JPH07134820A - 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 - Google Patents
磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置Info
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- JPH07134820A JPH07134820A JP5282385A JP28238593A JPH07134820A JP H07134820 A JPH07134820 A JP H07134820A JP 5282385 A JP5282385 A JP 5282385A JP 28238593 A JP28238593 A JP 28238593A JP H07134820 A JPH07134820 A JP H07134820A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁性膜厚３０ｎｍ以下で２ｋＯｅ以上の高保
磁力などの磁気特性に優れた低いノイズ特性をもつ超高
密度磁気記録に好適な面内磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に、磁性薄膜の構造制御用の下地層
２を設け、この上に組成の異なる少なくとも２層からな
る磁性膜３，４を互いに接して構成した積層磁性膜を非
磁性層１２を介して多層に設けたことを特徴とする磁気
記録媒体。積層磁性膜３，４および非磁性層１２は構造
制御用の下地層２の上にエピタキシャル成長しており、
積層磁性膜を構成する２層の磁性膜の格子定数は下地層
の格子定数に対して各々同じ方向にずれており、基板に
近い側の磁性膜３と下地層２の格子定数の差ΔＬ1 と、
基板から遠い側の磁性膜４と下地層２の格子定数の差Δ
Ｌ2の間にはΔＬ2 ＞ΔＬ1 の関係が成り立つ。
磁力などの磁気特性に優れた低いノイズ特性をもつ超高
密度磁気記録に好適な面内磁気記録媒体を提供する。 【構成】 基板１上に、磁性薄膜の構造制御用の下地層
２を設け、この上に組成の異なる少なくとも２層からな
る磁性膜３，４を互いに接して構成した積層磁性膜を非
磁性層１２を介して多層に設けたことを特徴とする磁気
記録媒体。積層磁性膜３，４および非磁性層１２は構造
制御用の下地層２の上にエピタキシャル成長しており、
積層磁性膜を構成する２層の磁性膜の格子定数は下地層
の格子定数に対して各々同じ方向にずれており、基板に
近い側の磁性膜３と下地層２の格子定数の差ΔＬ1 と、
基板から遠い側の磁性膜４と下地層２の格子定数の差Δ
Ｌ2の間にはΔＬ2 ＞ΔＬ1 の関係が成り立つ。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高密度磁気記録に好適
な磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置に関す
る。
な磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】現在、実用的に用いられている磁気記録
方式は、磁気記録媒体面に平行に、かつ磁極のＮ極とＮ
極、Ｓ極とＳ極を互いに突き合わせる方向に磁化して磁
気記録を行う面内磁気記録方式であり、将来の数Ｇｂ／
ｉｎ2 オーダの高密度磁気記録においてもこの方式は有
力な記録方式の一つである。
方式は、磁気記録媒体面に平行に、かつ磁極のＮ極とＮ
極、Ｓ極とＳ極を互いに突き合わせる方向に磁化して磁
気記録を行う面内磁気記録方式であり、将来の数Ｇｂ／
ｉｎ2 オーダの高密度磁気記録においてもこの方式は有
力な記録方式の一つである。
【０００３】面内磁気記録用磁性膜としては、Ｃｏ−Ｃ
ｒ，Ｃｏ−ＮｉなどのＣｏ基合金薄膜が用いられ、中で
もＣｏ−Ｃｒを主成分とする合金にＴａ，Ｐｔ，Ｍｏ，
Ｒｕ，Ｒｅ，Ｆｅなどを添加したものが用いられてい
る。これら面内磁気記録用の磁性薄膜を構成するＣｏ基
合金は稠密六方（ｈｃｐ）格子構造を持ち、この結晶の
ｃ軸、＜００１＞方向に磁化容易軸を持つ。現在用いら
れている面内磁気記録媒体は、ＮｉＰ被覆したＡｌ基
板、ガラス板、あるいはポリイミド、ポリエチレンテレ
フタレートなどのプラスチックフィルム類などの非磁性
基板上に前述のＣｏ基合金薄膜を形成したものである。
ｒ，Ｃｏ−ＮｉなどのＣｏ基合金薄膜が用いられ、中で
もＣｏ−Ｃｒを主成分とする合金にＴａ，Ｐｔ，Ｍｏ，
Ｒｕ，Ｒｅ，Ｆｅなどを添加したものが用いられてい
る。これら面内磁気記録用の磁性薄膜を構成するＣｏ基
合金は稠密六方（ｈｃｐ）格子構造を持ち、この結晶の
ｃ軸、＜００１＞方向に磁化容易軸を持つ。現在用いら
れている面内磁気記録媒体は、ＮｉＰ被覆したＡｌ基
板、ガラス板、あるいはポリイミド、ポリエチレンテレ
フタレートなどのプラスチックフィルム類などの非磁性
基板上に前述のＣｏ基合金薄膜を形成したものである。
【０００４】しかし、非磁性基板上に直接形成したＣｏ
基合金薄膜においては磁化容易軸であるｃ軸は全く不揃
いであり、磁性膜の保磁力も１０００Ｏｅ（エルステッ
ド）以下と小さく、高密度磁気記録用媒体としての性能
が不十分である。そこで、上記の磁性層であるＣｏ基合
金薄膜結晶のｃ軸を基板面内に高配向化する目的から、
基板上に体心立方（ｂｃｃ）格子構造を有するＣｒ下地
層を形成し、その上にＣｏ基合金磁性薄膜を形成する方
法が提案されている。
基合金薄膜においては磁化容易軸であるｃ軸は全く不揃
いであり、磁性膜の保磁力も１０００Ｏｅ（エルステッ
ド）以下と小さく、高密度磁気記録用媒体としての性能
が不十分である。そこで、上記の磁性層であるＣｏ基合
金薄膜結晶のｃ軸を基板面内に高配向化する目的から、
基板上に体心立方（ｂｃｃ）格子構造を有するＣｒ下地
層を形成し、その上にＣｏ基合金磁性薄膜を形成する方
法が提案されている。
【０００５】また磁気的な配向性を与えるために、基板
上にテクチャー溝を設け、この溝に沿った方向と、これ
に直交するする方向で薄膜の磁気異方性を制御する方法
も知られている。再生信号における媒体ノイズは、磁気
記録パターンの境界（磁化遷移領域）の構造と密接な関
係があり、これには磁性膜を構成する粒子間の磁気的な
相互作用の強さや磁気異方性の分散などが関係してい
る。媒体ノイズの低減のために従来試みられている方法
としては、（１）ＣｏＣｒ系合金中の非磁性Ｃｒを増加
させ、過飽和のＣｒを結晶粒界に偏折させて磁性粒子間
の磁気的相互作用を小さくする方法、（２）スパッタリ
ングガスの圧力を制御することにより構造制御用の下地
