JPS61113122A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents
垂直磁気記録媒体Info
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- JPS61113122A JPS61113122A JP23321184A JP23321184A JPS61113122A JP S61113122 A JPS61113122 A JP S61113122A JP 23321184 A JP23321184 A JP 23321184A JP 23321184 A JP23321184 A JP 23321184A JP S61113122 A JPS61113122 A JP S61113122A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は垂直磁気記録方式に適した磁気記録媒体に関す
る。
る。
垂直磁気記録方式は、記録媒体膜面に垂直方向に記録を
行なうものであり、高密度記録の際の各ビット内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式である
。この目的のために使用される磁気記録媒体としては、
Ｃｏ −Ｃｒ 、 Ｇ ｏ −Ｖ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−
Ｗ、Ｃｏ−Ｒ５，Ｃｏ−０、Ｃｏ−Ｏｒ−Ｒｈ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕ、Ｃ。
行なうものであり、高密度記録の際の各ビット内の反磁
界が小さいため記録密度を上げるのに適した方式である
。この目的のために使用される磁気記録媒体としては、
Ｃｏ −Ｃｒ 、 Ｇ ｏ −Ｖ、Ｃｏ−Ｍｏ、Ｃｏ−
Ｗ、Ｃｏ−Ｒ５，Ｃｏ−０、Ｃｏ−Ｏｒ−Ｒｈ、Ｃｏ−
Ｃｒ−Ｒｕ、Ｃ。
−Ｎ ｉ−０膜などのＣｏ基合金膜がある。これら’Ｇ
ｏ基合金はＫｙＱｙＰ構造を持ち、薄膜を構成する微
結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。
ｏ基合金はＫｙＱｙＰ構造を持ち、薄膜を構成する微
結晶粒がＣ軸配向し易いという特長を持つ。
磁気記録特性を上げるためには、これら薄膜のＣ軸配向
度を上げることが必要である。また、ＩＥＥＥτｒａｎ
ｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 Ｍａｇ−１５１４５６（
１９７９）におけるＩｖａｓａｋｉらの“Ｐｅｒｐｅｎ
ｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎａｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎ
ｇｗｉｔｈ Ｃｏ５ｐｏｓｉｔ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ
Ｆｉ１ｍ＋”と題する文献において論じられているよ
うに、磁気記録の感度を上げるためにはＣｏ基合金膜の
下部にパーマロイなどの軟磁性材料層を設けることが有
効である。
度を上げることが必要である。また、ＩＥＥＥτｒａｎ
ｓ、 Ｍａｇｎｅｔｉｃｓ、 Ｍａｇ−１５１４５６（
１９７９）におけるＩｖａｓａｋｉらの“Ｐｅｒｐｅｎ
ｄｉｃｕｌａｒ Ｍａｇｎａｔｉｃ Ｒｅｃｏｒｄｉｎ
ｇｗｉｔｈ Ｃｏ５ｐｏｓｉｔ Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｙ
Ｆｉ１ｍ＋”と題する文献において論じられているよ
うに、磁気記録の感度を上げるためにはＣｏ基合金膜の
下部にパーマロイなどの軟磁性材料層を設けることが有
効である。
現在用いられている垂直磁気記録媒体は、ポリイミド、
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム
類、あるいはＡＱ、ガラス板などの非磁性基板上に直接
Ｃｏ基合金膜を付着せしめるか、もしくは磁気記録の感
度を向上する目的から前記基板上にパーマロイ等の軟磁
性薄膜を介してＣｏ基合金膜を付着せしめたものである
。しかし、非磁性基板上に直接付着したＣｏ基合金膜の
Ｃ軸配向環はΔθ、。＝８〜９°で高密度磁気記録用媒
体としては良くない。前記Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向環を
