネット、バリウムフ
ェライト等が開発されている。しかし、性能改善、とく
に、カー回転角θにの大きい材料の開発が望まれている
。最近、Ｅｎｇｅｎ等により見いだされたＰｔＭｎＳｂ
ホイスラ合金は、バルクの状態でθに＝１．２７度（波
長人＝７２０ｎｍ、外部磁界〜１２ＫＯｅ）という大き
なカー回転角を示し、新しい光磁気材料として注目され
ている。このような観点から、光磁気記録用の材料とし
てＰｔＭｎＳｂホイスラ合金の薄膜化が進められている
。
これまでは、日本応用磁気学会誌Ｖｏ Ｑ １０．Ｎｏ
２（１９８６） ＰＰ１９１〜１９４に記載の様に膜の
作製はスパッタリング法で行なわれている。スパッタリ
ング法の場合、１０−’Ｔｏｒｒ前後のＡｒガス雰囲気
中の膜形成であり、膜形成時のＡｒガス雰囲気の影響で
結晶性に優れた膜を形成できない、また、膜の構造も均
一な柱状構造とならないため、面内に磁化容易軸をもつ
面内磁化膜となっている。 ＰｔＭｎＳｂ膜を光磁気記
録に用いるには、垂直磁化膜とすることが不可欠である
。ところが、積極的に垂直磁化膜とするような下地膜材
料及び垂直磁化膜となるような膜作製方法については考
慮されていなかった。
２（１９８６） ＰＰ１９１〜１９４に記載の様に膜の
作製はスパッタリング法で行なわれている。スパッタリ
ング法の場合、１０−’Ｔｏｒｒ前後のＡｒガス雰囲気
中の膜形成であり、膜形成時のＡｒガス雰囲気の影響で
結晶性に優れた膜を形成できない、また、膜の構造も均
一な柱状構造とならないため、面内に磁化容易軸をもつ
面内磁化膜となっている。 ＰｔＭｎＳｂ膜を光磁気記
録に用いるには、垂直磁化膜とすることが不可欠である
。ところが、積極的に垂直磁化膜とするような下地膜材
料及び垂直磁化膜となるような膜作製方法については考
慮されていなかった。
上記した従来技術は、ＰｔＭｎＳｂ薄膜を光磁気記録用
薄膜として用いるに不可欠な垂直磁化膜とするような下
地膜材料及びその形成方法並びにＰｔＭｎＳｂ膜の形成
方法については考慮がされておらず、光磁気記録用に利
用するには問題があった。
薄膜として用いるに不可欠な垂直磁化膜とするような下
地膜材料及びその形成方法並びにＰｔＭｎＳｂ膜の形成
方法については考慮がされておらず、光磁気記録用に利
用するには問題があった。
本発明の目的は、ＰｔＭｎＳｂ薄膜をカー回転角が大で
、かつ、垂直磁化膜とするに好適な下地膜材料及びその
形成方法並びにＰｔＭｎ５ｂｌｌｌｌの形成方法を提供
することにある。
、かつ、垂直磁化膜とするに好適な下地膜材料及びその
形成方法並びにＰｔＭｎ５ｂｌｌｌｌの形成方法を提供
することにある。
Ｃ゛問題点を解決するための手段〕
上記目的は、下地膜材料としてＴｉ、Ｚｒ。
Ｓｉ、Ｇａｓ Ｓｂ、Ｂｉのうちいずれか一つの元素を
用い、下地膜を真空度が１０−”Ｔｏｒｒ以下の超高真
空蒸着法で作製し、その後、大気中にさらすことなく引
続き、超高真空中で、基板面に対し垂直方向の磁場印加
を行いながらＰｔＭｎＳｂ膜を形成することにより達成
される。
用い、下地膜を真空度が１０−”Ｔｏｒｒ以下の超高真
空蒸着法で作製し、その後、大気中にさらすことなく引
続き、超高真空中で、基板面に対し垂直方向の磁場印加
を行いながらＰｔＭｎＳｂ膜を形成することにより達成
される。
第１図に本発明の膜構成を示する基板１上に、Ｔｉ、Ｚ
ｒ＊ Ｓｘｇ Ｇｅ、ｓｂ、Ｂｉのうちいずれか一つの
元素を用いた下地膜２を膜厚０．０３〜０．３μｍの範
囲で、真空度ｌＯ″”Ｔｏｒｒ以下で蒸着する。その後
、ひき続いて、下地膜の上に、真空度１０””Ｔｏｒｒ
以下で基板面に対し垂直方向に磁場数ガラス以上を印加
しながら、ＰｔＭｎＳｂ合金膜３を膜厚０．１〜０．５
μｍの範囲で形成する。その後、５ｉｎｓ、 １Ｑｚｏ
ａ＋等の保護１ｌ１４を形成する。
ｒ＊ Ｓｘｇ Ｇｅ、ｓｂ、Ｂｉのうちいずれか一つの