層を形態的に孤立させ、この上に形成する磁性粒子間の
相互作用を低下する方法などがある。
上にテクチャー溝を設け、この溝に沿った方向と、これ
に直交するする方向で薄膜の磁気異方性を制御する方法
も知られている。再生信号における媒体ノイズは、磁気
記録パターンの境界（磁化遷移領域）の構造と密接な関
係があり、これには磁性膜を構成する粒子間の磁気的な
相互作用の強さや磁気異方性の分散などが関係してい
る。媒体ノイズの低減のために従来試みられている方法
としては、（１）ＣｏＣｒ系合金中の非磁性Ｃｒを増加
させ、過飽和のＣｒを結晶粒界に偏折させて磁性粒子間
の磁気的相互作用を小さくする方法、（２）スパッタリ
ングガスの圧力を制御することにより構造制御用の下地
層を形態的に孤立させ、この上に形成する磁性粒子間の
相互作用を低下する方法などがある。
【０００６】さらに媒体ノイズを低減する目的から、磁
性膜の平面方向だけでなく、膜厚方向においても磁性粒
子間の磁気的相互作用を小さくするために、例えばＣｏ
Ｃｒ系合金磁性膜の間にＣｒのような非磁性の中間層を
設ける方法が提案されている。しかし、単に磁性膜の間
に非磁性層を設けた場合、同じ厚さの単層の磁性膜に比
べて保磁力が著しく低下し、高々１３００〜１５００Ｏ
ｅの保磁力しか得られない。
性膜の平面方向だけでなく、膜厚方向においても磁性粒
子間の磁気的相互作用を小さくするために、例えばＣｏ
Ｃｒ系合金磁性膜の間にＣｒのような非磁性の中間層を
設ける方法が提案されている。しかし、単に磁性膜の間
に非磁性層を設けた場合、同じ厚さの単層の磁性膜に比
べて保磁力が著しく低下し、高々１３００〜１５００Ｏ
ｅの保磁力しか得られない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の
超高密度磁気記録においては、記録ビット長は０．２μ
ｍ以下と小さくなり、面内記録時の反磁界の影響を小さ
くし安定な高密度記録を実現するには、磁性膜の膜厚は
３０ｎｍ以下、また媒体の面内方向の保磁力は２０００
Ｏｅ以上のものが必要とされる。
超高密度磁気記録においては、記録ビット長は０．２μ
ｍ以下と小さくなり、面内記録時の反磁界の影響を小さ
くし安定な高密度記録を実現するには、磁性膜の膜厚は
３０ｎｍ以下、また媒体の面内方向の保磁力は２０００
Ｏｅ以上のものが必要とされる。
【０００８】従来の磁気記録媒体はＣｏＣｒ合金をベー
スに、これにＰｔやＴａ，Ｗなどを添加したものが用い
られ、前記Ｃｒ下地層の上にこれら磁性膜をエピタキシ
ャル的に成長した薄膜が用いられていた。しかし、この
場合、磁性膜厚３０ｎｍ以下において２０００Ｏｅ以上
の高保磁力が得られず、再生ノイズが小さな磁気記録を
再現性良く実現できない。また、再生ノイズを低下する
目的から上記磁性膜の間にＣｒなどの非磁性中間層をい
れた媒体が提案されているが、従来の構成の磁気記録媒
体では全磁性膜厚３０ｎｍ以下の薄膜では保磁力の低下
が著しく、高々１３００〜１５００Ｏｅの媒体しか得ら
れない。
スに、これにＰｔやＴａ，Ｗなどを添加したものが用い
られ、前記Ｃｒ下地層の上にこれら磁性膜をエピタキシ
ャル的に成長した薄膜が用いられていた。しかし、この
場合、磁性膜厚３０ｎｍ以下において２０００Ｏｅ以上
の高保磁力が得られず、再生ノイズが小さな磁気記録を
再現性良く実現できない。また、再生ノイズを低下する
目的から上記磁性膜の間にＣｒなどの非磁性中間層をい
れた媒体が提案されているが、従来の構成の磁気記録媒
体では全磁性膜厚３０ｎｍ以下の薄膜では保磁力の低下
が著しく、高々１３００〜１５００Ｏｅの媒体しか得ら
れない。
【０００９】本発明の目的は、上述した従来技術の欠点
を解消し、磁性膜厚３０ｎｍ以下で２ｋＯｅ以上の高保
磁力を有するなど磁気特性に優れた低いノイズ特性をも
つ超高密度磁気記録に好適な面内磁気記録媒体を提供す
ることにある。
を解消し、磁性膜厚３０ｎｍ以下で２ｋＯｅ以上の高保
磁力を有するなど磁気特性に優れた低いノイズ特性をも
つ超高密度磁気記録に好適な面内磁気記録媒体を提供す
ることにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明においては、基板
上に薄膜の結晶成長制御層を設け、その上に組成の異な
る磁性膜を互いに接して構成した積層磁性膜を設け、該
積層磁性膜を非磁性層を介して多層に設け、上記磁性膜
を構造制御用下地層上にエピタキシャル的に形成するこ
とにより、全磁性膜厚３０ｎｍ以下において２０００Ｏ
ｅ以上の保磁力を有する超高密度記録に好適な磁気記録
媒体を実現する。
上に薄膜の結晶成長制御層を設け、その上に組成の異な
る磁性膜を互いに接して構成した積層磁性膜を設け、該
積層磁性膜を非磁性層を介して多層に設け、上記磁性膜
を構造制御用下地層上にエピタキシャル的に形成するこ
とにより、全磁性膜厚３０ｎｍ以下において２０００Ｏ
ｅ以上の保磁力を有する超高密度記録に好適な磁気記録
媒体を実現する。
【００１１】構造制御用薄膜としては、この上に形成す
る磁性膜と結晶格子の整合性の良い材料、例えばＣｒに
Ｖ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｃｏなどを含む合金材料を選択する。
最も一般的には、基板上に体心立方格子（ｂｃｃ）構造
のＣｒ下地層を形成し、この上にＣｏ基合金薄膜を形成
する。このＣｏ基合金薄膜のｃ軸を面内配向させるに
は、＜１００＞もしくは＜１１０＞配向したＣｒ下地層
が望ましい。
る磁性膜と結晶格子の整合性の良い材料、例えばＣｒに
Ｖ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｃｏなどを含む合金材料を選択する。
最も一般的には、基板上に体心立方格子（ｂｃｃ）構造
のＣｒ下地層を形成し、この上にＣｏ基合金薄膜を形成
する。このＣｏ基合金薄膜のｃ軸を面内配向させるに
は、＜１００＞もしくは＜１１０＞配向したＣｒ下地層
が望ましい。
【００１２】高密度磁気記録に適した磁性薄膜として
は、磁化容易軸のｃ軸が基板面に平行に配向しており、
また磁性粒子が夫れ夫れ磁気的に孤立していることが望
ましく、このためには構造制御用薄膜を構成する一個の
結晶粒の上に各々一個の磁性結晶が形成されるのが好適
である。また１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の超高密度記録用の媒
体としては、磁性薄膜の粒径は１０〜５０ｎｍの範囲で
均一であり、磁性粒子が孤立していることが望ましい。
このためには磁性膜の構造制御用薄膜として作用するＣ