向上する目的から、杉田らは非磁性基板上にＴｉなどの
）ｌｔｃ＋Ｐ構造の薄膜層を介してＣｏ基合金薄膜を形
成することを提案した（特開報昭５８−７７０２５号″
磁気記録媒体の製造方法″）。
ポリエチレンテレフタレート等のプラスチックフィルム
類、あるいはＡＱ、ガラス板などの非磁性基板上に直接
Ｃｏ基合金膜を付着せしめるか、もしくは磁気記録の感
度を向上する目的から前記基板上にパーマロイ等の軟磁
性薄膜を介してＣｏ基合金膜を付着せしめたものである
。しかし、非磁性基板上に直接付着したＣｏ基合金膜の
Ｃ軸配向環はΔθ、。＝８〜９°で高密度磁気記録用媒
体としては良くない。前記Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向環を
向上する目的から、杉田らは非磁性基板上にＴｉなどの
）ｌｔｃ＋Ｐ構造の薄膜層を介してＣｏ基合金薄膜を形
成することを提案した（特開報昭５８−７７０２５号″
磁気記録媒体の製造方法″）。
この方式によりＡＱ５゜＝６〜８ａのＣｏ基合金簿膜を
得ることができるが、さらに高密度磁気記録用媒体とし
てはより高配向の薄膜が要求されている。また、磁気記
録の感度の向上のためにＣｏ基合金膜の下部に軟磁性層
薄膜を設けた場合、Ｇ。
得ることができるが、さらに高密度磁気記録用媒体とし
てはより高配向の薄膜が要求されている。また、磁気記
録の感度の向上のためにＣｏ基合金膜の下部に軟磁性層
薄膜を設けた場合、Ｇ。
基合金膜のＣ軸配向環は、非磁性基板上に直接付着した
ときのＣｏ基合金膜のｃｍ配向度より一般的に悪い、ｆ
、ｃ、ｃ結晶構造を持つパーマロイ等の軟磁性層が（１
１１）面内配向しておれば、その上に付着するＣｏ基合
金膜のＣ軸配向環も改善できるが、実現には軟磁性金属
薄膜の（１１１）面配向性はそれ程良くないため、前記
のＣｏ基合金膜のＣ軸配向環が悪化するという問題があ
る。
ときのＣｏ基合金膜のｃｍ配向度より一般的に悪い、ｆ
、ｃ、ｃ結晶構造を持つパーマロイ等の軟磁性層が（１
１１）面内配向しておれば、その上に付着するＣｏ基合
金膜のＣ軸配向環も改善できるが、実現には軟磁性金属
薄膜の（１１１）面配向性はそれ程良くないため、前記
のＣｏ基合金膜のＣ軸配向環が悪化するという問題があ
る。
この問題に対し、杉田らは信学技報ＭＲ８２−２３Ｐ２
３″゛真空蒸着法による垂直二層膜媒体”において、非
磁性基板上にＴｉ＠ｌ［層を介してパーマロイ薄膜を形
成することにより、パーマロイの（１１１）面配向度を
改善し、前記パーマロイ薄膜上のＣｏ −Ｃｒ薄膜のＣ
軸配向環をΔθ。＝７〜８度まで改善する方法を提案し
ている。しかし、より高密度記録においては、さらに高
度のＣ軸配向環をもったＣｏ基合金薄膜が要求されてい
る。
３″゛真空蒸着法による垂直二層膜媒体”において、非
磁性基板上にＴｉ＠ｌ［層を介してパーマロイ薄膜を形
成することにより、パーマロイの（１１１）面配向度を
改善し、前記パーマロイ薄膜上のＣｏ −Ｃｒ薄膜のＣ
軸配向環をΔθ。＝７〜８度まで改善する方法を提案し
ている。しかし、より高密度記録においては、さらに高
度のＣ軸配向環をもったＣｏ基合金薄膜が要求されてい
る。
本発明の目的は、非磁性基板上に付着したＣｏ基合金膜
のＣ軸配向環を改善する方法と、パーマロイ等の軟磁性
金属薄膜上のＣｏ基合金膜のＣ軸配向環を改善した垂直
磁気記録媒体を提供することにある。
のＣ軸配向環を改善する方法と、パーマロイ等の軟磁性
金属薄膜上のＣｏ基合金膜のＣ軸配向環を改善した垂直
磁気記録媒体を提供することにある。
（発明の概要〕
ｈ＊ＱｅＰ構造のＣｏは、そのＣ軸方向に大きな結晶磁
気異方性を有し、これにＣｒ、Ｖ、Ｍ。
気異方性を有し、これにＣｒ、Ｖ、Ｍ。
等を添加して非磁性基板上に薄膜を形成すれば、Ｃ軸を
膜面に垂直方向に配向させた垂直磁化膜ができる。しか
し、非磁性基板上に付着したＣｏ基合金膜のＣ軸配向性
を良くするには０．３ μｍ以上の厚みのＣｏ基合金膜
を必要とする。Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向性を向上させる
一方法として。
膜面に垂直方向に配向させた垂直磁化膜ができる。しか
し、非磁性基板上に付着したＣｏ基合金膜のＣ軸配向性
を良くするには０．３ μｍ以上の厚みのＣｏ基合金膜
を必要とする。Ｃｏ基合金膜のＣ軸配向性を向上させる
一方法として。
ＣＯと同じｈｅ Ｑ＊ Ｐ構造をもったＴｉ、Ｚｎ。
Ｓｃ、Ｒｕ等の中間層膜をあらかじめ非磁性基板上に形
成しておき、前記ｈｇａ＊ｐ構造の中間層膜上にＣｏ基
合金膜を付着せしめる。中間層膜としてＴｉを例にあげ