元素を用いた下地膜２を膜厚０．０３〜０．３μｍの範
囲で、真空度ｌＯ″”Ｔｏｒｒ以下で蒸着する。その後
、ひき続いて、下地膜の上に、真空度１０””Ｔｏｒｒ
以下で基板面に対し垂直方向に磁場数ガラス以上を印加
しながら、ＰｔＭｎＳｂ合金膜３を膜厚０．１〜０．５
μｍの範囲で形成する。その後、５ｉｎｓ、 １Ｑｚｏ
ａ＋等の保護１ｌ１４を形成する。
以下、本発明の実施例につき、図面を用いて説明する。
なお、Ｐｔｘ（ＭｎＳｂ）ｙの組成はｘ＝２５〜３５
ｍ ’ｔ ＝ ６５〜７５ ａ ｔ％、Ｍｎとｓｂは約
１：１である。
ｍ ’ｔ ＝ ６５〜７５ ａ ｔ％、Ｍｎとｓｂは約
１：１である。
第２図は下地膜なしで、ＰｔＭｎＳｂ膜を形成した場合
と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉを下地膜とし
て、その上にＰｔＭｎＳｂ膜を形成した場合の、ＰｔＭ
ｎＳｂ膜のＸ線回折より求めた１１１面の配向強度、及
び、ＰｔＭｎＳｂ膜のカー回転角θにを示す、膜形成は
、いずれも、真空度１０−’Ｔｏｒｒ以下での電子ビー
ム蒸着である。第２図に示すように、下地膜なしの場合
に比較して、下地膜を設けた場合、１１１面の配向強度
は強くなり、基板面内に平行な面方向に１１１面が優先
配向した膜となっている。この時、カー回転角θには１
１０配向強度と対応している。下地膜を設けると、Ｐｔ
ＭｎＳｂ膜の結晶性が良くなり、カー回転角も大きくな
るという効果がある。
と、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｂｉを下地膜とし
て、その上にＰｔＭｎＳｂ膜を形成した場合の、ＰｔＭ
ｎＳｂ膜のＸ線回折より求めた１１１面の配向強度、及
び、ＰｔＭｎＳｂ膜のカー回転角θにを示す、膜形成は
、いずれも、真空度１０−’Ｔｏｒｒ以下での電子ビー
ム蒸着である。第２図に示すように、下地膜なしの場合
に比較して、下地膜を設けた場合、１１１面の配向強度
は強くなり、基板面内に平行な面方向に１１１面が優先
配向した膜となっている。この時、カー回転角θには１
１０配向強度と対応している。下地膜を設けると、Ｐｔ
ＭｎＳｂ膜の結晶性が良くなり、カー回転角も大きくな
るという効果がある。
次に、第３図、第４図を用いて、蒸着時に真空度の影響
について説明する。第３図は超高真空中蒸着装置を示す
、基板導入、搬出室５１分析室６゜膜成長室９の王室構
成である０分析室６と層成室長９はゲート弁７で仕切ら
れている。基板１は基板回転マニプレータ１１に取付け
られている。膜成長室９には複数の電子ビーム蒸発源８
（図では一個のみ記載）が設けられている。第４図にお
いて、第３図の膜成長室における蒸着中の真空度とＰｔ
ＭｎＳｂ膜の１１１面配向強度及びカー回転角θにとの
関係を示す、 ＰｔＭｎＳｂ膜は同時蒸着で作製した。
について説明する。第３図は超高真空中蒸着装置を示す
、基板導入、搬出室５１分析室６゜膜成長室９の王室構
成である０分析室６と層成室長９はゲート弁７で仕切ら
れている。基板１は基板回転マニプレータ１１に取付け
られている。膜成長室９には複数の電子ビーム蒸発源８
（図では一個のみ記載）が設けられている。第４図にお
いて、第３図の膜成長室における蒸着中の真空度とＰｔ
ＭｎＳｂ膜の１１１面配向強度及びカー回転角θにとの
関係を示す、 ＰｔＭｎＳｂ膜は同時蒸着で作製した。
下地膜としてＧｅ膜を用いた場合である。第４図よりカ
ー回転角を大きくするには、高真空で蒸着することが重
要である。なお、他の下地膜の場合でも同様な傾向であ
った。
ー回転角を大きくするには、高真空で蒸着することが重
要である。なお、他の下地膜の場合でも同様な傾向であ
った。
次に、第５図を用いて、下地膜の有無、外部磁場の有無
の影響とＰｔＭｎＳｂ膜の磁化曲線との関係について述