ｒを主成分とする合金下地薄膜の結晶粒径も１０〜５０
ｎｍの範囲で均一に分布しており、また＜１１０＞もし
くは＜１００＞方位に配向していることが望ましい。
は、磁化容易軸のｃ軸が基板面に平行に配向しており、
また磁性粒子が夫れ夫れ磁気的に孤立していることが望
ましく、このためには構造制御用薄膜を構成する一個の
結晶粒の上に各々一個の磁性結晶が形成されるのが好適
である。また１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の超高密度記録用の媒
体としては、磁性薄膜の粒径は１０〜５０ｎｍの範囲で
均一であり、磁性粒子が孤立していることが望ましい。
このためには磁性膜の構造制御用薄膜として作用するＣ
ｒを主成分とする合金下地薄膜の結晶粒径も１０〜５０
ｎｍの範囲で均一に分布しており、また＜１１０＞もし
くは＜１００＞方位に配向していることが望ましい。
【００１３】本発明の第１の要点は、組成の異なる２種
以上の磁性薄膜を互いに界面を接して積層した積層磁性
膜を前記構造制御用下地層の上にエピタキシャル的に成
長させる点である。磁性薄膜はＣｏを主成分として、こ
れにＣｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，
Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｎｉおよび希土類元素の
中から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を含んだ材
料から構成される。磁性薄膜の結晶格子定数は組成によ
り変化し、例えばＣｏＣｒ合金にＰｔを添加した場合、
添加量により格子定数は１〜３％変化する。すなわち、
組成の異なる（格子定数の異なる）磁性膜を界面を接し
てエピタキシャル成長させることにより、境界に発生す
るストレスにより磁性膜の保磁力を向上することがで
き、積層磁性膜厚３０ｎｍ以下、特に１５ｎｍ以下でさ
えも２０００Ｏｅ以上の保磁力を得られる。
以上の磁性薄膜を互いに界面を接して積層した積層磁性
膜を前記構造制御用下地層の上にエピタキシャル的に成
長させる点である。磁性薄膜はＣｏを主成分として、こ
れにＣｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，
Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｎｉおよび希土類元素の
中から選ばれる少なくとも１種類以上の元素を含んだ材
料から構成される。磁性薄膜の結晶格子定数は組成によ
り変化し、例えばＣｏＣｒ合金にＰｔを添加した場合、
添加量により格子定数は１〜３％変化する。すなわち、
組成の異なる（格子定数の異なる）磁性膜を界面を接し
てエピタキシャル成長させることにより、境界に発生す
るストレスにより磁性膜の保磁力を向上することがで
き、積層磁性膜厚３０ｎｍ以下、特に１５ｎｍ以下でさ
えも２０００Ｏｅ以上の保磁力を得られる。
【００１４】第２の要点は、前記積層磁性膜を非磁性層
を介して多層に積層する点である。これにより磁性膜の
膜厚方向においての磁気的な相互作用の強さを制御で
き、再生ノイズを低減できる。非磁性層はＣｒ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｒｕから選ばれた少なくとも１種類を含む材料、も
しくはこれを含む合金材料から構成し、例えばＣｒ，Ｃ
ｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％
以上）合金等を用い、この非磁性層の厚さｔMDは、０≦
ｔMD＜１０ｎｍが好適である。非磁性層は単原子層オー
ダーの酸化膜や吸着膜でも同様の効果があり、上式中ｔ
MD＝０は非磁性層が単原子オーダーの膜であることを表
す。また前記積層磁性膜１層の厚さＴm は、低い再生ノ
イズ特性を得るために３０ｎｍ以下が望ましく、より望
ましくは５≦Ｔm ≦３０ｎｍである。
を介して多層に積層する点である。これにより磁性膜の
膜厚方向においての磁気的な相互作用の強さを制御で
き、再生ノイズを低減できる。非磁性層はＣｒ，Ｖ，Ｔ
ｉ，Ｒｕから選ばれた少なくとも１種類を含む材料、も
しくはこれを含む合金材料から構成し、例えばＣｒ，Ｃ
ｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合金、Ｃｏ−Ｃｒ（２５ａｔ％
以上）合金等を用い、この非磁性層の厚さｔMDは、０≦
ｔMD＜１０ｎｍが好適である。非磁性層は単原子層オー
ダーの酸化膜や吸着膜でも同様の効果があり、上式中ｔ
MD＝０は非磁性層が単原子オーダーの膜であることを表
す。また前記積層磁性膜１層の厚さＴm は、低い再生ノ
イズ特性を得るために３０ｎｍ以下が望ましく、より望
ましくは５≦Ｔm ≦３０ｎｍである。
【００１５】積層磁性膜からなる多層の磁気記録媒体を
構成するに際して、積層磁性膜は組成の異なる磁性膜で
構成され、基板に近い側の磁性膜１と下地層の格子定数
の差ΔＬ1 と、基板から遠い側の磁性膜２と下地層の格
子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ 2 ＞ΔＬ1 の関係が成り立
つことが好ましい。但し、下地層の格子定数に対する磁
性膜１と磁性膜２の格子定数のずれの方向は同じ方向と
する。これにより下地層から多層の積層磁性膜の表面ま
で良好なエピタキシャル的結晶成長が実現でき、低ノイ
ズで高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体が得られる。
構成するに際して、積層磁性膜は組成の異なる磁性膜で
構成され、基板に近い側の磁性膜１と下地層の格子定数
の差ΔＬ1 と、基板から遠い側の磁性膜２と下地層の格
子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ 2 ＞ΔＬ1 の関係が成り立
つことが好ましい。但し、下地層の格子定数に対する磁
性膜１と磁性膜２の格子定数のずれの方向は同じ方向と
する。これにより下地層から多層の積層磁性膜の表面ま
で良好なエピタキシャル的結晶成長が実現でき、低ノイ
ズで高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体が得られる。
【００１６】前記組成の異なる２種以上の磁性薄膜を互
いに界面を接して構成した積層磁性薄膜は、上層と下層
の磁性膜の積層膜厚比は目的により任意に設定でき、積
層膜厚比１：１を基準として膜厚比１：３〜３：１の範
囲で保磁力２０００Ｏｅ以上を得ることができる。また