れば、Ｔｉの（００１）面における原子間距離は２．９
５ 人であり、これに対しＫｐＱ＋Ｐ構造のＣｏの（Ｏ
Ｏ２）面における原子間距離は２．４９ 人と近い、こ
のためＣｏ基合金膜はＴｉ中間層膜上に多少の格子のミ
スマツチはあるもののエピタキシャル成長し易い、した
がってＣｏ基合金膜のＣ軸配向環を上げるためには、ｈ
ｖ Ｑ、ｐＨ造の中間層膜のＣ軸配向環を向上させる必
要がある。
成しておき、前記ｈｇａ＊ｐ構造の中間層膜上にＣｏ基
合金膜を付着せしめる。中間層膜としてＴｉを例にあげ
れば、Ｔｉの（００１）面における原子間距離は２．９
５ 人であり、これに対しＫｐＱ＋Ｐ構造のＣｏの（Ｏ
Ｏ２）面における原子間距離は２．４９ 人と近い、こ
のためＣｏ基合金膜はＴｉ中間層膜上に多少の格子のミ
スマツチはあるもののエピタキシャル成長し易い、した
がってＣｏ基合金膜のＣ軸配向環を上げるためには、ｈ
ｖ Ｑ、ｐＨ造の中間層膜のＣ軸配向環を向上させる必
要がある。
薄膜の成長は、その薄膜が付着すべき基板の表面状態に
大きく左右されるａ Ｔ ｘ Ｗｔ膜をＣ軸配向させる
ためには、基板の表面状態を制御する必要がある０本発
明者らは、プラスチックやガラス。
大きく左右されるａ Ｔ ｘ Ｗｔ膜をＣ軸配向させる
ためには、基板の表面状態を制御する必要がある０本発
明者らは、プラスチックやガラス。
ＡＱ等の非磁性基板の表面に、まず非常に薄い非磁性材
料から成る第１の中間層膜を形成し、ついでＴｉ薄膜を
形成してそのＣｍ配向度を調べた。
料から成る第１の中間層膜を形成し、ついでＴｉ薄膜を
形成してそのＣｍ配向度を調べた。
薄い非磁性材料の中間層膜を形成する目的は、ＴｉのＣ
軸配向をし易い下地表面状態を実現することにある。各
種の非磁性材料について検討した結果、５ｉｙＧａ、Ｓ
ｎもしくはその合金から成る薄膜を形成した後Ｔｉｆｆ
＠を付着すると、Ｔｉ薄膜のＣ軸配向度が著しく改善さ
れることを見出した。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎもしくはその゛
合金膜から成る中間層膜を付着した場合のＴｉ薄膜のＣ
軸配向度は基板の種類によらず、はぼ一定の値になる傾
向があった。同様の効果はＴｉ薄膜以外の他のｈ＋Ｑ＊
Ｐ構造薄膜、例えばＺｎ、Ｓｃ、Ｒｕ等の薄膜でも確認
できた。また、前記傾向は、蒸着法、高周波スパッタ法
、イオンビームスパッタ法のいずれでも認められた。
軸配向をし易い下地表面状態を実現することにある。各
種の非磁性材料について検討した結果、５ｉｙＧａ、Ｓ
ｎもしくはその合金から成る薄膜を形成した後Ｔｉｆｆ
＠を付着すると、Ｔｉ薄膜のＣ軸配向度が著しく改善さ
れることを見出した。Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎもしくはその゛
合金膜から成る中間層膜を付着した場合のＴｉ薄膜のＣ
軸配向度は基板の種類によらず、はぼ一定の値になる傾
向があった。同様の効果はＴｉ薄膜以外の他のｈ＋Ｑ＊
Ｐ構造薄膜、例えばＺｎ、Ｓｃ、Ｒｕ等の薄膜でも確認
できた。また、前記傾向は、蒸着法、高周波スパッタ法
、イオンビームスパッタ法のいずれでも認められた。
本発明者らは、Ｃｏ基合金薄膜の下層にパーマロイ等の
軟磁性金属膜を形成した磁気記録媒体でも前記中間層膜
の形成によりＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向度が向上するこ
とを確認した。すなわち、パーマロイ（Ｆ ｓ −８０
ｗ ｔ％Ｎｉ）の結晶構造はｆ、ｃ、ｃであり、（１１
１）面の原子配列は）１＋ｃｙＰ構造を持つＣＯ基合金
の（ＯＯ２）面の原子配列と同様である。さらに、パー
マロイの（１１１）面上における原子間距離は２．５０
人であり、ｈ＋ Ｃ，ｐｍ造のＣＯの（ＯＯ２）面上
の原子間距離２．４９ 人と非常に近い。このためＣｏ
基合金膜は下地のパーマロイの（１１１）面上にエピタ
キシャル成長し易い。したがってＣ０基合金膜のＣ軸配
向度を上げるためには、下地のパーマロイ薄膜を（１１
１）配向させる必要がある。しかるに、パーマロイ薄膜
の（１１１＞配向性は、Ｃ軸配向したＴｉ等のｈｙｃ＋
ｐ構造の下地の上では向上することが知られている。本
発明者らは、前記に述べたように、プラスチックやガラ
ス、Ａ塁等の非磁性基板の表面に、まずｓｉ。
軟磁性金属膜を形成した磁気記録媒体でも前記中間層膜
の形成によりＣｏ基合金薄膜のＣ軸配向度が向上するこ
とを確認した。すなわち、パーマロイ（Ｆ ｓ −８０
ｗ ｔ％Ｎｉ）の結晶構造はｆ、ｃ、ｃであり、（１１