べる。蒸着時の真空度は１０’″’Ｔｏｒｒ以下である
。磁化曲線は、いずれも、膜面に垂直方向に磁場印加し
て測定した。第５図（ａ）は下地膜なしの場合で、十分
な垂直磁化膜となっていない。
の影響とＰｔＭｎＳｂ膜の磁化曲線との関係について述
べる。蒸着時の真空度は１０’″’Ｔｏｒｒ以下である
。磁化曲線は、いずれも、膜面に垂直方向に磁場印加し
て測定した。第５図（ａ）は下地膜なしの場合で、十分
な垂直磁化膜となっていない。
これに対し、（ｂ）のＧｅ下地膜の場合、（ａ）より垂
直磁化膜になっているが、十分でない、これらに対し、
第３図の磁場印加部１０で基板１に対し垂直方向に磁場
を加えながら作製した膜の磁化曲線を（ｃ）に示すが、
良好な垂直磁化膜となっていることがわかる。なお、第
３図の基板に対する磁場印加は基板に対し、中空円筒状
の永久磁石を設けて行なっている。
直磁化膜になっているが、十分でない、これらに対し、
第３図の磁場印加部１０で基板１に対し垂直方向に磁場
を加えながら作製した膜の磁化曲線を（ｃ）に示すが、
良好な垂直磁化膜となっていることがわかる。なお、第
３図の基板に対する磁場印加は基板に対し、中空円筒状
の永久磁石を設けて行なっている。
以上の実施例によ九ば、カー回転角が大で、垂電磁化膜
となるＰｔＭｎＳｂ膜を形成できるという効果がある。
となるＰｔＭｎＳｂ膜を形成できるという効果がある。
また、ＰｔＭｎＳｂ膜の作製は、Ｐｔ、Ｍｎ。
ｓｂ材料を各々の電子ビーム蒸着源から、蒸発させる同
時蒸着法であった。第６図は、ＰｔＭｎ５ｂｌｌｌの作
製をＭｎとｓｂの同時蒸着とｐｔのみの蒸着をくり返す
ことによって行なう方法である。Ｍｎとｓｂを同時蒸着
すると六方晶系のＭｎＳｂ合金１２が形成され、この合
金は六方晶系でＣ軸配向性が強い、その後、Ｐｔ１３を
蒸着して、ＰｔＭｎＳｂ膜としたものである。各ＭｎＳ
ｂ層の厚さは１０ｎｍ以下、各ｐｔ層の厚さは５ｎｍ以
下である。この場合、Ｍｎ５ｂ１膜の゛Ｃ軸優先配向に
よって、垂直磁化膜となる。
時蒸着法であった。第６図は、ＰｔＭｎ５ｂｌｌｌの作
製をＭｎとｓｂの同時蒸着とｐｔのみの蒸着をくり返す
ことによって行なう方法である。Ｍｎとｓｂを同時蒸着
すると六方晶系のＭｎＳｂ合金１２が形成され、この合
金は六方晶系でＣ軸配向性が強い、その後、Ｐｔ１３を
蒸着して、ＰｔＭｎＳｂ膜としたものである。各ＭｎＳ
ｂ層の厚さは１０ｎｍ以下、各ｐｔ層の厚さは５ｎｍ以
下である。この場合、Ｍｎ５ｂ１膜の゛Ｃ軸優先配向に
よって、垂直磁化膜となる。
２さ＼らに、第７図は、Ｍｎ１５，５ｂ１６．Ｐｔｌフ
−を順次積層した場合を示す、各層の厚さは１０ｎ＋ｓ
以下である１以上の第６図、第７図の場合、ｐｔ−Ｍｎ
Ｓｂの組成を高精度に創製できるという効果がある。
−を順次積層した場合を示す、各層の厚さは１０ｎ＋ｓ
以下である１以上の第６図、第７図の場合、ｐｔ−Ｍｎ
Ｓｂの組成を高精度に創製できるという効果がある。
本発明によれば、垂直磁化膜で、かつ、カー回転角の大
きなＰｔＭｎＳｂ膜を作製できるので、光磁気記録用材
料に適用できるという効果がある。
きなＰｔＭｎＳｂ膜を作製できるので、光磁気記録用材
料に適用できるという効果がある。
第１図は本発明の一実施例の膜構成を示す断面図、第２
図、第４図、第５図は実施例における実験データの説明
図、第３図は本発明の作製方法の説明図、第６図、第７
図は本発明の他の実施例の膜構成の断面図を示す。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・ＰｔＭｎＳｂ
膜、４・・・保護膜、８・・・電子ビーム蒸発源、９・
・・膜成長室、１０・・・磁場印加機構部。
図、第４図、第５図は実施例における実験データの説明
図、第３図は本発明の作製方法の説明図、第６図、第７
図は本発明の他の実施例の膜構成の断面図を示す。 １・・・基板、２・・・下地膜、３・・・ＰｔＭｎＳｂ