非磁性層を介して形成する積層磁性薄膜は、上層と下層
でその膜厚を変えることも可能であり、下層に比べて上
層の保磁力を大きく設定したり、あるいは飽和磁化の値
を大きく設定することができる。
いに界面を接して構成した積層磁性薄膜は、上層と下層
の磁性膜の積層膜厚比は目的により任意に設定でき、積
層膜厚比１：１を基準として膜厚比１：３〜３：１の範
囲で保磁力２０００Ｏｅ以上を得ることができる。また
非磁性層を介して形成する積層磁性薄膜は、上層と下層
でその膜厚を変えることも可能であり、下層に比べて上
層の保磁力を大きく設定したり、あるいは飽和磁化の値
を大きく設定することができる。
【００１７】１Ｇｂ／ｉｎ2 以上の超高密度磁気記録を
実現するには記録媒体表面と磁気ヘッドとの間のスペー
シングは数十ナノメートルと小さく設定されるため、磁
性膜表面の起伏はできるだけ小さく、望ましくは１０ｎ
ｍ以下が良い。このためには上記磁性膜の構造制御層の
厚さはできるだけ薄いことが望ましく、５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下が好適である。実用的に高い再現性を得るに
は１０〜５０ｎｍが望ましい。本発明の磁気記録媒体に
おける薄膜の形成には、真空蒸着法、高周波スパッタリ
ング法、イオンビームスパッタリング法などの物理蒸着
法を用いることができる。
実現するには記録媒体表面と磁気ヘッドとの間のスペー
シングは数十ナノメートルと小さく設定されるため、磁
性膜表面の起伏はできるだけ小さく、望ましくは１０ｎ
ｍ以下が良い。このためには上記磁性膜の構造制御層の
厚さはできるだけ薄いことが望ましく、５ｎｍ以上１０
０ｎｍ以下が好適である。実用的に高い再現性を得るに
は１０〜５０ｎｍが望ましい。本発明の磁気記録媒体に
おける薄膜の形成には、真空蒸着法、高周波スパッタリ
ング法、イオンビームスパッタリング法などの物理蒸着
法を用いることができる。
【００１８】
【作用】稠密六方格子（ｈｃｐ）構造のＣｏ基合金はそ
のｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有し、面内磁気記
録媒体はこのｃ軸を基板面内に配向させる。構造制御用
薄膜は、このＣｏ基合金のｃ軸を基板面内に高配向させ
るために用いられる。Ｃｒ合金薄膜下地層は、この上に
形成するＣｏ基磁性薄膜の結晶粒径や結晶配向を制御す
るための構造制御用薄膜として作用し、Ｃｏ基磁性薄膜
は、この下地層の上にエピタキシャル的に成長する。ま
た、この構造制御用薄膜はＣｒを主成分とする合金薄膜
を用いることにより、Ｃｒ単独の薄膜の場合に比べて結
晶粒径を小さくでき、従って、この上に形成する磁性薄
膜の結晶粒径も小さく制御できる。
のｃ軸方向に大きな結晶磁気異方性を有し、面内磁気記
録媒体はこのｃ軸を基板面内に配向させる。構造制御用
薄膜は、このＣｏ基合金のｃ軸を基板面内に高配向させ
るために用いられる。Ｃｒ合金薄膜下地層は、この上に
形成するＣｏ基磁性薄膜の結晶粒径や結晶配向を制御す
るための構造制御用薄膜として作用し、Ｃｏ基磁性薄膜
は、この下地層の上にエピタキシャル的に成長する。ま
た、この構造制御用薄膜はＣｒを主成分とする合金薄膜
を用いることにより、Ｃｒ単独の薄膜の場合に比べて結
晶粒径を小さくでき、従って、この上に形成する磁性薄
膜の結晶粒径も小さく制御できる。
【００１９】組成の異なる２種以上の磁性薄膜を互いに
界面を接して構成した積層磁性膜を前記構造制御用下地
層の上にエピタキシャル的に成長させるとき、磁性薄膜
の結晶格子定数は組成により変化し、例えばＣｏＣｒ合
金にＰｔを添加した場合、添加量により格子定数は１〜
３％変化する。すなわち、組成の異なる（格子定数の異
なる）磁性膜を界面を接してエピタキシャル成長させる
ことにより、境界に発生するストレスにより磁性膜の保
磁力を向上することができる。
界面を接して構成した積層磁性膜を前記構造制御用下地
層の上にエピタキシャル的に成長させるとき、磁性薄膜
の結晶格子定数は組成により変化し、例えばＣｏＣｒ合
金にＰｔを添加した場合、添加量により格子定数は１〜
３％変化する。すなわち、組成の異なる（格子定数の異
なる）磁性膜を界面を接してエピタキシャル成長させる
ことにより、境界に発生するストレスにより磁性膜の保
磁力を向上することができる。
【００２０】前記積層磁性膜を非磁性層を介して多層に
構成することにより、磁性膜の膜厚方向における磁気的
な相互作用の強さを制御でき、再生ノイズを低減でき
る。磁性膜の間の磁気的相互作用を弱める目的からは、
非磁性層の厚さは１０ｎｍ以下で十分である。また、非
磁性層の厚さを１０ｎｍ以上にすると磁性膜のエピタキ
シャル成長に悪影響を及ぼし、磁性層の保持力が低下し
再生ノイズが増大するので１０ｎｍより薄いのが好まし
い。
構成することにより、磁性膜の膜厚方向における磁気的
な相互作用の強さを制御でき、再生ノイズを低減でき
る。磁性膜の間の磁気的相互作用を弱める目的からは、
非磁性層の厚さは１０ｎｍ以下で十分である。また、非
磁性層の厚さを１０ｎｍ以上にすると磁性膜のエピタキ
シャル成長に悪影響を及ぼし、磁性層の保持力が低下し
再生ノイズが増大するので１０ｎｍより薄いのが好まし
い。
【００２１】また、積層磁性膜の基板に近い側の磁性膜
と下地層の格子定数の差ΔＬ1 と、基板から遠い側の磁
性膜と下地層の格子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ2 ＞ΔＬ
1 の関係が成り立つことが好ましい。これにより下地層
から多層の積層磁性膜の表面まで良好なエピタキシャル
的結晶成長が実現でき、低ノイズで高密度磁気記録に好
適な磁気記録媒体が得られる。
と下地層の格子定数の差ΔＬ1 と、基板から遠い側の磁
性膜と下地層の格子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ2 ＞ΔＬ
1 の関係が成り立つことが好ましい。これにより下地層
から多層の積層磁性膜の表面まで良好なエピタキシャル
的結晶成長が実現でき、低ノイズで高密度磁気記録に好
適な磁気記録媒体が得られる。
【００２２】
【実施例】以下に本発明の実施例について、図面を参照
しながら詳細に説明する。図において、同一の符号を付
したものは、同じ性能特性を有する部分を表す。図１
（ａ）は、磁性膜の面内方向と膜厚方向での磁気的相互
作用を制御し、且つ高保磁力、低膜厚化を図り、低ノイ
ズ特性、高密度磁気記録を実現した実施例を示す。
しながら詳細に説明する。図において、同一の符号を付
したものは、同じ性能特性を有する部分を表す。図１