１）面の原子配列は）１＋ｃｙＰ構造を持つＣＯ基合金
の（ＯＯ２）面の原子配列と同様である。さらに、パー
マロイの（１１１）面上における原子間距離は２．５０
人であり、ｈ＋ Ｃ，ｐｍ造のＣＯの（ＯＯ２）面上
の原子間距離２．４９ 人と非常に近い。このためＣｏ
基合金膜は下地のパーマロイの（１１１）面上にエピタ
キシャル成長し易い。したがってＣ０基合金膜のＣ軸配
向度を上げるためには、下地のパーマロイ薄膜を（１１
１）配向させる必要がある。しかるに、パーマロイ薄膜
の（１１１＞配向性は、Ｃ軸配向したＴｉ等のｈｙｃ＋
ｐ構造の下地の上では向上することが知られている。本
発明者らは、前記に述べたように、プラスチックやガラ
ス、Ａ塁等の非磁性基板の表面に、まずｓｉ。
Ｇｅ、Ｓｎもしくはその合金から成る薄膜を形成してお
き、この上にＴｉ薄膜を付着すると前記のごとくＣ軸配
向性の良いＴｉ薄膜ができる。これら２種の中間層膜を
介してパーマロイ薄膜を付着すると＜１１１＞配向性が
著しく改善され、またＣＯ基合金薄膜のＣ軸配向性が向
上することを見出した。
き、この上にＴｉ薄膜を付着すると前記のごとくＣ軸配
向性の良いＴｉ薄膜ができる。これら２種の中間層膜を
介してパーマロイ薄膜を付着すると＜１１１＞配向性が
著しく改善され、またＣＯ基合金薄膜のＣ軸配向性が向
上することを見出した。
また、Ｓｉ、Ｏｅ、Ｓｎもしくはこれらの合金薄膜の上
にＴｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｒｕ等のり、ｃ。
にＴｉ、Ｚｎ、Ｓｃ、Ｒｕ等のり、ｃ。
ｐ構造の薄膜を付着した中間層膜は、Ｃｏ基合金膜と軟
磁性金属膜の間設けてもＣｏ基合金膜のＣ軸配向性を向
上することを見出した。
磁性金属膜の間設けてもＣｏ基合金膜のＣ軸配向性を向
上することを見出した。
Ｘ線回折法でＳｉ、Ｇｅ、Ｓｎもしくはその合金膜の構
造を調べた結果、いずれも非晶質的であった。Ｓ ｘ
ｒ Ｇ ｅ ＊ Ｓ ｎはダイヤモンド構造をもち、４
面体配位を示し、最隣接原子間距離はそれぞれ２．３５
人、２．４５ 人、２．８０ 人である。
造を調べた結果、いずれも非晶質的であった。Ｓ ｘ
ｒ Ｇ ｅ ＊ Ｓ ｎはダイヤモンド構造をもち、４
面体配位を示し、最隣接原子間距離はそれぞれ２．３５
人、２．４５ 人、２．８０ 人である。
２．３５〜２．８０ 人の値はｈ＋ Ｑ＋ Ｐ構造のＴ
ｉ、Ｓｃ、Ｚｎｅ Ｒｕ等のＭｔ隣接原子間距離に近い
ためＣ軸配向の良い薄膜が成長したものと解釈できる。
ｉ、Ｓｃ、Ｚｎｅ Ｒｕ等のＭｔ隣接原子間距離に近い
ためＣ軸配向の良い薄膜が成長したものと解釈できる。
Ｃ軸配向の良いＴｉ、Ｓｃ、Ｚｎ。
Ｒｕ等の膜上に、Ｃｏ基合金膜を付着した場合Ｃ軸配向
の良い膜が得られた。また、Ｃ軸配向の良いＴｉ、Ｓｃ
、Ｚｎ、Ｒｕ等の膜上には、 （１１１）配向の良い
パーマロイ膜を形成でき、その結果、その上のＣｏ基合
金膜のＣ軸配向性も良い膜が得られた。
の良い膜が得られた。また、Ｃ軸配向の良いＴｉ、Ｓｃ
、Ｚｎ、Ｒｕ等の膜上には、 （１１１）配向の良い
パーマロイ膜を形成でき、その結果、その上のＣｏ基合
金膜のＣ軸配向性も良い膜が得られた。
なお、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎもしくはその合金膜の膜厚が１
００人未満のときは基板材料の影響の除去が不十分とな
るので、１００Ａ以上とすることが必要である。前述の
効果は膜厚が１μｍ以上と大きくなっても同様であるが
、膜形成のための時間が長くなったり、あるいはプラス
チックフィルム上に膜を形成する場合は膜にクラックが
入り易くなる。したがって、膜厚は１μｍ以下が望まし
く、実用的にさらに望ましい第１の中間層の膜厚の範囲
は１５０Ａ以上３０００Å以下である。また、第２の中
間層膜となるｈｅ Ｑｔ Ｐ構造のＴｉ。
００人未満のときは基板材料の影響の除去が不十分とな
るので、１００Ａ以上とすることが必要である。前述の
効果は膜厚が１μｍ以上と大きくなっても同様であるが
、膜形成のための時間が長くなったり、あるいはプラス
チックフィルム上に膜を形成する場合は膜にクラックが
入り易くなる。したがって、膜厚は１μｍ以下が望まし
く、実用的にさらに望ましい第１の中間層の膜厚の範囲
は１５０Ａ以上３０００Å以下である。また、第２の中
間層膜となるｈｅ Ｑｔ Ｐ構造のＴｉ。
Ｓｃ、Ｚｎ＊ Ｒｕ等は、前記第１の中間層膜上に極め
てＣ軸配向し易いため、実用的に望ましい膜厚の範囲は
１００Å以上３０００Å以下である。
てＣ軸配向し易いため、実用的に望ましい膜厚の範囲は