膜、４・・・保護膜、８・・・電子ビーム蒸発源、９・
・・膜成長室、１０・・・磁場印加機構部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、IVａ族、IV族、Ｖ族のいずれか一つの元素を下地膜
とし、その上にＰｔ、Ｍｎ、Ｓｂ膜を形成したことを特
徴とする光磁気材料。 ２、前記下地膜がIVａ族の場合にＴｉ、Ｚｒ、IV族の場
合にＳｉ、Ｇｅ、Ｖ族の場合、Ｓｂ、Ｂｉのうちのいず
れかであり、かつ、前記下地膜は真空度が１０＾−＾９
Ｔｏｒｒ以下の超高真空蒸着法で作製することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の光磁気材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22361486A JPS6379253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光磁気材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22361486A JPS6379253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光磁気材料 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6379253A true JPS6379253A (ja) | 1988-04-09 |
Family
ID=16800958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22361486A Pending JPS6379253A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | 光磁気材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6379253A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112136188A (zh) * | 2018-05-15 | 2020-12-25 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 不含稀土金属的硬磁体 |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP22361486A patent/JPS6379253A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112136188A (zh) * | 2018-05-15 | 2020-12-25 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 不含稀土金属的硬磁体 |
| KR20210010876A (ko) * | 2018-05-15 | 2021-01-28 | 막스-플랑크-게젤샤프트 츄어 푀르더룽 데어 비쎈샤프텐 에.파우. | 희토류 무 금속 경질 자석 |
| JP2021523576A (ja) * | 2018-05-15 | 2021-09-02 | マックスプランク−ゲセルシャフト・ツール・フェーデルング・デル・ヴィッセンシャフテン・エー・ファウ | 希土類金属フリー硬質磁石 |
| CN112136188B (zh) * | 2018-05-15 | 2024-10-01 | 马克斯·普朗克科学促进学会 | 不含稀土金属的硬磁体 |
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