（ａ）は、磁性膜の面内方向と膜厚方向での磁気的相互
作用を制御し、且つ高保磁力、低膜厚化を図り、低ノイ
ズ特性、高密度磁気記録を実現した実施例を示す。
【００２３】洗浄したガラス基板１をスパッタリング装
置に設置し、２×１０-7Ｔｏｒｒの真空まで排気した。
続いて基板１を２００℃に加熱し、磁性膜の構造制御用
として厚さ５０ｎｍの下地層２を形成した。下地層２と
してはＣｒを用いたが、Ｃｒを主成分としてこれにＶ，
Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒなどの元素を添加して用いることも可能
である。上記下地層２は体心立方格子構造を有し、その
成長方位は＜１１０＞もしくは＜１００＞方位であっ
た。この下地層の上に引き続き同一真空中で第１磁性膜
３、第２磁性膜４を順次形成して構成した積層膜を作製
し、さらにこの上に非磁性層１２を介して上記と同様に
第１磁性膜３、第２磁性膜４を順次形成して構成した積
層膜を形成し、２組の積層膜から成る多層膜Ａ１３を作
製した。非磁性層１２にはＣｒを用いた。
置に設置し、２×１０-7Ｔｏｒｒの真空まで排気した。
続いて基板１を２００℃に加熱し、磁性膜の構造制御用
として厚さ５０ｎｍの下地層２を形成した。下地層２と
してはＣｒを用いたが、Ｃｒを主成分としてこれにＶ，
Ｔｉ，Ｒｕ，Ｈｆ，Ｉｒ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｒｅ，Ｔ
ａ，Ｔｉ，Ｚｒなどの元素を添加して用いることも可能
である。上記下地層２は体心立方格子構造を有し、その
成長方位は＜１１０＞もしくは＜１００＞方位であっ
た。この下地層の上に引き続き同一真空中で第１磁性膜
３、第２磁性膜４を順次形成して構成した積層膜を作製
し、さらにこの上に非磁性層１２を介して上記と同様に
第１磁性膜３、第２磁性膜４を順次形成して構成した積
層膜を形成し、２組の積層膜から成る多層膜Ａ１３を作
製した。非磁性層１２にはＣｒを用いた。
【００２４】薄膜の形成は、スパッタリングＡｒガスの
圧力を１５ｍＴｏｒｒとしてＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により行った。磁性膜形成用のターゲットは薄
膜と同一組成の合金を用いた。この多層膜Ａ１３の上に
は膜厚１０ｎｍの保護膜６を形成した。本実施例では、
第１磁性膜３としてＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔ
ａ系磁性膜を、第２磁性膜４としてＣｏ−１１ａｔ％Ｃ
ｒ−１５ａｔ％Ｐｔ系磁性膜を用いた。
圧力を１５ｍＴｏｒｒとしてＤＣマグネトロンスパッタ
リング法により行った。磁性膜形成用のターゲットは薄
膜と同一組成の合金を用いた。この多層膜Ａ１３の上に
は膜厚１０ｎｍの保護膜６を形成した。本実施例では、
第１磁性膜３としてＣｏ−１６ａｔ％Ｃｒ−４ａｔ％Ｔ
ａ系磁性膜を、第２磁性膜４としてＣｏ−１１ａｔ％Ｃ
ｒ−１５ａｔ％Ｐｔ系磁性膜を用いた。
【００２５】本実施例の場合、第２磁性膜として用いた
Ｃｏ基合金の格子定数は、第１磁性膜のＣｏ基合金の格
子定数に比べて約２％大きい。すなわち、下地層２と第
１磁性膜との格子定数の差ΔＬ1 と、下地層２と第２磁
性膜との格子定数の差ΔＬ2の間にはΔＬ2 ＞ΔＬ1 の
関係が成り立っている。ΔＬ2 とΔＬ1 の差は、大きす
ぎるとエピタキシャル成長が生じ難くなり、小さすぎる
と格子歪が小さくて保持力を高める効果が小さいため、
第１磁性膜であるＣｏ基合金の格子定数に対して１〜５
％が適切である。このΔＬ2 とΔＬ1 の差は、Ｃｏ基合
金の添加元素の組成を変化することにより任意に設定で
きる。
Ｃｏ基合金の格子定数は、第１磁性膜のＣｏ基合金の格
子定数に比べて約２％大きい。すなわち、下地層２と第
１磁性膜との格子定数の差ΔＬ1 と、下地層２と第２磁
性膜との格子定数の差ΔＬ2の間にはΔＬ2 ＞ΔＬ1 の
関係が成り立っている。ΔＬ2 とΔＬ1 の差は、大きす
ぎるとエピタキシャル成長が生じ難くなり、小さすぎる
と格子歪が小さくて保持力を高める効果が小さいため、
第１磁性膜であるＣｏ基合金の格子定数に対して１〜５
％が適切である。このΔＬ2 とΔＬ1 の差は、Ｃｏ基合
金の添加元素の組成を変化することにより任意に設定で
きる。
【００２６】第１磁性膜３の膜厚ｔm1と第２磁性膜の膜
厚ｔm2は任意に選択できるが、ここではｔm1＝ｔm2に設
定した。また積層膜の厚さＴm1（＝ｔm1＋ｔm2）および
Ｔm2は任意に選択できるが、ここではＴm1＝Ｔm2＝１５
ｎｍに設定した場合について説明する。比較用として、
図１（ｂ）に示すように、上記下地層２の上に全磁性膜
の厚さ（Ｔ＝Ｔm1＋Ｔm2）を同じに設定し、第１磁性膜
材料を非磁性層１２を介して構成した２層の交互膜Ａ１
４、図１（ｃ）に示すように、上記下地層２の上に全磁
性膜の厚さ（Ｔ＝Ｔm1＋Ｔm2）を同じに設定し、同様に
非磁性層１２を介して第１磁性膜３、第２磁性膜４の順
に構成した交互膜Ｂ１５、図１（ｄ）に示すように、上
記下地層の上に第１磁性層３と第２磁性層４を順次形成
した積層膜Ａ５、及び図１（ｅ）に示すように、上記下
地層２の上に第１磁性膜材料３のみから構成された単層
膜Ａ７を作製した。
厚ｔm2は任意に選択できるが、ここではｔm1＝ｔm2に設
定した。また積層膜の厚さＴm1（＝ｔm1＋ｔm2）および
Ｔm2は任意に選択できるが、ここではＴm1＝Ｔm2＝１５
ｎｍに設定した場合について説明する。比較用として、
図１（ｂ）に示すように、上記下地層２の上に全磁性膜
の厚さ（Ｔ＝Ｔm1＋Ｔm2）を同じに設定し、第１磁性膜
材料を非磁性層１２を介して構成した２層の交互膜Ａ１
４、図１（ｃ）に示すように、上記下地層２の上に全磁
性膜の厚さ（Ｔ＝Ｔm1＋Ｔm2）を同じに設定し、同様に
非磁性層１２を介して第１磁性膜３、第２磁性膜４の順
に構成した交互膜Ｂ１５、図１（ｄ）に示すように、上
記下地層の上に第１磁性層３と第２磁性層４を順次形成
した積層膜Ａ５、及び図１（ｅ）に示すように、上記下
地層２の上に第１磁性膜材料３のみから構成された単層
膜Ａ７を作製した。
【００２７】上記の多層膜Ａ、交互膜Ａ，Ｂ、積層膜Ａ
及び単層膜Ａは、いずれも下地層の上にエピタキシャル
的に成長した膜であることをＸ線回折法と電子顕微鏡に
より確認した。非磁性層を含む上記３種類の構成の磁性
膜において、非磁性層の膜厚ｔMDを変化したときの保磁
力を比較した結果を図２に示す。図中、曲線１６は多層
膜Ａの保持力を、曲線１７は交互膜Ａの保持力を、曲線