１００Å以上３０００Å以下である。
また、軟磁性材料はパーマロイ（Ｆ ｅ −８０ｗｔ％
Ｎｉ）に限られることなく、ｆ、Ｑ、Ｑ構造をもつ材料
なら、いずれも同等の効果がある。。
Ｎｉ）に限られることなく、ｆ、Ｑ、Ｑ構造をもつ材料
なら、いずれも同等の効果がある。。
さらには、前記中間Ｈ膜を軟磁性材料とＣｏ基合金膜の
間に形成して用いれば、下層の軟磁性材料はアモルファ
スであっても良い、Ｔｉ、Ｓｃ。
間に形成して用いれば、下層の軟磁性材料はアモルファ
スであっても良い、Ｔｉ、Ｓｃ。
Ｚｎ、Ｒｕ等の下層に形成する第１の中間層の材料は、
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びこれらの合金（組成比は特に制限
はない）であり、またこれらを主成分としてさらに他の
元素を加えてもよい。
Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ及びこれらの合金（組成比は特に制限
はない）であり、またこれらを主成分としてさらに他の
元素を加えてもよい。
以下、本発明を実施例によって説明する。
実施例１゜
ポリイミドフィルムを基板にして、第１図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。２Ｘ１０°６Ｔｏｒｒの真
空中で基板を１８０℃に加熱し、まず第１の中間層とし
てＣｏを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着し、ついで第
２の中間層としてＴｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸
着した。さらに同一真空容器中で１００人／Ｓの速度で
Ｃｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを２５００人の厚さ蒸着し、第１
図に示す構造の膜を得た。
膜を以下の手順で作製した。２Ｘ１０°６Ｔｏｒｒの真
空中で基板を１８０℃に加熱し、まず第１の中間層とし
てＣｏを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着し、ついで第
２の中間層としてＴｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸
着した。さらに同一真空容器中で１００人／Ｓの速度で
Ｃｏ−２３ｗｔ％Ｃｒを２５００人の厚さ蒸着し、第１
図に示す構造の膜を得た。
以下、同様の条件で第１の中間層材料として、Ｇｅの代
りにＳｉ、Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｎ、Ｇ。
りにＳｉ、Ｇｅ−２０ｗｔ％Ｓｎ、Ｇ。
−２０ｗｔ％Ｓｎを用いてそれぞれ第１図に示す構造の
膜を作製した。
膜を作製した。
比較試料として、１８０℃の基板温度に保ったポリイミ
ドフィルム上に１００人／Ｓの速度で直接Ｃｏ −２３
ｗ ｔ％Ｃｒを２５００人蒸着した試料、及びポリイミ
ドフィルム上にＴｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着
したのち、１００人／Ｓの速度でＧ ｏ −２３ｗ ｔ
％Ｃｒを２５００人蒸着した試料を作製した。
ドフィルム上に１００人／Ｓの速度で直接Ｃｏ −２３
ｗ ｔ％Ｃｒを２５００人蒸着した試料、及びポリイミ
ドフィルム上にＴｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着
したのち、１００人／Ｓの速度でＧ ｏ −２３ｗ ｔ
％Ｃｒを２５００人蒸着した試料を作製した。
第１表に各々の膜の配向度を比較して示す。薄膜の配向
度は、Ｘａ回折のロッキング曲線の半値幅Δθｓｏ （
度）によって評価した。Δθ５ｏの値が小さい程、配向
性が良い、Ｔｉなどのり、ｃｙｐ構造の第２の中間層の
下に、Ｇｅなどの第１の中間層を設けることによって、
Ｃ軸配向塵の良いＣｏ −Ｃｒ膜を製造することができ
た。
度は、Ｘａ回折のロッキング曲線の半値幅Δθｓｏ （
度）によって評価した。Δθ５ｏの値が小さい程、配向
性が良い、Ｔｉなどのり、ｃｙｐ構造の第２の中間層の
下に、Ｇｅなどの第１の中間層を設けることによって、
Ｃ軸配向塵の良いＣｏ −Ｃｒ膜を製造することができ
た。
なお、第１の中間層はいずれもｘｍ回折により非晶質と
認められた。
認められた。
第１表
実施例２゜
直径５インチのＡＱ基板を用いて第２図に示す構造の膜
を以下の手順で作製した。２ Ｘ １０−＠Ｔｏｒｒの