１８は交互膜Ｂの保持力を表す。同図から明らかなよう
に、本発明の多層膜Ａからなる磁性膜は、超高密度磁気
記録に好適な２０００Ｏｅ以上の保磁力を再現性良く得
ることができる。非磁性層の厚さｔMDは、０≦ｔMD＜１
０ｎｍで２０００Ｏｅ以上の保磁力が得られるが、工業
的に量産可能な装置において再現性良く高保磁力を実現
できる非磁性層の厚さは１ｎｍ以上が望ましい。この条
件は多層膜Ａで満足されることが図２からも明らかであ
る。
及び単層膜Ａは、いずれも下地層の上にエピタキシャル
的に成長した膜であることをＸ線回折法と電子顕微鏡に
より確認した。非磁性層を含む上記３種類の構成の磁性
膜において、非磁性層の膜厚ｔMDを変化したときの保磁
力を比較した結果を図２に示す。図中、曲線１６は多層
膜Ａの保持力を、曲線１７は交互膜Ａの保持力を、曲線
１８は交互膜Ｂの保持力を表す。同図から明らかなよう
に、本発明の多層膜Ａからなる磁性膜は、超高密度磁気
記録に好適な２０００Ｏｅ以上の保磁力を再現性良く得
ることができる。非磁性層の厚さｔMDは、０≦ｔMD＜１
０ｎｍで２０００Ｏｅ以上の保磁力が得られるが、工業
的に量産可能な装置において再現性良く高保磁力を実現
できる非磁性層の厚さは１ｎｍ以上が望ましい。この条
件は多層膜Ａで満足されることが図２からも明らかであ
る。
【００２８】図１（ａ）の多層膜Ａの構成の磁性膜にお
いて非磁性層１２の厚さｔMDを２ｎｍに設定し、第１、
第２磁性膜からなる積層膜の厚さ（Ｔm1、Ｔm2）を変化
したときの保磁力を図３に示す。比較用として図１
（ｃ）の交互膜Ｂの構成の磁性膜の特性も同図に示し
た。図から明らかなように、本発明の多層膜構造の磁気
記録媒体は積層膜の厚さを１０ｎｍに薄く構成しても高
い保磁力を実現できることがわかる。図３は、Ｔm1＝Ｔ
m2の場合であるが、Ｔm1≠Ｔm2の場合であっても保持力
は同様の傾向を示す。
いて非磁性層１２の厚さｔMDを２ｎｍに設定し、第１、
第２磁性膜からなる積層膜の厚さ（Ｔm1、Ｔm2）を変化
したときの保磁力を図３に示す。比較用として図１
（ｃ）の交互膜Ｂの構成の磁性膜の特性も同図に示し
た。図から明らかなように、本発明の多層膜構造の磁気
記録媒体は積層膜の厚さを１０ｎｍに薄く構成しても高
い保磁力を実現できることがわかる。図３は、Ｔm1＝Ｔ
m2の場合であるが、Ｔm1≠Ｔm2の場合であっても保持力
は同様の傾向を示す。
【００２９】前記した各種構造の磁気記録媒体を作製
し、これに薄膜磁気ヘッドにより磁気記録を行い、さら
にこれを磁気抵抗効果型ヘッドにより再生した信号のノ
イズ特性の記録密度依存性を測定し、比較した結果を図
４に示す。この記録再生特性は８０ｎｍの磁気スペーシ
ングを保って測定した。図から明らかなように、本発明
の多層膜構造の磁気記録は、全ての記録密度領域におい
て従来の記録媒体に比べて再生ノイズの小さい磁気記録
が実現されており、現在の装置系によっても１Ｇｂ／ｉ
ｎ2 の記録密度を達成できる可能性を示していることが
わかる。
し、これに薄膜磁気ヘッドにより磁気記録を行い、さら
にこれを磁気抵抗効果型ヘッドにより再生した信号のノ
イズ特性の記録密度依存性を測定し、比較した結果を図
４に示す。この記録再生特性は８０ｎｍの磁気スペーシ
ングを保って測定した。図から明らかなように、本発明
の多層膜構造の磁気記録は、全ての記録密度領域におい
て従来の記録媒体に比べて再生ノイズの小さい磁気記録
が実現されており、現在の装置系によっても１Ｇｂ／ｉ
ｎ2 の記録密度を達成できる可能性を示していることが
わかる。
【００３０】本実施例の多層膜構造磁気記録媒体の第
１、第２磁性膜としては、上記で説明した以外に、Ｃｏ
を主成分とし、これにＣｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｎｉおよ
び希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上の
元素を含んだ材料から構成され、下地層２と第１磁性膜
との格子定数の差ΔＬ1 と、下地層２と第２磁性膜との
格子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ2 ＞ΔＬ1 の関係が成り
立ち、ΔＬ2 とΔＬ1 の差が第１磁性層の格子定数に対
して１〜５％の間にあれば他の組成の材料の組合せでも
よい。但し、下地層の格子定数に対する磁性膜１と磁性
膜２の格子定数のずれの方向（正負の方向）は同じ方向
とする。非磁性層はＣｒの他に、Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｒｕ
から選ばれた少なくとも１種類を含む材料もしくはこれ
を含む合金材料、例えばＣｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金（２５ａｔ％Ｃｒ以上）を用いても
よい。また非磁性層は体心立方格子構造、または稠密六
方格子構造のいずれでも同様の効果を得ることができ
る。さらに、薄膜の形成法はスパッタリング法の他に真
空蒸着法、イオンビームスパッタリング法などのいずれ
を用いても良い。
１、第２磁性膜としては、上記で説明した以外に、Ｃｏ
を主成分とし、これにＣｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓ
ｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｎｉおよ
び希土類元素の中から選ばれる少なくとも１種類以上の
元素を含んだ材料から構成され、下地層２と第１磁性膜
との格子定数の差ΔＬ1 と、下地層２と第２磁性膜との
格子定数の差ΔＬ2 の間にΔＬ2 ＞ΔＬ1 の関係が成り
立ち、ΔＬ2 とΔＬ1 の差が第１磁性層の格子定数に対
して１〜５％の間にあれば他の組成の材料の組合せでも
よい。但し、下地層の格子定数に対する磁性膜１と磁性
膜２の格子定数のずれの方向（正負の方向）は同じ方向
とする。非磁性層はＣｒの他に、Ｃｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｒｕ
から選ばれた少なくとも１種類を含む材料もしくはこれ
を含む合金材料、例えばＣｒ−Ｖ合金、Ｃｒ−Ｔｉ合
金、Ｃｏ−Ｃｒ合金（２５ａｔ％Ｃｒ以上）を用いても
よい。また非磁性層は体心立方格子構造、または稠密六
方格子構造のいずれでも同様の効果を得ることができ
る。さらに、薄膜の形成法はスパッタリング法の他に真
空蒸着法、イオンビームスパッタリング法などのいずれ
を用いても良い。
【００３１】本実施例では、２種類の磁性膜で構成した
積層膜を用いて説明したが、２種類以上の磁性膜を用い
た積層膜でも同様の効果を得ることができる。また、前
記積層膜を非磁性層を介して３層以上積み重ねた多層膜
構造磁気記録媒体を用いても、上記の如く低い再生ノイ
ズ特性の磁気記録を実現できる。図５は、本発明による
磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録装置の模式図であ
る。磁気記録媒体５１は、モータにより回転する保持具
により保持され、それぞれの各磁性膜に対応して情報の
書き込み、読み出しのための磁気抵抗効果素子再生複合
ヘッド５２が配置されている。この磁気抵抗効果素子再
生複合ヘッド５２の磁気記録が媒体５１に対する位置を
アクチュエータ５３とボイスコイルモータ５２により移
動させる。さらにこれらを制御するために記録再生回路
５５、位置決め回路５６、インターフェイス制御回路５
７が設けられている。
積層膜を用いて説明したが、２種類以上の磁性膜を用い
た積層膜でも同様の効果を得ることができる。また、前
記積層膜を非磁性層を介して３層以上積み重ねた多層膜
構造磁気記録媒体を用いても、上記の如く低い再生ノイ
ズ特性の磁気記録を実現できる。図５は、本発明による
磁気記録媒体を組み込んだ磁気記録装置の模式図であ
る。磁気記録媒体５１は、モータにより回転する保持具
により保持され、それぞれの各磁性膜に対応して情報の
書き込み、読み出しのための磁気抵抗効果素子再生複合
ヘッド５２が配置されている。この磁気抵抗効果素子再
生複合ヘッド５２の磁気記録が媒体５１に対する位置を
アクチュエータ５３とボイスコイルモータ５２により移
動させる。さらにこれらを制御するために記録再生回路
５５、位置決め回路５６、インターフェイス制御回路５
７が設けられている。
【００３２】
【発明の効果】以上詳細に説明したごとく、本発明の磁
気記録媒体によれば、基板上に磁性薄膜の構造制御用の
下地層を形成し、この上に組成の異なる少なくとも２層
からなる磁性膜を互いに接して構成した積層磁性膜を膜
厚０≦ｔMD＜１０ｎｍの非磁性層を介して多層に形成し
てなる多層膜構造の記録媒体を用いることにより、前記
積層磁性膜の厚さＴm が５≦Ｔm ≦３０ｎｍの薄膜にお
いて２ｋＯｅ以上の高保磁力が実現でき、記録再生ノイ
ズ特性の小さい超高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体
を提供できる効果があり、工業上の利用価値は極めて大
きい。
気記録媒体によれば、基板上に磁性薄膜の構造制御用の
下地層を形成し、この上に組成の異なる少なくとも２層
からなる磁性膜を互いに接して構成した積層磁性膜を膜
厚０≦ｔMD＜１０ｎｍの非磁性層を介して多層に形成し
てなる多層膜構造の記録媒体を用いることにより、前記
積層磁性膜の厚さＴm が５≦Ｔm ≦３０ｎｍの薄膜にお
いて２ｋＯｅ以上の高保磁力が実現でき、記録再生ノイ
ズ特性の小さい超高密度磁気記録に好適な磁気記録媒体
を提供できる効果があり、工業上の利用価値は極めて大
きい。
【図１】本発明による多層膜構造磁気記録媒体の一実施
例及び比較例の断面模式図。
例及び比較例の断面模式図。
【図２】図１の構成の記録媒体の非磁性層の効果を説明
する図。
する図。
【図３】本発明の実施例による多層膜及び比較用の交互
膜の保持力を示す図。
膜の保持力を示す図。
【図４】記録媒体のノイズ特性を示す図。
【図５】磁気記録装置の模式図。
１…基板、２…下地層、３…第１磁性膜、４…第２磁性
膜、５…積層膜Ａ、６…保護膜、１２…非磁性層、１３
…多層膜Ａ、１４…交互膜Ａ、１５…交互膜Ｂ、１６…
多層膜Ａの保磁力、１７…交互膜Ａの保磁力、１８…交
互膜Ｂの保磁力、５１…磁気記録媒体、５２…磁気抵抗
効果素子再生複合ヘッド、５３…アクチュエータ、５４
…ボイスコイルモータ、５５…記録再生回路、５６…位
置決め回路、５７…インターフェイス制御回路
膜、５…積層膜Ａ、６…保護膜、１２…非磁性層、１３
…多層膜Ａ、１４…交互膜Ａ、１５…交互膜Ｂ、１６…
多層膜Ａの保磁力、１７…交互膜Ａの保磁力、１８…交
互膜Ｂの保磁力、５１…磁気記録媒体、５２…磁気抵抗
効果素子再生複合ヘッド、５３…アクチュエータ、５４
…ボイスコイルモータ、５５…記録再生回路、５６…位
置決め回路、５７…インターフェイス制御回路
フロントページの続き (72)発明者 二本 正昭 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に、磁性薄膜の構造制御用の下地
層を設け、この上に組成の異なる少なくとも２層からな
る磁性膜を互いに接して構成した積層磁性膜を非磁性層
を介して多層に設けたことを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項２】 積層磁性膜および非磁性層は構造制御用
の下地層の上にエピタキシャル成長していることを特徴
とする請求項１記載の磁気記録媒体。 - 【請求項３】 積層磁性膜を構成する２層の磁性膜の格
子定数は下地層の格子定数に対して各々同じ方向にずれ
ており、基板に近い側の磁性膜と下地層の格子定数の差
ΔＬ1 と、基板から遠い側の磁性膜と下地層の格子定数
の差ΔＬ2 の間にΔＬ2 ＞ΔＬ1 の関係が成り立つこと
を特徴とする請求項１又は２記載の磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性層はＣｒ，Ｖ，Ｔｉ，Ｒｕ，Ｗ，
Ｍｏからなる群から選ばれた少なくとも１種類の元素を
含む材料、又は該元素を含む合金材料からなることを特
徴とする請求項１、２又は３記載の磁気記録媒体。 - 【請求項５】 非磁性層の厚さは１０ｎｍ以下であるこ
とを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項記載の磁気
記録媒体。 - 【請求項６】 磁性膜はＣｏを主成分とし、これにＣ
ｒ，Ｍｏ，Ｖ，Ｔａ，Ｐｔ，Ｓｉ，Ｂ，Ｉｒ，Ｗ，Ｈ
ｆ，Ｎｂ，Ｒｕ，Ｔｉ，Ｎｉおよび希土類元素の中から
選ばれる少なくとも１種類以上の元素を含んでなる材料
から構成されることを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 一組の積層磁性膜の厚さは５ｎｍ以上、
３０ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜６のい
ずれか１項記載の磁気記録媒体。 - 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項記載の磁気
記録媒体、該磁気記録媒体を保持するための保持具、磁