真空中で基板を１５０℃に加熱して、まず第１の中間層
としてＳｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着し、つい
で第２の中間層としてＺｎを１０人／Ｓの速度で３００
人蒸着した。さらに同一真空容器中で軟磁性材料のパー
マロイ（Ｆａ−８０ｗｔ％Ｎｉ）を３０人／８の速度で
５０００人付着し、さらにこの上にＣｏ−２３ｗｔ％Ｃ
ｒを１００人／Ｓの速度で２５００人の厚さ蒸着し、第
２図に示す構造の膜を得た。
を以下の手順で作製した。２ Ｘ １０−＠Ｔｏｒｒの
真空中で基板を１５０℃に加熱して、まず第１の中間層
としてＳｉを１０人／Ｓの速度で３００人蒸着し、つい
で第２の中間層としてＺｎを１０人／Ｓの速度で３００
人蒸着した。さらに同一真空容器中で軟磁性材料のパー
マロイ（Ｆａ−８０ｗｔ％Ｎｉ）を３０人／８の速度で
５０００人付着し、さらにこの上にＣｏ−２３ｗｔ％Ｃ
ｒを１００人／Ｓの速度で２５００人の厚さ蒸着し、第
２図に示す構造の膜を得た。
以下、同様の条件で第２の中間層材料として、Ｚｎの代
りにＴｉ、Ｓｃ、Ｒｕを用いてそれぞれ第２図に示す構
造の膜を作製した。
りにＴｉ、Ｓｃ、Ｒｕを用いてそれぞれ第２図に示す構
造の膜を作製した。
比較材料として同様の条件で中間層を省いた膜と、中間
層膜としてＴｉのみを３００人形成したのちパーマロイ
、Ｃｏ−Ｃｒを付着した膜を作製した。第２表に、パー
マロイ膜の＜１１１＞配向度、Ｃｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向
塵を比較して示すつ配向度の評価は実施例１と同様に行
った６第２表 第２表より明らかなように、ｈ、ｃ、ｐ構造の第２の中
間層の下層にＳｉ等の第１の中間層を設けた場合は、パ
ーマロイ薄膜の＜１１１＞配向度が改善され、Ｃ軸配向
塵の良いＧ ｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が得られていること
がわかる。第１の中間層膜としては、Ｓｉの他にＧｅ、
Ｓｎ、及びＳｉ。
層膜としてＴｉのみを３００人形成したのちパーマロイ
、Ｃｏ−Ｃｒを付着した膜を作製した。第２表に、パー
マロイ膜の＜１１１＞配向度、Ｃｏ−Ｃｒ膜のＣ軸配向
塵を比較して示すつ配向度の評価は実施例１と同様に行
った６第２表 第２表より明らかなように、ｈ、ｃ、ｐ構造の第２の中
間層の下層にＳｉ等の第１の中間層を設けた場合は、パ
ーマロイ薄膜の＜１１１＞配向度が改善され、Ｃ軸配向
塵の良いＧ ｏ −Ｃｒ垂直磁化膜が得られていること
がわかる。第１の中間層膜としては、Ｓｉの他にＧｅ、
Ｓｎ、及びＳｉ。
Ｇｅ、Ｓｎの合金膜を用いて実験したが、同様の改善効
果が確認された。
果が確認された。
実施例３゜
直径３インチのガラス基板を用いて第３図に示す構造の
膜を以下の手順で作製した。高周波スバツタ装置を用い
て、基板温度１５０℃、Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒ、スパッ
タの高周波出力４ｗ′／ａ＃の条件で、軟磁性材料のＣ
ｏ−０，２ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％ＭＯから成る非晶質の
膜を５ｏｏｏ人付着した。
膜を以下の手順で作製した。高周波スバツタ装置を用い
て、基板温度１５０℃、Ａｒ圧力５ｍＴｏｒｒ、スパッ
タの高周波出力４ｗ′／ａ＃の条件で、軟磁性材料のＣ
ｏ−０，２ａｔ％Ｚｒ−７ａｔ％ＭＯから成る非晶質の
膜を５ｏｏｏ人付着した。
さらにこの膜の上に、Ａｒ圧力３ｍＴｏｒｒ、スパッタ
の高周波出力４ｗ／ｃＪの条件でｉｓｌの中間層として
Ｇｅ、及び第２の中間層としてＴｉの順に各各５００人
付着した。ついで、Ｃｏ−１８ｗｔ％ＣｒをＡｒ圧力３
ｍＴｏｒｒ、高周波出力８ｗ／ａ＃で３０００人付着し
た。
の高周波出力４ｗ／ｃＪの条件でｉｓｌの中間層として
Ｇｅ、及び第２の中間層としてＴｉの順に各各５００人
付着した。ついで、Ｃｏ−１８ｗｔ％ＣｒをＡｒ圧力３
ｍＴｏｒｒ、高周波出力８ｗ／ａ＃で３０００人付着し
た。
以下、同様の条件で第１の中間層としてＧｅの代りにＳ
ｉ、Ｓｎ、Ｇ５−２０ｗｔ％Ｓｉ、Ｇ。
ｉ、Ｓｎ、Ｇ５−２０ｗｔ％Ｓｉ、Ｇ。
−１０ｗ ｔ％Ｓｎ、及び第２の中間層としてＴｉ０代
りにＺｎ、Ｓｃ、Ｒｕを用いて同様な構造の膜を作製し
た。
りにＺｎ、Ｓｃ、Ｒｕを用いて同様な構造の膜を作製し
た。
比較材料として作製した中間層を設けない場合のＣｏ
Ｃｒ膜のＣ軸配向度を示すΔθ５゜の値が８〜１５度