気記録媒体の磁性膜上に配置され、情報を記録、再生す
るための磁気ヘッド、磁気ヘッドと磁気記録媒体の相対
的位置を移動させるための移動手段、及びこれらを制御
するための制御手段を有することを特徴とする磁気記録
装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282385A JPH07134820A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 |
| US08/832,330 US5851643A (en) | 1993-11-11 | 1997-03-26 | Magnetic recording media and magnetic recording read-back system which uses such media |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5282385A JPH07134820A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07134820A true JPH07134820A (ja) | 1995-05-23 |
Family
ID=17651718
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5282385A Pending JPH07134820A (ja) | 1993-11-11 | 1993-11-11 | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記録装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07134820A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6602612B2 (en) | 1999-06-08 | 2003-08-05 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6645646B1 (en) | 1999-06-08 | 2003-11-11 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6689495B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-02-10 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US6753101B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-06-22 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium, magnetic storage apparatus, recording method and method of producing magnetic recording medium |
| US6819531B2 (en) | 1998-08-20 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording and reading device having 50 mb/s transfer rate |
| US6821652B1 (en) | 1999-06-08 | 2004-11-23 | Fujitsu Limited | Magnetic recording medium and magnetic storage apparatus |
| US7532436B2 (en) | 2004-09-14 | 2009-05-12 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium and magnetic memory device for high density recording |
| US7545604B2 (en) | 2004-12-24 | 2009-06-09 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetic recording medium having a cobalt-based alloy film for high density recording and magnetic storage device using same |
-
1993
- 1993-11-11 JP JP5282385A patent/JPH07134820A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6743528B2 (en) | 1998-03-20 | 2004-06-01 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US7166374B2 (en) | 1998-03-20 | 2007-01-23 | Komag, Inc. | Magnetic recording medium |
| US7339762B2 (en) | 1998-08-20 | 2008-03-04 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording and reading device |
| US6819531B2 (en) | 1998-08-20 | 2004-11-16 | Hitachi, Ltd. | Magnetic recording and reading device having 50 mb/s transfer rate |
| US7177115B2 (en) | 1998-08-20 | 2007-02-13 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording and reading device |
| US7782566B2 (en) | 1998-08-20 | 2010-08-24 | Hitachi Global Storage Technologies Japan, Ltd. | Magnetic recording and reading device |
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