であったのに対し、中間層を設けた場合はいずれも４．
５〜６度の範囲にあった。
Ｃｒ膜のＣ軸配向度を示すΔθ５゜の値が８〜１５度
であったのに対し、中間層を設けた場合はいずれも４．
５〜６度の範囲にあった。
以上の実施例では、ＣＯ基合金の一例としてＧ ｏ −
Ｃｒ合金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金Ｃｏ
−Ｒｕ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｇ ｏ −Ｍ ｏ 。
Ｃｒ合金の場合について述べたが、他のＣｏ基合金Ｃｏ
−Ｒｕ 、 Ｃｏ −Ｖ 、 Ｇ ｏ −Ｍ ｏ 。
Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｈ 、 Ｇ ｏ −Ｃｒ −Ｒｕ
などを用いても同等の効果が得られた。また、軟磁性材
料としてはｆ、ｃ、ｃ構造を持つ材料であれば良く、本
実施例で述べた材料に限定されるものではない。
などを用いても同等の効果が得られた。また、軟磁性材
料としてはｆ、ｃ、ｃ構造を持つ材料であれば良く、本
実施例で述べた材料に限定されるものではない。
また軟磁性材料としては、本実施例以外の他の非晶質材
料でも同等の効果を得ることができた。
料でも同等の効果を得ることができた。
これまでの説明から明らかなように、Ｃｏ基合金膜のＣ
軸配向度を上げ、垂直磁気特性を改善するには、ＣＯ基
合金膜の形成に先立ってり、Ｑ。
軸配向度を上げ、垂直磁気特性を改善するには、ＣＯ基
合金膜の形成に先立ってり、Ｑ。
ｐ構造の’ｒｒｔ Ｚｎ、Ｓｃ、Ｒｕ及びＳ ｌ ｔ、
Ｇ ｅ 。
Ｇ ｅ 。
Ｓｎ、もしくはその合金から成る中間層を設けることが
有効である。この場合、下地層に軟磁性層があっても、
また非磁性基板であっても有効である。
有効である。この場合、下地層に軟磁性層があっても、
また非磁性基板であっても有効である。
また、ｆ、ｃ、ｃ結晶構造を持つ軟磁性材料から成る下
地層を持つＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善するには、
軟磁性材料の形成に先立て前記り。
地層を持つＣｏ基合金膜のＣ軸配向度を改善するには、
軟磁性材料の形成に先立て前記り。
Ｑ＋Ｐ構造のＴｉ＋ Ｚｎ、Ｓｃｙ Ｒｕ及びＳｉ。
Ｃｏ、Ｓｎ、もしくはその合金から成る中間層を設ける
ことが有効である。
ことが有効である。
第１図は、本発明の一実施例による垂直磁気記録媒体の
断面構造を示す図、第２図および第３図は、それぞれ本
発明の他の実施例による垂直磁気記録媒体の断面構造を
示す囚である。 １・・・基板、２・・・第１の中間層、３・・・第２の
中間層、第１０ 第２図 第３図
断面構造を示す図、第２図および第３図は、それぞれ本
発明の他の実施例による垂直磁気記録媒体の断面構造を
示す囚である。 １・・・基板、２・・・第１の中間層、３・・・第２の
中間層、第１０ 第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板上にＳｉおよびＧｅから成る群より選択した少
なくとも１元素を主成分とする材料から成る第１の中間
層を設け、この層の上にＴｉ、Ｚｎ、Ｒｕ、Ｓｃから選
択した少なくとも１元素からなるｈ、ｃ、ｐ構造の第２
の中間層を設け、該中間層の上にＣｏ基合金からなる垂
直磁化膜を設けてなることを特徴とする垂直磁気記録媒
体。 ２、特許請求の範囲第１項において、基板上に軟磁性材
料から成る下地層を設けた後、ＳｉおよびＧｅから成る
第１の中間層、及びｈ、ｃ、ｐ構造から成る第２の中間
層を設けることを特徴とする垂直磁気記録媒体。 ３、特許請求の範囲第１項において、ｈ、ｃ、ｐ構造か
らなる第２の中間層の上に軟磁性材料から成る層を設け
た後、Ｃｏ基合金膜を形成することを特徴とする垂直磁
気記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233211A JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59233211A JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61113122A true JPS61113122A (ja) | 1986-05-31 |
| JPH0658734B2 JPH0658734B2 (ja) | 1994-08-03 |
Family
ID=16951493
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59233211A Expired - Lifetime JPH0658734B2 (ja) | 1984-11-07 | 1984-11-07 | 垂直磁気記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0658734B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187416A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
| US6759149B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Laminated medium with antiferromagnetic stabilization layers |
| JP2005353278A (ja) * | 2001-01-03 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| WO2009028447A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US7662492B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-02-16 | Hitachi Global Storage Techologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having a multi-layer interlayer that includes BCC material |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814318A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録用媒体 |
-
1984
- 1984-11-07 JP JP59233211A patent/JPH0658734B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5814318A (ja) * | 1981-07-17 | 1983-01-27 | Fujitsu Ltd | 垂直磁気記録用媒体 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63187416A (ja) * | 1987-01-29 | 1988-08-03 | Hitachi Ltd | 面内磁気記録媒体 |
| US6759149B1 (en) | 2000-07-25 | 2004-07-06 | Seagate Technology Llc | Laminated medium with antiferromagnetic stabilization layers |
| JP2005353278A (ja) * | 2001-01-03 | 2005-12-22 | Samsung Electronics Co Ltd | 垂直磁気記録媒体 |
| US7662492B2 (en) | 2007-03-02 | 2010-02-16 | Hitachi Global Storage Techologies Netherlands, B.V. | Perpendicular magnetic recording medium having a multi-layer interlayer that includes BCC material |
| WO2009028447A1 (ja) * | 2007-08-31 | 2009-03-05 | Showa Denko K.K. | 磁気記録媒体および磁気記録再生装置 |
| US8133601B2 (en) | 2007-08-31 | 2012-03-13 | Showa Denko K.K. | Magnetic recording medium and magnetic recording and reproducing apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0658734B2 (ja) | 1994-08-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |